DE19546992A1 - Hochfrequenz-Induktionsofen mit Faserführung - Google Patents
Hochfrequenz-Induktionsofen mit FaserführungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-
Induktionsofen mit Faserführung, sowie ein Verfahren zum
Herstellen einkristalliner, oxidischer Aluminiumoxid-
Endlosfasern.
Zur Herstellung von einkristallinen oxidischen Fasern werden in
der Literatur verschiedene Verfahren beschrieben:
Nach der Stepanov-Methode [1, 2] wird eine Aluminiumoxid-Schmelze
aus einem Vorratsbehälter durch eine feine Kapillare gedrückt.
Es entsteht an der oberen Mündung der Kapillare ein Meniskus,
von dem mit einem Impfkristall eine einkristalline Faser
abgezogen werden kann. Die kristallographische Orientierung der
gewonnenen Faser ist durch die Orientierung des Impfkristalls
vorgegeben. Wenn mehrere Kapillaren verwendet werden, können mit
dem Stepanov-Verfahren auch mehrere Saphir-Fasern gleichzeitig
abgezogen werden. Es werden Ziehgeschwindigkeiten von 10 mm/min
bis 15 mm/min, bei einem Faserdurchmesser von 120 µm bis 1200 µm
und einer Gesamtlänge von 7 m bis 8 m erreicht.
Das EFG-Verfahren (Edge-Defined, Film-Fed-Growth) [3, 4] stellt
eine Erweiterung der Stepanov-Methode dar. An der oberen Mündung
einer Kapillare, die in einen Vorratsbehälter mit Aluminiumoxid-
Schmelze reicht, bildet sich durch Kapillarkräfte ein
Schmelzfilm. Eine Saphir-Faser wächst ausgehend von einem
faserförmigen Impfkristall, der aus dem Schmelzfilm
herausgezogen wird. Die Temperatur der Schmelze und die
Ziehgeschwindigkeit der Faser wird so eingestellt, daß stets
ausreichend Schmelze über Kapillarkräfte nachgeführt werden
kann. Es werden Ziehgeschwindigkeiten von 15 cm/h bis 60 cm/h
erzielt und es können Saphir-Fasern mit Durchmessern von minimal
80 µm bis 300 µm [5] hergestellt werden. Auch mit diesem
Verfahren werden mit mehreren Kapillaren mehrere Fasern
gleichzeitig in einem kontinuierlichen Prozeß abgezogen, bis der
Vorrat der Schmelze aufgebraucht ist.
Bei einem weiteren Verfahren, der LHPG-Methode (Laser Heated
Pestal Growth) [6,7], wird ein polykristalliner Aluminiumoxid-
Stab lokal mit einem fokussierten CO₂-Laser aufgeschmolzen. Der
Stab dient als Materialquelle und kann sowohl aus einem
polykristallinen Preßling als auch aus einem α-Al₂O₃-Einkristall
bestehen. In die entstandene Schmelzkappe wird ein Impfkristall
eingetaucht und eine Faser herausgezogen. Das Faserwachstum
erfolgt bei einer gleichzeitigen Aufwärtstranslation des
vorgegebenen Impfkristalls und der Materialquelle, die durch
eine Schmelzzone miteinander verbunden sind.
Wachstumsgeschwindigkeiten von 60 mm/h bis 120 mm/h bei
Faserdurchmessern von angeblich 25 µm bis 170 µm können erreicht
werden.
Allen vorgenannten Verfahren ist gemeinsam, daß die Fasern aus
einer niederviskosen Aluminiumoxidschmelze heraus erzeugt
werden. Mittels dieser Verfahren lassen sich Fasern mit einem
Durchmesser von de facto minimal 80 µm herstellen. Die in der
Literatur angegebenen möglichen Faserdurchmesser von 25 µm bei
der LHPG-Methode lassen sich beim Nacharbeiten nicht erzielen.
Ursache hierfür ist wahrscheinlich folgendes: Der Aluminiumoxid-
Stab muß mit einer geringeren Geschwindigkeit auf die
Schmelzzone zugeschoben werden, als die Faser aus der
Schmelzkappe abgezogen wird. Dies bewirkt, daß die flüssige
Schmelzperle Einschnürungen ausbildet. Zum Erreichen von
Faserdurchmessern von nicht mehr als 25 µm müßte das Abziehen
der Faser so schnell erfolgen, daß die flüssige Schmelzperle
abtropfen würde.
Fasern mit geringen Durchmessern können nach einem nicht
kontinuierlichen Verfahren von Schmitt [9] hergestellt werden.
Beim AVT(Atmospheric Vapor Transport)-Verfahren wird bei hohen
Temperaturen gasförmiges Al₂O über ein gekühltes Substrat
geleitet, das mit einem Sol-Gel-Film beschichtet ist. In diesem
Sol-Gel-Film befinden sich α-Al₂O₃-Kristallite, die als
Impfkristalle dienen. Es können Whisker mit einer Länge von
2,5 cm und einem Durchmesser von 2 µm bis 5 µm auf den
vorgegebenen Impfkristallen aufwachsen. Nachteil dieser Methode
ist der eckige Querschnitt und die schwierige Handhabung der
Saphir-Whisker aufgrund ihres geringen Durchmessers,
darüberhinaus sind Bruchstücke der Whisker lungengängig und
damit gesundheitsgefährdend.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einkristalline
Aluminiumoxid-Endlosfasern ("Saphir"-Endlosfasern) mit
variablen, kontrollierbaren Durchmessern im Bereich von 5 µm
(oberhalb der Lungengängigkeit) bis mindestens 50 µm und mehr,
bevorzugt im Bereich von über 5 µm bis unter 25 µm herzustellen.
Ferner sollte eine Kohärenzlänge der einkristallinen Bereiche
von mindestens 1000 µm erreicht werden können. Die Erzeugung
solcher Fasern ist erwünscht, da sie sich beispielsweise mit
großem Vorteil als Verstärkungskomponenten in keramischen
Verbundwerkstoffen einsetzen lassen. Für solche Verwendungen
wünscht man insbesondere Fasern mit Durchmessern unter 15 µm und
der genannten Länge, da diese die Unterdrückung des Rißlaufs
(Rißumlenkung) besonders günstig beeinflussen.
Durch Einsatz des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen
der genannten Fasern (Ansprüche 10 bis 12) lassen sich Fasern
mit den genannten Eigenschaften herstellen. Überraschenderweise
hat sich dabei gezeigt, daß der gewünschte Durchmesser der
Fasern vorbestimmt werden kann, weil das Kornwachstum formtreu
im wesentlichen innerhalb der vorgegebenen Geometrie erfolgt und
die Dimension der eingesetzten polykristallinen Fasern daher
erhalten bleibt, so daß man zur Einstellung einer bestimmten
Faserdicke eine entsprechend dimensionierte polykristalline
Ausgangsfaser wählen kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich sowohl für die
Herstellung von (a- und/oder c-orientierten) reinen Saphir-
Fasern (Der Ausdruck "Saphir" bezeichnet vorliegend das Aluminiumoxid als solches, wie unter den
einschlägigen Fachleuten üblich, nicht jedoch den mit Fe, Co oder dgl. dotierten Korund-
Edelstein.) (α-Al₂O₃), als auch für dotierte Aluminiumoxide.
Dotierungselemente können beispielsweise Chrom, Titan und Eisen
sein. Chrom, Yttrium und Calcium wirken sich fördernd auf das
Wachstum der einkristallinen Faser aus, während Bor, Eisen,
Silicium, Titan und Magnesium, die ebenfalls als
Dotierungselemente möglich sind, dieses Wachstum eher hemmen.
Alkalien sind ungeeignet. Besonders bevorzugt sind mit Chrom
dotierte Aluminiumoxide, da die dabei erzielten einkristallinen
Fasern besonders gute Eigenschaften bei sehr hohen Temperaturen
haben.
Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß,
wie erwähnt, die Wahl des Durchmessers der Ausgangsfaser den
Durchmesser der erhaltenen Faser bestimmt. Erreicht wird dies
dadurch, daß ein Temperaturgradient von 50 K/cm, bevorzugt von
200-400 K/cm, bei Temperaturen von 1000°C, bevorzugt von
1500°C, und ganz besonders bevorzugt bei 1600-1900°C, auf die
Fasern einwirkt. Die einzusetzende Ausgangstemperatur hängt im
einzelnen von der Zusammensetzung des Ausgangsmaterials ab. Der
extreme Temperaturanstieg wird bevorzugt dadurch erzielt, daß
die Fasern durch den Temperaturgradienten gezogen werden, der
vom Suszeptor eines Hochfrequenz-Ofen erzeugt wird. Der
Temperaturgradient entsteht aufgrund der speziellen Geometrie
des Suszeptors.
Die Beschickung des zentralen Ofenrohrs mit dem entsprechenden
Fasermaterial erfolgt üblicherweise bei einer stand by-Temperatur
zwischen 1000 und 1300°C, bevorzugt 1200°C bis
1300°C. Nach Einbringen der Ausgangsfasern in das Ofenrohr,
beispielsweise mit dem nachstehend beschriebenen Verfahren, wird
der Ofen mit einer Rate von etwa 5 K/min auf die entsprechende
Temperatur erhitzt. Sodann werden die Fasern durch den scharfen
Temperaturgradienten bewegt.
Die Geschwindigkeit, mit der sich der Temperaturgradient relativ
zur Faser bewegt, sollte im Bereich von 1-10 000 mm/h, bevorzugt
von 100-1000 mm und ganz besonders bevorzugt bei etwa 500 mm/h
liegen. Die nach Durchlaufen des Temperaturgradienten erzielte
erhöhte Temperatur von 1500°C wird in Abhängigkeit der
Dimensionierung der Faser und der Ziehgeschwindigkeit nur kurz
aufrechterhalten, danach fällt sie wieder auf den vorherigen
Wert ab. Eine isotherme Länge von 1 mm bei der Maximaltemperatur
sei beispielhaft genannt.
Die Fasern sollten unter Bedingungen erzeugt werden, die das
Eintragen von Verunreinigungen vermeiden. Die Ofenatmosphäre,
z. B. eine oxidierende Atmosphäre, die möglichst trocken und
kohlenwasserstofffrei ist, sollte deshalb die Fasern in der
Umwandlungszone mit niedrigem Gasdruck umspülen, aus Gründen der
Erschütterungsfreiheit in Gleichrichtung mit dem Faserverlauf
(z. B. 3 l/h). Die gewählte Atmosphäre beeinflußt den
Rekristallisationsvorgang und hat Auswirkungen auf die
Oberflächenbeschaffenheit der Fasern.
Zur Herstellung der erfindungsgemäßen Fasern können als
Ausgangsfasern polykristalline Mono- oder Multifilamente
wahlweise eingesetzt werden. Als Beispiel seien die kommerziell
erhältlichen Al₂O₃-Fasern Nextel 610 und Almax erwähnt. Auch
über ein Sol-Gel-Verfahren hergestellte polykristalline Al₂O₃-
Monofilamente, beispielsweise solche, die gemäß Sporn und
Glaubitt, ISC-Tätigkeitsbericht 1992 [10] hergestellt wurden,
sind einsetzbar. Letztgenannter Fasertyp hat den Vorteil, daß er
im Gegensatz zu den ersterwähnten keinerlei Zusatzstoffe
enthält.
Durch den vorgenannten Verfahrensschritt wird ein Zonenschmelzen
vermieden. Es findet eine Rekristallisation statt, die sich am
besten mit "Zonen-Rekristallisation" umschreiben ließe. Die
erreichte Orientierung (a bzw. c) hängt von den vorhandenen
Kristalliten in der Ausgangsfaser ab.
Die durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugten
einkristallinen Fasern können Kohärenzlängen von bis zu 5000 µm
oder sogar noch größer erreichen. Temperaturschwankungen sind
weniger kritisch als in den diversen Schmelzverfahren, da die
Empfindlichkeit gegenüber Veränderungen der Temperatur dort bei
etwa 1°C liegt, vorliegend jedoch Varianzen von ±10°C tolerabel
sind. Die erhaltenen Fasern weisen, wie zuvor detailliert
beschrieben, einen mit der Ausgangsfaser identischen Durchmesser
auf. Ihre Oberfläche ist wesentlich weniger rauh als die von aus
der Schmelze erhaltenen Fasern. Ein weiterer Vorteil ist die
Reinheit der erzielten Fasern, da der heißeste Bereich nicht mit
Tiegeln oder anderen Gefäßwänden in Berührung kommt.
Zum Durchführen des vorgenannten Verfahrens kann ein
erfindungsgemäßer Hochfrequenz- Induktionsofen verwendet werden
(Ansprüche 1 bis 6). Induktionsöfen werden im Stand der Technik
üblicherweise mit Graphitrohren unter reduzierender Atmosphäre
betrieben ("Bridgeman-Ofen"). Mit dem Induktionsofen verbunden
sind die üblichen Teile, wie Netzteil, Generator, eine
Reglereinheit mit beispielsweise Infrarot(IR)-Pyrometer.
Herzstück des erfindungsgemäßen Induktionsofens ist ein Ofenkern
mit einem scharfen Temperaturgradienten. Der Ofen wird von einem
Gehäuse, beispielsweise einem zylindrischen Metallgehäuse,
umschlossen. Die äußere Mantelfläche und die Unterseite des
Gehäuses werden zweckmäßigerweise gekühlt. Weil meist aus unten
dargelegten Praktikabilitätserwägungen heraus Ofenrohre mit
relativ geringem Durchmesser zum Einsatz gelangen, ist es
empfehlenswert, daß der Ofen erschütterungsfrei gelagert wird,
um zu verhindern, daß die sich durch das Ofenrohr bewegenden
Fasern gegen die Ofenwand stoßen. Dies kann beispielsweise
dadurch erfolgen, daß der Ofen auf einer Metallplatte aufgebaut
ist, die auf Luftschläuchen oder dergleichen gelagert ist.
Die Fasern werden gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung durch ein hochtemperaturstabiles, gasdichtes Rohr
gezogen, beispielsweise ein solches aus bevorzugt mit CaO oder
Y₂O₃ stabilisiertem ZrO₂. Dieses Röhrchen oder Rohr stellt den
eigentlichen Ofenraum innerhalb des Ofengehäuses dar. Sein
Innendurchmesser sollte so gewählt sein, daß beim Ofenbetrieb
trotz des herrschenden starken Temperaturgradienten möglichst
wenig bzw. keine unerwünschte Konvektion auftritt. Auf der
anderen Seite muß der Abstand der zentral durch dieses Röhrchen
geführten Fasern von der Wandung ausreichend groß sein, damit
bei geringen Irritationen in der Faserführung kein Verkleben der
Faser mit der Wandung auftritt. Empfehlenswert sind 2 bis 8 mm,
ganz besonders bevorzugt 5 mm Durchmesser. In einer speziellen
Ausführungsform wird die Faser senkrecht geführt. Dabei befindet
sich auf der Ober- und Unterseite des Metallgehäuses jeweils
eine Bohrung für das - senkrecht angeordnete - Ofenrohr.
In einem mittleren Bereich ist das Röhrchen von einem Suszeptor
umgeben. Dieser wiederum befindet sich inmitten eines Induktors.
Der Suszeptor koppelt mit dem elektromagnetischen Feld der
Induktorspule ein und stellt die eigentliche Ofenheizung dar.
Bezüglich der Geometrien ist es praktikabel, den Ofenraum
zentral im Metallgehäuse anzuordnen und/oder den Suszeptor etwa
auf halber Höhe anzuordnen. Der Suszeptor kann beispielsweise
zylindrisch sein. Die Induktorspule besteht zweckmäßigerweise
aus Kupfer und ist in empfehlenswerter Weise mit Wasser gekühlt.
Der Suszeptor wird am vorgesehenen Ort beispielsweise dadurch
gehalten, daß zwei oder mehr unter- und oberhalb des Suszeptors
angeordnete ZrO₂-Rohre ihn in der vorgesehenen Position inmitten
der Induktorspule halten. Diese Anordnung verhindert ein
Verkippen des Suszeptors und damit eine mechanische
Beanspruchung des zentralen Ofenrohrs durch seitlich wirkende
Schwerkräfte, gegen die ein solches Keramikrohr bei der
Betriebstemperatur äußerst empfindlich ist. Selbstverständlich
sind auch andere Befestigungsmittel möglich, die eine
vergleichbare Wirkung haben. Der Suszeptor kann in verschiedenen
Materialien und Geometrien ausgeführt sein. Als Materialien
kommen beispielsweise Graphit, Molybdän, Wolfram oder Tantal in
Frage. Graphit ist besonders bevorzugt, da es eine einfache
Bearbeitung zuläßt und ein kostengünstiger Werkstoff ist.
Die Gestalt des Suszeptors ist frei wählbar, sofern sie scharfe
Temperaturgradienten ermöglicht. Unter dem Begriff "scharfe
Temperaturgradienten" sollen vorliegend Temperaturgradienten von
mindestens +50 K/cm verstanden werden. Die Temperaturprofile
können symmetrisch oder asymmetrisch sein. Beispielhafte
Temperaturprofile sind in den Fig. 1 und 2 dargestellt. In
ihnen ist die Temperatur (T) gegen den Ort im zentralen Ofenrohr
(x) aufgetragen. Fig. 1 zeigt ein asymmetrisches
Temperaturprofil. Es läßt sich beispielsweise mit einem
Suszeptor mit U-Form erzielen. Ein solcher Suszeptor ist in
Fig. 3 dargestellt. Das Profil besitzt eine schmale, heiße
Zone, eine hohe Flankensteilheit auf der einen Seite und eine
flachere Flanke auf der anderen Seite des Suszeptors.
Symmetrische Temperaturprofile gemäß Fig. 2 können mit
Suszeptoren in H-Form erzeugt werden, wie in Fig. 4
beispielhaft dargestellt. Durch die H-Form erhält man Profile
mit schmalen, heißen Zonen und flacheren Flanken. Die Zuordnung
von Profil zu Suszeptor in den Fig. 1-4 ist nicht
maßstabgenau. Fig. 9 zeigt ein Profil, wie es von einem H-Typ
Suszeptor mit Abmessungen, die in etwa denen des in Fig. 4
(Maßstab 1 : 1) gezeigten Suszeptors entsprechen, erzeugt werden
kann. Die erreichten bzw. erreichbaren Temperaturgradienten
liegen für beide Formen in einem Bereich von 0,005 K/µm bis
0,1 K/µm. Der Ofeninnenraum kann in einem Temperaturbereich von
etwa Raumtemperatur bis 2400°C betrieben werden. Die
Ofentemperatur wird über die Netzteilleistung oder über eine
externe, z. B. mit dem IR-Pyrometer gekoppelte Reglereinheit
gesteuert.
Der Suszeptor sollte insbesondere dann, wenn er gegenüber der
natürlichen Atmosphäre empfindlich ist, zusätzlich mit Schutzgas
gespült werden. Hierfür ist eine Zuleitung zu dem den Suszeptor
umgebenden Raum vorgesehen. Das Einleiten des Schutzgases
erfolgt üblicherweise bei einem konstanten Volumenstrom. Als
Inertgas sind die Edelgase Helium, Argon und Krypton ungeeignet,
da sie im elektromagnetischen Feld der Induktorspule ionisiert
werden und so zu unerwünschten Überschlägen an der Induktorspule
führen. Stickstoff dagegen kann mit Erfolg als Schutzgas
eingesetzt werden. Das Schutzgas kann nicht in den Ofenraum
eindringen, kann aber (z. B. im Falle von Stickstoff und
Zirkonoxid-Ofenrohr) - eine stabilisierende Schicht - (hier eine
Oxinitridschicht) auf dessen Außenseite bilden.
Wie bereits oben erwähnt, kann der Hochfrequenz-Induktionsofen
mit einem Temperaturmesser ausgestattet sein. Hierfür eignet
sich ein Infrarot(IR)-Pyrometer. Zur Erfassung des direkten
Strahlengangs vom Suszeptor kann ein temperaturstabiles
Röhrchen, beispielsweise aus CaO- bzw. Y₂O₃-stabilisiertem ZrO₂,
eingesetzt werden. Das eine Ende des Röhrchens ist dabei
zweckmäßigerweise in einer Aussparung im Suszeptormantel
gelagert, das andere Ende ist von außen mit einem Fenster,
beispielsweise aus Calciumfluorid, verschlossen. Das Röhrchen
wird im Falle eines oxidationsempfindlichen Suszeptors
(beispielsweise wenn es sich um einen C-Suszeptor handelt) mit
einem Inertgas gespült. In vorteilhafter Weise wird ein
Verschmutzen des Schauglases vermieden, indem das Schutzgas
gegen das Fenster geleitet wird. Das Eichen des IR-Pyrometers
erfolgt auf übliche Weise, beispielsweise wird die maximale
Temperatur im zentralen Ofenröhrchen mit einem Thermoelement
gemessen und mit derjenigen Temperatur verglichen, die mit dem
IR-Pyrometer bestimmt wurde. Dies geschieht in vorteilhafter
Weise bei verschiedenen Temperaturen zwischen 1000 und 1500°C.
In vorteilhafter Weise ist die innere Mantelfläche des
Metallgehäuses mit einem hitzestabilen Fasermaterial,
beispielsweise aus ZrO₂, ausgekleidet. Der frei verbleibende
Innenraum sollte bevorzugt ebenfalls mit hitzestabilem Material
aufgefüllt sein, beispielsweise mit ZrO₂-Bubble-Granulat. Der
vorgenannte Ofen kann in seinem Innenraum in einem
Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 2400°C betrieben
werden. Das Innere des Ofenrohrs kann mit Luft, Wasserdampf,
Gemischen von Wasserstoff, H₂O und Luft oder anderen Gasen mit
verschiedenen Volumenanteilen, die insbesondere im Bereich von 1
bis 80 Vol.-% liegen, beschickt werden. Die Ofentemperatur wird
über die Netzteilleistung oder über eine externe, beispielsweise
mit dem IR-Pyrometer gekoppelte Reglereinheit gesteuert.
In einer weiteren Ausführungsform kann der Ofen eine senkrechte
Faserführungsvorrichtung besitzen, die in folgender Weise
ausgestaltet ist: Es sind zwei Schneckenvortriebe vorgesehen,
die in verschiedenen Geschwindigkeiten stufenlos eingestellt
werden können. Ein grober Vortrieb ist für die Positionierung
der Ausgangsfaser in der heißen Zone des Ofens vorgesehen. Ein
zweiter feinerer, vorzugsweise mit einem Gleichstrommotor
bewegter Vortrieb soll der eigentlichen Translation des
Fasermaterials im Temperaturgradienten der heißen Zone dienen.
Die Ziehvorrichtung arbeitet schwingungsfrei, so daß bei
erschütterungsfreier Lagerung des Ofens Geschwindigkeiten von
1 mm/h bis 10000 mm/h durch den Zonenofen möglich sind.
Mono- oder Multifilamente der Ausgangsfasern werden in einem
kurzen, temperaturbeständigen Trägerröhrchen (bevorzugt aus α-Al₂O₃)
befestigt, zum Beispiel darin eingeklebt. Das
Trägerröhrchen hat entsprechend zum Durchmesser des Ofenrohrs
passende Abmessungen, beispielsweise einen Außendurchmesser von
1 mm und einen Innendurchmesser von 0,5 mm. Als
temperaturbeständiger Kleber eignet sich ein Aluminiumoxid-Sol,
das in das Trägerröhrchen eingespritzt wird. Selbstverständlich
sind auch andere Befestigungen möglich. Ein Führungsröhrchen,
das für die Aufnahme des Trägerröhrchens vorgesehen und
dimensioniert ist (beispielsweise mit einem Außendurchmesser von
2 mm und einem Innendurchmesser von 1 mm) wird von einer
Ziehvorrichtung gehalten und mit dem Grobvortrieb vollständig
von oben nach unten durch das zentrale Ofenrohr geführt. Eine
solche Ziehvorrichtung ist in den Fig. 7 und 8 beispielhaft
dargestellt. Das Trägerröhrchen wird mit dem Führungsröhrchen
verbunden, beispielsweise durch eine Steckverbindung (siehe
Fig. 6). Eine solche Steckverbindung ist bevorzugt, weil sie
durch die Reibhaftung zwischen Trägerröhrchen und
Führungsröhrchen auch bei hohen Temperaturen hält. Dann wird
oder werden das oder die Filamente durch die untere Öffnung des
Ofenmantels mit dem Führungsröhrchen nach oben gezogen und in
die heiße Zone des Ofens gebracht. Das Führungsröhrchen kann
sich frei im zentralen Ofenröhrchen bewegen. Bevorzugt kann die
Ausgangsfaser dadurch leicht gestrafft werden, daß sie aus einem
Behälter gezogen wird, der mit entspanntem VE-Wasser gefüllt
ist. Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung und des
erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine Berührung der
Ausgangsfaser mit der Innenwand des zentralen Ofenröhrchens auch
bei einer engen Dimensionierung dieses Röhrchens während des
Ofenbetriebs vermieden werden. Ein Kontakt von Al₂O₃-Faser und
Innenwand des Ofenrohrs bei der entsprechenden Temperatur hätte
die Bildung einer eutektischen Schmelze zur Folge und würde so
zu einem Verkleben der Ausgangsfaser mit der Innenwand führen.
In Fig. 5 ist der Aufbau einer Ofeneinheit schematisch und
beispielhaft dargestellt. Der Ofen wird von einem zylindrischen
Metallbehälter 1 umschlossen, der von einem nicht gezeigten
Stativ senkrecht gehalten wird. Eine obere Abdeckung 2 läßt sich
abnehmen, so daß innere Ofenbauteile zugänglich sind. Auf der
Ober- und Unterseite des Metallzylinders befindet sich jeweils
eine zentrale Bohrung 3, 4. Auf halber Höhe des Ofengehäuses ist
eine verschließbare Öffnung 19 in der Metallmantelung für die
Einführung einer wassergekühlten Kupfer-Indukturspule 5 vom
Hochfrequenzgenerator aus sowie für die Zuleitungen 16 hierfür.
Der Öffnung für die Induktorspule 5 gegenüber befindet sich eine
weitere Öffnung im Metallmantel 1, durch die ein bis zum
Suszeptor reichendes ZrO₂-Rohr 9 angeordnet ist. Das eine Ende
dieses Rohrs ist in einer Ausnehmung im Suszeptormantel des
Suszeptors 8 gelagert, das andere Ende ist von außen mit einem
Fenster 10 verschlossen. Durch die Öffnung 11 kann der Innenraum
von Rohr und Schauglas mit einem Inertgas gespült werden.
Zentral im Ofengehäuse steht senkrecht das zentrale Ofenrohr 6,
dessen obere s und unteres Ende in einer eine Mittelbohrung
aufweisenden Saphir-Aufnahme 7 mit Schirmblechen 18 gelagert
ist. Von außen sind diese über die Öffnungen 3 und 4 mit
ebenfalls senkrecht angeordneten Rohren 15, 17 verbunden, die
für die Faserdurchführung vorgesehen sind. Durch die Öffnung 15
werden die Fasern von unten nach oben durch die Faserführung
geführt. Oberhalb der Faserdurchführung 17 sind zwei
Schneckenvortriebe für das Durchziehen der Fasern angeordnet
(nicht gezeigt). Über den Gaseinlaß 20 wird der Innenraum des
Metallgehäuses und damit der oxidationsempfindliche Suszeptor
mit Inertgas gespült. Über die Gasauslaßöffnung 20′ entweicht
das Schutzgas wieder. Über den Gaseinlaß bzw. Gasauslaß 21 bzw.
21′ erfolgt der Zustrom bzw. Abstrom der Atmosphäre für das
zentrale Ofenrohr. Das innere Ofenrohr 6 ist auf halber Höhe von
einem zylindrischen Suszeptor 8 umgeben. Dieser wiederum
befindet sich inmitten der wassergekühlten Kupfer-
Induktorspule 5. Der Suszeptor wird von zwei Rohren 22 bzw. 22
gehalten. Durch die Gaseinlaßöffnung 11 kann weiteres Schutzgas
in den Innenraum des Metallzylinders geleitet werden. Die innere
Mantelfläche 13 des Metallbehälters ist mit temperaturstabilem
Fasermaterial ausgekleidet. Der Inneraum 14 ist mit einer
Schüttung aus temperaturstabilem Granulat aufgefüllt.
Bauteile der Ziehanlage (Fig. 6)
- 1. Zonenofen
- 2. Stativ für Zonenofen
- 3. Stativ Ziehanlage
- 4. Motor und Getriebe für Grobportionierung
- 5. Schneckenvortrieb; grob
- 6. Motor und Getriebe für Feinvortrieb
- 7. Halterung für Feinvortrieb; Schlitten
- 8. Schneckenvortrieb, fein
- 9. Halterung für Keramikröhrchen
[1] Dianov, M.E., Dmitruk, L.M., Plotnichenko, V.G.; Two Layer
Single Crystal Growth-by Stepanov-Method, Proc. Spie.-Int.
Soc. Eng., 799, 84-88, 1993.
[2] Perry, W.B., Ventura, R.; Advanced Crystal Products, Micro
Technica GMBH; 1993.
[3] Pollock, LT., T., Filamentary Sapphire, LT. Material Science,
Vol 7, 787-792, 1972.
[4] Backman, D.G., Wei, D., Filler, L.C., Irwin, R., Collins,
LT.; Modeling of the Sapphire Fiber Growth Process; Adv.
Sensing, Modelling and Control of Materials Processing, The
Minerals, Metals & Materials Soc., 3-17, 1992.
[5] Bunsell, A. R.; persönliche Mitteilung, 1994.
[6] Jundt, D.H.; Fejer, M.; Byer, L.; Growth of Optical-Quality
Sapphire Single Crystals Sapphire; Applied Physics
Department, Standford University, California; Mat. Res.
Symp. Proc., Vol 172, 1990.
[7] Fu, S., Jiang, S., Chen, LT., Zuchang, D. The Growth of
Single-Crystal Fibers directly from Source Rods made of
Ultrafine Powders; LT. Mat. Sci., 28, 1659-1622, 1993.
[8] CEFIR, Bericht der EUREKA-Studie der EU-Kommission,
Development for High Performance Ceramic Fibers in Europe,
1993.
[9] Schmitt, W.; New Process of Cost-Effective Production of
Sapphire Whisker and Spheres, Technological Advances, Mat.
Tech., 144, 1994.
[10] Sporn, D., Glaubitt, W.; Entwicklung von polykristallinen
Langfasern im System α-Al₂O₃ über Sol-Gel-Verfahren, ISC-
Tätigkeitsbericht 1992.
Claims (12)
1. Hochfrequenz-Induktionsofen mit Faserführung, worin
der Ofenraum aus einem bis mindestens 2000°C stabilen,
gasdichten Material besteht und in einem Teilbereich von
einem Suszeptor umgeben ist, dessen Geometrie einen
Temperaturgradienten von 50 K/cm, bevorzugt 300 K/cm
ermöglicht.
2. Hochfrequenz-Induktionsofen nach Anspruch 1, worin der
Ofenraum aus einem bis 2300°C stabilen Material besteht.
3. Hochfrequenz-Induktionsofen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet,
daß der Ofenraum ein Rohr mit einem Innendurchmesser von
8 mm ist.
4. Hochfrequenz-Induktionsofen nach einem der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet,
daß der zylindrische Suszeptor eine U-Form oder eine H-Form
aufweist.
5. Hochfrequenz-Induktionsofen nach einem der Ansprüche 1 bis
4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Suszeptor aus Graphit hergestellt ist.
6. Hochfrequenz-Induktionsofen nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet,
daß das den Ofenraum bildende Rohr aus ggf. stabilisiertem
ZrO₂ besteht.
7. Einkristalline, oxidische Aluminiumoxidendlosfasern mit
einem Durchmesser von < 5 µm bis < 80 µm
8. Einkristalline, oxidische Aluminiumoxidendlosfasern mit
einem Durchmesser von < 5 µm bis < 25 µm
9. Einkristalline, oxidische Aluminiumoxidendlosfasern nach
Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
daß sie aus reinem Al₂O₃ oder aus mit Cr, Y oder Ca
dotiertem Al₂O₃ bestehen.
10. Verfahren zum Herstellen einkristalliner, oxidischer
Aluminiumoxid-Endlosfasern mit Durchmessern im Bereich von
mindestens 5 µm bis mehr als 50 µm, dadurch gekennzeichnet,
daß polykristalline Fasern mit entsprechenden Durchmessern
kontinuierlich durch einen langgestreckten Ofenraum geführt
werden, der zumindest in einem Teilbereich von einer
Ofenheizung umgeben ist, wobei die Fasern im Heizungsbereich
bei Ausgangstemperaturen von 1000°C durch einen scharfen
Temperaturgradienten mit einem Anstieg von + 50 K/cm und
einem anschließenden Abfall auf die Ausgangstemperatur
geführt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Fasern im
Heizungsbereich bei Ausgangstemperaturen von 1200-1300°C
durch den Temperaturgradienten geführt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei der
Temperaturgradient mit 300 K/cm ansteigt.
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2192698A (en) * | 1986-07-15 | 1988-01-20 | Stc Plc | Tube furnace |
US5200370A (en) * | 1990-11-16 | 1993-04-06 | Fiber Materials, Inc. | Monocrystalline ceramic fibers and method of preparing same |
-
1995
- 1995-12-15 DE DE19546992A patent/DE19546992C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2192698A (en) * | 1986-07-15 | 1988-01-20 | Stc Plc | Tube furnace |
US5200370A (en) * | 1990-11-16 | 1993-04-06 | Fiber Materials, Inc. | Monocrystalline ceramic fibers and method of preparing same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1004690A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | General Electric Company | Steuerung der Einkristall-Konversion |
US6299681B1 (en) | 1998-11-27 | 2001-10-09 | General Electric Company | Single crystal conversion control |
DE102008053856A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flexible und infiltrierbare Bündel aus Keramik- oder Metallfasern mit stark vergröbertem Gefüge und Verfahren zu deren Herstellung |
DE202009014690U1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flexible und infiltrierbare Bündel aus Keramik- oder Metallfasern mit stark vergröbertem Gefüge |
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