DE1952626A1

DE1952626A1 - Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten auf Halbleitersubstraten

Info

Publication number: DE1952626A1
Application number: DE19691952626
Authority: DE
Inventors: Collins Robert Henry; Logan Joseph Skinner
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1968-10-25
Filing date: 1969-10-18
Publication date: 1970-04-30
Also published as: GB1273197A; US3616403A; FR2021520A1; DE1952626B2

Description

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IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

Böblingen, 9. Oktober 1969 gg-rz

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket FI 967 079

Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten auf Halbleitersubstraten

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten auf Halbleitersubstraten durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung, wobei eine Inversion des Halbleitermaterials verhindert wird. - -

In der Halbleitertechnik ist es üblich geworden, die Halbleiteroberflächen dadurch zu passivieren, daß eine Isolationsschicht aus Siliziumdioxyd aufgebracht wird. Es sind mehrere Verfahren zur Herstellung dieser Isolationsschicht bekannt. Zu diesen bekannten Verfahren gehören auch Oxydations- und Glasablagerungstechniken. Im "IBM Journal of Research and Development", Vol. 8, Nr. 4, Seite 368 ist unter dem Titel "Space Charge Model for Suface Potential Shifts in Silicon Passivated with Thin Insulating Layers" bereits erläutert, daß

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in der Oberfläche von mit Siliziumdioxyd beschichtetem p-leitendem Halbleitermaterial unter gewissen Bedingungen eine Verschiebung zur η-Leitfähigkeit auftreten kann. Diese Verschiebung wird einer in der Siliziumdioxydschicht vorhandenen positiven Raumladung zugeschrieben.

Weiterhin ist in der genannten Veröffentlichung auf Seite 376 P unter dem Titel "Stabilization of SiO- Passivation in Layers with P 0 " die Vermutung ausgesprochen worden, daß diese Inversion eine Folge von Sauerstoff-Fehlstellen in der Siliziumdioxydschicht ist. Zur Abhilfe ist vorgeschlagen worden, ber der Siliziumdioxydschicht eine Schicht aus Phosphorsilikatglas aufzubringen und dadurch die Fehlstellen zu ergänzen. Im US-Patent 3 343 049 sind bereits mehrere HalbIelterstrukturen beschrieben, bei denen diese Methode angewendet ist.

Erfolgt die Herstellung von Isolationsschichten nicht durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung sondern durch die anderen, bekannten Verfahren, so kann die Inversion verhindert werden, wenn über der Phosphorsilikatschicht Glasschichten aufgebracht werden. Wird jedoch versucht, unter Anwendung des KathodenzerstäubungsVerfahrens auf oxydbeschichteten Halbleiteroberflächen Siliziumdioxyd aufzubringen, so zeigt es sich, daß trotz Vorhandensein einer ausreichenden Menge von Phosphorpentoxid eine Inversion an der Halbleiteroberfläche erfolgt·

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Inversion, des Docket FI 967 079 Ü 0 9 8 18 / 1 2 7 9

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Halbleitermaterials zu verhindern, auch wenn die Isolationsschichten durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung erfolgt.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Substratoberfläche zunächst mit einer Phosphorsilikatschicht versehen wird und daß beim anschließenden Zerstäubungsverfahren Zerstäubungsmaterial mit einem einer Ionendichte von i^eniger ·

18 3
als 1 * 10 Ionen/cm entsprechenden Reinheitsgrad verwendet und eine Hochfrequenz-Leistungsdichte zwischen etwa 1,5 und 4 Watt/cm gewählt wird. Diese Methode gewährleistet die Verhinderung der Inversion und damit eine wesentliche Verbesserung der Eigenschaften der entsprechenden Halbleiteranordnungen.

Vorteilhafte Ausführungsbeispiele für das erfindungsgemäße Verfahren bestehen darin, daß die Ionendichte des Zerstäubungs-

17 3 materials in der Größenordnung von 1 *· 10 Ionen/cm liegt,

daß die HocMrequenz-Leistungsdidite zwischen zwei und drei Watt/

2
cm liegt, . ■

daß die Dicke der Phosphorsilikatschicht zwischen 650 und 3 000 Ä liegt,

daß die Dicke der Phosphorsilikatschicht"mindestens 1 000 X beträgt und

daß als Halbleitermaterial Silizium und als Zerstäubungs-Doclcet FI 967 079

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BAD OR(GiNAL

material Siliziumdioxyd gewählt wird.

Weitere Einzelheiten und Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind der nachstehenden, anhand der Zeichnung vorgenommenen Beschreibung zu entnehmen. Es ist dargestellt in

Fig. 1 Ein Querschnitt durch eine für die Durchführung des P erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Einrichtung

zur Kathodenzerstäubung,

Fign. 2A + 2B eine Schnittansicht eines Halbleitersubstrats mit mehreren Isolationsschichten und

Fig. 3 eine Darstellung des empirischen Zusammenhangs zwischen der Oberflächenladungsdichte und der Hochfrequenz-Leistungsdichte für zwei unterschiedliche Bestäubungsmaterialien bei unterschiedlichen Dicken der Phosphor

silikat-Glasschicht.

Eine Einrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist in Fig. 1 dargestellt und ist bereits Gegenstand des US-Patents Nr. 3 369 991. In der Einrichtung gemäß Fig. 1 herrscht ein Vakuum von mindestens 5 Mikromillimetern Quecksilbersäule. Das Vakuum wird über eine durch einen Absaugkanal 12 mit der Vakuumkammer 10 verbundene Pumpe 15 aufrechterhalten. Gleichzeitig wird der Vakuumkammer 10 über einen Einlaßkanal

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und ein Ventil 13 inerstes Gas, beispielsweise Argon zugeführt. Innerhalb der Vakuumkammer 10 befinden sich Einrichtungen, die als Kathode 16 und als Anode 18 dienen. Da die Zerstäubungseinrichtung über eine Hochfrequenzquelle 20 betrieben wird, wirken die genannten Einrichtungen jeweils während der negativen Halbwelle der Hochfrequenzspannung als Kathode und Anode. Während der positiven Halbwelle sind zwar die Polaritäten umgekehrt, aber damit ist bei der vorgesehen Zerstäubungseinrichtung keine Umkehr des Zerstäubungsablaufs verbunden.

Zur Steuerung der Temperatur von Anode und Kathode sind Kühlrohre 21 vorgesehen, über die der Anode Kühlwasser zugeführt wird, was durch die Pfeile 22 und 23 angedeutet ist. Die Pfeile 24 und 25 deuten den Kühlmittelfluß durch die Kathode 16 an.

Die das Bestäubungsmaterial darstellende Quarzscheibe 28 ist an der Kathode angebracht. Zu beschichtende Halbleitersubstrate 30 aus Silizium sind auf der Anode 18 angeordnet. Zwischen Substrat und Anode kann eine Distanzscheibe 32 vorgesehen sein. Die Distanzscheibe 32 kann aus Quarz, anderem dielektrischem Material oder aus Metall bestehen.

In Fig. 2A ist eine Schnittansicht eines typischen Halbleitersubstrats aus Silizium dargestellt, das mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens bearbeitet wurde. Fig. 2B zeigt ein Substrat, bei dem eine Inversion erfolgt ist. Auf dem in Fig. 2A gezeigten p-leitenden Substrat 34 befindet sich eine durch Docket FI 967 079 «09818/1279

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Kathodenzerstäubung hergestellte Isolationsschicht 36 aus Siliziumdioxyd. Es ist von Vorteil eine dünne Schicht 38 aus thermisch aufgewachsenem Siliziumdioxyd vorzusehen, in die eine bestimmte Menge Phosphorsilikatglas 40 eindiffundiert ist.

Aus der Fig. 2B ist die Entstehung einer η-leitenden Inversions- _ schicht 42 zu ersehen. Diese Inversionsschicht entsteht, wenn

die Kathodenzerstäubung zur Bildung der Isolationsschicht 36 nicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren durchgeführt wird.

Das Auftreten einer Inversionsschicht im ρ-leitenden Halbleitermaterial wird dem Entstehen einer positiven Raumladung in der Grenzschicht zwischen Silizium und Siliziumdioxyd zugeschrieben. Die bei der Gleichstrom-Kathodenzerstäubung gemachten Erfahrungen würden dafür sprechen, daß bei von der Anode isoliertem Substrat in der gebildeten Isolationsschicht kein elektrisches Feld auf- w treten wird, das eine Ionenwanderung und damit eine Inversion hervorrufen würde. Nach den bestehenden Theorien müßte an der Oberfläche der Isolationsschicht ein negatives Potential vorhanden sein. Wird das Substrat über beispielsweise eine Quarzscheibe mit der Anode verbunden, so müßte man annehmen, daß das Substrat das gleiche Potential wie die Oberfläche der Isolationsschicht annehmen würde. Das hieße, daß in der Isolationsschicht kein elektrisches Feld auftreten würde. Gegen diese Annahmen spricht aber die Tatsache, daß bei der Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung ,von Siliziumdioxyd in der Grenzschicht zwischen Siliziumdioxyd und Silizium eine große Ladung aufgebaut wird. Diese in Form einer Docket FI 967 079 009818/1279

Oberflächenladungsdichte messbare Ladung ist ein Hauptanzeichen dafür, daß im Halbleitermaterial eine Inversion stattgefunden hat oder stattfinden wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt erkennen,, daß die in der Grenzschicht aufgebaute Ladung ionischer- Natur ist und begrenzt oder beeinflußbar ist.

Es hat sich gezeigt, daß es bei der Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung von Quarz zur Verhinderung der Inversion von p-leitendem Halbleitermaterial erforderlich ist, die Oberflächenladungs-

12 2

dichte unterhalb 5 * 10 Ladungen/cm zu halten. Oberflächenladungsdichten unterhalb dieses Wertes lassen sich durch eine anschließende Wärmebehandlung unwirksam machen.

Die verschiedenen, die Beeinflußung der Oberflächenladungsdichte ermöglichenden Paramter ergeben sich aus dem Reinheitsgrad des Zerstäubungsmaterials, aus der Substrattemperatur und aus der zuvor auf die Substratoberfläche aufgebrachten Schicht aus Phosphorsilikatglas.

Der Einfluß dieser verschiedenen Parameter wird im folgenden erläutert.

Es hat sich gezeigt, daß die Ursache der Inversion in einer Wanderung von Ionen zu finden ist. Trotz entgegengesetzt lautender Theorien hat es sich gezeigt, daß folgende Parameter Docket FI 967 079 00 9818/1279

die ionische Wanderung während des Zerstäubungsprozesses direkt beeinflussen.

Die Temperatur des Substrats muß unterhalb eines bestimmten minimalen Wertes gehalten werden, um die Beweglichkeit der unerwünschten, die Inversion verursachenden Ionen zu vermindern. Dies kann dadurch erreicht werden, daß das Substrat entweder direkt gekühlt oder daß die zugeführte EingangsIeistung ge-™ steuert wird, die indirekt die Substrattemperatur beeinflusst. Es hat sich gezeigt, daß eine Inversion verhindert werden kann, wenn die Substrattemperatur unterhalb von 250 C gehalten werden kann. Die Reinheit des die Quelle der ionischen Störstellen bildenden Bestäubungsmaterials ist ebenso ein kritischer Parameter. Es hat sich gezeigt, daß die Inversion verhindert werden kann, wenn der Reinheitsgrad des Bestäubungs-

17 2 materials unterhalb von 1 · 10 Ionen/cm gehalten wird.

fe Schließlich hat es sich gezeigt, daß die Inversion verhindert werden kann, wenn die Wanderung der Ionen von den durch Kathodenzerstäubung erzeugten Schichten zum Substrat unterbunden wird. Dies kann dadurch geschehen, daß zwischen Substrat und aufgebrachter Isolationsschicht eine als Sperre dienende Schicht aus Phosphorsilikatglas angeordnet wird. Die Dicke dieser Glasschicht soll über 500 Ä betragen. Außerdem kann festgestellt werden, daß durch ein über das Substrat angelegtes Gleichspannungspotential die Wanderung der Ionen und damit die Inversion verhindert werden kann.

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Es ist darauf hinzuweisen, daß jeder der hier angegebenen Parameter unabhängig eine Verhinderung der Inversion gestattet, wenn er außerordentlich stark beeinflußt wird. Werden einige oder alle Parameter beeinflußt, so kann die Inversion durch Auswahl geeigneter Kombinationen der Veränderlichen erfindungsgemäß verhindert werden. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird anhand eines Hochfrequenz-Zerstäubungsprozesses beschrieben, wobei das Substrat von der metallischen Anode 18 durch eine Distanzscheibe 32 aus Quarz elektrisch isoliert ist. Es hat sich gezeigt, daß mit Hilfe einer aus Gallium bestehenden Kontaktierung der Rückseite des Substrats eine sehr niedrige Substrattemperatur erreicht werden kann, was eine niedrige Ladungsdichte zur Folge hat. Die Verwendung von Gallium für diesen Zweck bringt jedoch die erwähnten Schwierigkeiten mit sich.

Bevor die Auswirkungen der verschiedenen Parameter diskutiert werden, sei eine Methode zur Vorbereitung der Substrate für ein Zerstäubungsverfahren angegeben.

Die p-leitenden Siliziumsubstrate mit einem spezifischen Widerstand von 5 - 20 Ohm/cm werden zunächst in einem Trocken-Nass-Trocken-Verfahren oxydiert. Dabei werden die Substrate während einer Dauer von 30 Minuten und bei einer Temperatur von etwa 1100° C reinem Sauerstoff dann während einer Dauer von 10 Minuten Wasserdampf und schließlich während einer Dauer von 15 Minuten wiederum reinem Sauerstoff ausgesetzt* Anschließend Docket FI 967 079 009 81871279

;■.'.- ίο -

werden die Substrate während einer Dauer von 60 Sekunden in einer Lösung aus 10 Teilen 60-prozentiger NH und 1 Teil 40-prozentiger HF geätzt. Danach wird in einem bekannten Diffusionsverfahren Phosphorpentoxid (P7O5) ^ei einer Temperatur von etwa 970° C in die oxydierten Substrate eindiffundiert. Dabei wird nacheinander Sauerstoff, Phosphoroxychlorid (POCl-) und Sauerstoff zugeführt. Ein Eintreib-Schritt wird bei 970° C durchgeführt und zwar während einer Dauer von 5 Minuten in reinem Sauerstoff, während einer Dauer von 55 Minuten in Wasserdampf und während einer Dauer von 45 Minuten wiederum in reinem Sauerstoff.

Anschließend werden die einzelnen Substrate maskiert und Teile der Phosphorsilikatglasschicht entfernt, um auf jedem Substrat abgestufte Glasschichtdicken zu erzielen. Die auf diese Weise vorbereiteten Substrate werden dann in einer Zerstäubungseinrichtung untergebracht, die ähnlich der in Fig. 1 gezeigten Einrichtung aufgebaut ist. Die Entfernung zwischen Kathode und Anode beträgt etwa 2,5 cm.

Beispiel 1

Um die Wirkung der auf den oxydierten Substraten aufgebrachten Phosphorsilikatschichten unterschiedlicher Dicke zu ermitteln, werden in der beschriebenen Weise vorbereitete Substrate auf der Anode 18 angeordnet, wobei die Substrate von der Anode 18 durch eine Distanzscheibe 32 aus Quarz getrennt sind» An der Docket FI 967 079 009818/1279

Kathode ist eine das Zerstäubungsmaterial darstellende Quarzscheibe 28 angebracht, die einen Durchmesser von 30 cm aufweist» Das Zerstäubungsmaterial besteht aus natürlich geschmolzenem

18 χ

Quarz mit einer positiven Ionendichte von 10 Ladungen/cm . Der über dem Absaugkanal 12 ausgepumpten Vakuumkammer 10 wird über den Einlaßkanal 14 gleichzeitig Argon bei einem Druck von 15 20 Mikromillimetern Hg zugeführt.

Jeder Durchlauf dauert etwa 1 Stunde. Dabei ist zwischen Anode und Kathode eine veränderliche Hochfrequenzquelle 20 angeschlossen. Während der Durchführung des Niederschlagsprozesses wird die Temperatur der Substrate nicht beeinflusst. Die mit dem beschriebenen Verfahren erzielten Ergebnisse ergeben sich aus der nachstehenden Tabelle I. Die Kurven 50, 52 und 54 der Fig. 3 zeigen den angenäherten empirischen Zusammenhang zwischen der Hochfrequenz-Leistungdichte und der Oberflächenladungsdichte bei verschiedenen Dicken der Phosphorpentoxidschicht.

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Beispiel I Zerstäubungsmaterial geringen Reinheitsgrades

Leistungsdichte Glasschichtdicke (A) Oberflächenladungs-(Watt/cm²) dichte ₉

(Ladungen/cnTxiO ■)

4,7 1590 11

943 11

334 11

3,7 . . 1590

943 11

334 11

3,0 1590 1.9-2.0

943 3.9-4.1

. 334 11

2,5 1590 1.8-2.2

943 3.1-3.4

334 9

Diese Werte geben die Auswirkungen auf die Oberflächenladung wieder, wenn die Hochfrequenz-Leistung und die Glasdicke verändert werden. In allen Fällen wurde das gleiche Zerstäubungsmaterial verwendet. Aus dieser Tabelle sind geeignete Kombinationen von Reinheitsgraden des Zerstäubungsmaterials, Glasschichtdicken und Hochfrequenz-Leistungsdichten für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahren zu entnehmen.

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Beispiel II

Um die Auswirkungen des Reinheitsgrades des Bestäubungsmateriales auf die Oberflächenladungsdichte zu bestimmen, wird als Bestäubungsmaterial synthetische Kieselerde mit einem Reinheitsgrad von 1 · 10 Ionen/cm⁰ verwendet. Wie im Beispiel I sind mehrere Durchläufe bei unterschiedlichen Hochfrequenz-Leistungsdichten durchgeführt.

Beispiel II Zerstäubungsmaterial hohen Reinheitsgrades

Leistungsdichte (Watt/cm )	Glasschic
3,7	1800 1450 650
3,4	1800 1450 650
3,1	1800 1450 650
2,8	1800 1450 650
2,5	1800 1450 650

Oberflächenladungsdichte „ (Ladungen/cnTxlO¹^)

4.2-6.4 5.6-6.7 5.1-5.3

3.6-4.2

7.3-10.2

5.9-6.5

1.3-1.8 1.6-1.9 2.3-2.5

0.91-1.01

1.09-1.2

1.61-1.73

0.62
0.76
0.93

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Die Werte der Tabelle II sind in Fig. 3 graphisch dargestellt und zeigen, daß die bei einer bestimmten Leistungsdichte erzeugte Oberfläehenladungsdichte bei Bestäubungsmaterial hohen Reinheitsgrades geringer ist als bei Bestäubungsmaterial geringen Reinheitsgrades. Einen entsprechenden Vergleich liefern die Kurven 56, 58 und 60 und die Kurven 50, 52 und 54.

Als Ergebnis kann festgehalten werden, daß jede der drei Veränderlichen, nämlich die sich auf die Substrattemperatur auswirkende Hochfrequenz-Leistungsdichte, die Dicke der Phosphorsiiikatschicht und der Reinheitsgrad des Zerstäubungsmaterials, einen Einfluß auf die Oberfläehenladungsdichte haben. Beim erfindungsgemäßen Verfahren sind diese Veränderlichen geeignet ausgewählt.

Um Genauigkeit und Reproduzierbarkeit des Verfahrens zu gewährleisten, werden verschiedene Kombinationen der angegebenen Paramter vorgeschlagen. Eine vorteilhafte Kombination erhält man, wenn eine Mindestschichtdicke des Phosphorsilikatglases

ο ρ

von 500 A, vorzugsweise 1000 A, ein Reinheitsgrad des Zer-

18 3 stäubungsmaterials nicht größer als 1 ' 10 Ionen/cm , vorzugs-

17 3 weise nicht größer als 1 · 10 Ionen/cm , und eine Hochfrequenz-

2 Leistungsdichte im Bereich von 1,5-4 Watt/cm , vorzugsweise

2
2 - 3 Watt/cm , gewählt werden. Eine Leistungsdichte unterhalb 1,5 Watt/cm hat zur Folge, daß eine unerwünscht poröse Schicht niedergeschlagen wird. Eine Leistungsdichte größer als 4 Watt/ cm? bewirkt dagegen bereits eine Temperatur, die eine Wanderung der Ionen zur Oberfläche zuläßt·
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Der Fig. 3 sind die Bereichsgrenzen zu entnehmen, innerhalb der die Parameter gewählt werden müssen, um das Kathodenzerstäubungsverfahren erfindungsgemäß durchzuführen. Linie 62 kennzeichnet auf der Ordinate die zulässige Oberflächenladungsdichte. Gemäß

12 der Erfindung soll die Oberflächenladungsdichte auf 5 · 10 Ladungen/cm oder weniger begrenzt sein, d.h., sie soll im Gebiet unterhalb der Linie 62 liegen. Linien 64 und 66 begrenzen den erfindungsgemäßen Bereich der Hochfrequenz-Leistungsdichte, der etwa zwischen 1,5 und 4 Watt/cm liegt. Selbstverständlich lassen sich in die Fig. 3 zusätzliche, den Kurven 50, 52, 54, 56, 58 und 60 ähnliche und unterschiedliche Glasschichtdicken und Bestäubungsmaterialien unterschiedlicher Reinheitsgrade zugeordnete Kurven einzeichnen, wobei die Reinheitsgrade gleich oder geringer als 1 * 10 ° Ionen/cm sind. Die Kurventeile, die in das von den Linien 62, 64 und 66 begrenzte Gebiet fallen, sind für das erfindungsgemäße Verfahren maßgebend. Für die Fälle, in denen die zu bestäubenden Substrate von der Anode isoliert sind, sind in der Fig. 3 die auftretenden Substrattemperatüren angegeben.

Es sei darauf hingewiesen, daß auch das Anlegen einer negativen Hochspannung an das Substrat während des Verfahrens in Bezug auf die Verhinderung der Inversion von Vorteil ist. Es hat sich gezeigt, daß ein negatives Potential von 50 - 100 Volt für diesen Zweck geeignet ist.

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Claims

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PATENTANSP RO CHE

Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten auf Halbleitersubstraten durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung, wobei eine Inversion des Halbleitermaterials verhindert wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläclie zunächst mit einer Phosphorsilikatb schicht versehen wird und daß beim anschließenden

Zerstäubungsverfahren Zerstäubungsmaterial mit einem

■I O "Z

einer Ionendichte von weniger als 1 * 10 Ionen/cm entsprechenden Reinheitsgrad verwendet und eine Hochfrequenz-Leistungsdichte zwischen etwa 1,5 und 4 Watt/'"

2 ■

cm gewählt wird. - ,. .
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß die Ionendichte des Zerstäubungsmaterials in der

17 3 Größenordnung von 1 · 10 Ionen/cm liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,

daß die Hochfrequenz-Leistungsdlcile zwischen 2 und 3 Watt/

2
cm liegt.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekenn*· . zeichnet, daß die Dicke der Phosphorsilikatschicht

zwischen 6 50 und 3000 A liegt.

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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß

die Dicke der Phosphorsilikatschicht mindestens 1000 A beträgt.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial Silizium und als
Zerstäubungsmaterial Siliziumdioxyd gewählt wird.

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