DE1951336A1 - Poliermittel,insbesondere zum Polieren von Silizium - Google Patents
Poliermittel,insbesondere zum Polieren von SiliziumInfo
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Description
HÖGER-STELLRECHT-GRIESSBACH- HAECKER
A 37 587 b
9. August 1969
Iy - 12h
Texas Instruments Incorporated I35OO North Central Expressway
Dallas, Texas, USA
Poliermittel, insbesondere zum •Polieren von Silizium
Die Erfindung betrifft ein Poliermittel zum Polieren von Gegenständen,
insbesondere zum Polieren von Silizium, und sie betrifft
ferner ein Polierverfahren zur Verwendung dieses Poliermittels.
Bei der Herstellung und Bearbeitung von Halbleiterelementen für integrierte Schaltungen und andere elektronische Instrumente
ist es häufig erwünscht, daß die Halbleiterplattchen eine glatte
Oberfläche haben, die möglichst frei von Kratzern ist. Es sind zahlreiche Verfahren zur Erreichung dieses Zwecks bekannt. So
wird z.B. ein Poliermittel, das ein Hypochlorit und ein hitzebeständiges Zirkondioxyd enthält, verwendet um den Schlamm zu
entfernen, der durch· die Einwirkung der Hypochloritionen auf die Halbleiteroberfläche gebildet wird. Das Zirkondioxyd dient
dazu, um mechanisch den Schmutz zu entfernen, der durch die chemische Wechselwirkung zwischen der Halbleiteroberfläche
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und dem Hypochlorit entsteht, das dem Poliermittel zugegeben
wird, um eine Oberflächenöxydierung herbeizuführen. Die Verwendung hitzebeständiger Oxyde als schmutzentfernende Mittel beim
Polieren von Halbleiterflächen hat jedoch den Nachteil, daß diese Oxyde chemisch inert und daher in üblichen Lösungsmitteln
unlöslich sind. Die hitzebeständigen Oxyde3 der Oxydationsschlamm und die Reaktionsprodukte, die durch den Schlamm und ■
das hitzebeständige Oxyd entstehen, müssen daher mechanisch von der Oberfläche des Halbleitermaterials nach dem Polieren
entfernt werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Poliermittel und ein Verfahren zum Polieren von Halbleitern und
anderen Materialien, die oxydierbare Oberflächen haben, anzugeben, die die obengenannten Nachteile vermeiden.
Erfindungsgemäß wird dies erreicht durch ein Poliermittel, das
ein Oxydationsmittel und ein nicht hitzebeetändiges Oxyd enthält, das in Form endlicher Partikel in dem Poliermittel
dispergiert ist.
Zweckmäßigerweise wird beim Iblieren unter Verwendung dieses
Poliermittels dessen pH-Wert eingestellt, worauf das Poliermittel mit dem zu polierenden Gegenstand ausreichend lange
in Kontakt gebracht wird, um eine chemische Oxydation mit dem letzteren und eine Reaktion zwischen den Oxydationsprodukten
und dem nicht hitzebeständigen Oxyd herbeizuführen, um einen Rückstand zu bilden, worauf das Poliermittel und der Rückstand
entfernt werden.
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Das Oxydationsmittel reagiert mit der zu polierenden Oberfläche,
wodurch mikroskopische Erhöhungen entfernt werden, während das nicht hitzebeständige Oxyd dazu dient, den durch diese Oxydation
gebildeten Schlamm zu beseitigen. Zweckmäßigerweise wird dem Poliermittel Wasser zugegeben, um einen wässrigen Brei zu
bilden, der eine Säure oder eine Base, ein in· dem Brei gelöstes Oxydationsmittel und ein nicht hitzebeständiges (non-refractory)
Oxyd eines übergangsmetalles enthält, das als Suspension in dem Brei dispergiert ist.
Das Poliermittel und die Reaktionsprodukte-sind leicht von der
Oberfläche des zu polierenden Materials entfernbar. Dies ist billig und leicht anwendbar. Als nicht hitzebeständige oder
schmelzbare Oxyde eignen sich besonders die leicht löslichen Oxyde der Übergangsmetalle, um den Oxydationsschlamm zu entfernen,
der durch die Wechselwirkung zwischen dem Oxydationsmittel und dem zu polierenden Gegenstand gebildet wird. Das
Produkt der Reaktion zwischen der oxydierten Halbleiteroberfläche und dem Oxyd des übergangsmetalles, ebenso wie dieses
selbst, sind in einer ganzen Reihe üblicher Lösungsmittel leicht löslich, so daß sie von der Oberfläche des polierten
Halbleiters leiclfc entfernt werden können.
Wenn das Oxydationsmittel keine Flüssigkeit ist, wird eine geeignete
Flüssigkeit zugegeben, in der das Oxyd verteilt wird. Danach wird der pH-Wert eingestellt, um geeignete Oxydationsbedingungen zu schaffen, wobei ein Wert über oder unter 7
geeignet ist. Die pH-Einstellung kann am Anfang durchgeführt werden, beispielsweise durch Zugabe geeigneter Mengen einer
Säure oder einer Lauge. Er kann auch danach während des Polierens durch Zugabe einer geeigneten Puffer-Verbindung eingestellt
werden. Danach wird der zu polierende Gegenstand, z.B.
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ein Halbleiterplättchen, in Berührung mit dem Poliermittel gebracht",
und zwar über eine Zeitspanne, die ausreicht, eine chemische Oxydation des Halbleiterplättchens herbeizuführen,
wobei gleichzeitig das gebildete Oxydationsprodukt durch das schmelzbare Oxyd entfernt wird. Nach dieser Reinigung wird
das Poliermittel von dem polierten Gegenstand entfernt, ebenso die entstandenen Nebenprodukte, und zwar vorzugsweise dadurch,'
daß das polierte Halbleiterplättchen in irgendein bekanntes Lösungsmittel eingebracht wird, in welchem die Rückstände
aufgelöst werden.
Das Oxydationsmittel dient dazu, mit der Oberfläche des zu polierenden Gegenstandes eine Reaktion einzugehen, um eine gleich
mäßige und glatte Oberfläche zu erzeugen. Es wurde festgestellt, daß das Oxydationsmittel mikroskopische Erhöhungen auf der
Oberfläche angreift, wodurch eine Einebnung oder Glättung·, d.h. eine polierte Oberfläche erzielbar ist. Soll z.B. ein Siliziumplättchen
in erfindungsgemäßer Weise chemisch poliert werden, so kann ein Oxydationsmittel, wie Kaliumperoyddisulfat in einem
Säure-Poliermittel verwendet werden, wobei die Oxydation nach
folgender Gleichung vor sich geht:
Si + 2S2Oq + 3H2O SiO3 +
2H
Es kann eine große Anzahl von Oxydationsmitteln verwendet werden. Experimentell wurde jedoch festgestellt, daß sich bestimmte
Arten in Verbindung mit Säure oder Laugen besser eignen, weshalb die Auswahl eines sauren oder basischen Mittels zum Polieren
von der Wahl des speziellen Oxydationsmittels abhängt. Es Es wurde ferner festgestellt, daß ganz allgemein der Wirkungsgrad
bzw. die Leistungsfähigkeit des Oxydationsprozesses besser
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ist, je mehr sauer oder je mehr basisch das Poliermittel ist. Hierauf wird nachfolgend im einzelnen eingegangen. Oxydationsmittel,
die sich besonders für basische Mittel eignen, sind beispielsweise Peroxyde, einschließlich Wasserstoffperoxyd,
Alkalimetallbromate, z.B. Natriumbromat, Kaliumbromat u.dgl.,
Alkalimetallhypohalogenide, wie Natriumhypochlorit und Kaliumhypochlorit, Alkalimetallchlorate, z.B. Natriumchlorat und
Kaliumchlorat, und.Alkalimetallpermanganate, wie Natrium- und
Kalium-Permanganat. Oxydationsmittel, die sich in Verbindung
mit sauren Mitteln eignen, sind Peroxyde (im wesentlichen dieselben,die
oben für basische Bedingungen aufgeführt sind), einschließlich Alkalimetallperoxyden, wie Natriumperoxyd und
Bariumperoxyd, Alkalimetallperoxy-disulfate, wie Kaliumperoxydisulfat,
ternäre Ammoniumperoxy-disulfate, wie Ammoniumperoxydisulfat,
ferner Alkalimetalljodate,beispielsweise Natrium-'
•jodat und Kaliumjodat. Die genannten Oxydationsmittel sind als Beispiele aufgeführt, es können jedoch andere entweder in sauren
oder basischen Mitteln oder in beiden verwendet werden, wobei festzustellen ist, ob das betreffende Oxydationsmittel seine
beste Wirkung ih Verbindung mit einem sauren oder mit einem basischen Mittel hat.
Die Konzentrationen des Oxydationsmittels, die nötig sind, um wirksam mit den zu polierenden Gegenständen zu reagieren, hängen
von dem pH-Wert des Systems, der Art des verwendeten Oxydationsmittels und dem zu polierenden Gegenstand ab. Im allgemeinen
eignen sich Konzentrationen im Bereich von etwa 1 bis etwa 20 mg/cnr und vorzugsweise im Bereich von etwa 10 bis etwa 15 mg/cm
Geeignete wirksame Konzentrationen der Oxydationsmittel können durch Versuche leicht festgestellt werden.
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Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß schmelzbare
Oxyde der Übergangsmetalle mit Vorteil verwendet werden können, um den Brei zu entfernen, der sich bei der Reaktion des
Oxydationsmittels mit dem Halbleiter oder einem anderen zu polierenden Gegenstand bildet. Obwohl die genaue Wechselwirkung
zwischen diesem Brei oder Schlamm .und dem schmelzbaren Oxyd des übergangsmetalles nicht genau bekannt ist, wird durch diese
Kombination ein leistungsfähiger Weg zur Beseitigung der Oxydationsprodukte
aus dem Oxydationsbereich geschaffen. Da die Oxyde der Übergangsmetalle außerdem in üblichen Lösungsmitteln
leicht lösbar sind,.können nach Beendigung der Oxydation und nach der Beseitigung des Oxydationsschlammes infolge der Wechselwirkung
zwischen den Oxydationsprodukten und dem Oxyd des übergangsmetalles..
die auf der Halbleiteroberfläche zurückbleibenden Stoffe durch Verwendung eines solchen Lösungsmittels leicht
entfernt werden. Hierdurch kann die mechanische Entfernung der Rückstände von den oxydierten Flächen, wie sie bisher
durchgeführt wird, vermieden werden. Der oxydierte Gegenstand wird einfach in eine Säure oder ein anderes geeignetes Lösungsmittel
eingetaucht, um die Rückstände auf seiner Oberfläche zu entfernen, ohne daß die letztere geschwabbelt oder abgewischt
werden muß, was zu Kratzern auf der Oberfläche führen könnte.
Schmelzbare Oxyde der Übergangsmetalle werden vorgezogen, da diese Materialien löslich und leicht verfügbar sind, es können
jedoch auch andere schmelzbare Oxyde verwendet werden, die in üblichen Lösungsmitteln, einschließlich Säuren, löslich sind.
Geeignete Oxyde der Übergangsmetalle sind z.B. Titandioxyd, Tantaloxyd, Niobiumoxyd, Vanadiumpentbxyd und Chromoxyd.
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Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann im wesentlichen jeder oxydierbare Gegenstand poliert werden, solange das Material
nicht durch irgendeine Komponente des Poliermittels, das entweder eine Säure oder eine Base ist, schädlich beeinflußt wird,
wobei der zu polierende Gegenstand jedoch insbesondere ein Halbleitermaterial aus den Gruppen IV, IVA, III und V des
Periodischen Systems ist. Demgemäß besteht die zu polierende Halbleiterplatte vorzugsweise aus Silizium, Germanium, Galliumarsenid,
Indiumarsenid, Galliumphosphid, Indiumantimonid, oder auch Galliumindiumarsenid. Das Poliermittel enthält ein schmelzbares
Oxyd eines Übergangsmetalles aus einer der obengenannten
Gruppen, und der pH-Wert des Poliermittels wird auf einen Wert über oder unter 7 durch Zugabe einer Base oder einer Säure
eingestellt. Wie bereits ausgeführt, kann der pH-Wert des Poliermittels auch später durch Zugabe einer Puffer-Verbindung
eingestellt werden. Wenn das Poliermittel z.B. eine Säure enthält, kann z.B. Zitronensäure verwendet werden, wie etwa
Natriumzitrat oder Natriumacetat. Wird ein basisches Poliermittel verwendet, kann als Puffer-I%i :tel z.B. Natriumdihydrogenphosphat
zugegeben werden, um das pH-System fortwährend zu regulieren. In einer bevorzugten Ausführungsform wird dem '
Poliermittel Wasser zugegeben, um einen Brei zu bilden, in welchem das schmelzbare Oxyd des Übergangsmetalles leicht
dispergiert werden kann, wobei nach Beendigung des Polierens das restliche Poliermittel und die Reaktionsrückstände durch
Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels gelöst und entfernt werden.
Die Zeit für die Oxydation und die Entfernung der Oxydationsprodukte hängt von dem gewählten Oxydationsmittel, dem pH-Wert
des Systems und dem zu oxydierenden Gegenstand ab. Im allgemeine)
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ist der Zeitfaktor selbst nicht besonders kritisch bei der Anwendung
dieses erfindungsgemäßen Verfahrens, solange das Poliermittel ausreichend lang auf der Oberfläche des Gegenstandes
Verb leibt 7 um MIT Öxydatiori" ~äri d^e1n~vrörsTeheTicien~öde'r~erhöhte"n
Punkten der Oberfläche zu vervollständigen, und um eine Wechselwirkung zwischen dem schmelzbaren Oxyd und diesen Oxydationsprodukten herbeizuführen. Diese Zeit kann von einigen Minuten
bis zu mehreren Stunden betragen, wobei im allgemeinen durch experimentelle Beobachtungen festgelegt wird, wie lang ein
bestimmter Gegenstand einem gegebenen Poliermittel ausgesetzt wird, ehe er mit dem Lösungsmittel in Berührung gebracht wird,
um das Poliermittel und die Rückstände zu entfernen.
Mit einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden daher die Oberflächen oxydierbarer Halbleiter poliert, indem
zunächst ein Poliermittel hergestellt wird, das eine Säure, ein Oxydationsmittel, das die Oberfläche des Halbleiters unter
sauren Bedingungen oxydieren kann, und ein schmelzbares Oxyd eines übergangsmetalles enthält, das im wesentlichen als.
Suspension in dem Poliermittel dispergiert ist. Danach wird der pH-Wert des Poliermittels auf einen Wert im Bereich von
etwa 1 bis etwa 5 durch geregelte Zugabe einer Säure eingestellt. Die zu polierenden Flächen des Halbleiters werden dann mit dem
Poliermittel eine ausreichende Zeit lang in Kontakt gebracht, um die Oberfläche zu oxydieren und die Oxydationsprodukte zu
beseitigen, um die gewünschte Glättung der Oberfläche oder einen gewünschten Poliergrad zu erreichen. Nachdem eine geeignete
Zeit verstrichen ist, werden die Oberflächen des Halbleiters in Berührung mit einem Lösungsmittel gebracht, in welchem das
Poliermittel und die Reaktionsrückstände gelöst werden, wodurch diese Stoffe von den polierten Flächen entfernt werden, ohne da£
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die letzteren zerkratzt werden, iwie dies bei mechanischem Schwabbeln oder Abstreifen der Fall ist. Der pH-Wert wird bei
dieser Ausführungsform auf etwa 1 bis etwa 5 durch Zugabe einer Säure eingestellt. Wie oben erläutert, kann jedoch auch ein
basisches Poliermittel ve r we rid e t*" we rd en, wolf ei in" diesem" Fall
durch regulierte Zugabe der Base oder Lauge der pH-Wert auf etwa 9 bis etwa 12 eingestellt wird. Im übrigen sind die Verfahren
für saure und für basische Poliermittel dieselben, mit der Ausnahme, daß das jeweils verwendete Oxydationsmittel so
gewählt wird, daß es in Verbindung mit einer Säure bzw. in Verbindung
mit einer Lauge in jedem Fall eine gute Oxydation bewirkt. Bei den obigen Ausführungsformen der Erfindung kann die
Konzentration des Oxydationsmittels in weitem Umfang variieren, und zwar abhängig von dem zu oxydierenden Gegenstand. Gewöhnlich
ist, wie bereits ausgeführt, eine Konzentration des Oxydationsmittels im Bereich von etwa 1 bis etwa 20 mg/cm der Polierlösung
ausreichend, um eine Oxydation herbeizuführen, unabhängig davon, ob das Oxydationsmittel unter sauren oder basischen Bedingungen
eingesetzt wird.
Da zweckmäßigerweise Wasser oder eine ähnliche Flüssigkeit verwendet
wird, um ein viskoses Poliermittel zu erzeugen, kann das Poliermittel Wasser, ein Oxydationsmittel (vorzugsweise Kaliumperoxydisulfat)
mit einer Konzentration von etwa 10 bis etwa 15 mg/cm , das die Oberflächen von Halbleitern oxydieren kann,
eine Säure und ein schmelzbares Oxyd eines Übergangsmetalles enthalten, das in dem Poliermittel in Form einer chemischen
Suspension dispergiert ist. Es können Flüssigkeiten wie Glykole, z.B. Glyzerin, und bestimmte Alkohole als Eindickungsmittel
ausschließlich oder zusätzlich zu Wasser verwendet werden. Der pH-Wert des Breies wird vorzugsweise auf etwa 3 durch Zugabe
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einer Säure eingestellt und danach durch Zugabe einer Puffer-Verbindung
in den Brei auf diesem Wert gehalten, wobei, wenn dieser pH-Wert erreicht ist, der Brei mit den zu oxydierenden
Oberflächen des Halbleiters eine ausreichende Zeitlang in Berührung gebracht wird, uni die Oberfläche durch eine Reaktion""
mit dem Oxydationsmittel zu oxydieren, wobei ein Oxydationsschlamm gebildet wird, und um die Oxydationsprodukte, d.h.
diesen Schlamm, durch eine Wechselwirkung zwischen den Oxydation^ produkten und dem Oxyd des Übergangsmetalles zu entfernen, wodurch
man die gewünschte Reinigung und Polierwirkung bzw. Glättung der Oberfläche erhält. Nachdem eine ausreichende Zeit verstrichen
ist, werden die Oberflächen des Halbleiters in Berührung mit einem Lösungsmittel gebracht, durch welches die Reaktionsprodukte
und die übrigen Rückstände auf den polierten Flächen gelöst und entfernt werden. Nachdem die Rückstände im wesentlichen
von der Oberfläche des Halbleiters gelöst sind, wird dieser gespült, um die Rückstände und das Lösungsmittel zu entfernen,
worauf der Halbleiter vorzugsweise durch Aufbringen von Aceton oder eines"ahnliehen Trocknungsmittels, wie Naphta
oder Preon, auf seine Oberfläche getrocknet wird. Zum Entfernen des Breies und der Rückstände kann auf verschiedene Weise vorgegangen
werden. Beispielsweise kann der Halbleiter, an dem
die Oxydationsprodukte sowie die Produkte der Reaktion aus den Oxydationsprodukten mit dem Oxydationsmittel des Übergangsmetalles
haften, in ein Lösungsmittel./and dieses umgerührt werden, oder es kann Lösungsmittel auf die Oberfläche des Halbleiters
aufgespritzt v/erden, wodurch die Rückstände ebenfalls entfernt werden können. Andere Methoden zum Entfernen derartiger
Rückstände durch Verwendung eines Lösungsmittels sind bekannt. Zum Spülen der Halbleiter wird vorzugsweise Wasser
verwendet, wobei jedoch auch hier andere geeignete Flüssigkeiten benutzt werden können.
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Bei der obigen Ausführungsform kann die Säure durch eine Base
ersetzt werden, wobei der pH-Wert dann vorzugsweise auf etwa 10 eingestellt wird, um die gewünschte Oxydation richtig herbeizuführen.
Wird die Säure durch eine Base ersetzt, so sollte, wie bereits erläutert, ein Oxydationsmittel verwendet werden,
das in der Lage isti einen gegebenen Gegenstand in Verbindung
mit einem basischen Poliermittel zu oxydieren. Bei der obigen Ausführungsform der Erfindung wird als Oxydationsmittel für
ein basisches Poliermittel Natriumbromat oder Kaliumbromat
bevorzugt.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Verwendung schmelzbarer Oxyde, insbesondere Oxyde der Übergangsmetalle
als Elemente des Poliermittels, wodurch kratzerfreie Oberflächen herstellbar sind, was bisher nicht möglich war, da die Oxyde
in üblichen Lösungsmitteln, wie Schwefelsäure, Fluorwasserstoffsäure,
Essigsäure und Salzsäure,löslich sind. Da diese Klasse von Oxyden in zahlreichen bekannten Lösungsmitteln löslich
sind, können sie sehr leicht von der Oberfläche des polierten Gegenstandes entfernt werden, ohne daß eine mechanische Bearbeitung
nötig ist. Der pH-Wert des Poliermittels kann leicht über 7 durch Zugabeeiner Base oder unter 7 durch Zugabe einer
Säure eingestellt werden, und er kann durch Zugabe eines Puffer-Mittels in einfacher V/eise aufrechterhalten werden, so
daß man ein Poliermittel mit ausgezeichneter Polierwirkung er-.hält.
Dabei können übliche Oxydationsmittel benutzt werden. Außerdem kann im wesentlichen jedes oxydationsfähige Material,
insbesondere Halbleiter, poliert werden, während die schmelzbaren Oxyde, insbesondere der übergangselemente, mit den
Oxydationsprodukten leicht eine Reaktion eingehen, um diese Produkte zu beseitigen.
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Das erfindungsgemäße Polierverfahren kann chargenweise oder
auch kontinuierlich durchgeführt werden. Im ersteren Fall werden die zu polierenden Gegenstände, z.B. Siliziumplättchen, in
einen Behälter eingelegt, der das erfindungsgemäße Poliermittel enthält. Nach dem Polieren werden die Plättchen herausgenommen
und in ein Lösungsmittel eingetaucht oder mit einem Lösungsmittel abgespritzt, wodurch das Poliermittel und die Rückstände
gelöst werden, worauf die Plättchen gespült und gegebenenfalls getrocknet werden. Das Verfahren kann, da es nicht temperatur-
oder druckabhängig ists leicht reguliert werden. Die Halbleiterplättchen
können auch auf ein Förderband gelegt und über eine vorgegebene Zeitspanne mit dem Poliermittel in Kontakt gebracht
werden, worauf das Förderband durch ein Lösungsmittel, durch Spülmittel und gegebenenfalls durch eine Trocknungslösung
. oder eine Trockenkammer geführt werden kann.
Das Lösungsmittel kann verdampft oder, auf andere Weise entfernt
werden, wodurch Teile des Poliermittels zurückgewonnen werden können. In gleicher Weise kann das verdampfte Lösungsmittel
zurückgewonnen und wieder verwendet werden. Hierdurch wird die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens erhöht.
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Claims (20)
1. Poliermittel zum Polieren oxydier Gegenstände, insbesondere
Halbleitern, dadurch gekennzeichnet, daß das Poliermittel ein Oxydationsmittel und ein schmelzbares Oxyd enthält, das
in dem Poliermittel im wesentlichen in Form einzelner Partikel dispergiert ist.
2. Poliermittel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das schmelzbare Oxyd das Oxyd eines Übergangsmetalles ist.
3. Poliermittel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das schmelzbare Oxyd aus der Gruppe TiO2, Ta2Of-, Nb2O1-,
V3O5 und Cr2O3 ausgewählt ist.
k. Verfahren zum Polieren oxydierbarer Gegenstände, insbesondere
Halbleiter, unter Verwendung des Poliermittels nach einem der Ansprüche 1 bis 3* dadurch gekennzeichnet, daß der
pH-Wert des Poliermittels eingestellt wird, daß das Poliermittel mit dem zu polierenden Gegenstand eine ausreichende
Zeitspanne in Berührung gebracht wird, um den Gegenstand zu oxydieren und eine Reaktion zwischen den Oxydationsprodukten
und dem schmelzbaren Oxyd herbeizuführen, um einen Rückstand zu bilden, und daß das Poliermittel und der Rückstand von
dem polierten Gegenstand entfernt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der
pH-Wert des Poliermittels durch Zugabe einer Säure auf einen Wert unter 7 eingestellt wird.
6. Verfahren nach Anspruch Hx dadurch gekennzeichnet, daß der
pH-Wert des Poliermittels durch Zugabe einer Base auf einen Wert über 7 eingestellt wird. „ lt} _
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7. Verfahren nach Anspruch 4,5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der pH-Wert des Poliermittels durch Zugabe eines Puffer-Stoffes
auf dem eingestellten Wert gehalten wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7S dadurch gekennzeichnet,
daß dem Poliermittel eine Flüssigkeit zugegeben wird, um ,einen viskosen Brei zu bilden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit Wasser ist.
10. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Poliermittel eine Säure enthält, und daß der pH-Wert des Poliermittels mit Hilfe der Säure auf etwa 1 bis etwa 5
eingestellt wird.
11. Verfahren nach Anspruch H s dadurch gekennzeichnet, daß das
Poliermittel eine Base enthält und daß der pH-Wert des Poliermittels mit Hilfe der Base auf einen Wert im Bereich
von etwa 9 bis etwa 12 eingestellt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Oxydationsmittels etwa 1 bis
etwa 20 mg/cm beträgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1J bis 12 3 dadurch gekennzeichnet,
daß nach Beendigung des Polierens das Poliermittel, die Reaktionsprodukte und Rückstände mit Hilfe eines Lösungsmittels
gelöst und von dem polierten Gegenstand entfernt werden.
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14. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet
daß die Konzentration des Oxydationsmittels etwa 10 bis 15 mg/cm beträgt.
15. Verfahren nach Anspruch I2I, dadurch gekennzeichnet, daß
der pH-Wert des Poliermittelbreies durch regulierte Zugabe einer.Säure und eines Puffer-Stoffes auf etwa 3 eingestellt
und gehalten wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
der pH-Wert des Poliermittelbreies durch kontrollierte Zugabe
einer Säure und_ eines Puffer-Stoffes auf etwa 10 eingestellt und gehalten wird.
17. Verfahren nach Anspruch 10, 14 und I5, dadurch gekennzeichnet
daß das Oxydationsmittel Kaliumperoxy-disulfat ist.
18. Verfahren nach Anspruch 11, 14 und 16, dadurch gekennzeichnet,
daß das Oxydationsmittel Natriumpermanganat ist.
19. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel und die von ihm gelösten Stoffe von dem
polierten Gegenstand abgespült werden.
20. Verfahren naXih Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß
der polierte Gegenstand nach dem Spülen getrocknet wird.
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| Publication number | Publication date |
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| JPS493022B1 (de) | 1974-01-24 |
| NL6914998A (de) | 1970-04-21 |
| GB1278499A (en) | 1972-06-21 |
| FR2020888A1 (de) | 1970-07-17 |
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