DE1961125A1 - Speicherschaltung - Google Patents
SpeicherschaltungInfo
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Description
6885-69/kö/S
RCA 58288
Convention Date:
December 5, I969
RCA 58288
Convention Date:
December 5, I969
RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A.
Speicherschaltung
Die Erfindung betrifft eine Speicherschaltung unter Verwendung
eines Transistors, insbesondere eines Feldeffekt-Speichertransistors.
Aktive Halbleiterbauelemente wie Feldeffekttranistoren sind
als Speicherelemente von großem Interesse. Mit derartigen Bauelementen ausgerüstete Schaltungen haben den Vorteil, daß sie eine
hohe Arbeitsgeschwindigkeit haben, billig sind, wenig Leistung benötigen,
einen geringen Platzbedarf haben und zu großen Anordnungen integriert werden können. Die bisher bekannten Schaltungen
dieser Art lassen sich jedoch in mehrfacher Hinsieht noch verbessern.
Beispielsweise sind handelsübliche Speicherschaltungen unter Verwendung von Halbleiterbauelementen im allgemeinen mit mindestens
vier oder fünf aktiven Halbleiterbauelementen (z.B. den oben erwähnten
Transistoren oder dergl.) für jedes gespeicherte Informationsbit ausgerüstet. Wenn sich die Anzahl der aktiven Halbleiterbauelemente
pro Bit verringern ließe, würde sich die Anzahl von Speicherzellen in einer Fläche gegebener Größe entsprechend
erhöhen.
Es wurden bereits eine Anzahl von Vorschlägen für Speicherschaltungen
mit nur einem Transistor je gespeichertes Bit gemacht.
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Derartige Schaltungen enthalten gewöhnlich einen Transistor vom
sogenannten Speichertyp, d.h. einen Transistor, dessen Hauptlei-*
tungsweg (zwischen den beiden sogenannten Hauptelektrode!!) auf'
einen oder den anderen von mindestens zwei Leitfähigkeits- oder
Leitungszuständeneinstellbar ist, wobei der Transistor danach
diesen seinen eingestellten Zustand (bei nichtvorhandenen äußeren Einflüssen) auch dann beibehält, wenn beispielsweise von außen zugeführte
Spannungen wieder von den Elektroden des Transistors entfernt werden. Ein derartiger Speichertransistor ist der sogenannte
ferroelektrische Speichertransistor, der aus einem Halbleiterkör-,
per besteht, dessen Leitungsweg durch Polarisierung von ferroelektrischem
Material umgeschaltet wird. Das ferroelektrische Material
ist nahe bei den Elektroden des Transistors angeordnet, damit die Oberflächenladung auf einem am Leitungsweg befindlichen
Teil des Halbleiterkörpers verändert werden kann. Es hat sich jedoch in der Praxis herausgestellt, daß solche ferroelektrischen
Transistoren äußerst schwierig herzustellen sowie unstabil sind^
so daß ihre Verwendung in Speicherschaltungen bisher nicht vorgeschlagen
worden ist.
Die Erfindung geht aus von Speicherschaltungen, wie sie in der
belgischen Patentschrift 722 411 vom 16.10.1968 der gleichen
Anmelderin beschrieben sind. Jede dieser Speicherschaltungsaus— führungen arbeitet mit einem Transistor vom Feldeffekttyp und benötigt
außerdem mindestens einen zusätzlichen, in herkömmlicher Weise betriebenen Feldeffekttransistor, mittels dessen dem durch
die Hauptelektroden des Speichertransistors gebildeten Stromweg oder Kanal selektiv Betriebsspannung zugeführt wird. Die Schaltung
benötigt ferner einen zusätzlichen Lastwiderstand für den
Speichertransistor, an welchem die Spannung während des Lesevorgangs
erfaßt wird, um den Zustand, auf welchen der Speichertransistor
zuvor eingestellt worden ist, festzustellen. Außer daß sie
die Zuführung vieler verschiedener Spannungswerte.^erfordert, erzeugt
diese spezielle Speicherschaltung im Lesebje.trieb ein Ausgangssignal,
das nicht nur vom Zustand 4es Speiaherelements, sondern
außerdem (unter anderem) vom Widerstand bzw. von der Impedanz
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des zusätzlichen herkömmlichen: FeI deffekttransistors abhängt.
Die Ausgangsparameter der Schaltung können daher von Speicherschaltung
zu Speicherschaltung verschieden sein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde^ eine Speicher- ■
schaltung mit aktivem Halbleiterbauelement zu schaffen, bei der
für die Speicherung eines binären Informationsbits ein einziger
Feldeffekt-Speichertransistor verwendet wird.
Eine Schaltung^ auf welche die Erfindung anwendbar ist, enthält einen Feldeffekt—Speichertransistor mit Quellen- und Abfluß-
C-
elektrode (entsprechend den beiden vorerwähnten "Häuptelektröden")
sowie Gitter- oder Steuerelektrode. Ein solcher Transistor hat
einen zwischen Quellen— und Abflußelektrode sich erstreckenden Stromweg oder "Kanal" zum steuerbaren Leiten des von einer äußeren
Betriebsspannungsquelle gelieferten Stromes. Der Transistor,
der von der in der oben erwähnten belgischen Patentschrift beschriebenen Art sein kann, hat bistabile Eigenschaften, indem er
bei Anlegen einer ersten Spannung von einen ersten gegebenen Wert
übersteigender Größe und von einer die Leitfähigkeit des Kanals
erhöhenden Polarität zwischen Gitter und Quellenelektrode in einen Zustand gesetzt wird, in welchem er einen ersten Schwellwert
aufweist, während bei Anlegen einer zweiten Spannung von einen zweiten gegebenen Wert übersteigender Größe und von einer die
Leitfähigkeit des Kanals erniedrigenden Polarität zwischen Gitter
und Quellenelektrode in einen Zustand gesetzt wird, in welchem er einen zweiten, vom ersten Schwellwert verschiedenen Schwellwert
aufweist. Der Transistor ist so geschaltet, daß zwischen seine Quellen- und Abflußelektrοde (beispielsweise über ein als Last-Widerstand
arbeitendes passives Schaltungselement) eine Betriebsspannung
von einer äußeren Quelle gelegt wird. Ferner ist zwischen Quellenelektrode und Gitter während des Schreibvorgangs ein Signal,
dessen Amplitude gleich entweder der ersten oder der zweiten
Spannung ist, und während des Lesevorgangs ein Signal, dessen
Amplitude zwischen dem ersten und dem zweiten gegebenen Wert liegt,
anlegbar.
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Gemäß1 einer bevorzugten:. Ausführungsform der Erfindung ist
der Speichertransistor das einzige aktive Schaltungselement und
1st während des Lesevorgangs die Ausgangsgröße der Schaltung allein
durch die Impedanz des Kanals (der Quellen-Abflußstrecke) des
Speichertransistors bestimmt.
Die erfindungsgemäße Schaltung hat den Vorteil, daß ihr
Platzbedarf minimal gering ist. Außerdem ist die Leistungsfähigkeit
der Schaltung verbessert, da aufgrund der Abhängigkeit von
der Impedanz (dem Widerstand) des einzigen Transistors die Eigenfc
schäften oder Parameter des Ausgangssignals leichter kontrolliert
werden können. Ferner kann die Speicherschaltung über eine nur minimale
Anzahl von Leitungen (z.B. die zur Quellen- und Abflußelektrode führenden Leitungen) bei Anwesenheit von Steuersignalen
bedient werden, die (mit einer minimalen Anzahl von Spannungswerten)
über zur Quellenelektrode und zum Gitter des einzigen Transistors führende Leitungen angeliefert werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen im
einzelnen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform eines
für die erfindungsgemäße Schaltung verwendbaren Halbleiterbauelements;
.
Figur 2 ein den bistabilen Charakter des Bauelements veranschaulichendes
Kapazitäte/Spannungsdiagrammj
Figur 3 ein Schaltschema, das die Anwendung des Bauelements als veränderlichen Schwellwert detektor veranschaulicht ·,
Figur 4a und 4b Spannungs/Stromdiagramme des Bauelements im
niederen bzw. hohen Schwellwertzustand;
Figur 5 ein Schaltschema, das die Anwendung des Bauelements
als Speicherelement veranschaulichtj und
Figur 6 das Schaltschema einer Reihenanordnung zum Setzen
und Ablesen des Speicherelements nachFigur 5·
Figur 1 zeigt einen für die erfindungsgemäße Schaltung ge-
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eigneten gitterisolierten Feldeffekttransistor 10 vom stromdrosselnden
Typ. Der Transistor 10 hat einen Körper 12 aus Halbleitermaterial gegebenen Leitungstyps» beispielsweise p-Silicium,, mit
einer Oberfläche 14»,An der Oberfläche 14 befinden sich beabstande-
des
te Gebiete 15 und 16/entgegengesetzten Leitungstyps, welche das
Quellengebiet bzw. das Abflußgebiet des Transistors 10 bilden. Durch den Abstand zwischen den Gebieten 15 und 16 ist die Breite
des stromführenden Kanals bestimmt. Die Gebiete 15 und 16 sind auf
der Oberfläche 14 mit Elektroden 18 bzw, 20 ohmisch kontaktiert.
Über dem Kanal zwischen den Gebieten 15 und 16 befindet sich
eine Anordnung mit äem Gitter (Steuerelektrode) sowie Ladungsspeicherelementen für den Transistor 10. Die erste auf der Oberfläche
14 zwischen den Gebieten 15 und Io befindliche Schicht ist
eine dünne Schicht 22 aus Isoliermaterial wie Siliciumdioxyd.
Auf dieser Siliciumdioxydschicht 22 befindet sich eine Schicht 24 aus einem Material, das Ladungsträger annehmen und auf örtliche
Stellen oder Plätze an der Grenzfläche zwischen den Schichten 22 und 24 beschränken kann« Beim vorliegenden Ausführungsbdspiel besteht
die Schicht 24 aus Siliciumnitrid, das selbst ein Isolator
ist. Auf der Siliciumnitridschicht 24 befindet sich eine metallische Elektrode 26.Über Zuleitungen 28, 30 und 32 sind den Elektroden
18, 20 und 26 äußere Spannungen zuführbar. Der Kanal 34» der
im Falle von Transistoren vom stromdrosselnden Typ bei anliegender Gitterspannung null besteht, ist durch die gestrichelte Linie 35 angedeutet.
Der Transistor 10 kann nach bekannten Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise können das Quellengebiet 15 und das Abflußgebiet
16 durch selektives Maskieren der Oberfläche 14 und Eindiffundieren
von Dotierstoffen durch entsprechende Bereiche der Oberfläche 14 in den Körper 12 gebildet werden. Die Siliciumdioxyd-•chicht
kann durch thermisches Oxydieren der Oberfläche des Körpers 12 oder durch pyrolythische Zersetzung einer organischen Siloxanverbindung
wie Tetraäthoxyeilan auf der Oberfläche 12 gebildet werden. Die Siliciumnitridschicht kann durch Erhitzen des
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Körpers 12 in einer Atmosphäre von Silan (SiH.) und Ammoniak
gebracht werden. ' ■·-,..,:· h
Für die Isolierschicht 24 können statt Siliciumnitrid auch andere geeignete Materialien mit den gleichen oder ähnlichen Eigenschaften
verwendet werden. Statt eines Transistors 10 vom stromdrosselnden,
kann man auch einen solchen vom stromerhöhenden Typ,
und zwar sowohl aus p- als auch aus η-leitendem Silicium, mit
einer Isolierschicht wie der Schicht 24 verwenden.
Die Speicherwirkung des Transistors 10 läßt sich demonstrieren, indem man die Kapazität des Parallelplattensystems mißt,
in welchem das Gittergebiet 26 als die eine Belegung, der Halbleiterkörper
12, an den das Quellengebiet 15 und das Abflußgebiet
16 angeschlossen sind, als die andere Belegung und die Isolier-
und Ladungsspeicherschicht als Dielektrikum des betreffenden Kondensators
wirken. Bei Änderung des Gitterpotentials ändert sich diese Kapazität in der in Figur 2 wiedergegebenen Weise, d.h. entsprechend einer ausgeprägten Hysteresisschleife. Wenn die angelegte
Spannung ausreichend negativ gemacht wird, schaltet die Kapazität auf einen höheren Wert und bleibt nach Entfernen der negativen
Spannung auf diesem Wert bzw. in diesem Zustand. Wenn das Gitterpotential ausreichend positiv gemacht wird, schaltet die Kapazität
auf den niedrigeren Wert und bleibt nach Entfernen der positiven Spannung in diesem Zustand.
Wenn (siehe Figur 2) die Gitter-Quellenspannung beiderseits des Bezugspunktes (VREp) sich um einen Betrag ändert, dessen Amplitude
kleiner ist als plus oder minus dem halben Betrag A V,der beispielsweise
10 Volt betragen kann, ist der Zustand des Transistors ungestört, entsprechend einer Betriebsart, bei der die information
zerstörungsfrei im Bauelement gespeichert ist.
Dies äußert sich darin, daß das Bauelement beim Betrieb als
Transistor eine zweiwertige Schwellenspannung aufweist. Im Gegensatz
zur Kapazitätsänderung schaltet bei einem Bauelement mit n-Kanal
die Schwellenspannung (V-,), wenn die Gitterspannung ausreichend
positiver gemacht wird als die Quellenspannung, auf einen
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_ η
hohen Wert (VT„) und, wenn die angelegte Spannung ausreichend negativ
in bezug auf die Quellen- und Abflußelektroden gemacht wird,
auf einen niedrigen Wert (V„T ) .
Figur -3 zeigt ein Logikgatter, dessen Schwellwert durch Steuern
des Durchtritts von Eingangssignalen verändert werden kann. Der Transistor 50 ist mit seinem Gitter an den Punkt 52, mit seinem
Abfluß an den Punkt 54 und mit seiner Quelle an den Bezugspotential
punkt 56 angeschlossen. Ein Widerstand 58 liegt zwischen dem Punkt
54 und dem Verbindungspunkt 60, an den eine mit ihrem anderen Pol an Bezugspotential 56 liegende Spannungsquelle 62 mit der Spannung
Vcc angeschlossen ist. Der Punkt 54 bildet den Spannungsausgang
der Schaltung, während das Signal am Widerstand 58 den Stromfluß
in der Schaltung anzeigt. Für die hier als Batterie dargestellte Spannungsquelle 62 kann man auch eine Impulsquelle oder eine Quelle
einweg- oder vollweggleichgerichteter Energie verwenden.
Eine Quelle 64 einer positiven Spannung der Größe V1 kann
mittels eines Schalters 66 an das Gitter 52 angeschaltet werden, während eine Quelle 68 einer negativen Spannung der Größe Y_ mittels
eines Schalters JO an das Gitter 52 angeschaltet werden kann*
Das Gitter - 52 ist außerdem mit der einen Belegung eines Kondensators
72 verbunden, dessen andere Belegung an einen Signalgenerator
74 angeschlossen ist. Mittelseines über den Kondensator 72 geschalteten
Schalters 76 kann der Kondensator kurzgeschlossen und der Signalgenerator 74 direkt an das Gitter des Transistors 50 angekoppelt
werden« Die verschiedenen Schalter können in der Praxis durch elektronische Bauelemente wie Feldeffekttransistoren oder
bipolare Bauelemente realisiert werden.
Die Werte V1 und Y- der Spannungsquellen 64 und 68 werden so
groß gewählt, daft der* Schwellwert des Transistors 50 auf entweder
den niedrigen oder den hohen Wert geschaltet werden kann. Beispielsweise
können im vorliegenden Fall V. und V„ die Werte + 22,5
Volt bzw. -22,5 Volt haben.
Bei einem Transistor 50 vom stromdrosselnden Typ wird durch
Schließen des Schalters 66 dem Gitter eine Spannung von + 22,5
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Volt zugeführt und dadurch die Schwellenspannung auf Ymtj* d.h.
ungefähr -4 Volt eingestellt, wie aus der Spannungs/Stromcharakteristik
nach Figur 4a ersichtlich. Bei einer Gitterspannung (V )
von 0 Volt beträgt der Abflußstrom (I-) für eine Abfluß-Quellenspannung
(VDc) von größer als 4 Volt ungefähr 5; Milliampere» Per
Knick der Konstant stromkurve für V„ = 0 entspricht einem Wert von
4 Volt längs der X-Achse (welche den Wert der Abfluß-Quellenspannung wiedergibt). Da der Knick der Kurve an einem Punkt liegt s an
dem Vn- gleich der Differenz zwischen der Gitterspannung und der
Ufa
Schwellenspannung (Vg - V) ist, und da Vß null ist, ist VT dann
offenbar ungefähr gleich - 4 Volt. Wenn der Schalter 66 geöffnet wird, behält der Transistor 50 diesen Wert von V^ solange bei,
wie nicht durch eine dem Gitter zugeführte Spannung das Gitter-Quellengebiet
um einen Betrag sperrgespannt wird, der den Bezugswert übersteigt, der in diesem beispielsweisen Fall ungefähr (-)3
Volt um einejnegative Vorspannung von (-)7 Volt ist.
Wird bei geöffnetem Schalter 66 der Schalter 70 geschlossen,
so gelangt zum Gitter des Transistors 50 eine Spannung von -22,5
Volt. Durch diese große Sperrspannung zwischen Gitter "einerseits
und Quelle und Abfluß andererseits wird der Transistor in den Zustand der niedrigen Schwellenspannung (V_-) geschaltet, wie in
Figur 4b gezeigt. Figur 4b entspricht im wesentlichen der Figur 4a, außer daß der Schwellenpegel um ungefähr 6 Volt erniedrigt ist.
In Figur 4b zeigt die Kurve für V„ — 0 an, daß im flachen Teil der
Kurve ein Strom von 10 Milliampere vorhanden ist, wobei der Knick
der Kurve einer Abfluß-Quellenspannung von 10 Volt entspricht. Der
Spannungswert, bei welchem der Knick auftritt, zeigt, wie oben erklärt,
an, daß die Schwellenspannung des Transistors 50 jetzt -10 Volt beträgt. Durch Anlegen einer negativen Spannung zwischen
Gitter und Quelle ist also die Schwellenspannung von -4 Volt auf
-10 Volt geändert worden. Dieser Schwellwert wird selbst bei geöffnetem Schalter 70 solange beibehalten, wie nicht durch eine
positive Gitterspannung das Gitter-Quellengebiet um einen Betrag durchlaßgespannt wird, der den Wert der angegebenen Besugsspannung
übersteigt, die in diesem beispielsweisen Falle ungefähr (+) 3 Volt
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.um eine negative Vorspannung von (-)7 "Volt beträgt.
Bei im Zustand V-. befindlichem Transistor 50 bewirkt also
ein Signal oberhalb -10 Volt Stromleitung sowie die Erzeugung eines Aus gangs signal s. Dagegen wird im Zustand VTH der Transistor 50 für
alle Signale, deren Amplitude nicht -4 Volt übersteigt, gesperrt.
Die Schwellenspannung wird also dazu verwendet, van zwischen Signalen
unterschiedlicher Amplitude zu unterscheiden. Ein wichtiges Merkmal der erfindungsgemäßen Schaltung besteht darin, daß sämtliche
Spannungen vom Transistor weggenommen werden können und der Transistor dennoch in demjenigen Zustand verbleibt, in welchen er
zuletzt gesetzt worden ist. Dies ist von großem Wert bei Speicheranordnungen,
da durch, den Verlust von Energie oder anderweitige
Versager ähnlicher Art im Computersystem die gespeicherte Information
nicht zerstört wird.
Figur 5 zeigt eine Flipflop- oder Speicherschaltung mit einem
Transistor 80, der in diesem Fall ein η-Transistor vom stromerhöhenden Typ mit einer Siliciumnitridschicht von der in Figur 1
dargestellten Art sein möge. Das Gitter des Transistors 80 ist an die eine Klemme zweier Signalgeneratoren 82 und 84 angeschlossen,
deren Innenwiderstände so groß sind, daß der eine Generator nicht den anderen kurzschließen kann, und deren andere Klemmen am Bezugspotentialpunkt
100 (Masse) liegen. Ein Signalgenerator 86 ist zwischen den Bezugspotentialpunkt 100 und die Quelle des Transistors
80 geschaltet. Der Abfluß des Transistors 80 ist am Punkt 90, der zugleich die Ausgangsklemme bildet, mit einem Widerstand
88 verbunden, der mit seinem anderen Ende an den positiven Pol einer mit ihrem negativen Pol geerdeten (100) Spannungsquelle 92
von V_- angeschlossen ist.
Wie in Figur 5 angedeutet, ist die Amplitude des Signals von
den Signalquellen 84 und 86 zweiwertig, und zwar entweder 0 Volt
oder 22,5 Volt. Bei auf Massepotential liegenden Generatoren 86 und 82 wird durch einen 22,5 Volt-Impuls vom Generator 84 das
Gitter-Quellengebiet dee Transistors 80 durchlaßgespannt und dadurch
der Transistor in den hochvoltigen Zustand Vm„ von z.B. +iö
ist
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• _ ίο -
Volt geschaltet. Ein dem Gitter des Transistors 80 vom Generator
82 zugeführter Leseimpuls mit einem Wert, der größer als.V™, jedoch
kleiner als V „ ist, reicht nicht aus, um die Schwellenspannung
zu überwinden, so daß an der Klemme 90 kein Signal auftritt.
Jenachdem wie die Logikpegel definiert sind, kann dies
beispielsweise dem gesetzten Zustand eines Flipflops oder der
Speicherung einer "1" oder einer "0" in einer Speicherzelle entsprechen,
da die Ausgangs spannung auf +V^-, bleibt und im Kanal
des- Transistors 80 keine Stromleitung erfolgt.
^ Bei nunmehr auf Massepotential zurückgebrachten Generatoren ·
82 und 84 kann der Signalgenerator 86 getriggert werden, so daß
er die Quelle des Transistors mit einem positiven Impuls von 22,5 Volt beliefert. Dieser Impuls spannt das Quellen-Gittergebiet in
Sperrichtung, was dem Zustand bei geschlossenem Schalter 70 in
Figur 3 analog ist. Dadurch wird der Transistor 80 in den niederen
Schwellenzustand vonjz.B·. +4 Volt gesetzt. Ein Lesesignal vom Generator
82 mit einem Wert, der größer ist als V , jedoch kleiner
als V„,„ hat jetzt einen Stromfluß zwischen Abfluß und Quelle des
Transistors 80 zur Folge, so daß die Spannung an der Klemme 90
einen Ton V.r abweichenden Wert annimmt. Entsprechend der obigen
Logikpegeldefinition kann dies dem rückgesetzten Zustand eines Flipflops entsprechen, da der Transistor auf den Zustand der
) niedrigen Schwellenspannung zurückgebracht ist. Wie in Figur 6 gezeigt,
kann die Parallelschaltung der Generatoren 82 und 8-4 durch
eine Gleichstromquelle ersetzt werden, deren Maximalamplitude den
Erfordernissen für die Maximalamplitude des Impulsgenerators 82
in Reihe mit einem Impulsgenerator wie dem Generator 84 genügt.
Statt Transistoren vom n-Leitungstyp wie in Figur 1 und in
den Schaltungen nach Figur 3 und 5 kann man auch Transistoren vom
p-Typ verwenden, vorausgesetzt, daß die Anschlüsse der Vorspann—
quellen und die Pegel der Eingangssignale entsprechend geändert werden.
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Claims (3)
- - ii -P a t e η t an SprücheΛ Speicherschaltung mit einem Feldeffekt-Speichertransistor mit Quelle, Abfluß und Gitter sowie stromführendem Kanal zwischen Quelle und Abfluß, wobei der Transistor bei Anlegen einer ersten Spannung zwischen Gitter und Quelle, die größer als ein erster
gegebener Wert und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erhöhenden Polarität ist, einen ersten Schwellwert und bei Anlegen einer zweiten Spannung zwischen Gitter und Quelle, die größer als ein
zweiter gegebener Wert und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erniedrigenden Polarität ist, einen zweiten Schwellwert, der vom ersten Schwellwert verschieden|Lst, annimmt; wobei ferner zwischen Quelle und Abfluß des Transistors eine Betriebsspannung anlegbar
ist} und wobei zwischen Gitter und Quelle des Transistors während eines Schreibvorgangs ein Signal, dessen Amplitude wahlweise
gleich entweder der ersten oder der zweiten Spannung ist, und
während eines Lesevorgangs ein Signal, dessen Amplitude zwischen dem ersten und dem zweiten gegebenen Wert liegt, anlegbar ist,
dadurch gekennzei c h η e "t , daß der Transistor das einzige aktive Bauelement in der Schaltung istj und daß während eines Lesevorgangs die Ausgangsgröße der Schaltung allein
durch den Widerstand des Kanals des Transistors bestimmt ist. - 2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Ruhezustand zwischen Gitter und Quelle des Transistors eine Spannung anlegbar ist, die ausreicht, ua den Kanal des Transistors in den nichtleitenden Zustand zu
spannen. . - 3. Speicherschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß während eines Lesevorgangs
ein Signal zuführbar ist, dessen Größe ausreicht, um den Kanal
des Transistors bei dessen Einstellung auf den ersten Schwellwert in den leitenden Zustand und bei Einstellung auf den zweiten009839/18 571361125- 12 Schwellwert in den nichtleitenden Zustand zu spannen.009839/18 57
Applications Claiming Priority (1)
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8381 | Inventor (new situation) |
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