DE19536796A1

DE19536796A1 - Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium

Info

Publication number: DE19536796A1
Application number: DE1995136796
Authority: DE
Inventors: Junichiro Nakayama; Michinobu Mieda; Akira Takahashi
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-10-19
Filing date: 1995-10-02
Publication date: 1996-04-25
Anticipated expiration: 2015-10-03
Also published as: DE19536796B4

Description

Die Erfindung betrifft magnetooptische Aufzeichnungsmedien zur Verwendung bei optischen Platten und optischen Karten, mit denen Aufzeichnungs-, Wiedergabe- und/oder Löschvorgänge betreffend Information optisch ausgeführt werden.

In letzter Zeit wurden Techniken zum Verbessern der Auf zeichnungsdichte optischer Speichervorrichtungen, zu denen magnetooptische Aufzeichnungsmedien gehören, untersucht und entwickelt.

Im allgemeinen ändert sich die Aufzeichnungsdichte eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums abhängig vom Durch messer eines beim Aufzeichnen und Abspielen verwendeten Lichtstrahls auf dem Aufzeichnungsmedium. Genauer gesagt, existieren dann, wenn der Durchmesser eines Aufzeichnungs bits und der Abstand zwischen benachbarten Aufzeichnungsbits kleiner als der Durchmesser des Lichtstrahls wird, mehrere Aufzeichnungsbits innerhalb des Durchmessers eines einzelnen Lichtstrahls, wodurch es unmöglich ist, die einzelnen Auf zeichnungsbits getrennt abzuspielen. Zum Verringern des Durchmessers des Lichtstrahls, um die Aufzeichnungsdichte zu verbessern, ist es wirkungsvoll, die Wellenlänge eines La serlichtstrahls zu verkürzen. Jedoch ist die kürzest derzeit verfügbare Wellenlänge von Halbleiterlasern 680 nm. Ein Halbleiterlaser mit kürzerer Wellenlänge wurde untersucht und entwickelt, ist jedoch noch nicht verfügbar. Um die Auf zeichnungsdichte zu verbessern, wurde ein System untersucht, bei dem ein Aufzeichnungsbit mit einem Durchmesser, der kleiner als der eines Lichtstrahls ist, unter Verwendung eines derzeit verfügbaren Halbleiterlasers abgespielt wird.

Demgegenüber haben die Erfinder der vorliegenden Sache ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit dem folgenden Grundaufbau vorgeschlagen (siehe JP-A-5(1993)-81717). Genau er gesagt, verfügt das magnetooptische Aufzeichnungsmedium über eine erste magnetische Schicht (entsprechend einer Aus leseschicht bei der Erfindung) und eine zweite magnetische Schicht (entsprechend einer Aufzeichnungsschicht bei der Er findung). Die erste magnetische Schicht hat bei Raumtempera tur in der Ebene liegende Magnetisierung, während sie ab einer vorgegebenen, höheren Temperatur rechtwinklige Magne tisierung aufweist. Die zweite magnetische Schicht verfügt zwischen Raumtemperatur und ihrer Curietemperatur über rechtwinklige Magnetisierung.

Bei diesem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium wird ein Lichtstrahl während des Aufzeichnungsvorgangs auf die erste magnetische Schicht gestrahlt. Der Bereich, in den der Lichtstrahl eingestrahlt wird, weist eine Normalverteilung hinsichtlich der Temperatur auf. Demgemäß ist die Temperatur in einem Bereich, der kleiner als der Durchmesser des einge strahlten Lichtstrahls ist, besonders erhöht. Auf diesen Temperaturanstieg hin erfolgt im Bereich der ersten magneti schen Schicht mit erhöhter Temperatur ein Übergang von in der Ebene auf rechtwinklige Magnetisierung. Während des Übergangs hat, wenn ein beim Aufzeichnen verwendetes Magnet feld an den Bereich mit dem eingestrahlten Licht angelegt wird, dieser Bereich dieselbe Magnetisierungsrichtung wie dieses Magnetfeld.

Während des Abkühlprozesses wirkt eine Austauschkopplungs kraft zwischen der ersten und der zweiten magnetischen Schicht, so daß die Magnetisierungsrichtung der ersten ma gnetischen Schicht in den entsprechenden Bereich der zweiten magnetischen Schicht kopiert wird. Dieses Kopieren der Ma gnetisierung ermöglicht es, die Information in einem Ziel bereich der zweiten magnetischen Schicht aufzuzeichnen.

Bei diesem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium wird während des Abspielens ein Lichtstrahl auf die erste magnetische Schicht gestrahlt. Derjenige Bereich, in den der Lichtstrahl gestrahlt wird, weist eine Normalverteilung hinsichtlich der Temperatur auf. Demgemäß steigt die Temperatur in einem Be reich, der kleiner als der Durchmesser des eingestrahlten Lichtstrahls ist, besonders stark an. Auf den Temperaturan stieg hin erfolgt im Bereich der ersten magnetischen Schicht mit erhöhter Temperatur ein Übergang von in der Ebene lie gender auf rechtwinklige Magnetisierung. D. h., daß die Ma gnetisierungsrichtung der zweiten magnetischen Schicht in den entsprechenden Bereich der ersten magnetischen Schicht kopiert wird, und zwar durch die Austauschkopplungskraft, die zwischen der ersten und zweiten magnetischen Schicht wirkt.

Wenn der Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwink lige Magnetisierung im Bereich der ersten magnetischen Schicht mit erhöhter Temperatur erfolgt ist, verfügt nur der Bereich mit erhöhter Temperatur über einen magnetooptischen Effekt, wie er zum Abspielen verwendet wird, was dazu führt, daß die in der zweiten magnetischen Schicht aufgezeichnete Information entsprechend dem Licht abgespielt wird, das vom Bereich mit erhöhter Temperatur reflektiert wird.

Wenn sich der Lichtstrahl so relativ zum Aufzeichnungsmedium bewegt, daß das nächste Aufzeichnungsbit abgespielt wird, sinkt die Temperatur im zuvor abgespielten Bereich, wodurch ein Übergang von rechtwinkliger auf in der Ebene liegende Magnetisierung auftritt. Auf diesen Übergang hin weist der Bereich mit der verringerten Temperatur den überwachten magnetooptischen Effekt nicht mehr auf, was dazu führt, daß die in der zweiten magnetischen Schicht aufgezeichnete Ma gnetisierung durch die in der Ebene liegende Magnetisierung der ersten magnetischen Schicht maskiert ist. So kann kein Abspielen ausgeführt werden. Demgemäß kann vermieden werden, daß Signale von benachbarten Aufzeichnungsbits eingespielt werden, was zu Störungen führen würde. Da, wie vorstehend erläutert, nur ein Bereich mit einer Temperatur nicht unter einer vorgegebenen Temperatur zum Abspielvorgang beiträgt, kann das Abspielen eines Aufzeichnungsbits mit einem kleine ren Durchmesser als dem des eingestrahlten Lichtstrahls er folgen, wodurch die Aufzeichnungsdichte des Aufzeichnungs mediums beträchtlich verbessert werden kann.

Bei der vorstehend angegebenen herkömmlichen Anordnung ist es zwar möglich, Aufzeichnungsbits mit einem Durchmesser, der kleiner als der eines eingestrahlten Lichtstrahls ist, abzuspielen, was die Aufzeichnungsdichte verbessert, jedoch besteht die Schwierigkeit, daß die zwischen der ersten und der zweiten magnetischen Schicht ausgeübte Austauschkopp lungskraft groß ist, so daß das zum Aufzeichnen erforderli che Magnetfeld groß sein muß.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein magnetoopti sches Aufzeichnungsmedium zu schaffen, in dem die zwischen der ersten und zweiten magnetischen Schicht wirkende Aus tauschkopplungskraft verringert ist, damit das beim Auf zeichnen verwendete Magnetfeld kleiner gemacht werden kann.

Erfindungsgemäße Aufzeichnungsmedien gehen in allen Fällen von Aufzeichnungsmedien mit einem Aufbau mit den folgenden Schichten aus:
((1)) einer Ausleseschicht, in der bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung vorliegt und in der bei einer vorgegebenen, höheren Temperatur ein Übergang von in der Ebene liegender Magnetisierung auf rechtwinklige Magnetisie rung auftritt; und
((2)) einer Aufzeichnungsschicht, die auf der Ausleseschicht vorhanden ist und in der zwischen Raumtemperatur und ihrer Curietemperatur rechtwinklige Magnetisierung vorliegt.

Gemäß einer ersten Variante ist die obige Aufgabe dadurch gelöst, daß
((3)) die Aufzeichnungsschicht aus einer Seltenerdmetall- Übergangsmetall-Legierung besteht, der ein leichtes Selten erdmetall zugesetzt ist.

Bei dieser Anordnung wird beim Aufzeichnen von Information zunächst ein Lichtstrahl auf die Ausleseschicht gestrahlt, wodurch ein Temperaturanstieg im bestrahlten Bereich hervor gerufen wird. Auf diesen Temperaturanstieg hin erfolgt im genannten Bereich ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung. Dabei kommt, wenn das zum Aufzeichnen verwendete Magnetfeld an diesen Bereich angelegt wird, die Magnetisierung des Bereichs mit erhöhter Tempera tur zur Übereinstimmung mit der Richtung dieses Magnetfelds. Beim Abkühlprozeß wird die Magnetisierungsrichtung der Aus leseschicht wegen der zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht wirkenden Austauschkopplungskraft in die Aufzeichnungsschicht kopiert. Da der Aufzeichnungs schicht das leichte Seltenerdmetall zugesetzt ist, ist die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänenwände zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht verringert, was die Austauschkopplungskraft zwischen den zwei Schichten ver ringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern.

Gemäß einer zweiten Variante ist die obige Aufgabe dadurch gelöst, daß
((4)) die Aufzeichnungsschicht aus einer Seltenerdmetall- Übergangsmetall-Legierung besteht, der ein unmagnetisches Metall zugesetzt ist.

Hier gilt dasselbe, wie es hinsichtlich des zugesetzten leichten Seltenerdmetalls angegeben wurde. Demgemäß ist es auch hier möglich, die Stärke des beim Aufzeichnen zu ver wendenden Magnetfelds zu verringern.

Gemäß einer dritten Variante ist die obige Aufgabe dadurch gelöst, daß
((5)) eine Zwischenschicht zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht vorhanden ist, wobei diese Zwi schenschicht aus mehreren Atomlagen besteht.

Diese Zwischenschicht, die aus mehreren Atomlagen besteht, verringert auf ähnliche Weise wie die Anordnung mit dem Merkmal ((3)) oder diejenige mit dem Merkmal ((4)) die Aus tauschkopplungskraft zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht. So ist es auch mit dieser Anordnung möglich, die Stärke des beim Aufzeichnen zu verwendenden Magnetfelds zu verringern. Da die Zwischenschicht so dünn ist, ist es vermeidbar, daß der Kopiervorgang betreffend die Magnetisierung zwischen den zwei Schichten nachteilig beein flußt wird.

Der Anwendbarkeitsbereich der Erfindung wird aus der nach folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlich. Die Be schreibung wird aus dieser detaillierten, nachfolgenden Be schreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur zur Ver anschaulichung dienen und demgemäß für die Erfindung nicht beschränkend sind, vollständiger zu verstehen sein.

Fig. 1 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem ersten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt, wobei auch ein Abspielvorgang be treffend eine derartige magnetooptische Platte veranschau licht ist.

Fig. 2 ist ein Kurvendiagramm, das den Magnetisierungszu stand der Ausleseschicht der magnetooptischen Platte veran schaulicht.

Fig. 3 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R(Trägersignal/Rauschsignal) -Verhältnis und der beim Aufzeichnen verwendeten Laserleistung für die magnetoopti sche Platte zeigt.

Fig. 4 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte zeigt.

Fig. 5 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer vergleichsweisen magnetooptischen Platte zeigt und einen Ab spielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 6 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem zweiten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 7 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte von Fig. 6 zeigt.

Fig. 8 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem dritten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 9 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die Platte von Fig. 8 zeigt.

Fig. 10 ist ein erläuterndes Diagramm, das einen anderen Aufbau der magnetooptischen Platte von Fig. 8 zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 11 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für diese veranschaulicht.

Fig. 12 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem vierten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 13 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte von Fig. 12 zeigt.

Fig. 14 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem fünften Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 15 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte von Fig. 14 zeigt.

Fig. 16 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem sechsten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 17 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte von Fig. 16 zeigt.

Fig. 18 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau einer magnetooptischen Platte gemäß einem siebten Ausführungsbei spiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvorgang für diese veranschaulicht.

Fig. 19 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte von Fig. 18 zeigt.

Fig. 20 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Aufbau magne tooptischer Platten gemäß einem achten bis einem elften Aus führungsbeispiel der Erfindung zeigt und einen Abspielvor gang für derartige magnetooptische Platten veranschaulicht.

Fig. 21 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 1 des achten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 22 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 2 des achten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 23 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 3 des achten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 24 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 1 des neunten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 25 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 2 des neunten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 26 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des Bei spiels 3 des neunten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 27 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des zehnten Ausführungsbeispiels zeigt.

Fig. 28 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen dem T/R-Verhältnis und der Stärke des beim Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds für die magnetooptische Platte des elf ten Ausführungsbeispiels zeigt.

[Erstes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Eine erfindungsgemäße magnetooptische Platte (magnetoopti sches Aufzeichnungsmedium), wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, ist so aufgebaut, daß eine dielektrische Schicht 2 mit Lichtdurchlässigkeit, eine Ausleseschicht 3, eine Aufzeich nungsschicht 4 und eine Schutzschicht 5 in dieser Reihenfol ge auf ein durchscheinendes Substrat 1 auflaminiert sind. Im allgemeinen ist ferner eine Überzugsschicht 6 auf der Schutzschicht 5 vorhanden, um die magnetooptische Platte zu schützen.

Fig. 2 ist ein Diagramm zum Magnetisierungszustand der Aus leseschicht 3. Die vertikale Linie in diesem Diagramm kenn zeichnet die Temperatur, während die horizontale Linie den Anteil eines Seltenerdmetalls in einer Legierung kennzeich net, wobei dieses Verhältnis in Fig. 3 mit SE (%) bezeichnet ist.

Die Ausleseschicht 3 besteht aus einer Seltenerdmetall-Über gangsmetall-Legierung. Die Ausleseschicht 3 verfügt in der Nähe ihrer Kompensationstemperatur (T_comp) über rechtwinkli ge Magnetisierung, wobei bei dieser Temperatur die magneti schen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls im Gleichgewicht miteinander stehen. Die Nachbarschaft zur Kompensationstemperatur ist durch den schraffierten Bereich in Fig. 2 gekennzeichnet. Die Ausleseschicht 3 verfügt bei einer Temperatur nicht über ihrer Curietemperatur (T_c1), außerhalb des schraffierten Bereichs, über in der Ebene lie gende Magnetisierung.

Die Temperaturcharakteristik des magnetischen Moments des Seltenerdmetalls unterscheidet sich von der des Übergangs metalls. Genauer gesagt, wird das magnetische Moment des Übergangsmetalls bei höheren Temperaturen größer als das des Seltenerdmetalls. Daher wird als Ausleseschicht eine Legie rung mit der folgenden Zusammensetzung (siehe die Zusammen setzung P in Fig. 2) verwendet. Diese Zusammensetzung ist so aufgebaut, daß die Menge an Seltenerdmetall größer als die zur Kompensation erforderliche ist, wenn die Kompensations temperatur T_comp die Raumtemperatur ist. Demgemäß hat eine Legierung mit dieser Zusammensetzung bei Raumtemperatur, da hier das magnetische Moment des Seltenerdmetalls größer als das des Übergangsmetalls ist, in der Ebene liegende Magneti sierung. Wenn das magnetische Moment des Übergangsmetalls bei einer Temperaturerhöhung stärker ansteigt und bei einer vorgegebenen Temperatur ins Gleichgewicht mit der des Sel tenerdmetalls kommt, verfügt die Ausleseschicht 3 bei dieser Temperatur über rechtwinklige Magnetisierung. Bei Temperatu ren über der vorgegebenen Temperatur wird das magnetische Moment des Übergangsmetalls relativ größer als das des Sel tenerdmetalls, so daß in der Ebene liegende Magnetisierung vorliegt. Genauer gesagt, verfügt die Ausleseschicht 3 gemäß Fig. 2 über (1) zwischen Raumtemperatur und einer Temperatur T₁ über in der Ebene liegende Magnetisierung, (2) zwischen der Temperatur T₁ und einer Temperatur T₃ über rechtwinklige Magnetisierung und (3) zwischen der Temperatur T₃ und der Temperatur T_c1 über in der Ebene liegende Magnetisierung.

Nachfolgend wird ein Fall, bei dem das magnetische Moment des Übergangsmetalls größer als das des Seltenerdmetalls ist, als reich an Übergangsmetall beschrieben, während ein Fall, bei dem das magnetische Moment des Seltenerdmetalls größer als das des Übergangsmetalls ist, als reich an Sel tenerdmetall beschrieben wird. Gemäß dieser Bezeichnung ist die Ausleseschicht 3 (1) zwischen Raumtemperatur und der Temperatur T₁ reich an Seltenerdmetall, und (2) zwischen der Temperatur T₃ und der Temperatur T_c1, die jeweils höher als die vorgegebene Temperatur sind, ist sie reich an Übergangs metall.

Die Aufzeichnungsschicht 4 besteht aus einer Seltenerdme tall-Übergangsmetall-Legierung. Im Seltenerdmetall sind ein schweres und ein leichtes Seltenerdmetall enthalten. Die Aufzeichnungsschicht 4 hat das Merkmal, daß rechtwinklige Magnetisierung zwischen der Raumtemperatur und ihrer Curie temperatur (T_c2) vorliegt. Die Aufzeichnungsschicht 4 ist zwischen Raumtemperatur und der Curietemperatur T_c2 reich an Übergangsmetall. Ihre Sättigungsmagnetisierungsrichtung fällt mit dem magnetischen Moment des Übergangsmetalls zusammen.

Die folgende Beschreibung behandelt einen Aufzeichnungsvor gang unter Verwendung der genannten magnetooptischen Platte.

Zunächst wird ein Lichtstrahl auf die Ausleseschicht 3 ge strahlt. Der Bereich, in den der Lichtstrahl gestrahlt wird, weist Normalverteilung hinsichtlich der Temperatur auf. Dem gemäß tritt ein stärkerer Temperaturanstieg nur in einem Bereich auf, der kleiner als der Durchmesser des einge strahlen Lichtstrahls ist.

Auf diesen Temperaturanstieg hin tritt im Bereich der Aus leseschicht 3 mit erhöhter Temperatur ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung auf. Während des Temperaturanstiegs weist der bestrahlte Bereich, wenn das zum Aufzeichnen verwendete Magnetfeld an den be strahlten Bereich angelegt wird, dieselbe Magnetisierungs richtung auf wie dieses Magnetfeld. Danach wirkt während des Abkühlprozesses die Austauschkopplungskraft zwischen der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 4, so daß die Magnetisierungsrichtung der Ausleseschicht 3 in den entspre chenden Bereich der Aufzeichnungsschicht 4 kopiert wird. Ein solcher Kopiervorgang der Magnetisierung ermöglicht es, In formation in einem Zielbereich der Aufzeichnungsschicht 4 aufzuzeichnen.

Die folgende Beschreibung behandelt einen Abspielvorgang un ter Verwendung der vorliegenden magnetooptischen Platte.

Bei dieser Anordnung tritt während eines Abspielvorgangs dann, wenn ein zum Abspielen verwendeter Lichtstrahl durch eine Konvergenzlinse von der Seite des Substrats 1 her auf die Ausleseschicht 3 gestrahlt wird, ein Temperaturanstieg bis auf T₁ in demjenigen Bereich der Ausleseschicht 3 auf, der dem Bereich in der Nähe der Mitte des eingestrahlten Lichtstrahls entspricht. Dies, da dieser Lichtstrahl durch die Konvergenzlinse bis zur Beugungsgrenze konvergiert wird, so daß (1) die Lichtstärke Normalverteilung aufweist und (2) die Temperatur der Ausleseschicht 3 im wesentlichen Normal verteilung aufweist. So ist der Bereich mit einer Temperatur nicht unter der Temperatur T₁ kleiner als der Durchmesser des zum Abspielen verwendeten Lichtstrahls (Einstrahlungs bereich).

In diesem Zustand wirkt eine Austauschkopplungskraft zwi schen der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 4, so daß die Magnetisierung der Aufzeichnungsschicht 4 in die Ausleseschicht 3 kopiert wird, wobei für das Beispiel die in Fig. 1 dargestellte Magnetisierungsrichtung angenommen ist.

Der Bereich der Ausleseschicht 3, in dem die Temperatur bis auf T₁ angestiegen ist, und der dem Bereich in der Nähe des Zentrums des eingestrahlten Abspiellichtstrahls entspricht, hat rechtwinklige Magnetisierung und zeigt dadurch den ma gnetooptischen Kerreffekt. Derjenige Bereich der Auslese schicht 3, der außerhalb des Bereichs liegt, der sich in der Nähe des Zentrums des eingestrahlten Abspiellichtstrahls be findet, erfährt keine wesentliche Temperaturerhöhung und weist daher in der Ebene liegende Magnetisierung auf, so daß beinahe kein magnetooptischer Kerreffekt erzielbar ist. Da der Bereich, dessen Temperatur nicht unter T₁ liegt, zum Ab spielvorgang beiträgt, ist es möglich, ein Aufzeichnungsbit abzuspielen, dessen Durchmesser kleiner als der des einge strahlten Lichtstrahls ist, wodurch die Aufzeichnungsdichte des Aufzeichnungsmediums beträchtlich verbessert ist.

Bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels ist ein leichtes Seltenerdmetall zur Auf zeichnungsschicht 4 zugesetzt, was dazu führt, daß die Ener gie von Grenzflächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Aus leseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 4 verringert ist, was die Austauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schich ten 3 und 4 verringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie es zum Aufzeichnen von Information in der Aufzeichnungs schicht 4 erforderlich ist.

Die folgende Beschreibung behandelt ein Beispiel #1 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte der vorliegenden Ausführungsform.

Das durchscheinende Substrat 1 besteht aus Glas in Scheiben form mit einem Außendurchmesser von 86 mm, einem Innendurch messer von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm. Auf einer Ober fläche des Substrats 1 sind durch reaktives Ionenätzen un mittelbar Führungsspuren (nicht dargestellt) ausgebildet. Die Führungsspuren sind vorhanden, um den Lichtstrahl zu führen, und sie haben die Form konkaver und vorspringender Bereiche. Die Führungsspuren werden durch das reaktive Ionenätzen direkt so auf dem Glas ausgebildet, daß sie eine Spurganghöhe von 1,6 µm, eine Grabenbreite (konkaver Be reich) von 0,8 µm und eine Breite der erhabenen Bereiche (vorspringender Bereich) von 0,8 µm aufweisen.

Auf der Oberfläche des Substrats, auf der diese Führungs spuren ausgebildet sind, werden die dielektrische Schicht 2, die Ausleseschicht 3, die Aufzeichnungsschicht 4 und die Schutzschicht 5 durch ein Sputterverfahren auflaminiert. Die dielektrische Schicht 2 besteht aus AlN mit einer Dicke von 80 nm. Die Ausleseschicht 3 besteht aus GdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wird durch gleichzeitiges Sputtern von Targets von Gd, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 4 besteht aus NdDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wird durch gleichzeitiges Sputtern von Tar gets aus Nd, Dy, Fe und Co hergestellt. Die Schutzschicht 5 besteht aus AlN mit einer Dicke von 80 nm.

Die jeweiligen Sputterbedingungen während des Herstellens der Ausleseschicht 3 und der Aufzeichnungsschicht 4 sind die folgenden. Das Endvakuum beträgt nicht mehr als 2,0×10^-4 Pa, der Ar-Gasdruck beträgt 6,5×10^-1 Pa, und die elektri sche Entladeleistung beträgt 300 W. Die jeweiligen Sputter bedingungen während des Herstellens der dielektrischen Schicht 2 und der Schutzschicht 5 sind die folgenden. Das Endvakuum beträgt nicht mehr als 2,0×10^-4 Pa, der N₂-Gas druck beträgt 3,0×10^-1 Pa, und die elektrische Entlade leistung beträgt 800 W. Es ist zu beachten, daß die Auslese schicht, die Aufzeichnungsschicht, die dielektrische Schicht und die Schutzschicht bei jedem Ausführungsbeispiel, wie sie später beschrieben werden, jeweils bei denselben Sputterbe dingungen ausgebildet werden.

Die Schutzschicht 5 wird ferner mit einem durch Ultravio lettstrahlung härtbaren Modacrylharz beschichtet, und dann wird zum Härten verwendete Ultraviolettstrahlung darauf ge strahlt, um die Überzugsschicht 6 herzustellen.

Die Ausleseschicht 3 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie die folgenden Merkmale aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur liegt in der Ebene liegende Magnetisierung vor, und bei ungefähr 140°C tritt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwink lige Magnetisierung auf. Die Aufzeichnungsschicht 4 ist reich an Übergangsmetall, so daß sie die folgenden Eigen schaften aufweist: ihre Curietemperatur T_c2 beträgt 200°C, und die Koerzitivfeldstärke H_c2 beträgt bei Raumtemperatur 120 kA/m.

Auf einer Aufzeichnungsplatte gemäß dem Beispiel #1 wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm bei einer Stärke des zur Aufzeichnung verwendeten Magnetfelds (H_w von 40 kA/m bei einer Aufzeichnungslaserleistung (P_w) von 6 mW aufgezeichnet. Dann wurde die Beziehung zwischen der Ab spiellaserleistung (P_r) und dem Signal/Störsignal-Verhältnis (T/R) gemessen.

Wie es in Fig. 3 dargestellt ist, wird das T/R-Verhältnis gemäß den Meßergebnissen zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal. Wenn eine solche Abspiellaserleistung P_r an die Ausleseschicht 3 angelegt wird, wird die Temperatur im be strahlten Bereich nicht kleiner als die Temperatur T₁, wodurch rechtwinklige Magnetisierung vorliegt und der magne tooptische Kerreffekt erzielt wird. Demgegenüber ist im Bereich unter P_r = 2 mW die Temperatur der Ausleseschicht 3 kleiner als die Temperatur T₁, so daß in der Ebene liegende Magnetisierung vorliegt, wodurch kaum ein magnetooptischer Kerreffekt erzielt wird.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #1 aufge zeichnet und dann abgespielt, wobei die folgenden Laserlei stungen verwendet wurden: P_w = 6 mW und P_r = 2,5 mW.

Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem Signal/Stör signal-Verhältnis (T/R) gemessen, um einen Vergleich mit dem folgenden Vergleichsbeispiel zu ermöglichen.

Fig. 5 veranschaulicht den Aufbau des Vergleichsbeispiels. Ein durchscheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 sind die selben wie beim vorstehend genannten Beispiel #1. Eine Aus leseschicht 103 besteht aus GdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, die durch gleichzeitiges Sputtern von Targets aus Gd, Fe und Co hergestellt wurde. Die Ausleseschicht 103 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merkmale auf weist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur liegt in der Ebene liegende Magnetisierung vor, und bei ungefähr 140°C tritt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung auf. Die Aufzeichnungsschicht 104 besteht aus DyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, die durch gleichzeitiges Sputtern von Targets aus Dy, Fe und Co hergestellt wurde. Die Aufzeichnungsschicht 104 ist reich an Übergangsmetall, so daß sie eine Curietem peratur T_c2 von 200°C und eine Koerzitivfeldstärke (H_c2) von 120 kA/m bei Raumtemperatur aufweist.

Fig. 4 zeigt Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Ver gleichsbeispiel gesättigt, wenn das beim Aufzeichnen verwen dete Magnetfeld eine Stärke von H_w = 48 kA/m aufweist (siehe gestrichelte Linie in Fig. 4), während beim Beispiel #1 das T/R-Verhältnis gesättigt ist, wenn diese Stärke H_w = 32 kA/m beträgt (siehe die durchgezogene Linie in Fig. 4). Demgemäß ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie erforderlich ist, um ein gutes T/R-Verhältnis zu erzielen, stark verringert, wenn die magnetooptische Platte gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendet wird.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet Gd_0,27(Fe_0,70Co_0,30)_0,73 als Zusammensetzung der Auslese schicht 3, und sie verwendet (Nd_0,10Dy_0,90)_0,24 (Fe_0,80Co_0,20)_0,76 als Zusammensetzung für die Aufzeich nungsschicht 4. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusammensetzungen begrenzt.

[Zweites Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 6 und 7 ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfin dung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Bezugszah len solchen Teilen zugeordnet, die dieselbe Funktion wie in den Figuren zum vorstehenden Ausführungsbeispiel veranschau lichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu werden weg gelassen.

Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das vor stehend genannte Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 23 und einer Aufzeichnungsschicht 24. D. h., daß ein durchscheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 mit den entsprechenden Schichten beim ersten Ausführungsbei spiel übereinstimmen.

Die Ausleseschicht 23 und die Aufzeichnungsschicht 24 be stehen jeweils aus einer Seltenerdemetall-Übergangslegie rung, wobei das Seltenerdmetall ein schweres und ein leich tes Seltenerdmetall enthält. Der Unterschied gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel liegt darin, daß auch die Aus leseschicht 23 ein leichtes Seltenerdmetall enthält.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 23 reich an Sel tenerdmetall und verfügt über in der Ebene liegende Magneti sierung. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und das Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung ins Gleichgewicht miteinander, so daß in einem Bereich mit er höhter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Demgegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 24 zwischen Raum temperatur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangs metall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden Aufzeich nungs- und Abspielvorgänge auf ähnliche Weise wie beim er sten Ausführungsbeispiel ausgeführt.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, wird, da das leichte Seltenerdmetall der Auf zeichnungsschicht 24 zugesetzt ist, die Austauschkopplungs kraft zwischen den Schichten 23 und 24 aus dem beim ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Grund verringert, wodurch die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds ver ringert werden kann.

Außerdem wird die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänenwän de zwischen der Ausleseschicht 23 und der Aufzeichnungs schicht 24 um einen Wert weiter verringert, der der Zugabe des leichten Seltenerdmetalls zur Ausleseschicht 23 ent spricht, verglichen mit dem Fall einer Ausleseschicht ohne leichtes Seltenerdmetall. Im Ergebnis wird die Austausch kopplungskraft zwischen den Schichten 23 und 24 weiter ver ringert, was dazu führt, daß es möglich ist, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds weiter zu verrin gern.

Die folgende Beschreibung behandelt eine Probe #2 als ein Beispiel einer magnetooptischen Platte gemäß dem vorliegen den Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 23 besteht aus NdGdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch ein Sputterverfahren unter Verwendung von Targets aus NdGd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 23 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merkmale aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Magnetisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung. Die Aufzeichnungsschicht 24 besteht aus NdDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern unter Verwendung von Targets aus NdDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeichnungsschicht 24 ist reich an Seltenerdmetall, wobei sie eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitivfeldstärke H_c2 von 120 kA/m bei Raumtemperatur aufweist.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #2 wurde bei den selben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel, also einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaserleistung (P_w) von 6 mW ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm aufgezeichnet. Dann wurde die Beziehung zwischen der Auf zeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemes sen. Ähnlich wie beim ersten Ausführungsbeispiel wird, wie in Fig. 3 dargestellt, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte des Beispiels #2 aufgezeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW und P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um mit demselben Vergleichsbeispiel zu vergleichen, mit dem das erste Ausführungsbeispiel verglichen wurde.

Fig. 7 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 7), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #2 gesättigt ist, wenn diese Stärke 28 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 7). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds hinsicht lich der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet (Nd_0,10Gd_0,9)_0,28(Fe_0,70Co_0,30)_0,72 als Zusammensetzung der Ausleseschicht 23, und es verwendet (Nd_0,10Dy_0,90)_0,24 (Fe_0,80Co_0,20)_0,76 als Zusammensetzung der Aufzeichnungs schicht 24. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusam mensetzungen beschränkt.

[Drittes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf Fig. 3 und die Fig. 8 bis 11 noch ein anderes Ausführungs beispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Bezugszahlen solchen Teilen zugeordnet, die die selben Funktionen wie in den Figuren des vorstehenden Aus führungsbeispiels veranschaulichte Teile aufweisen, und zu gehörige Erläuterungen werden weggelassen.

Wie es in Fig. 8 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) des vorliegen den Ausführungsbeispiels denselben Aufbau wie das vorstehend angegebene erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 33 und einer Aufzeichnungsschicht 34. D. h., daß ein durchscheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 33 und die Aufzeichnungsschicht 34 beste hen jeweils aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legie rung, wobei das Seltenerdmetall ein schweres und ein leich tes Seltenerdmetall enthält.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 33 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 34 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und hat rechtwinklige Magnetisierung.

Beim ersten und zweiten Ausführungsbeispiel entsprach die Dicke der Ausleseschicht derjenigen der Aufzeichnungs schicht. Demgegenüber ist beim vorliegenden Ausführungsbei spiel die Dicke der Ausleseschicht 33 geringer als die der Aufzeichnungsschicht 34.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel werden Aufzeichnungs- und Abspielvorgänge auf ähnliche Weise wie beim ersten Aus führungsbeispiel ausgeführt.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da der Aufzeichnungsschicht 34 ein leichtes Seltenerdmetall zugesetzt ist, die Austauschkopplungskraft zwischen den Schichten 33 und 34 aus dem beim ersten Ausfüh rungsbeispiel beschriebenen Grund verringert, was es ermög licht, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnet felds zu verringern. Da auch der Ausleseschicht 33 ein leichtes Seltenerdmetall zugesetzt ist, wird die zwischen den Schichten 33 und 34 ausgeübte Austauschkopplungskraft aus dem beim zweiten Ausführungsbeispiel beschriebenen Grund weiter verringert, was es ermöglicht, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds weiter herabzusetzen.

Außerdem ist, wie vorstehend angegeben, das vorliegende Aus führungsbeispiel so aufgebaut, daß die Dicke der Auslese schicht 33 geringer als die der Aufzeichnungsschicht 34 ist. Demgemäß wird die Energie von Grenzflächen-Magnetdomänenwän den zwischen der Ausleseschicht 33 und der Aufzeichnungs schicht 34 weiter verringert. Im Ergebnis wird die zwischen den Schichten 33 und 34 wirkende Austauschkopplungskraft weiter verringert, was dazu führt, daß es möglich ist, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds weiter zu verringern.

(Konkretes Beispiel 1)

Die folgende Beschreibung behandelt eine Probe #3 als ein Beispiel einer magnetooptischen Platte gemäß dem vorliegen den Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 33 besteht aus NdGdFeCo mit einer Dicke von 40 nm, die durch gleichzeitiges Sputtern von Targets aus NdGd, Fe und Co hergestellt wurde. Die Ausleseschicht 33 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merkmale auf weist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Magnetisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung. Die Auf zeichnungsschicht 34 besteht aus NdDyFeCo mit einer Dicke von 60 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern unter Verwendung von Targets aus NdDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeichnungsschicht 34 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitivfeldstärke H_c2 von 120 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #3 wurde bei den selben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm aufgezeichnet, wobei die Stärke des zur Aufzeichnung verwendeten Magnet felds (H_w) 40 kA/m betrug und die Aufzeichnungslaserleistung (P_w) betrug. Dann wurde die Beziehung zwischen der Abspiel laserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wird, wie in Fig. 3 dargestellt, gemäß den Meßergebnissen das T/R-Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #3 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei die folgenden Laserleistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW und P_r = 2,5 mW.

Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um einen Vergleich mit demselben Vergleichsbei spiel durchführen zu können, mit dem das erste Ausführungs beispiel verglichen wurde.

Fig. 9 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel dann gesättigt, wenn die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 9), während das T/R-Ver hältnis bei der Probe #3 gesättigt ist, wenn diese Stärke 24 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 9). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforder lich ist, hinsichtlich der magnetooptischen Platte des vor liegenden Ausführungsbeispiels stark verringert.

(Konkretes Beispiel 2)

Die folgende Beschreibung behandelt einen Fall, bei dem die Dicken der Ausleseschicht 33 und der Aufzeichnungsschicht 34 von denen beim vorstehenden Fall verschieden sind.

Wie es in Fig. 10 veranschaulicht ist, verfügt eine Probe #4 über eine Ausleseschicht 34 und eine Aufzeichnungsschicht 44, die jeweils auf ähnliche Weise wie die Ausleseschicht 33 bzw. die Aufzeichnungsschicht 34 hergestellt wurden und die andere Dicken als diese zuletzt genannten Schichten aufwei sen. Die Ausleseschicht 43 besteht aus NdGdFeCo mit einer Dicke von 30 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus NdGd, Fe und Co hergestellt. Die Auslese schicht 43 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merkmale aufweist: ihre Curietemperatur liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Magne tisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung. Die Aufzeichnungsschicht 44 besteht aus NdDyFeCo mit einer Dicke von 70 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern unter Verwendung von Targets aus NdDy, Fe und Co herge stellt. Die Aufzeichnungsschicht 44 ist reich an Übergangs metall, wobei sie eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitivfeldstärke H_c2 von 120 kA/m bei Raumtemperatur aufweist.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #4 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm bei denselben Be dingen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeichnet, also einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnet felds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaserleistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Ab spiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Ähnlich wie beim ersten Ausführungsbeispiel wird, wie in Fig. 3 dargestellt, gemäß den Meßergebnissen das T/R-Ver hältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte des Probe #4 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW und P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, um ein gutes T/R-Verhältnis zu er zielen, gemessen, um einen Vergleich mit demselben Ver gleichsbeispiel durchführen zu können, mit dem das erste Ausführungsbeispiel verglichen wurde.

Fig. 11 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel dann gesättigt, wenn die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 11), während das T/R-Ver hältnis bei der Probe #3 gesättigt ist, wenn diese Stärke 20 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 11). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen erforderlichen Magnet felds hinsichtlich der magnetooptischen Platte des vorlie genden Ausführungsbeispiels stark verringert.

Gemäß dem vorliegenden konkreten Beispiel ist die Dicke der Ausleseschicht dünner als diejenige der Aufzeichnungs schicht, was auch im Vergleich zum konkreten Beispiel 1, wodurch es möglich ist, die Stärke des zum Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds noch stärker zu verringern als beim konkreten Beispiel 1.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet (Nd_0,10Gd_0,90)_0,28(Fe_0,70Co_0,30)_0,72 als Zusammensetzungen für die jeweiligen Ausleseschichten 33 und 43, und es ver wendet (Nd_0,10Dy_0,90)_0,24(Fe_0,80Co_0,20)_0,76 als Zusammenset zungen der jeweiligen Aufzeichnungsschichten 34 und 44. Je doch ist die Erfindung nicht auf diese Zusammensetzungen be grenzt.

[Viertes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 12 und 13 noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Be zugszahlen denjenigen Teilen zugeordnet, die dieselben Funk tionen wie in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbei spiele veranschaulichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu sind weggelassen.

Wie es in Fig. 12 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 53 und einer Aufzeichnungsschicht 54. D. h., daß ein durch scheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 53 besteht aus einer Seltenerdmetall- Übergangsmetall-Legierung. Die Aufzeichnungsschicht 54 be steht aus einer magnetischen Seltenerdmetall-Übergangsme tall-Legierung, der ein unmagnetisches Seltenerdmetall-Über gangsmetall zugesetzt ist.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 53 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 54 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel werden Aufzeichnungs- und Abspielvorgänge auf ähnliche Weise wie beim vorstehenden ersten Ausführungsbeispiel ausgeführt.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da das unmagnetische Seltenerdmetall-Über gangsmetall der Aufzeichnungsschicht 54 zugesetzt ist, die Energie von Grenzflächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Ausleseschicht 53 und der Aufzeichnungsschicht 54 verrin gert, was die Austauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schichten verringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie dazu erforderlich ist, um Information auf der Auf zeichnungsschicht 54 aufzuzeichnen.

Die folgende Beschreibung behandelt ein Beispiel #5 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte gemäß dem vorlie genden Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 53 besteht aus GdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Tar gets aus Gd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 53 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merkmale aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Magnetisie rung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung.

Die Aufzeichnungsschicht 54 besteht aus YDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus YDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 54 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitiv feldstärke von H_c2 von 100 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #5 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeich net, also mit einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaser leistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Aufzeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wurde, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #5 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW, P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um einen Vergleich mit demselben Vergleichsbeispiel auszuführen, mit dem das erste Ausführungsbeispiel vergli chen wurde.

Fig. 13 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 13), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #5 gesättigt ist, wenn diese Stärke 20 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 13). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet Gd_0,27(Fe_0,70Co_0,30)_0,73 als Zusammensetzung der Auslese schicht 23, und es verwendet (Y_0,10Dy_0,90)_0,26 (Fe_0,80Co_0,20)_0,74 als Zusammensetzung der Aufzeichnungs schicht 54. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusam mensetzungen beschränkt.

[Fünftes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 14 und 15 noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Be zugszahlen denjenigen Teilen zugeordnet, die dieselben Funk tionen wie in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbei spiele veranschaulichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu sind weggelassen.

Wie es in Fig. 14 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 63 und einer Aufzeichnungsschicht 64. D. h., daß ein durch scheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 63 und die Aufzeichnungsschicht 64 werden dadurch hergestellt, daß einer magnetischen Seltenerdmetall- Übergangsmetall-Legierung ein unmagnetisches Seltenerdmetall zugesetzt wird. Der Unterschied gegenüber dem vierten Aus führungsbeispiel liegt darin, daß auch der Ausleseschicht 63 ein unmagnetisches Seltenerdmetall zugesetzt ist.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 63 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 64 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da das unmagnetische Seltenerdmetall der Aufzeichnungsschicht 54 zugesetzt ist, die Energie von Grenzflächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Ausleseschicht 63 und der Aufzeichnungsschicht 64 verringert, was die Austauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schichten verringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie dazu erforderlich ist, um Information auf der Aufzeichnungs schicht 64 aufzuzeichnen.

Zusätzlich wird die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänen wände zwischen der Ausleseschicht 63 und der Aufzeichnungs schicht 64 um ein Ausmaß verringert, das der Zugabe des un magnetischen Seltenerdmetalls zur Ausleseschicht 63 ent spricht, verglichen zum Fall der Ausleseschicht ohne unma gnetisches Seltenerdmetall. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds weiter zu verringern, wie sie erforderlich ist, um Information in der Aufzeichnungsschicht 64 aufzuzeichnen.

Die folgende Beschreibung behandelt ein Beispiel #6 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte gemäß dem vorlie genden Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 63 besteht aus YGdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus YGd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 63 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merk male aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Ma gnetisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Über gang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magneti sierung.

Die Aufzeichnungsschicht 64 besteht aus YDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus YDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 64 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitiv feldstärke von H_c2 von 100 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #6 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeich net, also mit einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaser leistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Aufzeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wurde, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #6 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW, P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um einen Vergleich mit demselben Vergleichsbeispiel auszuführen, mit dem das erste Ausführungsbeispiel vergli chen wurde.

Fig. 15 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 13), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #6 gesättigt ist, wenn diese Stärke 16 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 13). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet (Y_0,10Gd_0,90)_0,30(Fe_0,70Co_0,30)_0,70 als Zusammensetzung der Ausleseschicht 63, und es verwendet (Y_0,10Dy_0,90)_0,26 (Fe_0,80Co_0,20)_0,74 als Zusammensetzung der Aufzeichnungs schicht 64. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusam mensetzungen beschränkt.

[Sechstes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 16 und 17 noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Be zugszahlen denjenigen Teilen zugeordnet, die dieselben Funk tionen wie in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbei spiele veranschaulichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu sind weggelassen.

Wie es in Fig. 16 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 73 und einer Aufzeichnungsschicht 74. D. h., daß ein durch scheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 73 besteht aus einer Seltenerdmetall- Übergangsmetall-Legierung, in der das Seltenerdmetall ein schweres und ein leichtes Seltenerdmetall enthält. Die Aufzeichnungsschicht 74 besteht aus einer magnetischen Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung, der ein unmagne tisches Seltenerdmetall zugesetzt ist.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 73 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 74 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da das unmagnetische Seltenerdmetall der Aufzeichnungsschicht 74 zugesetzt ist, die Energie von Grenzflächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Ausleseschicht 53 und der Aufzeichnungsschicht 74 verringert, was die Aus tauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schichten verrin gert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeich nen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie dazu er forderlich ist, um Information auf der Aufzeichnungsschicht 74 aufzuzeichnen.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da das leichte Seltenerdmetall der Auf zeichnungsschicht 74 zugesetzt ist, die Energie von Grenz flächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Ausleseschicht 63 und der Aufzeichnungsschicht 64 verringert, was die Aus tauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schichten verrin gert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeich nen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie dazu er forderlich ist, um Information auf der Aufzeichnungsschicht 74 aufzuzeichnen.

Die folgende Beschreibung behandelt ein Beispiel #7 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte gemäß dem vorlie genden Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 73 besteht aus NdGdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus NdGd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 73 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merk male aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Magne tisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magnetisierung.

Die Aufzeichnungsschicht 74 besteht aus YDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus YDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 74 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitiv feldstärke von H_c2 von 100 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #7 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeich net, also mit einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaser leistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Aufzeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wurde, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #7 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW, P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um einen Vergleich mit demselben Vergleichsbeispiel auszuführen, mit dem das erste Ausführungsbeispiel vergli chen wurde.

Fig. 17 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 17), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #5 gesättigt ist, wenn diese Stärke 16 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 17). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet (Nd_0,10Gd_0,90)_0,28(Fe_0,70Co_0,30)_0,72 als Zusammensetzung der Ausleseschicht 73, und es verwendet (Y_0,10Dy_0,90)_0,26 (Fe_0,80Co_0,20)_0,74 als Zusammensetzung der Aufzeichnungs schicht 74. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusam mensetzungen beschränkt.

Es wird darauf hingewiesen, daß es bei den jeweiligen magne tooptischen Platten der vorstehenden Ausführungsbeispiele vier bis sechs bevorzugt ist, daß die Ausleseschicht keine größere Dicke als die Aufzeichnungsschicht hat. Genauer ge sagt, wird dann, wenn der Aufzeichnungsschicht ein unmagne tisches Seltenerdmetall zugesetzt wird und wenn die magneto optische Platte so ausgebildet ist, daß die Ausleseschicht keine größere Dicke als die Aufzeichnungsschicht aufweist, die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänenwände zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht weiter verrin gert, was die Austauschkopplungskraft zwischen den zwei Schichten verringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern.

[Siebtes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 18 und 19 noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Be zugszahlen denjenigen Teilen zugeordnet, die dieselben Funk tionen wie in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbei spiele veranschaulichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu sind weggelassen.

Wie es in Fig. 18 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 83 und einer Aufzeichnungsschicht 84. D. h., daß ein durch scheinendes Substrat 1, eine dielektrische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugsschicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 83 besteht aus einer magnetischen Selten erdmetall-Übergangsmetall-Legierung, der ein unmagnetisches Seltenerdmetall zugesetzt wird. Die Aufzeichnungsschicht 84 besteht aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung, bei der das Seltenerdmetall ein schweres und ein leichtes Seltenerdmetall enthält.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 83 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 84 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Wenn ein Aufzeichnungsvorgang hinsichtlich der magnetoopti schen Platte des vorliegenden Ausführungsbeispiels ausge führt wird, ist, da das leichte Seltenerdmetall der Auf zeichnungsschicht 84 zugesetzt ist, die Energie von Grenz flächen-Magnetdomänenwänden zwischen der Ausleseschicht 83 und der Aufzeichnungsschicht 84 verringert, was die Aus tauschkopplungskraft zwischen diesen zwei Schichten verrin gert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeich nen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie dazu erforderlich ist, um Information auf der Aufzeichnungs schicht 84 aufzuzeichnen.

Zusätzlich wird die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänen wände zwischen der Ausleseschicht 83 und der Aufzeichnungs schicht 64 um ein Ausmaß verringert, das der Zugabe des un magnetischen Seltenerdmetalls zur Ausleseschicht 83 ent spricht, verglichen zum Fall der Ausleseschicht ohne unma gnetisches Seltenerdmetall. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds weiter zu verringern, wie sie erforderlich ist, um Information in der Aufzeichnungsschicht 84 aufzuzeichnen.

Die folgende Beschreibung behandelt ein Beispiel #8 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte gemäß dem vorlie genden Ausführungsbeispiel.

Die Ausleseschicht 63 besteht aus YGdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus YGd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 83 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merk male aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Ma gnetisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Über gang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magneti sierung.

Die Aufzeichnungsschicht 84 besteht aus NdDyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus NdDy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 64 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitiv feldstärke von H_c2 von 100 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #8 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeich net, also mit einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaser leistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Aufzeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wurde, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #8 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW, P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um einen Vergleich mit demselben Vergleichsbeispiel auszuführen, mit dem das erste Ausführungsbeispiel vergli chen wurde.

Fig. 19 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 19), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #8 gesättigt ist, wenn diese Stärke 16 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 19). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet (Y_0,10Gd_0,90)_0,30(Fe_0,70Co_0,30)_0,70als Zusammensetzung der Ausleseschicht 83, und es verwendet (Nd_0,10Dy_0,90)_0,24 (Fe_0,80Co_0,20)_0,76 als Zusammensetzung der Aufzeichnungs schicht 84. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusam mensetzungen beschränkt.

Die folgende Tabelle 1 gibt die bei den vorstehenden Ausfüh rungsbeispielen angegebenen Proben wieder.

Tabelle 1

Wie es bei den Ausführungsbeispielen eins bis sieben offen bart ist, ist die vorliegende magnetooptische Platte so ausgebildet, daß der Aufzeichnungsschicht ein leichtes oder unmagnetisches Seltenerdmetall zugesetzt ist. Bei dieser An ordnung ist die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänenwände zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht verringert, was die Austauschkopplungskraft zwischen den zwei Schichten herabsetzt. Demgemäß ist es möglich, die Stärke eines beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds zu verringern, wie sie erforderlich ist, um Information in der Aufzeichnungsschicht aufzuzeichnen.

Außerdem ist die vorliegende magnetooptische Platte so aus gebildet, daß der Aufzeichnungsschicht ein leichtes oder ein unmagnetisches Seltenerdmetall zugesetzt ist. Durch diese Anordnung wird die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänen wände zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungs schicht weiter um ein Ausmaß verringert, das der Zugabe des leichten oder unmagnetischen Seltenerdmetalls zur Auslese schicht entspricht, im Vergleich zum Fall einer Auslese schicht ohne leichtes oder unmagnetisches Seltenerdmetall. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des zum Aufzeichnen ver wendeten Magnetfelds, wie sie zum Aufzeichnen von Informa tion in der Aufzeichnungsschicht erforderlich ist, weiter zu verringern.

Wenn die Dicke der Ausleseschicht geringer als die der Auf zeichnungsschicht ist, wird die Energie der Grenzflächen- Magnetdomänenwände zwischen der Ausleseschicht und der Auf zeichnungsschicht weiter verringert. Im Ergebnis wird die Austauschkopplungskraft zwischen den zwei Schichten noch weiter herabgesetzt, was dazu führt, daß es möglich ist, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds noch weiter zu verringern.

Es ist zu beachten, daß das leichte Seltenerdmetall, das der Aufzeichnungsschicht und/oder der Ausleseschicht zugesetzt wird, nicht auf Nd beschränkt ist, sondern daß nur die Be dingung besteht, daß die Stärke des zum Aufzeichnen verwen deten Magnetfelds verringerbar ist.

Außerdem ist zu beachten, daß hinsichtlich des unmagneti schen Seltenerdmetalls, das der Aufzeichnungsschicht und/ oder der Ausleseschicht zugesetzt ist, keine Beschränkung auf Y besteht, wobei wiederum nur die Bedingung besteht, daß die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds ver ringert werden kann. Zum Beispiel kann statt Y ein unmagne tisches Metall wie Al oder Sn verwendet werden.

[Achtes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung behandelt unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 20 und 23 noch ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Zweckdienlichkeit halber sind dieselben Be zugszahlen denjenigen Teilen zugeordnet, die dieselben Funk tionen wie in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbei spiele veranschaulichte Teile aufweisen, und Erläuterungen hierzu sind weggelassen.

Wie es in Fig. 20 dargestellt ist, hat eine magnetooptische Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vor liegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das erste Ausführungsbeispiel, mit Ausnahme einer Ausleseschicht 93, einer Zwischenschicht 7 und einer Aufzeichnungsschicht 94. D. h., daß ein durchscheinendes Substrat 1, eine dielektri sche Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugs schicht 6 dieselben wie beim ersten Ausführungsbeispiel sind.

Die Ausleseschicht 93 und die Aufzeichnungsschicht 94 beste hen jeweils aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legie rung.

Bei Raumtemperatur ist die Ausleseschicht 93 reich an Sel tenerdmetall und weist in der Ebene liegende Magnetisierung auf. Die magnetischen Momente des Seltenerdmetalls und des Übergangsmetalls kommen bei einer Temperaturerhöhung mitein ander ins Gleichgewicht, so daß in einem Bereich mit erhöh ter Temperatur rechtwinklige Magnetisierung auftritt. Dem gegenüber ist die Aufzeichnungsschicht 94 zwischen Raumtem peratur und ihrer Curietemperatur reich an Übergangsmetall und weist rechtwinklige Magnetisierung auf.

Die Zwischenschicht 7 ist so zwischen der Ausleseschicht 93 und der Aufzeichnungsschicht 94 ausgebildet, daß sie eine Dicke von einigen Atomlagen aus einem Übergangsmetall auf weist.

(Konkretes Beispiel 1)

Die folgende Beschreibung behandelt eine Probe #9, die Fe als Übergangsmetall verwendet.

Die Ausleseschicht 93 besteht aus GdFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus Gd, Fe und Co hergestellt. Die Ausleseschicht 93 ist reich an Seltenerdmetall, so daß sie folgende Merk male aufweist: ihre Curietemperatur T_c1 liegt nicht unter 300°C, bei Raumtemperatur tritt in der Ebene liegende Ma gnetisierung auf, und bei ungefähr 140°C erfolgt ein Über gang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magneti sierung.

Als Zwischenschicht 7 wurden auf der Ausleseschicht 93 Fe durch ein Sputterverfahren so ausgebildet, daß es eine Dicke von ungefähr 1 nm aufwies. Die Sputterbedingungen waren die folgenden: Endvakuum nicht über 2,0×10⁴ Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 200 W.

Die Aufzeichnungsschicht 94 besteht aus DyFeCo mit einer Dicke von 50 nm, und sie wurde durch gleichzeitiges Sputtern mit Targets aus Dy, Fe und Co hergestellt. Die Aufzeich nungsschicht 94 ist reich an Übergangsmetall und verfügt über eine Curietemperatur T_c2 von 200°C und eine Koerzitiv feldstärke von H_c2 von 120 kA/m bei Raumtemperatur.

Auf der magnetooptischen Platte der Probe #9 wurde ein Auf zeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel aufgezeich net, also mit einer Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) von 40 kA/m und einer Aufzeichnungslaser leistung (P_w) von 6 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Aufzeichnungslaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis gemessen. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel wurde, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, gemäß den Meßergebnissen das T/R- Verhältnis zwischen P_r = 2 mW und P_r = 3,5 mW maximal.

Anschließend wurde ein Aufzeichnungsbit mit einer Länge von 0,78 µm auf der magnetooptischen Platte der Probe #9 aufge zeichnet und von dieser unter denselben Bedingungen wie beim ersten Ausführungsbeispiel abgespielt, wobei folgende Laser leistungen verwendet wurden: P_w = 6 mW, P_r = 2,5 mW. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemes sen, um mit einem Vergleichsbeispiel zu vergleichen. Dieses Vergleichsbeispiel stimmt mit der Probe #9 mit der Ausnahme überein, daß keine Zwischenschicht 7 vorhanden ist.

Fig. 21 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 13), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #9 gesättigt ist, wenn diese Stärke 32 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 21). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

(Konkretes Beispiel 2)

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #10, die Co als Übergangsmetall verwendet.

Die Ausleseschicht 93 und die Aufzeichnungsschicht 94 sind dieselben wie beim konkreten Beispiel 1.

Die Zwischenschicht 7 besteht aus Co mit einer Dicke von un gefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Co bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 100 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #10 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #10 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit demselben Vergleichsbeispiel wie beim konkreten Beispiel 1 zu vergleichen.

Fig. 22 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 22), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #10 gesättigt ist, wenn diese Stärke 32 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 22). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

(Konkretes Beispiel 3)

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #11, die FeCo als Übergangsmetall verwendet.

Die Zwischenschicht 7 besteht aus FeCo mit einer Dicke von ungefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Co bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 100 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #11 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #11 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit demselben Vergleichsbeispiel wie beim konkreten Beispiel 1 zu vergleichen.

Fig. 23 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 23), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #10 gesättigt ist, wenn diese Stärke 32 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 23). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Es ist zu beachten, daß bei der Probe #11 die Zwischen schicht 7 aus FeCo (einer Übergangsmetallverbindung) be steht. Zum Beispiel kann anstelle von FeCo eine Zweischicht struktur verwendet werden, bei der Fe mit einer Dicke von ungefähr 0,5 nm und Co mit einer Dicke von ungefähr 0,5 nm aufeinanderlaminiert sind. In diesem Fall kann jede beliebi ge Reihenfolge der aufeinanderlaminierten zwei Schichten verwendet werden. Außerdem kann die Zwischenschicht 7 so ausgebildet sein, daß sie eine Mehrschichtstruktur aus Über gangsmetallen aufweist.

[Neuntes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung betrifft noch ein anderes Ausfüh rungsbeispiel der Erfindung, wobei auf die Fig. 3, 20 sowie 24 bis 26 Bezug genommen wird. Der Zweckdienlichkeit halber sind Teile mit denselben Funktionen wie denen von Teilen, die in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbeispiele dargestellt sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und eine Beschreibung zu diesen wird hier weggelassen.

Wie es in Fig. 20 dargestellt ist, weist eine magnetoopti sche Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das vorstehend genannte achte Ausführungsbeispiel auf, mit Aus nahme der Tatsache, daß statt der Zwischenschicht 7 des achten Ausführungsbeispiels eine Zwischenschicht 8 vorhanden ist.

Diese Zwischenschicht 8 ist zwischen der Ausleseschicht 93 und der Aufzeichnungsschicht 94 so ausgebildet, daß sie eine Dicke von mehreren Atomlagen aus einem Seltenerdmetall auf weist.

(Konkretes Beispiel 1)

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #12, die Gd als Seltenerdmetall verwendet.

Die Zwischenschicht 8 besteht aus Gd mit einer Dicke von un gefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Gd bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 100 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #12 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #12 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit demselben Vergleichsbeispiel beim achten Ausführungsbeispiel zu vergleichen.

Fig. 24 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 24), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #12 gesättigt ist, wenn diese Stärke 20 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 24). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

(Konkretes Beispiel 2)

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #13, die Dy als Seltenerdmetall verwendet.

Die Zwischenschicht 8 besteht aus Dy mi 13730 00070 552 001000280000000200012000285911361900040 0002019536796 00004 13611t einer Dicke von un gefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Dy bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 100 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #13 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #13 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit dem Vergleichsbeispiel beim achten Beispiel verglichen zu werden.

Fig. 25 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 25), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #13 gesättigt ist, wenn diese Stärke 20 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 25). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

(Konkretes Beispiel 3)

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #14, die Dy und Gd als Seltenerdmetall verwendet.

Eine Zwischenschicht 8 besteht aus Dy und Gd, die jeweils durch ein Sputterverfahren mit einem Dy-Target und einem Gd-Target mit einer Dicke von ungefähr 0,5 nm hergestellt wurde. Dabei wurden die folgenden Sputterbedingungen verwen det: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 100 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #14 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #14 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit dem Vergleichsbeispiel beim achten Beispiel verglichen zu werden.

Fig. 26 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 26), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #14 gesättigt ist, wenn diese Stärke 12 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 26). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Es ist zu beachten, daß die Zwischenschicht 8 bei der Probe #14 aus einer Zweischichtstruktur besteht, d. h. aus Gd mit einer Dicke von ungefähr 0,5 nm und Dy mit einer Dicke von ungefähr 0,5 nm. Jedoch kann die Zwischenschicht 8 so ausge bildet sein, daß sie eine Mehrschichtstruktur aus mehreren Seltenerdmetallen aufweist. In diesem Fall kann jede belie bige Reihenfolge der aufeinanderlaminierten mehreren Schich ten verwendet werden. Außerdem kann die Zwischenschicht 8 aus einer Seltenerdmetall-Verbindung wie GdDy bestehen.

[Zehntes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung betrifft noch ein anderes Ausfüh rungsbeispiel der Erfindung, wobei auf die Fig. 3, 20 und 27 Bezug genommen wird. Der Zweckdienlichkeit halber sind Teile mit denselben Funktionen wie denen von Teilen, die in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbeispiele darge stellt sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und eine Beschreibung zu diesen wird hier weggelassen.

Wie es in Fig. 20 dargestellt ist, weist eine magnetoopti sche Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das vorstehend genannte achte Ausführungsbeispiel auf, mit Aus nahme der Tatsache, daß statt der Zwischenschicht 7 des achten Ausführungsbeispiels eine Zwischenschicht 9 vorhanden ist.

Diese Zwischenschicht 9 ist zwischen der Ausleseschicht 93 und der Aufzeichnungsschicht 94 so ausgebildet, daß sie eine Dicke von mehreren Atomlagen aus einem Metall wie Al, Au und Cu aufweist.

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #15, die Al als Zwischenschicht 9 verwendet.

Die Zwischenschicht 9 besteht aus Al mit einer Dicke von un gefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Al bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 300 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #15 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #15 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit demselben Vergleichsbeispiel beim achten Ausführungsbeispiel zu vergleichen.

Fig. 27 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 27), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #15 gesättigt ist, wenn diese Stärke 24 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 27). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

[Elftes Ausführungsbeispiel]

Die folgende Beschreibung betrifft noch ein anderes Ausfüh rungsbeispiel der Erfindung, wobei auf die Fig. 3, 20 und 28 Bezug genommen wird. Der Zweckdienlichkeit halber sind Teile mit denselben Funktionen wie denen von Teilen, die in den Figuren der vorstehenden Ausführungsbeispiele darge stellt sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und eine Beschreibung zu diesen wird hier weggelassen.

Wie es in Fig. 20 dargestellt ist, weist eine magnetoopti sche Platte (magnetooptisches Aufzeichnungsmedium) gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel denselben Aufbau wie das vorstehend genannte achte Ausführungsbeispiel auf, mit Aus nahme der Tatsache, daß statt der Zwischenschicht 7 des achten Ausführungsbeispiels eine Zwischenschicht 10 vorhan den ist.

Diese Zwischenschicht 10 st zwischen der Ausleseschicht 93 und der Aufzeichnungsschicht 94 so ausgebildet, daß sie eine Dicke von mehreren Atomlagen aus Si aufweist.

Die folgende Beschreibung betrifft eine Probe #16 als ein Beispiel für eine magnetooptische Platte gemäß dem vorlie genden Ausführungsbeispiel.

Die Zwischenschicht 10 besteht aus Si mit einer Dicke von ungefähr 1 nm und sie wurde durch Sputtern mit einem Target aus Si bei den folgenden Sputterbedingungen hergestellt: Endvakuum nicht über 2,0×10^-4 Pa, Ar-Gasdruck 6,5×10^-1 Pa und elektrische Entladeleistung 300 mW.

Die Beziehung zwischen der Abspiellaserleistung (P_r) und dem T/R-Verhältnis wurde für die Probe #16 wie beim ersten Aus führungsbeispiel gemessen. Die Meßergebnisse sind ähnlich wie die, die in Fig. 3 zum ersten Ausführungsbeispiel offen bart sind.

Nachfolgend wurde ein Aufzeichnungsbit auf der magnetoopti schen Platte der Probe #16 aufgezeichnet, und es wurde von dieser abgespielt, wobei dieselben Bedingungen wie beim er sten Ausführungsbeispiel verwendet wurden. Dann wurde die Beziehung zwischen der Stärke des beim Aufzeichnen verwende ten Magnetfelds (H_w) und dem T/R-Verhältnis gemessen, um mit demselben Vergleichsbeispiel beim achten Ausführungsbeispiel zu vergleichen.

Fig. 28 zeigt die Meßergebnisse. Das T/R-Verhältnis ist beim Vergleichsbeispiel gesättigt, wenn die Stärke des beim Auf zeichnen verwendeten Magnetfelds (H_w) 48 kA/m beträgt (siehe gestrichelte Linie in Fig. 28), während das T/R-Verhältnis bei der Probe #16 gesättigt ist, wenn diese Stärke 24 kA/m beträgt (siehe durchgezogene Linie in Fig. 28). So ist die Stärke des zum Aufzeichnen verwendeten Magnetfelds, wie sie zum Erzielen eines guten T/R-Verhältnisses erforderlich ist, bei der magnetooptischen Platte des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels stark verringert.

Die folgende Tabelle 2 betrifft die Proben, wie sie in den vorstehenden Ausführungsbeispielen 8 bis 11 offenbart wur den.

Tabelle 2

Wie es bei den Ausführungsbeispielen acht bis elf offenbart ist, ist die vorliegende magnetooptische Platte mit einer Zwischenschicht versehen, die eine Dicke von mehreren Atom lagen aufweist und zwischen der Ausleseschicht und der Auf zeichnungsschicht vorhanden ist. Durch diese Anordnung kann die Zwischenschicht den magnetischen Einfluß verringern, mit dem die Ausleseschicht die Aufzeichnungsschicht während des Aufzeichnens von Information schlecht beeinflußt.

Da dadurch die Austauschkopplungskraft zwischen der Auslese schicht und der Aufzeichnungsschicht verringert ist, ist es möglich, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Magnet felds zu verringern. In diesem Fall ist es, da die Zwischen schicht so dünn ist, vermeidbar, daß der Kopiervorgang hin sichtlich der Magnetisierung zwischen der Ausleseschicht und der Aufzeichnungsschicht nachteilig beeinflußt wird.

Die Zwischenschicht besteht aus einem Seltenerdmetall und/ oder einem Übergangsmetall. Durch diese Anordnung ist die Stärke des Magnetfelds, wie sie beim Aufzeichnen von Infor mation zu verwenden ist, verringerbar. Außerdem wird der Kopiervorgang betreffend die Magnetisierung von der Auf zeichnungsschicht in die Ausleseschicht während des Abspie lens von Information gleichmäßig ausgeführt, wodurch eine Verschlechterung der Abspieleigenschaften vermieden ist.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel verwendet Gd_0,27(Fe_0,70Co_0,30)_0,73 als Zusammensetzung der Auslese schicht 93, und es verwendet Dy_0,22(Fe_0,80Co_0,20)_0,78 als Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht 94. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Zusammensetzungen beschränkt.

Es ist zu beachten, daß es bei den jeweiligen magnetoopti schen Platten der vorstehenden Ausführungsbeispiele acht bis elf bevorzugt ist, daß die Ausleseschicht 93 keine größere Dicke als die Aufzeichnungsschicht 94 aufweist. Durch diese Anordnung wird die Energie der Grenzflächen-Magnetdomänen wände zwischen der Ausleseschicht 93 und der Aufzeichnungs schicht 94 weiter verringert, was die Austauschkopplungs kraft zwischen den zwei Schichten verringert. Demgemäß ist es möglich, die Stärke des beim Aufzeichnen verwendeten Ma gnetfelds herabzusetzen.

Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele eins bis elf verwenden ein durchscheinendes Substrat 1, eine dielek trische Schicht 2, eine Schutzschicht 5 und eine Überzugs schicht 6. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diesen Aufbau beschränkt.

Wenn die Ausleseschicht beim ersten bis elften Ausführungs beispiel aus einer Verbindung besteht, die ein leichtes Sel tenerdmetall, Pt oder Pd enthält, wird der magnetooptische Effekt für Licht mit kurzer Wellenlänge beachtlich. Demgemäß ist es möglich, die Aufzeichnungsdichte unter Verwendung von Abspiellaserlicht mit kurzer Wellenlänge weiter zu verbes sern.

Claims

1. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit

- einer Ausleseschicht (3), in der bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung vorliegt und in der bei einer Temperatur nicht unter einer vorgegebenen Temperatur ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magne tisierung auftritt; und
- einer Aufzeichnungsschicht (4), die auf der Ausleseschicht vorhanden ist und in der zwischen Raumtemperatur und ihrer Curietemperatur rechtwinklige Magnetisierung vorliegt;

dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall-Legierung besteht, der ein leichtes Seltenerdmetall und/oder ein unmagnetisches Me tall zugesetzt ist.

2. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leichte Seltenerdmetall Nd enthält.

3. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltenerdmetall-Übergangs metall-Legierung DyFeCo enthält.

4. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das un magnetische Metall aus der aus Y, AI und Sn bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

5. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus leseschicht (3) aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall- Legierung besteht.

6. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltenerdmetall-Übergangs metall-Legierung GdFeCo enthält.

7. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus leseschicht (3) aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall- Legierung besteht, der ein unmagnetisches Metall zugesetzt ist.

8. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das unmagnetische Metall aus der aus Y, Al und Sn bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

9. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der An sprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltenerd metall-Übergangsmetall-Legierung GdFeCo enthält.

10. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus leseschicht (3) aus einer Seltenerdmetall-Übergangsmetall- Legierung besteht, der ein leichtes Seltenerdmetall zuge setzt ist.

11. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das leichte Seltenerdmetall Nd enthält.

12. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der An sprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Selten erdmetall-Übergangsmetall-Legierung GdFeCo enthält.

13. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus leseschicht (3) Pt oder Pd enthält.

14. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit

- einer Ausleseschicht (3), in der bei Raumtemperatur in der Ebene liegende Magnetisierung vorliegt und in der bei einer Temperatur nicht unter einer vorgegebenen Temperatur ein Übergang von in der Ebene liegender auf rechtwinklige Magne tisierung auftritt; und
- einer Aufzeichnungsschicht (4), die auf der Ausleseschicht vorhanden ist und in der zwischen Raumtemperatur und ihrer Curietemperatur rechtwinklige Magnetisierung vorliegt;
gekennzeichnet durch
- eine Zwischenschicht (7), die auf der Ausleseschicht vor handen ist und eine Dicke von mehreren Atomen aufweist.

15. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus einem Übergangsmetall besteht.

16. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Übergangsmetall Fe oder Co ist.

17. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Übergangsmetall eine Verbin dung enthält.

18. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung FeCo enthält.

19. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) eine Mehrschichtstruktur aufweist, die aus mehreren Übergangsme tallen besteht.

20. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus einem Seltenerdmetall besteht.

21. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Seltenerdmetall Gd oder Dy ist.

22. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) eine Mehrschichtstruktur aufweist, die aus mehreren Seltenerdme tallen besteht.

23. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Seltenerdmetall eine Verbin dung enthält.

24. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung GdDy enthält.

25. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus der aus Al, Au, Cu und Si bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

26. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aus leseschicht (3) eine Dicke aufweist, die nicht größer als die der Aufzeichnungsschicht (4) ist.