DE1956455C3 - Schottky-Diode - Google Patents

Description

dung einer induzierten Ladungsschtght unterhalb einer Isolierschicht bei Halbleiterbauelementen, insbesondere Feldeffekttransistoren.

Ähnlich betrifft die USA.-Patentsehrift 3 334281 Jcdiglich stabilisierende Beschichtungen für Halbleiterbauelemente, genauer gesagt, die Verwendung eines Doppelisolierfilms aus Siliziumdioxid und Phosphorsilicatglas als Gatterisolierstoff eines MOS-Feldeffekttransistors. Diese Druckschrift ist in der Hauptsache auf eine induzierte Ladungsschicht unterhalb des Isolierfilms und dessen Passivierung gerichtet, also nicht auf die Steuerung des Energieniveaus eines Halbleiterbauelements, insbesondere ein?r Schottky-Diode, an der Grenzschicht zwischen Isolierfilm und Metallelektrode, wie es beim Erfjndungsgegenstand dei Fall ist.

Schließlich ist aus der deutschen Offenlegungsschrift I 439 138 nur bekannt die Dotierung einer Isolierschicht mit Fremdionen in einer Halbleiteranordnung mit variablen kapazitiven und induktiven Eigenschaften zur Schwingungserzeugung.

Die Erfindung soll an Hand der Zeichnung näher erläutert werden, wobei Übergänge zwischen Metall und einem n-Halbeiterkörper gezeigt sind. Es versteht sich jedoch, daß die Erfindung ebensogut für Übergänge von Metall und einem p-Halbleiter anwendbarist.

In der Zeichnung zeigen

Fig. la bis Id Diagramme zur Erläuterung des Erfindungsgedankens, nämlich

Fig. la eine schematische Ansicht einer Schottky-Diode mit einem Siliziumoxidfilm auf der Oberfläche eines Substrats,

F i g. Ib die Energiebandstruktur der Diode von F i g. 1 a,

Fig. Ic die Ene^rgiebandstruktur des Metall-Halbleiter-Übergangs d.r Diode von F i g. 1 a und

Fig. Id die Energiebandstruktur des Isolierstoff-Halbk-iter-Übergangs der Diode von Fig. la,

Fig. 2a und 2b schematisch einen Metall-Halblciter-Übergang mit frei liegendem Umfangsabschnitt und die Encrgiebam^truktur des Übergangs,

F i g. 3 eine Metallelektrodenanordnung auf einer Halbleiteroberfläche nach Anspruch 1,

Fig. 4a u'id 4b eine andere Metallelcktrodenanordnung auf einer Halbleiteroberfläche, und zwar Fig. 4a eine Aufsicht und Fig. 4b einen Längsschnitt, und

Fig. 5a bis 5c eine weitere Metallelektrodenanordnung auf ei.ier Halbleiteroberfläche, wobei Fig. 5a eine Aufsicht und Fig. 5b und 5c Querschnitte bedeuten.

In Fig. la ist eine Seite eines n-Halbleiterköipers 1 mit einem Isolierfilm 2 wie Siliziumoxid und einer Mehillschicht 3 zur Bildung einer Schottky-Sperrschicht bedeckt. Die Sperrschicht am Metall-Halbleiter-Übergang hat eine EnergiebandstrukUir wie in Fig. Ic abgebildet. Ähnlich hat der Isolier-Sloll-Halblgiter-Übcrgang die in Fig. 1 d gezeigte Energiebandstruktur. In den Figuren bedeuten M, S und / Metall, Halbleiter bzw. Isolierstoff, während die -Y- und >'-Achse die Richtung entlang der Halbleitcrfläche nach innen bzw. nach außen bezeichnen. Die Z-Aclisc gibt die Fnergic an der Halblcitcrflächc an. Ferner bedeuten E_n E₁ und E_v das niedrigste Nivcau eincsLcitucgsbands, das Fcrmi-Nivcau bzw. das höchste Niveau des Valenzbands. Aus den Figurcn ist ersichtlich, liß Elektronen an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolierstoff, insbesondere Siliziumoxid, eingeführt werden, um E_f in der Nähe der Grenzfläche des Halbleiters zu erniedrigen, und eine durch ein Diffusionspotential V_a (Scbottky-Sperrschicht) dargestellte Sperrschicht ist for das Leitungsband E₍ an der Grenzfläche von Metall und Halbleiter ausgebildet. Wenn diese verschiedenen übergänge in Berührung Seite an Seite gebracht werden, entsteht eine Energie-Bandstruktur wie in Fig. Ib abgebildet, da eine Energie-Bandstruktur kontinuierlich sein sollte. Auf diese Weise wird am Umfangsabschnitt mit der Breite 1 des Metall-Halb-Iciter-übergangs die Sperrschichthöhe des Übergangs niedriger als im inneren Abschnitt gemacht, wo der Einfluß des Isolierstoffs vernachlässigbar klein ist. Das heißt, der Metall-Halbleiter-Übergapg hat eine kleinere Sperrschichthöhe in der Nähe eines Isolierstoff-Halbleiter-Übergangs, wo die Sperrschichthöhe gleich dem Diffusionspotentlal V_d ist.

In Fig. 2b hat ein Halbleiterbauelement einen n-Halbleiterkörper 1 und eine Metallschicht 2 auf einem Teil des Halbleiterkr pers 1. Die nicht mit der Metallschicht 2 bedeckten Abschnitte des Halbleiterkörpers 1 liegen nach außen frei, was unterschiedlich zum Bauelement von Fig. la ist. Die Energiebandstruktur der Sperrschicht dieses Metall-HalbleiterÜbergangs ist in Fig. 2a gezeigt. Gemäß Fig. 2a dient das Oberflächenniveau des Halbleiters dazu, die Sperrschichthöhe im Umfangsabschnitt auf einen Wert festzulegen, der von dem im inneren Abschnitt verschieden ist, und für derartige Kombinationen von Halbleiter und Metall, das eine niedrige Sperrschichthöhe hat, bewirkt es eine Erhöhung der Sperrschichthöhe. Daher wird in den Intervallen der Breite / das Sperrschichtpotential größer als V_d.

In Fig. la, Ib und 2a zeigen die Buchstaben L und / die Breite des Metall-Halbleiter-Übergangs bzw. die Breite der Abschnitte an, wo die Sperr-Schichthöhe einer Änderung durch d--n Einfluß des Unifangsabschnitts des Übergangs ausgesetzt ist. Bei üblichen Schottky-Sperrschichtübergängen beträgt die Breite/. einige 100 μΐη und ist weit größer als /. se daß der Einfluß des Umfangs eines Übergangs vernachlässisbar gerine ist.

Ein Metall-Halbleiter-Übergang wird in viele schlanke Übergangsabschnitte fein unterteilt, um das Verhältnis von / zu L zu erhöhen, wodurch der Einfluß des Inncnumfangs der Breite / erhöht und die Sperrschichthöhe gesteuert wird, ohne die Strombelastbarkeit des Übergangs zu verringern.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß Metall-Halbleiter-Übergänge mit einer Breite von 2 bis 10 um einen deutlichen Einfluß auf den lnnenumfang zeigen. Das bedeutet nicht, daß Übergänge mit einer Bieite von mehr als 10 um einen derartiger Einfluß aufweisen, sondern daß dieser Einfluß beträchtlich geringer ist. Da ein Metall-Halbicitcr-Über gang von einigen 100 um Größe nur in schlanke (."'btrsange mit einer Breite von 2 bis 10 um unterteil¹ wird,' ändern sich die Gesamtfläche des Übergang' und dessen Gcsamtstrombelastbaikcit überhaup nicht.

Der Isol'crfilm besteht aus Siliziumoxid, Silizium nitrid, Aiuminosiükatglas. Phophosilikatglas, Boro silikatglas. Titan-, Nickel-, Aluminium-, Zirkon-Tiintal-, Thorium-. Vanadium-, Risen-, Zink-. Kup fcroxyd od. dgl.. Schichten aus Siliciumoxid, Silizium nitrid. Phosnhorsilikat und Borosilikat erniedriger

die Sperrschichthöhe einer Schottky-Diode, während schicht aus Aluminium, Silber oder Gold ist an einer Schichten aus anderem Material die Sperrschichthöhe derartig geformten Streifensperrschicht anhaftend beerhöhen. Ferner kann ein Isolierfilm hergestellt wer- festigt, um einen Zuführungsdraht anzuschließen, den, der eine Doppelstruktur aufweist. Der Siliziumoxidfilm wurde an einem praktisch er-Die Sperrschichthöhe eines Metall-Halbleiter-Über- 5 probten Ausführungsbeispiel durch übliche thermigangs kann weiter durch Beimengung von Metall- sehe Oxydierung eines Siliziumkörpers bei HOO⁰C ionen wie von Na, K, Ag, Au, Al od. dgl. dem ver- hergestellt, kann aber auch durch andere Verfahren wendeten Isolierfilm eingestellt werden. Der Zusatz erzeugt werden, z. B. durch thermische Zersetzung derartiger Metallionen kann beispielsweise durch von Organo-Oxy-Silan. Ferner kann das niedrigste Mischen des Dampfs einer Verbindung, die das ge- 10 Niveau des Leitungsbands des Siliziumkörpers in der wünscht« Metall enthält, mit dem Dampf zur Bildung Nähe des Siliziumoxidfilms variiert werden, um das des Isolierfilms vorgenommen werden. Beispielsweise Fermi-Niveau zu erreichen, indem Ionen von Nawird der Dampf von Organo-Aluminium beim ehe- trium, Kalium, Gold od. dgl. dem Siliziumoxidfilm mischen Aufdampfen eines Siliziumoxidfilms ge- zugesetzt werden.

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^p *' Ausführungsbeispiel 3

Es sollen jetzt die erfindungsgemäßen Auslüh- Fig. 5a bis 5 c zeigen ein weiteres AusfUhrungs-

rungsbeisptele an Hand von F i g. 3 bis 5c erläutert beispiel einer Schottky-Diode, die einen n-Siliziumwerden. körper 10, einen Siliziumoxidfilm 11, der teilweise

. .... . . ... ao den n-Siliziumkörperl· bedeckt, eine streifenförmige

Ausfuhrungsbetspiel 1 Metallschicht 12 und eine Metallelektrodenschicht 13

Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schottky- aufweist, die auf einem Teil der Metallschicht 12 Diode, bei der eine Wolframschicht 4, die aus klei- vorhanden ist. Die nicht mit dem Oxidfilm 11 benen dreieckförmigen Abschnitten mit einer Seiten- deckte Halbleiteroberfläche wird zunächst durch ein länge von 10 um und einer Dicke von 6000 A besteht, 15 Ätzmittel, das aus Fluorwasserstoffsäure und SaI- und eine Siliziumoxidschicht 5 mit einer Dicke von petersäure besteht, auf etwa 0,5 um geätzt, worauf 8000 A auf einer Halbleiter-Oberfläche ausgebildet dann eine Metallschicht aus Nickel od. dgl. durch sind. Auf diese Weise wird die Schottky-Sperrschicht Aufdampfen niedergeschlagen wird.Streifenabschnitte in kleine dreieckförmige Abschnitte unterteilt, die dieser Metallschicht werden entfernt, um die HaIbjeweils durch einen Isolierfilm aus Siliziumoxid um- 30 leiteroberfläche wie in Fig. 5a und 5b abgebildet geben sind. Die Metallschicht wird hier vorzugsweise freizulegen. Die Streifenabschnitte der Metallschicht auf ihrem Umfang in Kontakt mit dem Isolierfilm und die Zwischenräume zwischen den Streifen haben gebracht, oder sie kann teilweise den Isolierfilm jeweils eine Breite von 2 μτη. Die Elektrodenschicht überlappen. Eine Elektrode der Schottky-Diode wird 13 ist aus Aluminium, Silber oder Gold hergestellt, durch Niederschlagung einer Metallelektrodenschicht _3S Ein Zuleitungsdraht ist an der Etektrodenschicht 13 auf den dreieckförmigen Metallabschnitten und dem anhaftend befestigt.

Isolierfilm hergestellt, um alle dreieckförmigen Ab- Die Sperrschichthöhe eines unterteilten Übergangs,

schnitte zu verbinden. Die andere Elektrode kann auf der nicht von einem Isolierfilm umgeben ist, ist der Halbleiteroberfläche durch ein übliches Verfahren höher als die eines nicht unterteilten Übergangs überzeugt werden. 40 Hcher Größe. Bei einem Nickel-n-Stliziutn-Ubergang . . u-11 ist die Sperrschichthöhe eines fein unterteilten über-Ausfuhrungsbeispiel Z _{gangs groQer als die eincs} H_00n,^ Übergangs, und

Fig.4a und 4b zeigen ein anderes Ausführungs- zwar um 0,G5 bis 0,1 eV. Ahnlich haben Vanadiumbeispiel einer Schottky-Diode, bei dem eine epitak- η-Silizium-, Wolfram-n-Silizium- und Molybdäntische n-Schicht 6 mit einem spezifischen Widerstand ₄₅ n-Silizium-übergänge, die unterteilt sind, eine Sperrvon 0,5 Qcm und einer Dicke von 1 μΐη auf einem Schichthöhe, die gegenüber nicht unterteilten übern-Siliziumkörper 7 mit einem spezifischen Widerstand gangen um 0,05 bis 0,1 eV höher ist von 0,01 Qcm aufgebracht ist. Eine Siliziumoxid- Dies dürfte auf den folgenden Effekten allein odet schicht 8 ist auf der Epitaxialschicht 6 niedergeschla- in Kombination beruhen.

gen und dann teilweise entfernt worden, um den in _so I. Die Sperrschichthöhe eines Übergangs wird vor

Fig. 4 a abgebildeten schlanken Streifenabschnitt dem Oberflächenniveau einer Halbleiteroberfläche air

freizulegen. Auf diesem frei liegenden Abschnitt wird Umfangsabschnitt beeinflußt.

eine Nickelschicht 9 mit einer Breite von 2 um und II. Das Energieband eines Halbleiters ist untei

einer Dicke von 0,5 um niedergeschlagen. Der SiIi- einem übergang und seinem AuBenrand gekrümmt

ziumoxidnlm zwischen dem Stretfenabschnitt hat ₅₅ In diesem Fall ändert sich der Effekt, je nachdem, ot

ebenfalls eine Breite von 2 um. Der schlanke Strei- die Halbleiteroberfläche um einen Übergang zui

fenabschnitt mit einer Schottky-Sperrschicht ist inner- äußeren Atmosphäre frei liegt oder mit einem Isolier

halb eines Kreises mit dem Radius von 30 um gemäß film bedeckt ist. Im letzteren Fall kann der Effek

F i g. 4 a ausgebildet. durch die im Isolierfilm vorhandene Menge von Me Eine gewöhnliche Schottky-Sperrschicht zwi- &> tall od. dgl. gesteuert werden. Beispielsweise könnei

sehen Nickel und η-Silizium mit vernachlässigbarem ein Alkalimetall wie Natrium, Kalium usw. ode

TJmfangs- oder Randeffekt hat eine Höhe von etwa Gold, Silber od. dgl. einem Siliziumoxidfilm bein

0 60 eV, obwohl dieser Wert in gewissem Umfang Aufdampfen zugesetzt werden, um die Höhe de

durch Oberflächenbehandlung geändert werden kann, Schottky-Sperrschicht zu steuern,

während bei der Unterteilung der Schottky-Sperr- _6s ΙΠ. Die Unterteilung eines Übergangs, der voi

schicht im Streifen mit einer Breite von 2 bis 10 um, einem Isolierfilm umgeben ist, erniedrigt die Sperr

wie in Fig. 4a abgebildet ist, dieser Wert um etwa Schichthöhe im Umfangsabschnitt infolge der Spie

0,05 eV erniedrigt werden kann. Eine Elektroden- gelkraft. Der einer derartigen Änderung ausgesetzt

Bereich ist jedoch auf KH)A begrenzt, so daß dieser Effekt nicht !,lark ist, wenn ein Übergang eine Breite von mehr als etwa 1 (im hat.

IV. Bei einer Diode, die mit einem derartigen unterteilten Übergang verschen ist, wird, wenn der Radius r in der Sperrschicht eines unterteilten Abschnitts hinreichend kleiner als i/jsi1.2(irf(rf Dicke

des Halbleiterkörper) ist. der Serienwiderstand jeder Sperrschicht als durch den Streuwiderstand bedingt angesehen und hat in erster Näherung den Wert ^ unabhängig von der Dicke (wobei η den spezifischen Widerstand des Halbleiters bezeichnet). Der Scricnwiderstand einer Diode wird also erniedrigt.

Die Effekte II und III sind bereits bekannt, und ihr Einfluß ist sehr klein. Daher dürfte die Erfindung auf der Ausnutzung der Effekte 1 und II beruhen.

Die Sperrschichthöhe, die meistens allein durch die Kombination von Halbleiter und Metall sowie die Oberflächenbehandlung des Halbleiters bestimmt ist. kann weiter durch den Einfluß des UmfangsclTckts des Übergangs verändert werden. Zum Beispiel ist die niedrigste gegenwärtig industriell verfügbare Sperrschichthöhe 0,55 eV, sie kann aber noch um 0.05 eV erniedrigt werden. Eine derartige niedrige Sperrschichthöhe ermöglicht eine Frcqucnzmischdiode. die bei niedrigen Pegeln der Übnrlagerungsschwingungsspannung betrieben werden kann, und s erniedrigt den Rauschwert während des Betriebs ohne Anlegen einer Vorwärtsvorspannung. Ähnlich kann in den Fällen, in denen eine hohe Anstiegsspannung crfoiderlich ist. die Sperrschichthöhe von 0.8 bis 0.9 eV eines Platin-n-Silizium-Ubergangs oder

ίο etwa 0,8 eV eines Gold-n-Silizium-Übergangs um 0,05 bis 0.1 eV erhöht werden. Die Erfindung kann also eingesetzt werden, um ein konstantes Sperrschichtpotential von etwa 0,6 bis 1,OeV zu erzielen. Wie bereits beschrieben wurde, kann die Sperr-Schichthöhe für eine Kombination von Metall und Halbleiter willkürlicher ohne Änderung der Strombelastbarkeit und/oder der elektrostatischen Kapazität des Übergangs eingestellt werden. Daher zeigt die Schottky-Diode eine höhere Stabilität der Grenzfläche, eine höhere Wärmefestigkeit, die Möglichkeit einer leichteren Elektrodcnmontage usw. Zum Beispiel kann ein Platin-n-Silizium-Übergang mit einei hohen eutektischen Temperatur für eine Sperrschicht! von etwa 0,8 eV an Stelle eines Gold-n-Silhium

J5 Übergangs verwendet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 V um Über die Temperatur der Schottky-Sperrschicht Patentansprüche: die elektrischen Eigenschaften der Sperrschichthöhe zu steuern. Eine derartige Maßnahme ist aber offen-

1. Schottky-Diode mit einem Halbleiter- sichtlich sehr aufwendig,

substrat, auf dem eine Metallschicht angeordnet 5 Der Erfindung liegt also die Aufgabe zugrunde, ist, wobei das Halbleitersubstrat und die Metall- die an sich bekannte Schottky-Diode der eingangs schicht an ihrer Berührungsfläche eine Schottky- genannten Art (vergleiche z. B. französische Patent-Sperrschicht bilden, mit einer Elektrode in ohm- schrift 1 495 739) so zu verbessern, daß die Höhe schem Kontakt mit dem Halbleitersubstrat und der Schottky-Schicht einfach einstellbar ist.
mit einer weiteren Elektrode in ohmschem Kon- ip Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch getakt mit der Metallschicht, dadurch ge- löst, daß die Berührungsfläche zwischen dem HaIbkennzeichnet, daß die Berührungsfläche Ieitersubstrat und der Metallschicht ohne Änderung zwischen dem Halbleitersubstrat (6, 7; 10) und der Gesamtgröße der Berührungsfläche in eine Ander Metallschicht (4; 9; 12) ohne Änderung der zahl kleinerer Bereiche unterteilt ist, so daß der Gesamtgröße der Berührungsfläche in eine An- 15 UmfangsabscbniO der Berührungsfläche einen großen zahl kleinerer Bereiche unterteilt ist, so daß der Anteil an der Berührungsfläche selbst hat.
Umfangsabschnitt der Berührungsfläche einen Die Vergrößerung des Umfangsabschnitts der Begroßen Anteil an der Berührungsfläche selbst hat rührungsßäche hat den Vorteil, daß, da das Energie-(Fig. 3;4a, 4b; 5a bis 5c). niveau am Umfangsabschnitt der Berührungsfläche

2. Schottky-Diode nach Anspruch 1, dadurch so bzw. Schottky-Sperrschicht vor* ·*·~τη in der Mitte gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht (5; 8) in verschieden ist, die Höhe der Schottky-Sperrschicht Berührung mit den Seitenflächen der Metall- gesteuert werden kann, indem die Größe des Umschicht (4; 9) und der frei liegenden Fläche des fangsabschnitts der Berührungsfläche im Verhältnis Halbleitersubstrats (6, 7; 10) stehi (Fig. 3; zut Gesamtgröße der Berührungsfläche erhöht wird. 4a, 4b). 25 Die französische Patentschrift 1495 739 und

3. Schottky-Diode nach Anspruch 2, dadurch »Solid-Slate Electronics«, Bd. 11, 1968, Heft 5, gekennzeichnet, daß die Isolierschicht mit Metall- S. 517 bis 525, zeigen zwar eine Anzahl von Metallionen dotiert ist. schichtbereichrn bzw. Au-plating. Dabei wird jedoch

nur jeweils einer der Metallschichtbereiche als 30 Schottky-Diode benutzt; die übrigen Metallschicht-

bereiche sind also dort insoweit überflüssig. Im

übrigen beschäftigt sich dieser bekannte Stand der Technik damit, einen miniaturisierten Schottky-Über-

Die Erfindung betrifft eine Schottky-Diode mit gang herzustellen und leicht eine Zuleitungselektrode einem Halbleitersubstrat, Ruf -'em eine Metallschicht 35 am kleinen Übergang anzubringen, um die so herangeordnet ist, wobei das Halbleitersubstrat und gestellten Schottky-Dioden für extrem hohe Fredie Metallschicht an ihrer Berührungsfläche eine quenzen zu verwenden. Diese Dioden haben jedoch Schottky-Sperrschicht bilden, mit einer Elektrode in den Nachteil, daß sie nicht mit großen Strömen beohmschem Kontakt mit dem Halbleitersubstrat und lastbar sind, d. h., diese bekannten Schottky-Dioden mit einer weiteren Elektrode in ohmschem Kontakt 40 haben lediglich einen üblichL.i Aufbau, der allerdings mit der Metalischicht. für Hochfrequenzanwendung miniaiurisiert ist.

Bekanntlich bildet ein Übergang zwischen einem Die Erfindung wird dadurch weitergebildet, daß

Halbleitersubstrat und einem Metall mit einer Aus- eine Isolierschicht in Berührung mit den Seitentrittsarbeit, die größer als die des Halbleiters ist, flächen der Metallschicht und der frei liegenden wobei das Metall auf dem Halbleiterkörper durch 45 Fläche des Halbleitersubstrats steht.
Elcktroplattierung, Aufdampfen oder chemisches Dabei ist es zweckmäßig, daß die Isolierschicht

Aufdampfen niedergeschlagen ist, eine elektrische mit Metallionen dotiert ist.

Sperrschicht, die Schottky-Sperrschicht genannt wird. Auf diese Weise kann die Sperrschichthöhe weiter

Die Höhe einer Schottky-Sperrschicht ist allein durch beeinflußt weiden.

die Kombination des Halbleiters und des Metalls 50 Die Erfindung nutzt also in der Hauptsache die bestimmt. Obwohl es möglich ist, die Sperrschicht- beiden folgenden Effekte aus:

höhe durch Oberflächenbehandlung des Halbleiter- , _{Wenn cjn Isolierfilm wic} Siliziumoxid auf einem

korpers zu andern, auf dem das Metall nieder- Halbleiter am Umfangsabschnitt eines Metall-

geschlagen ist, ist eine derart.ge Änderung nur sehr Halbleiter-Übergangs vorhanden ist, ist die

1"· . , . ... ,, , ⁵⁵ Energiebandstruktur des Oberflächenabschnitts

_Bis jetzt werden gewisse Kombinationen von Halb- _dcs H_{albIeiters in der} Nähe des Isolierfilms

euer und Metall mit sehr guter Haftung am Halb- _{cjner Anderung} ausgesetzt, die die Höhe der

Ieitersubstrat und nut einem Passivierung^ darauf Schottky-Sperrschicht beeinflußt,

trotz leicht vorzunehmenden Aufdampfens, chcmi- _{2 Djc Änderung dcr} Energiebandstruktur im äußc-

schen Aufdampfens oder Elektroplattierens wegen 60 ' _{ren Umfang}s_abschnitt eines Metall-Halbciter-

e.nes geringen Überschusses oder Fehlbetrags der Übergangs beeinflußt die Höhe der Schottky-

Spcrrschichthohe nicht verwendet Es .st daher sehr Sperrschicht, insbesondere im inneren Umfanes-

wunschenswert, die durch die kombination von anschnitt
Halbleiter und Metall bestimmten Schottky-Sperr-

schichtcn einstellbar zu machen. 65 Die britische Patentschrift 900 334, »SCP and

in der französischen Palentschrift 1506 948 ist Solid State Technology«, Mai 1967, S. 36 bis 41, und

zwar ein ineinandergeschachteltes Thermoelement auf die französische Patentschrift I 540 755 dagegen bc-

der Metallschicht einer Schottky-Diode vorgesehen, handeln nur das Problem der Passivierung der BiI-