DE1961125A1

DE1961125A1 - Speicherschaltung

Info

Publication number: DE1961125A1
Application number: DE19691961125
Authority: DE
Inventors: Scott Jun Joseph Hurlond
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1968-12-05
Filing date: 1969-12-05
Publication date: 1970-09-24
Also published as: MY7300451A; BR6914646D0; US3549911A; DE1961125B2; FR2025402A1; NL6918231A; NL174001B; ES374016A1; BE742660A; NL174001C; DE1961125C3; GB1288966A

Description

6885-69/kö/S
RCA 58288
Convention Date:
December 5, I969

RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A.

Speicherschaltung

Die Erfindung betrifft eine Speicherschaltung unter Verwendung eines Transistors, insbesondere eines Feldeffekt-Speichertransistors.

Aktive Halbleiterbauelemente wie Feldeffekttranistoren sind als Speicherelemente von großem Interesse. Mit derartigen Bauelementen ausgerüstete Schaltungen haben den Vorteil, daß sie eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit haben, billig sind, wenig Leistung benötigen, einen geringen Platzbedarf haben und zu großen Anordnungen integriert werden können. Die bisher bekannten Schaltungen dieser Art lassen sich jedoch in mehrfacher Hinsieht noch verbessern. Beispielsweise sind handelsübliche Speicherschaltungen unter Verwendung von Halbleiterbauelementen im allgemeinen mit mindestens vier oder fünf aktiven Halbleiterbauelementen (z.B. den oben erwähnten Transistoren oder dergl.) für jedes gespeicherte Informationsbit ausgerüstet. Wenn sich die Anzahl der aktiven Halbleiterbauelemente pro Bit verringern ließe, würde sich die Anzahl von Speicherzellen in einer Fläche gegebener Größe entsprechend erhöhen.

Es wurden bereits eine Anzahl von Vorschlägen für Speicherschaltungen mit nur einem Transistor je gespeichertes Bit gemacht.

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Derartige Schaltungen enthalten gewöhnlich einen Transistor vom sogenannten Speichertyp, d.h. einen Transistor, dessen Hauptlei-* tungsweg (zwischen den beiden sogenannten Hauptelektrode!!) auf' einen oder den anderen von mindestens zwei Leitfähigkeits- oder Leitungszuständeneinstellbar ist, wobei der Transistor danach diesen seinen eingestellten Zustand (bei nichtvorhandenen äußeren Einflüssen) auch dann beibehält, wenn beispielsweise von außen zugeführte Spannungen wieder von den Elektroden des Transistors entfernt werden. Ein derartiger Speichertransistor ist der sogenannte ferroelektrische Speichertransistor, der aus einem Halbleiterkör-, per besteht, dessen Leitungsweg durch Polarisierung von ferroelektrischem Material umgeschaltet wird. Das ferroelektrische Material ist nahe bei den Elektroden des Transistors angeordnet, damit die Oberflächenladung auf einem am Leitungsweg befindlichen Teil des Halbleiterkörpers verändert werden kann. Es hat sich jedoch in der Praxis herausgestellt, daß solche ferroelektrischen Transistoren äußerst schwierig herzustellen sowie unstabil sind^ so daß ihre Verwendung in Speicherschaltungen bisher nicht vorgeschlagen worden ist.

Die Erfindung geht aus von Speicherschaltungen, wie sie in der belgischen Patentschrift 722 411 vom 16.10.1968 der gleichen Anmelderin beschrieben sind. Jede dieser Speicherschaltungsaus— führungen arbeitet mit einem Transistor vom Feldeffekttyp und benötigt außerdem mindestens einen zusätzlichen, in herkömmlicher Weise betriebenen Feldeffekttransistor, mittels dessen dem durch die Hauptelektroden des Speichertransistors gebildeten Stromweg oder Kanal selektiv Betriebsspannung zugeführt wird. Die Schaltung benötigt ferner einen zusätzlichen Lastwiderstand für den Speichertransistor, an welchem die Spannung während des Lesevorgangs erfaßt wird, um den Zustand, auf welchen der Speichertransistor zuvor eingestellt worden ist, festzustellen. Außer daß sie die Zuführung vieler verschiedener Spannungswerte.^erfordert, erzeugt diese spezielle Speicherschaltung im Lesebje.trieb ein Ausgangssignal, das nicht nur vom Zustand 4es Speiaherelements, sondern außerdem (unter anderem) vom Widerstand bzw. von der Impedanz

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des zusätzlichen herkömmlichen: FeI deffekttransistors abhängt. Die Ausgangsparameter der Schaltung können daher von Speicherschaltung zu Speicherschaltung verschieden sein.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde^ eine Speicher- ■ schaltung mit aktivem Halbleiterbauelement zu schaffen, bei der für die Speicherung eines binären Informationsbits ein einziger Feldeffekt-Speichertransistor verwendet wird.

Eine Schaltung^ auf welche die Erfindung anwendbar ist, enthält einen Feldeffekt—Speichertransistor mit Quellen- und Abfluß-

C-

elektrode (entsprechend den beiden vorerwähnten "Häuptelektröden") sowie Gitter- oder Steuerelektrode. Ein solcher Transistor hat einen zwischen Quellen— und Abflußelektrode sich erstreckenden Stromweg oder "Kanal" zum steuerbaren Leiten des von einer äußeren Betriebsspannungsquelle gelieferten Stromes. Der Transistor, der von der in der oben erwähnten belgischen Patentschrift beschriebenen Art sein kann, hat bistabile Eigenschaften, indem er bei Anlegen einer ersten Spannung von einen ersten gegebenen Wert übersteigender Größe und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erhöhenden Polarität zwischen Gitter und Quellenelektrode in einen Zustand gesetzt wird, in welchem er einen ersten Schwellwert aufweist, während bei Anlegen einer zweiten Spannung von einen zweiten gegebenen Wert übersteigender Größe und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erniedrigenden Polarität zwischen Gitter und Quellenelektrode in einen Zustand gesetzt wird, in welchem er einen zweiten, vom ersten Schwellwert verschiedenen Schwellwert aufweist. Der Transistor ist so geschaltet, daß zwischen seine Quellen- und Abflußelektrοde (beispielsweise über ein als Last-Widerstand arbeitendes passives Schaltungselement) eine Betriebsspannung von einer äußeren Quelle gelegt wird. Ferner ist zwischen Quellenelektrode und Gitter während des Schreibvorgangs ein Signal, dessen Amplitude gleich entweder der ersten oder der zweiten Spannung ist, und während des Lesevorgangs ein Signal, dessen Amplitude zwischen dem ersten und dem zweiten gegebenen Wert liegt, anlegbar.

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Gemäß¹ einer bevorzugten:. Ausführungsform der Erfindung ist der Speichertransistor das einzige aktive Schaltungselement und 1st während des Lesevorgangs die Ausgangsgröße der Schaltung allein durch die Impedanz des Kanals (der Quellen-Abflußstrecke) des Speichertransistors bestimmt.

Die erfindungsgemäße Schaltung hat den Vorteil, daß ihr Platzbedarf minimal gering ist. Außerdem ist die Leistungsfähigkeit der Schaltung verbessert, da aufgrund der Abhängigkeit von der Impedanz (dem Widerstand) des einzigen Transistors die Eigenfc schäften oder Parameter des Ausgangssignals leichter kontrolliert werden können. Ferner kann die Speicherschaltung über eine nur minimale Anzahl von Leitungen (z.B. die zur Quellen- und Abflußelektrode führenden Leitungen) bei Anwesenheit von Steuersignalen bedient werden, die (mit einer minimalen Anzahl von Spannungswerten) über zur Quellenelektrode und zum Gitter des einzigen Transistors führende Leitungen angeliefert werden.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:

Figur 1 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform eines für die erfindungsgemäße Schaltung verwendbaren Halbleiterbauelements; .

Figur 2 ein den bistabilen Charakter des Bauelements veranschaulichendes Kapazitäte/Spannungsdiagrammj

Figur 3 ein Schaltschema, das die Anwendung des Bauelements als veränderlichen Schwellwert detektor veranschaulicht ·,

Figur 4a und 4b Spannungs/Stromdiagramme des Bauelements im niederen bzw. hohen Schwellwertzustand;

Figur 5 ein Schaltschema, das die Anwendung des Bauelements als Speicherelement veranschaulichtj und

Figur 6 das Schaltschema einer Reihenanordnung zum Setzen und Ablesen des Speicherelements nachFigur 5·

Figur 1 zeigt einen für die erfindungsgemäße Schaltung ge-

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eigneten gitterisolierten Feldeffekttransistor 10 vom stromdrosselnden Typ. Der Transistor 10 hat einen Körper 12 aus Halbleitermaterial gegebenen Leitungstyps» beispielsweise p-Silicium,, mit einer Oberfläche 14»,An der Oberfläche 14 befinden sich beabstande-

des

te Gebiete 15 und 16/entgegengesetzten Leitungstyps, welche das Quellengebiet bzw. das Abflußgebiet des Transistors 10 bilden. Durch den Abstand zwischen den Gebieten 15 und 16 ist die Breite des stromführenden Kanals bestimmt. Die Gebiete 15 und 16 sind auf der Oberfläche 14 mit Elektroden 18 bzw, 20 ohmisch kontaktiert.

Über dem Kanal zwischen den Gebieten 15 und 16 befindet sich eine Anordnung mit äem Gitter (Steuerelektrode) sowie Ladungsspeicherelementen für den Transistor 10. Die erste auf der Oberfläche 14 zwischen den Gebieten 15 und Io befindliche Schicht ist eine dünne Schicht 22 aus Isoliermaterial wie Siliciumdioxyd.

Auf dieser Siliciumdioxydschicht 22 befindet sich eine Schicht 24 aus einem Material, das Ladungsträger annehmen und auf örtliche Stellen oder Plätze an der Grenzfläche zwischen den Schichten 22 und 24 beschränken kann« Beim vorliegenden Ausführungsbdspiel besteht die Schicht 24 aus Siliciumnitrid, das selbst ein Isolator ist. Auf der Siliciumnitridschicht 24 befindet sich eine metallische Elektrode 26.Über Zuleitungen 28, 30 und 32 sind den Elektroden 18, 20 und 26 äußere Spannungen zuführbar. Der Kanal 34» der im Falle von Transistoren vom stromdrosselnden Typ bei anliegender Gitterspannung null besteht, ist durch die gestrichelte Linie 35 angedeutet.

Der Transistor 10 kann nach bekannten Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise können das Quellengebiet 15 und das Abflußgebiet 16 durch selektives Maskieren der Oberfläche 14 und Eindiffundieren von Dotierstoffen durch entsprechende Bereiche der Oberfläche 14 in den Körper 12 gebildet werden. Die Siliciumdioxyd-•chicht kann durch thermisches Oxydieren der Oberfläche des Körpers 12 oder durch pyrolythische Zersetzung einer organischen Siloxanverbindung wie Tetraäthoxyeilan auf der Oberfläche 12 gebildet werden. Die Siliciumnitridschicht kann durch Erhitzen des

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Körpers 12 in einer Atmosphäre von Silan (SiH.) und Ammoniak gebracht werden. ' ■·-,..,:· h

Für die Isolierschicht 24 können statt Siliciumnitrid auch andere geeignete Materialien mit den gleichen oder ähnlichen Eigenschaften verwendet werden. Statt eines Transistors 10 vom stromdrosselnden, kann man auch einen solchen vom stromerhöhenden Typ, und zwar sowohl aus p- als auch aus η-leitendem Silicium, mit einer Isolierschicht wie der Schicht 24 verwenden.

Die Speicherwirkung des Transistors 10 läßt sich demonstrieren, indem man die Kapazität des Parallelplattensystems mißt, in welchem das Gittergebiet 26 als die eine Belegung, der Halbleiterkörper 12, an den das Quellengebiet 15 und das Abflußgebiet 16 angeschlossen sind, als die andere Belegung und die Isolier- und Ladungsspeicherschicht als Dielektrikum des betreffenden Kondensators wirken. Bei Änderung des Gitterpotentials ändert sich diese Kapazität in der in Figur 2 wiedergegebenen Weise, d.h. entsprechend einer ausgeprägten Hysteresisschleife. Wenn die angelegte Spannung ausreichend negativ gemacht wird, schaltet die Kapazität auf einen höheren Wert und bleibt nach Entfernen der negativen Spannung auf diesem Wert bzw. in diesem Zustand. Wenn das Gitterpotential ausreichend positiv gemacht wird, schaltet die Kapazität auf den niedrigeren Wert und bleibt nach Entfernen der positiven Spannung in diesem Zustand.

Wenn (siehe Figur 2) die Gitter-Quellenspannung beiderseits des Bezugspunktes (V_REp) sich um einen Betrag ändert, dessen Amplitude kleiner ist als plus oder minus dem halben Betrag A V,der beispielsweise 10 Volt betragen kann, ist der Zustand des Transistors ungestört, entsprechend einer Betriebsart, bei der die information zerstörungsfrei im Bauelement gespeichert ist.

Dies äußert sich darin, daß das Bauelement beim Betrieb als Transistor eine zweiwertige Schwellenspannung aufweist. Im Gegensatz zur Kapazitätsänderung schaltet bei einem Bauelement mit n-Kanal die Schwellenspannung (V-,), wenn die Gitterspannung ausreichend positiver gemacht wird als die Quellenspannung, auf einen

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_ η

hohen Wert (V_T„) und, wenn die angelegte Spannung ausreichend negativ in bezug auf die Quellen- und Abflußelektroden gemacht wird, auf einen niedrigen Wert (V„_T ) .

Figur -3 zeigt ein Logikgatter, dessen Schwellwert durch Steuern des Durchtritts von Eingangssignalen verändert werden kann. Der Transistor 50 ist mit seinem Gitter an den Punkt 52, mit seinem Abfluß an den Punkt 54 und mit seiner Quelle an den Bezugspotential punkt 56 angeschlossen. Ein Widerstand 58 liegt zwischen dem Punkt 54 und dem Verbindungspunkt 60, an den eine mit ihrem anderen Pol an Bezugspotential 56 liegende Spannungsquelle 62 mit der Spannung V_cc angeschlossen ist. Der Punkt 54 bildet den Spannungsausgang der Schaltung, während das Signal am Widerstand 58 den Stromfluß in der Schaltung anzeigt. Für die hier als Batterie dargestellte Spannungsquelle 62 kann man auch eine Impulsquelle oder eine Quelle einweg- oder vollweggleichgerichteter Energie verwenden.

Eine Quelle 64 einer positiven Spannung der Größe V₁ kann mittels eines Schalters 66 an das Gitter 52 angeschaltet werden, während eine Quelle 68 einer negativen Spannung der Größe Y_ mittels eines Schalters JO an das Gitter 52 angeschaltet werden kann* Das Gitter - 52 ist außerdem mit der einen Belegung eines Kondensators 72 verbunden, dessen andere Belegung an einen Signalgenerator 74 angeschlossen ist. Mittelseines über den Kondensator 72 geschalteten Schalters 76 kann der Kondensator kurzgeschlossen und der Signalgenerator 74 direkt an das Gitter des Transistors 50 angekoppelt werden« Die verschiedenen Schalter können in der Praxis durch elektronische Bauelemente wie Feldeffekttransistoren oder bipolare Bauelemente realisiert werden.

Die Werte V₁ und Y- der Spannungsquellen 64 und 68 werden so groß gewählt, daft der* Schwellwert des Transistors 50 auf entweder den niedrigen oder den hohen Wert geschaltet werden kann. Beispielsweise können im vorliegenden Fall V. und V„ die Werte + 22,5 Volt bzw. -22,5 Volt haben.

Bei einem Transistor 50 vom stromdrosselnden Typ wird durch Schließen des Schalters 66 dem Gitter eine Spannung von + 22,5

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Volt zugeführt und dadurch die Schwellenspannung auf Ymtj* d.h. ungefähr -4 Volt eingestellt, wie aus der Spannungs/Stromcharakteristik nach Figur 4a ersichtlich. Bei einer Gitterspannung (V ) von 0 Volt beträgt der Abflußstrom (I-) für eine Abfluß-Quellenspannung (V_Dc) von größer als 4 Volt ungefähr 5; Milliampere» Per Knick der Konstant stromkurve für V„ = 0 entspricht einem Wert von 4 Volt längs der X-Achse (welche den Wert der Abfluß-Quellenspannung wiedergibt). Da der Knick der Kurve an einem Punkt liegt _s an dem V_n- gleich der Differenz zwischen der Gitterspannung und der

Ufa

Schwellenspannung (Vg - V) ist, und da V_ß null ist, ist V_T dann offenbar ungefähr gleich - 4 Volt. Wenn der Schalter 66 geöffnet wird, behält der Transistor 50 diesen Wert von V^ solange bei, wie nicht durch eine dem Gitter zugeführte Spannung das Gitter-Quellengebiet um einen Betrag sperrgespannt wird, der den Bezugswert übersteigt, der in diesem beispielsweisen Fall ungefähr (-)3 Volt um einejnegative Vorspannung von (-)7 Volt ist.

Wird bei geöffnetem Schalter 66 der Schalter 70 geschlossen, so gelangt zum Gitter des Transistors 50 eine Spannung von -22,5 Volt. Durch diese große Sperrspannung zwischen Gitter "einerseits und Quelle und Abfluß andererseits wird der Transistor in den Zustand der niedrigen Schwellenspannung (V_-) geschaltet, wie in Figur 4b gezeigt. Figur 4b entspricht im wesentlichen der Figur 4a, außer daß der Schwellenpegel um ungefähr 6 Volt erniedrigt ist. In Figur 4b zeigt die Kurve für V„ — 0 an, daß im flachen Teil der Kurve ein Strom von 10 Milliampere vorhanden ist, wobei der Knick der Kurve einer Abfluß-Quellenspannung von 10 Volt entspricht. Der Spannungswert, bei welchem der Knick auftritt, zeigt, wie oben erklärt, an, daß die Schwellenspannung des Transistors 50 jetzt -10 Volt beträgt. Durch Anlegen einer negativen Spannung zwischen Gitter und Quelle ist also die Schwellenspannung von -4 Volt auf -10 Volt geändert worden. Dieser Schwellwert wird selbst bei geöffnetem Schalter 70 solange beibehalten, wie nicht durch eine positive Gitterspannung das Gitter-Quellengebiet um einen Betrag durchlaßgespannt wird, der den Wert der angegebenen Besugsspannung übersteigt, die in diesem beispielsweisen Falle ungefähr (+) 3 Volt

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.um eine negative Vorspannung von (-)7 "Volt beträgt.

Bei im Zustand V-. befindlichem Transistor 50 bewirkt also ein Signal oberhalb -10 Volt Stromleitung sowie die Erzeugung eines Aus gangs signal s. Dagegen wird im Zustand V_TH der Transistor 50 für alle Signale, deren Amplitude nicht -4 Volt übersteigt, gesperrt. Die Schwellenspannung wird also dazu verwendet, van zwischen Signalen unterschiedlicher Amplitude zu unterscheiden. Ein wichtiges Merkmal der erfindungsgemäßen Schaltung besteht darin, daß sämtliche Spannungen vom Transistor weggenommen werden können und der Transistor dennoch in demjenigen Zustand verbleibt, in welchen er zuletzt gesetzt worden ist. Dies ist von großem Wert bei Speicheranordnungen, da durch, den Verlust von Energie oder anderweitige Versager ähnlicher Art im Computersystem die gespeicherte Information nicht zerstört wird.

Figur 5 zeigt eine Flipflop- oder Speicherschaltung mit einem Transistor 80, der in diesem Fall ein η-Transistor vom stromerhöhenden Typ mit einer Siliciumnitridschicht von der in Figur 1 dargestellten Art sein möge. Das Gitter des Transistors 80 ist an die eine Klemme zweier Signalgeneratoren 82 und 84 angeschlossen, deren Innenwiderstände so groß sind, daß der eine Generator nicht den anderen kurzschließen kann, und deren andere Klemmen am Bezugspotentialpunkt 100 (Masse) liegen. Ein Signalgenerator 86 ist zwischen den Bezugspotentialpunkt 100 und die Quelle des Transistors 80 geschaltet. Der Abfluß des Transistors 80 ist am Punkt 90, der zugleich die Ausgangsklemme bildet, mit einem Widerstand 88 verbunden, der mit seinem anderen Ende an den positiven Pol einer mit ihrem negativen Pol geerdeten (100) Spannungsquelle 92 von V_- angeschlossen ist.

Wie in Figur 5 angedeutet, ist die Amplitude des Signals von den Signalquellen 84 und 86 zweiwertig, und zwar entweder 0 Volt oder 22,5 Volt. Bei auf Massepotential liegenden Generatoren 86 und 82 wird durch einen 22,5 Volt-Impuls vom Generator 84 das Gitter-Quellengebiet dee Transistors 80 durchlaßgespannt und dadurch der Transistor in den hochvoltigen Zustand V_m„ von z.B. +iö

ist

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• _ ίο -

Volt geschaltet. Ein dem Gitter des Transistors 80 vom Generator 82 zugeführter Leseimpuls mit einem Wert, der größer als.V™, jedoch kleiner als V „ ist, reicht nicht aus, um die Schwellenspannung zu überwinden, so daß an der Klemme 90 kein Signal auftritt. Jenachdem wie die Logikpegel definiert sind, kann dies beispielsweise dem gesetzten Zustand eines Flipflops oder der Speicherung einer "1" oder einer "0" in einer Speicherzelle entsprechen, da die Ausgangs spannung auf +V^-, bleibt und im Kanal des- Transistors 80 keine Stromleitung erfolgt.

^ Bei nunmehr auf Massepotential zurückgebrachten Generatoren · 82 und 84 kann der Signalgenerator 86 getriggert werden, so daß er die Quelle des Transistors mit einem positiven Impuls von 22,5 Volt beliefert. Dieser Impuls spannt das Quellen-Gittergebiet in Sperrichtung, was dem Zustand bei geschlossenem Schalter 70 in Figur 3 analog ist. Dadurch wird der Transistor 80 in den niederen Schwellenzustand vonjz.B·. +4 Volt gesetzt. Ein Lesesignal vom Generator 82 mit einem Wert, der größer ist als V , jedoch kleiner als V„,„ hat jetzt einen Stromfluß zwischen Abfluß und Quelle des Transistors 80 zur Folge, so daß die Spannung an der Klemme 90 einen Ton V._r abweichenden Wert annimmt. Entsprechend der obigen Logikpegeldefinition kann dies dem rückgesetzten Zustand eines Flipflops entsprechen, da der Transistor auf den Zustand der

) niedrigen Schwellenspannung zurückgebracht ist. Wie in Figur 6 gezeigt, kann die Parallelschaltung der Generatoren 82 und 8-4 durch eine Gleichstromquelle ersetzt werden, deren Maximalamplitude den Erfordernissen für die Maximalamplitude des Impulsgenerators 82 in Reihe mit einem Impulsgenerator wie dem Generator 84 genügt.

Statt Transistoren vom n-Leitungstyp wie in Figur 1 und in den Schaltungen nach Figur 3 und 5 kann man auch Transistoren vom p-Typ verwenden, vorausgesetzt, daß die Anschlüsse der Vorspann— quellen und die Pegel der Eingangssignale entsprechend geändert werden.

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Claims

- ii -

P a t e η t an Sprüche

Λ Speicherschaltung mit einem Feldeffekt-Speichertransistor mit Quelle, Abfluß und Gitter sowie stromführendem Kanal zwischen Quelle und Abfluß, wobei der Transistor bei Anlegen einer ersten Spannung zwischen Gitter und Quelle, die größer als ein erster
gegebener Wert und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erhöhenden Polarität ist, einen ersten Schwellwert und bei Anlegen einer zweiten Spannung zwischen Gitter und Quelle, die größer als ein
zweiter gegebener Wert und von einer die Leitfähigkeit des Kanals erniedrigenden Polarität ist, einen zweiten Schwellwert, der vom ersten Schwellwert verschieden|Lst, annimmt; wobei ferner zwischen Quelle und Abfluß des Transistors eine Betriebsspannung anlegbar
ist} und wobei zwischen Gitter und Quelle des Transistors während eines Schreibvorgangs ein Signal, dessen Amplitude wahlweise
gleich entweder der ersten oder der zweiten Spannung ist, und
während eines Lesevorgangs ein Signal, dessen Amplitude zwischen dem ersten und dem zweiten gegebenen Wert liegt, anlegbar ist,
dadurch gekennzei c h η e "t , daß der Transistor das einzige aktive Bauelement in der Schaltung istj und daß während eines Lesevorgangs die Ausgangsgröße der Schaltung allein
durch den Widerstand des Kanals des Transistors bestimmt ist.
2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Ruhezustand zwischen Gitter und Quelle des Transistors eine Spannung anlegbar ist, die ausreicht, ua den Kanal des Transistors in den nichtleitenden Zustand zu
spannen. .
3. Speicherschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß während eines Lesevorgangs
ein Signal zuführbar ist, dessen Größe ausreicht, um den Kanal
des Transistors bei dessen Einstellung auf den ersten Schwellwert in den leitenden Zustand und bei Einstellung auf den zweiten

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- 12 Schwellwert in den nichtleitenden Zustand zu spannen.

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