DE1959889A1

DE1959889A1 - Mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung

Info

Publication number: DE1959889A1
Application number: DE19691959889
Authority: DE
Inventors: Duigon Fred Carl; Cave Eric Frederick
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1968-11-29
Filing date: 1969-11-28
Publication date: 1970-06-18
Also published as: MY7300435A; JPS4814609B1; FR2024514A1; US3548233A; GB1285049A; NL6917906A

Description

6888-69/Kö/S
RCA 60,712
Convention Date:
November 29, 1968

RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A. Mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung

Die Erfindung betrifft eine mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung mit einer durch eine Abtastanordnung abtastbaren Speicherplatte, sowie insbesondere eine Speicherplatte in Form einer Anordnung von Dioden.

Ein Beispiel einer mit Ladungsspeicherung arbeitenden Einrichtung ist die Vidicon-Bildaufnahsaeröhre. Ein Vidicon weist einen evakuierten Kolben mit einer am einen Ende angebrachten transparenten Frontplatte auf. Auf der Innenseite der Frontplatte befindet sich zunächst eine transparente leitende Signalplatte, auf welcher eine Speicherplatte angeordnet ist. Im anderen Kolben ende befindet sich ein Elektnonenstrahlsystem zum Erzeugen eines gegen die Speicherplatte gerichteten Elektronenstrahls. Bei einer Art von Vidicon ist in der Röhre eine elektrostatische Ablenkanordnung, die den Strahl rasterförmig über die Speicherplatte ablenkt, vorgesehen.

Zu den für Vidicons verwendeten Speicherplattenarten gehören die sogenannten Photodioden-Speicherplatten, Im allgemeinen bestehen derartige Speicherplatten aus einer Halbleiterplatte, die in ihrem Hauptteil aus Halbleitermaterial eines gegebenen Leitungs typs besteht und auf einer Seite eine Anordnung von diskreten Gebieten eines anderen Leitungetyps aufweist. Diese Gebiete bilden »it dem Hauptteil der Platte jeweils pn-Übergänge. Die die dis-

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kreten Gebiete voneinander trennende Oberfläche des Plattenhaupitteils ist vollständig mit einer Isolierschicht bedeckt.

Eine Schwierigkeit bei vorbekannten Speicherplatten dieser Art besteht darin, daß der Elektronenstrahl nicht richtig auf die diskreten Gebiete auftrifft. Die auf der Oberfläche der Isolierschicht sich ansammelnde Ladung hat das Bestreben, den Strahl von dieser Oberfläche zurückzustoßen. Wenn die diskreten Gebiete sehr klein sind, ist die dem Strahl ausgesetzte Fläche der Isolierschicht groß im Vergleich zu der dem Strahl ausgesetzten Fläche der diskreten Gebiete, so daß ein erheblicher Anteil des Strahls

k durch die Ladung auf der Isolierschicht in dem das diskrete Gebiet unmittelbar umgebenden Bereich am Auftreffen auf die diskreten Gebiete verhindert wird. Um den Strahlauftreffeffekt zu verbessern, bringt man auf den diskreten Gebieten in elektrischem Kontakt mit deren Oberfläche getrennte runde Metallkissen an, welche in dem die diskreten Gebiete umgebenden Bereich über die Isolierschicht greifen. Diese Kissen vergrößern die Auftreffläche für die diskreten Gebiete und verringern die dem Strahl ausgesetzte Isolierschichtfläche, so daß sich eine verbesserte Strahlauftreff wirkung ergibt. Derartige Kissen haben jedoch den Nachteil, daß, wenn sie irgendwie den Hauptteil der Platte berühren, ein direkter Kurzschluß zwischen dem Hauptteil und dem Strahl entsteht. Ein solcher Kurzschluß macht sich in dem von der

ψ Speicherplatte abgenommenen Bild als fehlerhafter Hellfleck bemerkbar. Ein Kontakt mit dem Plattenhauptteil ergibt sich beispielsweise dann, wenn die Öffnungen in der Isolierschicht sich nicht mit den diskreten Gebieten decken oder wenn das Metall infolge eines Fehlers in der Isolierschicht, z.B. infolge von Poreji bildung den Plattenhauptteil kontaktiert. Ferner ergibt sich bei dem zur Herstellung der Metallkissen angewendeten Aufdampfverfahren ein relativ hoher Prozentsatz an nicht arbeitsfähigen Dioden, da es häufig vorkommt,daß ein Kissen keinen direkten Kontakt mit einem sauberen Teil der Oberfläche des betreffenden diskreten Gebietes gibt.

Während des Diffusionsvorganges zur Herstellung der dis-

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kreten Gebiete bildet sich auf deren Oberfläche ein dünner Isolierbelag. Vor dem Aufbringen der Kissen muß dieser Belag entfernt werden, wobei die Isolierschicht auf der Oberfläche des Haüptteils in beträchtlichem Maße unter- oder hinterschnitten wird. Daraus ergibt sich eine erhöhte Wahrscheinlichkeit, daß der Hauptteil freigelegt und unter Bildung eines Kurzschlusses von einem Kissen kontaktiert wird.

Zur Vermeidung dieser Nachteile sieht die Erfindung eine mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung mit einer Speiche£ platte und einer Abtastanordnung hierfür vor, die mit einer neuartigen Speicherplatte ausgerüstet ist. Die Speicherplatte besteht aus einer Halbleiterplatte mit einer Anordnung voi/diskreten Gebieten eines ersten Leitungstyps und einem Hauptteil eines zweiten Leitungstyps. Die diskreten Gebiete, die sich auf einer Seite der Platte befinden, reichen ein Stück in die Platte hinein, jedoch nicht vollständig durch diese hindurch. Der Hauptteil der Platte wird durch den gesamten Plattenkörper zwischen dessen beiden Hauptflächen mit Ausnahme der diskreten Gebiete gebildet. Eine elektrisch isolierende Schicht bedeckt die Seite der Platte mit den diskreten Gebieten in jenen Bereichen, wo die Plattenoberfläche den zweiten Leitungstyp hat. Jedes der diskreten Gebiete ist mit einem damit in elektrischem Kontakt befindlichen Halbleiterkissen bedeckt.

Durch die Halbleiterkissen wird der Kontakt der Abtastanordnung rait den diskreten Gebieten verbessert, wobei diese Halbleiterkissen zugleich als Diffusionsquelle für die diskreten Gebiete verwendet werden können. Außerdem ergibt sich kein Kurzschluß, wenn ein Kissen den Plattenhauptteil kontaktiert, beispielsweise als Folge von Fehldeckungen zwischen den diskreten Gebieten und den entsprechenden Öffnungen in der Isolierschicht oder als Folge des Eindringens von Kissenmaterial in eine Pore der Isolierschicht. Stattdessen bildet sich an der Kontaktstelle ein getrennter pn-übergang, da dort eine Diffusion in den Hauptteil stattfindet. Dieser getrennte pn-übergang hat keine Beeinträchtigung des Leistungsvermögens der Speicherplatte zur Folge,

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da er sich im Speicherplattensignal nicht bemerkbar macht. Da die Diffusion von den Kissen aus erfolgt, bildet sich auf den diskreten Gebieten kein Isolierbelag. Dadurch entfällt der Verfahrensschritt des Entfernens eines derartigen Belags vor dem Aufbringen der Kissen auf die diskreten Gebiete, was wiederum eine Verbesserung der Speicherplatte ergibt·

In den Zeichnungen zeigen:

Figur 1 einen Seitenschnitt einer Vidicon-Bildaufnahmeröhre mit Anwendung der Erfindung j

Figur 2 eine fragmentarische Schnittdarstellung der Speicherplatte der Röhre nach Figur Ij

Figur 3 eine Darstellung eines Teils der abgetasteten Oberfläche der Speicherplatte nach Figur 2;

Figur 4 einen fragmentarischen Seitenschnitt einer anderen Ausführungsform der Speicherplattej

Figur 5 einen fragmentarischen Seitenschnitt einer weiteren Ausführungsform der Speicherplatte! und

Figur 6 die Darstellung eines Teils der abgetasteten Oberfläche der Speicherplatte nach Figur 2 mit angeschlossener Festkörper-Abtastanordnung.

Figur 1 zeigt als bevorzugte Ausführungsform der Erfindung eine Vidicon-Bildaufnahmeröhre 10 mit einem evakuierten Kolben 12, einer am einen Ende des Kolbens 12 angebrachten transparenten Frontplatte 14 und einem im anderen Ende des Kolbens angeordneten Elektronenstrahlsystem 16. An der Innenfläche der Frontplatte 14 befindet sich eine Speicherplatte 18. Innerhalb des Kolbens 12 können Anordnungen (nicht gezeigt) vorgesehen sein, welche den Elektronenstrahl gegen die Speicherplatte 18 richten und bewirken, daß der Strahl die Oberfläche der Speicherplatte 18 abtastet.

Die Speicherplatte 18, von der ein Teil in Figur 2 gezeigt ist, ist eine Siliciumphotodioden-Speicherplatte. Sie besteht aus einer runden Platte aus einkristallinem Silicium mit einem Durch-

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messer von ungefähr 2,54 cm und einer Dicke von ungefähr 20 Mikron. Der Hauptteil 20 der Platte ist mit Phosphor in einer Menge von ι
n-dotiert.

Menge von ungefähr 2 χ 10 bis ungefähr 10 Atomen je cm

Auf der einen Hauptfläche der Platte befindet sich eine Anordnung von diskreten p-Gebieten 22, die einen Abstand von ungefähr 25*4 Mikron Mitte-Mitte und einen Durchmesser von ungefähr 7 Mikron haben und ungefähr 3 Mikron tief in die Platte hineinreichen. Die einzelnen Gebiete 22 bilden jeweils eine pn-Photodiode mit dem η-leitenden Plattenhauptteil 20. Der für die Gebiete·22 verwendete Dotierstoff ist Bor.

Die Oberfläche des η-leitenden Hauptteils 20, welche die pleitenden Gebiete 22 voneinander trennt, ist mit einer Isolierschicht 24 aus Siliciumdioxyd in einer Dicke von ungefähr 0,4 bis 1,5 Mikron bedeckt.

Die einzelnen p-leitenden Gebiete 22 sind jeweils mit einem über den Rand der umgebenden Isolierschicht 24 greifenden polykristallinen Kissen 26 aus degenerativ dotiertem Silicium in einer Dicke von ungefähr 0,6 Mikron bedeckt. Der Dotierstoff für

IQ die Kissen ist Bor in einer Konzentration von ungefähr 10 Atomen je cm . Der spezifische Widerstand der Kissen 26 beträgt in der Größenordnung von 30 0hm pro Flächeneinheit.

Die Speicherplatte 18 kann nach folgendem Verfahren hergestellt werden: Als erstes wird auf die eine Oberfläche einer 127 Mikron dicken Platte aus Silicium sehr hoher Reinheit eine Siliciumdioxyd-Isolierschicht 24 von ungefähr 0,8 Mikron Dicke durch ungefähr einstündiges Erhitzen der Platte auf ungefähr 1100 C. in einer Wasserdampfatmosphäre aufgewachsen. Mit Hilfe von bekannten Photomaskier- und Ätzverfahren wird unter Freilegen von diskreten Bereichen der Plattenoberfläche aus der Isolierschicht 24 eine Anordnung von Öffnungen oder Löchern von ungefähr 7 Mikron Durchmesser und mit einem Abstand von ungefähr 25,4 Mikron Mitte-Mitte herausgeätzt. Sodann wird auf die freiliegenden diskreten Flächenbereiche und auf die Isolierschicht 24 eine

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Schicht aus stark mit Bor dotiertem Silicium in einer Dicke von. ungefähr 0,6 Mikron aufgedampft. Aus dieser Siliciumschicht werden dann durch Photoraaskieren und Ätzen in den Öffnungen die Kissen 26 gebildet, die jeweils ein Stücküber den Rand der Isolierschicht 24 hinübergreifen, ohne sich aber gegenseitig zu berühren. Die Kissen haben allgemein quadratische Form mit einer Seitenlänge von ungefähr 17 Mikron. Die Platte wird dann ungefähr 5 Minuten lang in einem-Trockenofen bei ungefähr 1200 C. gebrannt und anschließend zunächst über 2 Stunden langsamauf ungefähr 750° C. und sodann auf Zimmertemperatur abgekühlt. Während des Brennens diffundiert etwas Dotierstoff aus den Kissen 26 in h die Platte, so daß dort die diskreten p~Gebiete 22 entstehen. Diese Gebiete 22 bilden mit dem η-leitenden Hauptteil 20 jeweils ph-Übergänge und reichen ungefähr 3 Mikron tief in die Platte hinein. Die nicht diffusionsbehandelte Oberfläche der Platte wird dann chemisch bis auf eine Plattendicke von ungefähr 20 Mikron geätzt. Der Plattenrandbereich kann für mechanische Halterungszwecke dicker belassen werden.

Die nichtdiffundierte Seite der Speicherplatte 18 wird an der Innenseite der Frontplatte 14 angeordnet, so daß die Platte mit ihrer anderen Seite, auf der sich die Kissen 26 befinden, gegen das Elektronenstrahlssrstem 16 gewandt ist.

Beim Betrieb der Speicherplatte 18 im Vidicon 10 wird der η-leitende Hauptteil 20 normalerweise auf ein Rjbential V vorgespannt, das um einige Volt positiver als das Kathodenpotential des Elektronenstrahlsystems 16 ist. Der Abtaststrahl trifft beim Abtasten auf die einzelnen Kissen 26 auf, wobei die Strahlelektro> nen durch die Kissen 26 in das betreffende p-Gebiet 22 geleitet werden. Durch die in das Gebiet 22 eingeleiteten Elektronen wird der dazugehörige pn-übergang sperrgespanrat, so daß die Ladung sich ansammeln kann, bis das Gebiet 22 und das dazugehörige Kissen 26 Kathodenpötential erreichen und den Strahl zurückstoßen. In der Dunkelheit kann eine relativ hochwertige Diode den größten Teil der Ladung in ihrem Gebiet 22 über eine beträchtliche Zeitdauer beibehalten. Wenn dagegen im ra-leitenden Hauptteil 20

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Licht absorbiert wird, bilden sich dort Ladungsträger, die zum pn-Übergang wandern, so daß Ladung aus dem Gebiet 22 abgeleitet wird. Wenn der Elektronenstrahl bei seiner nächsten Abtastung das Kissen 26 des entladenen Gebietes 22 erfaßt, bringt er letztje res rasch auf Kathodenpotential zurück. Die plötzliche Potentialfluktuation im Gebiet 22 führt durch kapazitive Kopplung zu einer entsprechenden Stromfluktuation im n-Hauptteil 20. Der n-Hauptteil 20 hat ein ausreichendes Leitvermögen, um als Signalplatte für die Speicherplatte 18 zu dienen, und die Stromfluktuationen in ihr.können über einen elektrischen Anschlußkontakt 28 einer üblichen Videosignalbearbeitungsanordnung (nicht gezeigt) zugeleitet werden.

Obwohl nach der Diffusion die Kissen 26 eine Dotierstoffkon-

19 /3 zentration in der Größenordnung von 10 Atomen/cm und einen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von 30 Ohm pro Flächeneinheit, d.h. einen etwas höheren spezifischen Widerstand als Metalle haben, ist ihre Wirkung hinsichtlich der Leitung der Strahlelektronen nach den p-Gebieten 22 der normalen Videorasterwechselfrequenz durchaus angemessen. Der Strahl bildet eine ausreichend hochohmige Quelle, so daß ein derartiger Widerstand der Kissen relativ unbedeutend ist.

Während das bevorzugte Anwendungsgebiet der Erfindung eine Vidicon-Bildaufnahmeröhre ist, werden durch die Erfindung auch andere Arten von pd/fc Ladungsspeicherung arbeitenden Einrichtungen mit einer durch eine Abtastanordnung adressierten Speicherplatte erfaßt. Beispiele derartiger Einrichtungen sind Speicherröhren, Abtastwandler- oder Bildwandlerröhren sowie Festkörper-Bildwandler. Beispielsweise bei Verwendung im Sekundäremissionsbetrieb werden die Leitungstypen der diskreten Gebiete 22 und des Plattenhauptteils 20 umgekehrt, so daß die diskreten Gebiete 22 η-leitend und der Hauptteil 20 p-leitend sind. Die abgetastete Seite der Speicherplatte 18 wird durch Sekundäremission auf das Potential des Beschleunigungsgitters des Elektronenstrahlsystems 16 gebracht.

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Die Speicherplatte l8 kann aus einkristallinem Silicium wie bei der bevorzugten Ausführungsform, aus polykristallinen! Silicium oder aus einkristallinem oder polykristallinem Germanium, Galliumarsenid, Galliumarsenid-Phosphid oder anderweitigem Halbleitermaterial bestehen. Die Dioden können vom Mesatyp oder irgendeinem anderen Typ sein. Die Kissen 26 brauchen nicht unbedingt aus dem gleichen Halbleitermaterial wie der Hauptteil 20 zu bestehen, vorausgesetzt, daß sie mit Halbleitermaterial relativ niedrigen Widerstands dotiert sind. Das Material der Kissen 26 sollte ein Material sein oder ein Material enthalten, das den Leitungstyp des Plattenmaterials verändert, so daß diskrete Gebiete sowie pn-Übergänge mit diesen Gebieten entstehen. Als der- W artige Dotierungsstoffe kommen z.B. Elemente der Gruppen III und V des Periodischen Systems für Silicium oder Germanium sowie Elemente der Gruppen II, IV und VI für III-V-Verbindungen wie Gallium arsenid in Frage. Diese Dotierstoffe können auch durch die Kissen 26 hindurchdiffundiert werden, wenn diese im undotierten Zustand auf der Speicherplatte 18 gebildet worden sind, was an sich auch möglich ist.

Im Hinblick auf optimale Empfindlichkeit der Speicherplatte ist es erwünscht, daß die Plattendicke in der Größenordnung der mittleren Ladungsträger-Diffusionsweglänge in der Platte beträgt. Dadurch ist sichergestellt, daß eine ausreichende Menge der lichterzeugten Ladungsträger eines der diskreten Gebiete 22 er-" reichen kann. Im Hinblick auf optimale Ansprechempfindlichkeit für kurze Wellenlängen wie Blau sowie im Hinblick auf gute Auflösung sollte die Platte so dünn wie möglich.sein. Im Betrieb sollte das feldfreie Gebiet der Platte vorzugsweise minimal klein sein, was man dadurch erreicht, daß man die der Speicherplatte, zu geführten Spannungen so bemißt, daß das Verarmungsgebiet bis fast an die belichtete Oberfläche der Speicherplatte 18 heranreicht. Unter dieser Voraussetzung besteht eine größere Wahrscheinlichkeit, daß lichterzeugte Ladungsträger im feldfreien Gebiet das Verarmungsgebiet erreichen. Wenn sie einmal das Verarmungsgebiet erreichen, so besteht eine große Wahrscheinlichkeit, daß sie Unter dem Einfluß des dortigen, relativ starken Feldes auch die

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diskreten Gebiete erreichen. Das Einfangen von Ladungsträgern an der beleuchteten Oberfläche kann dadurch minimalisiert werden, daß man ein Ansammlungs- oder Aufspeicherungsgebiet ausbildet, das die Ladungsträger von der Oberfläche wegtreibt. Ein derartiges Aufspeicherungsgebiet kann durch flaches Eindiffundieren von η-leitenden Verunreinigungen oder Störstellen in die belichtete Oberfläche hergestellt werden.

Die Kissen 26 sind bei der bevorzugten Ausführungsform allgemein quadratisch, damit das Verhältnis der Kissenfläche zu der dem Strahl ausgesetzten Fläche der Isolierschicht 24 möglichst groß ist und zugleich eine ausreichende Isolierschichtfläche vorhanden ist, um eine Ladungsableitung zwischen den Kissen 26 zu verhindern. An sich könnten die Kissen 26 natürlich auch andere Form haben.

Die Kissen 26 brauchen nicht unbedingt voneinander getrennt zu sein, um ihre Aufgabe zu erfüllen. Sie können aus einkristall^ nem, polykristallinem, amorphem Material oder einer Kombination solcher Materialien bestehen. Sie können in Form einer einzigen, amorphen, dotierten Kontaktschicht aus untereinander verbundenen Kissen 26 auf der Straliseite der Speicherplatte 18 vorgesehen sein, wie in Figur 4 gezeigt. Die Kontaktschicht kann einheitliche Dicke haben oder in den Bereichen der Isolierschicht 24, z.B. durch'Ätzen, verdünnt sein, wie in Figur 5 gezeigt. Die Schicht dient dann als Diffusionsquelle für die diskreten Gebiete 22. Sogar eine gleichmäßig dicke Kontaktschicht kann die gewünsch te Funktion erfüllen. Die Dicke der Kontaktschicht kann so gewählt werden, daß sich ein ausreichend großer Seitwärtswiderstand ergibt, so daß kein nennenswerter Oberflächenstrom zwischen einem Gebiet 22 und einem anderen in der Nähe befindlichen Gebiet 22 fließt. Dennoch kann zugleich der Widerstand durch die kleine Dicke der Kontaktschicht verhältnismäßig niedrig sein, so daß jedes Kissen 26 weitgehend selbständig arbeitet.

Die die Oberfläche des Hauptteils 20 vom Strahl trennende Isolierschicht 24 kann aus beliebigen Isoliermaterialien, bei-

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spielsweise Glas, hergestellt sein, die sich für die Verwendung· als Isolierbelag unter den für die Herstellung der Speicherplatte und den Betrieb der Röhre 10 erforderlichen Bedingungen eignen. Im Falle einer SiIiciumplatte verwendet man vorzugsweise SiIiciumdioxyd, und zwar wegen dessen Feuerfestigkeit sowie wegen der verhältnismäßig einfachen Herstellbarkeit.

Die belichtete Seite der Speicherplatte kann mit transparenten Antireflexionsbelägen versehen sein, um die optische Kopplung zwischen der Speicherplatte und einer dazugehörigen Optik, etwa der Frontplatte des Vidicons 10, zu verbessern. Sie kann ^ außerdem mit einem η -leitenden Aufspeicherungsgebiet versehen sein, um die Oberflächenrekombination an der belichteten Oberfläche zu verringern.

Bei einem Vidicon erfolgt das Abtasten der Speicherplatte mittels eines Elektronenstrahls, der die einzelnen Speicherplattenelemente, z.B. die Dioden in entsprechender Anordnung, überstreicht. Wenn die Speicherplatte mit diskreten Elementen ausgebildet ist, wie beispielsweise bei einer Diodenanordnung, kann jedoch die Funktion des Elektronenstrahls auch dadurch erfüllt werden, daß man jedes Element mit einem elektrischen Leiter kontakt iert und dann die Leiter mit einer Festkörperschaltung abtastet. Figur 4 zeigt ein Stück der abgetasteten Oberfläche einer Speicherplatte 30 von der gleichen allgemeinen Struktur wie die Speicherplatte nach Figur 3, deren Kissen 32 jedoch über die Leiter 34 an einen in Blockform dargestellten Festkörper-Abtastgenerator 36 angeschlossen sind. Der Abtastgenerator 36 verbindet die einzelnen Kissen nacheinander mit einem Bezugspotential V, das den gleichen Wert haben kann wie das Potential, auf welches der Elektronenstrahl eines Vidicons die Kissen bringt. Mit Ausnahme der Art und Weise, wie die Kissen auf Bezugspotential zurückgebracht werden, ist die Arbeitsweise der Festkörpereinrichtung nach Figur 4 i>» wesentlichen die gleiche wie die eines Vidicons»

Jede der verschiedenen Ausführungsformen kann mit Spannun-

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Claims

gen, Strömen und Frequenzen, wie sie normalerweise für Einrichtungen der betreffenden Art angewendet werden, betrieben werden. In dieser Hinsicht sind die Speicherplatten mit den herkömmlichen Ausführungen kompatibel, so daß sie keine Spezialbehandlung benötigen, um erfolgreich arbeiten zu können.

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- 12 Patentansprüche

Ii Mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung mit einer Speicherplatte und einer AbtastOrdnung, welche selektiv Teile der einen Hauptfläche der Speicherplatte kontaktiert, wobei die Speicherplatte aus einer Halbleiterplatte gegebenen Leitungstyps besteht, an deren einer Oberfläche eine Anordnung von diskreten Gebieten eines anderen Leitungstyps, die ein Stück in die Platte hinein, jedoch nicht ganz- durch diese hindurchreichen, vorgesehen ist, und wobei auf dieser Plattenoberfläche in den die diskreten Gebiete trennenden Bereichen eine elektrisch isolierende Schicht * angebracht ist, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß auf der genannten Plattenoberfläche eine Anordnung von Halbleiterkissen in elektrischem Kontakt mit den Gebieten des anderen Leitungstyps angebracht ist, wobei diese Kissen einen dem Halbleitermaterial der Platte den anderen Leitungstyp erteilenden Dotierstoff enthalten.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch g e kennz e i chnet , daß die Halbleiterplatte in ihrem Hauptteil aus η-leitendem Silicium besteht.
3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch g e -

kennzeichnet, daß die Halbleiterplatte in ihrem Hauptteil einen spezifischen Widerstand von ungefähr 0,5 Ohmrzentimeter und darüber hat.
4· Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kissen allgemein quadratische Form haben.
5· Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kissen und die diskreten Gebiete den gleichen Dotierstoff enthalten.

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6. Speicherplatte für eine Vidicon-Bildaufnahmeröhre in
Form einer Platte aus η-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand in der Größenordnung von 0,5 bis 200 Ohmzentimetern,
auf deren einer Oberfläche eine Anordnung von diskreten Gebieten
aus p-leitendem Silicium vorgesehen ist, wobei der Bereich dieser Plattenoberfläche zwischen den diskreten Gebieten mit einer
elektrisch isolierenden Schicht bedeckt ist, dadurch ge. kennzeichnet, daß die diskreten Gebiete mit Kontaktkissen aus Silicium bedeckt und kontaktiert sind, wobei diese
Kissen Diffusionsquellen für die diskreten Gebiete bilden.
7· Speicherplatte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktkissen einen Akzeptordotierstoff enthalten, der Silicium p-leitend macht.
8. Speicherplatte nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kissen degenerativ dotiert
sind.

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