DE19502095A1 - Herstellung keramischer Überzüge durch reaktive Abscheidung von polymeren Keramikvorstufen - Google Patents

Herstellung keramischer Überzüge durch reaktive Abscheidung von polymeren Keramikvorstufen

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DE19502095A1 DE1995102095 DE19502095A DE19502095A1 DE 19502095 A1 DE19502095 A1 DE 19502095A1 DE 1995102095 DE1995102095 DE 1995102095 DE 19502095 A DE19502095 A DE 19502095A DE 19502095 A1 DE19502095 A1 DE 19502095A1
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines keramischen Überzugs auf ein Substrat und einen Gegen­ stand, der eine mit einem keramischen Material überzogene Oberfläche enthält.
Um Materialien vor Beschädigungen durch Oxidation oder mechani­ schem Abrieb zu schützen, haben sich äußere Schutzüberzüge bewährt. Von besonderem Interesse sind dabei Schutzüberzüge aus keramischen Materialien. Diese zeichnen sich z. B. durch hohe Härte, chemische Stabilität und hohe Festigkeit aus. Eine Möglichkeit zur Herstellung dichter keramischer Überzüge be­ steht durch Abscheidungsverfahren aus der Gasphase. Diese Verfahren sind jedoch mit hohem apparativem Aufwand verbunden.
Eine weitere Möglichkeit ist das Auftragen von element-organi­ schen Keramikvorstufen, die durch anschließende Pyrolyse bei Temperaturen bis 1100°C unter Schutzgasatmosphäre in keramische Filme umgewandelt werden. Die Keramikvorstufen werden dabei durch direktes Eintauchen der Substratoberfläche in eine Schmelze oder Lösung des Polymers über Dip-Coating-Prozesse als polymere Filme auf das Substrat aufgetragen. Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht jedoch darin, daß es aufgrund der hohen Dichteänderung von der polymeren Keramikvorstufe, die eine Dichte von ca. 1 g/cm³ aufweist, zum keramischen Material, das eine Dichte von ca. 2,3 bis 3,2 g/cm³, während des Pyrolyse­ vorgangs zu einer starken Schrumpfung und zu Rißbildungen im keramischen Überzug kommt. Dichte Schichten konnten über dieses Verfahren daher nur durch mehrfache Wiederholung der Eintauch- und Pyrolyseschritte bzw. durch Zusatz eines reaktiven Füllers erhalten werden. Dieser Füllstoff reagiert dabei unter Volumen- und Massenzunahme mit den während der Pyrolyse freigesetzten Pyrolysegasen und gleicht die Schrumpfung der Schicht während der Pyrolyse aus, so daß dadurch eine Bildung von Rissen weit­ gehend verhindert wird.
Auch diese Verfahren haben Nachteile, die mehrfache Wiederho­ lung von Pyrolyseschritten zu hohen Herstellungskosten führt und der Zusatz eines reaktiven Füllers die Materialzusammen­ setzung des Keramiküberzugs oft unerwünscht verändert.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Aufgabe bestand somit in der Herstellung dichter keramischer Schichten auf Substraten mit beliebiger chemischer Zusammensetzung durch ein einfaches und kostengünstiges Verfahren.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Aufbringen eines keramischen Überzugs auf ein Substrat, dadurch gekenn­ zeichnet, daß man auf der Substratoberfläche eine Schicht einer Keramikvorstufe erzeugt, die durch Reaktion von mindestens einer Element-Halogen-Verbindung mit einer Verbindung der Formel (I)
R₃Si-N=C=N-SiR₃ (I)
worin R jeweils unabhängig eine C₁-C₃-Alkyl- oder Alkenylgruppe bedeutet, gebildet wird, und die Keramikvorstufe durch Pyroly­ sebehandlung in ein Keramikmaterial überführt.
Durch dieses Verfahren gelingt es, dichte polymere Filme auf den Substrat reaktiv aufwachsen zu lassen. Diese Polymerschich­ ten zeichnen sich durch den geringen Wasserstoffgehalt und eine hohe Dichte aus. Daher gelingt die pyrolytische Umwandlung zu dichten keramischen Schichten in hoher Ausbeute. Weiterhin können durch Verwendung von Mischungen verschiedener Element- Halogen-Verbindungen auf einfache Weise beliebig dotierte keramische Schichten erhalten werden.
Die Element-Halogen-Verbindungen, die als Reaktionsbestandteile zum Aufbau der Keramikvorstufe verwendet werden, sind günsti­ gerweise solche Verbindungen, in denen das Element eine Bindung mit einer Carbodiimidgruppe eingehen kann. Vorzugsweise ver­ wendet man Element-Halogen-Verbindungen, die aus Halogeniden von Elementen der Gruppen IIIA, IVA, VA des Periodensystems, Übergangsmetallen und Seltenerdmetallen ausgewählt sind. Beson­ ders bevorzugt verwendet man Halogenide von Bor, Silicium, Phosphor, Titan, Wolfram oder Mischungen davon. Am meisten bevorzugt verwendet man ein Halogenid von Silicium.
Als Halogenide verwendet man vorzugsweise Chloride oder Bromi­ de, besonders bevorzugt Chloride. Am meisten bevorzugt als Element-Halogen-Verbindung ist Siliciumtetrachlorid.
Die Element-Halogen-Verbindung wird mit einem Bis(trialkyl­ silyl)-carbodiimid der Formel (I) umgesetzt. Vorzugsweise verwendet man als Verbindung der Formel (I) N,N′-Bis(trime­ thylsilyl)carbodiimid. In diesem Fall entstehen bei Umsetzung mit der Element-Halogen-Verbindung als Reaktionsprodukte flüch­ tiges Trimethylchlorsilan und eine polymere vernetzte Keramik­ vorstufe.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann in mehreren Ausführungs­ formen durchgeführt werden. Eine erste Ausführungsform beinhal­ tet ein sequentielles Inkontaktbringen des Substrats mit der Element-Halogen-Verbindung und dem Carbodiimid, wobei die Keramikvorstufe durch Reaktion auf der Substratoberfläche aufgebaut wird. Eine zweite Ausführungsform umfaßt das Inkon­ taktbringen des zu beschichtenden Substrats mit einem Gemisch aus der Element-Halogen-Verbindung und dem Silylcarbodiimid und die direkte Abscheidung der Keramikvorstufe auf der Substrat­ oberfläche.
Die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfaßt daher die Schritte:
  • a) Inkontaktbringen des zu beschichtenden Substrats mit min­ destens einer Element-Halogen-Verbindung unter solchen Bedingungen, daß auf der Substratoberfläche eine Schicht der Element-Halogen-Verbindung abgelagert wird,
  • b) Inkontaktbringen des Substrats aus Schritt (a) mit einer Verbindung der Formel (I) unter solchen Bedingungen, daß auf der Substratoberfläche eine chemische Reaktion zwi­ schen der Element-Halogen-Verbindung und der Verbindung (I) stattfindet, bei der eine Keramikvorstufe gebildet wird, und
  • c) gegebenenfalls Wiederholen der Schritte (a) und (b), bis eine Oberflächenschicht mit der jeweils gewünschten Dicke aufgebaut wird.
Das zu beschichtende Substrat kann bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens in eine Lösung bzw. Suspension der Element-Halogen-Verbindung oder in die Element-Halogen-Ver­ bindung selbst, wenn diese flüssig ist, eingetaucht werden. Dabei lagert sich eine Schicht der Element-Halogen-Verbindung auf der Oberfläche des Substrats durch physikalische Sorption oder/und durch chemische Reaktion mit dem Substrat ab. An­ schließend wird das Substrat in eine Lösung bzw. Suspension der Carbodiimidverbindung (I) oder in die Verbindung (I) selbst eingetaucht. Hierbei kommt es an der Substratoberfläche zu einer chemischen Reaktion der Element-Halogen-Verbindung mit dem Carbodiimid unter Freisetzung eines Halogentrialkylsilans. Der auf diese Weise gebildete, an der Substratoberfläche haf­ tende Überzug besitzt reaktive Trialkylsilylgruppen, die durch weiteres Eintauchen in die Element-Halogen-Verbindung unter erneuter Freisetzung von Halogentrialkylsilan reagieren. Durch abwechselndes Eintauchen in die Lösungen der Element-Halogen-Ver­ bindung bzw. der Carbodiimidverbindung gelingt es, eine Schicht gewünschter Dicke aufzubauen. Dabei ist anzumerken, daß das Substrat auch nacheinander mit verschiedenen Element-Halo­ gen-Verbindungen bzw. mit einer Mischung aus mehreren Element- Halogen-Verbindungen in Kontakt gebracht werden kann. Hierdurch wird der Aufbau höherphasiger bzw. gezielt dotierter kerami­ scher Schichten möglich.
Eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei der eine direkte Abscheidung der Keramikvorstufe auf Sub­ stratoberfläche erflogt, umfaßt die Schritte:
  • (a) Herstellen eines flüssigen Gemisches aus mindestens einer Element-Halogen-Verbindung und einer Verbindung der Formel (I) gegebenenfalls unter Zusatz von Lösungsmittel,
  • (b) Inkontaktbringen des zu beschichtenden Substrats mit dem Gemisch aus Schritt (a) unter solchen Bedingungen, daß eine durch Reaktion der Element-Halogen-Verbindung und der Verbindung (I) gebildete Keramikvorstufe auf der Substrat­ oberfläche abgelagert wird.
Die Bedingungen, bei denen das Substrat mit dem Gemisch aus Element-Halogen-Verbindungen und Carbodiimid in Kontakt ge­ bracht wird, werden so gewählt, daß die Substratoberfläche als heterogener Keim dient, auf dem das Polymer als Schicht auf­ wächst. Hierzu kann dem Gemisch gegebenenfalls eine Verbindung der Formel (II)
X-SiR₃ (II)
worin X Halogen bedeutet und R jeweils unabhängig einen C₁-C₃-Al­ kyl oder Alkinylrest bedeutet, zugegeben werden. Vorzugsweise verwendet man Chlortrimethylsilan als Verbindung der Formel (II). Auf diese Weise kann das zur Abscheidung der polymeren Schicht notwendige Gleichgewicht gezielt eingestellt werden.
Weiterhin ist es für diese Ausführungsform der Erfindung bevor­ zugt, daß durch eine geeignete Vorbehandlung des Substrats, z. B. eine Oberflächenaktivierung durch Einführung geeigneter reaktiver Gruppen, die Grenzflächenenergie zwischen der Sub­ stratoberfläche und der aufwachsenden Polymerschicht gegenüber der Grenzflächenenergie zwischen Substrat und Lösung abgesenkt wird, damit eine homogene Keimbildung entsprechend einer Ab­ scheidung von Polymerteilchen in der Lösung vermieden wird.
Die Reaktion zwischen der Element-Halogen-Verbindung und der Carbodiimidverbindung (I) kann im Bereich von Raumtemperatur bis zur Rückflußtemperatur von Lösungsmitteln, z. B. aromati­ schen Kohlenwasserstoff-Lösungsmitteln, wie etwa Toluol oder anderen Lösungsmitteln, wie etwa Tetrahydrofuran, durchgeführt werden. Vorzugsweise wird die Reaktion bei Raumtemperatur (20 bis 25°C) durchgeführt.
Die durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten Überzüge aus Keramikvorstufen haben einen geringen Wasserstoffgehalt, so daß während der anschließenden Pyrolysebehandlung kein Auf­ schäumen stattfindet. Vorzugsweise besitzt der Überzug der Keramikvorstufe einen Wasserstoffgehalt von 6 Masse-%, beson­ ders bevorzugt von 4,5 Masse-% und am meisten bevorzugt von 3 Masse-%.
Weiterhin ist bevorzugt, daß die Keramikvorstufe einen geringen Halogengehalt, beispielsweise von 2 Masse-% und insbesondere von 0,2 Masse-% aufweist.
Wenn eine zusätzliche Einführung von Bor in die Keramikvorstufe gewünscht wird, so kann die Keramikvorstufe weiterhin mit einem voran (BH₃ bzw. B₂H₆ oder B₅H₉) oder einem Boran-Addukt (z. B. einem Boran-Dialkylsulfid, einem Boran-Ether wie etwa Tetrahy­ drofuran-Boran oder einem Boran-Amin wie etwa Pyridin-Boran) umgesetzt werden. Die Borierung der Keramikvorstufe wird vor­ zugsweise in einem organischen Lösungsmittel durchgeführt, wobei das molare Verhältnis von Boratomen zu Carbodiimidgruppen bei der Reaktion vorzugsweise 5 : 1 bis 1 : 5 und besonders bevorzugt 2 : 1 bis 1 : 2 ist.
Die Pyrolysebehandlung der als Überzug auf die Substratober­ fläche aufgebrachten Keramikvorstufe erfolgt vorzugsweise durch Erhitzen auf eine Temperatur von 1000 bis 1300°C, üblicherweise unter einer in Inertgasatmosphäre, wie etwa Argon.
Als Substrate für das erfindungsgemäße Verfahren sind grund­ sätzlich beliebige Substrate geeignet, welche die bei der Pyrolysebehandlung des Keramiküberzugs herrschenden Temperatu­ ren überstehen. Bevorzugte Beispiele sind Substrate mit metal­ lischer Oberfläche, wie etwa einer Siliciumoberfläche oder einer Oberfläche auf Basis von Übergangsmetallen, z. B. Fe oder Legierungen von Fe. Weitere bevorzugte Beispiele sind Substrate mit Graphitoberflächen oder keramischen Oberflächen, z. B. SiC, Al₂O₃, Si₃N₄, TiC oder TiN.
Die Dicke des keramischen Überzugs auf der Substratoberfläche kann beim erfindungsgemäßen Verfahren innerhalb breiter Grenzen variiert werden, z. B. durch die Anzahl der sukzessiven Kon­ taktschritte mit Element-Halogen-Verbindung und Carbodiimidver­ bindung der Formel (I) bzw. durch die Behandlungsdauer bei der direkten reaktiven Abscheidung des Polymers auf der Substrat­ oberfläche. Die Dicke des keramischen Überzugs reicht vorzugs­ weise von einzelnen Atomlagen bis zu 400 µm. Für elektrische Anwendungen sind Dicken von maximal 500 nm besonders bevorzugt. Als Oxidationsschutzschichten sind Dicken von 500 nm bis 200 µm besonders bevorzugt.
Schließlich betrifft die vorliegende Erfindung auch einen durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältlichen Gegenstand, der mindestens eine mit einem keramischen Material dicht überzogene Oberfläche enthält. Das keramische Material enthält vorzugs­ weise ein oder mehrere Elemente, ausgewählt aus den Gruppen IIIA, IV, VA des Periodensystems, Übergangsmetallen und Selten­ erdmetallen, C und N, wobei die Elementatome im wesentlichen über -N-C-N-Brücken verknüpft sind.
Die Erfindung soll weiterhin durch die nachfolgenden Beispiele erläutert werden, welche die Beschichtung von Silicium be­ schreiben.
a) Reaktive Abscheidung durch Tauchverfahren
Die Reaktion von Tetrachlorsilan mit Bistrimethylsilylcar­ bodiimid in einem organischen Lösungsmittel führt nach folgender Reaktionsgleichung zu einem hochvernetzten Si­ lylcarbodiimid (vgl. z. B. DE-A-44 30 817):
Abhängig von den verwendeten Lösungsmitteln wird hierbei das Polymer als Pulver oder Gel erhalten. Zur Beschichtung von Substraten, z. B. Silicium, wird dieses zuerst in eine Lösung von Tetrachlorsilan in THF oder Toluol bzw. direkt in das Tetrachlorsilan ohne Zusatz eines Lösungsmittels eingetaucht. Hierbei kommt es unter HCl-Abspaltung zu einer Reaktion der Si-Cl-Gruppen mit den oberflächlich vorhanden Si-OH-Gruppen. Anschließend erfolgt das Ein­ tauchen des aktivierten Substrates in ein organisches Lösungsmittel um überschüssiges, nicht reaktiv an der Oberfläche gebundenes Tetrachlorsilan zu entfernen.
Das auf diese Weise aktivierte Substrat wird nachfolgend in eine Lösung von Bis(trimethylsilyl)carbodiimid in THF oder Toluol bzw. Bis(trimethylsilyl)carbodiimid ohne Zu­ satz von Lösungsmittel eingetaucht. Dort kommt es unter Trimethylchlorsilan-Abspaltung zu einem Austausch der SiCl-Gruppen gegen (H₃C)₃Si-N=C=N-Gruppen.
Diesem Schritt folgt das Abspülen von chemisch nicht ge­ bundenen Bistrimethylsilylcarbodiimid in einem Tauchbad aus THF oder Toluol. Durch erneutem Eintauchen in das Tetrachlorsilan-Tauchbad werden die Trimethylsilyl-Reste unter Chlortrimethylsilan-Abspaltung gegen Trichlorsilan-Reste ausgetauscht.
Durch mehrmaliges Wiederholen der Schritte gelingt ein sukzessiver Schichtaufbau des Polymers. Die anschließende Pyrolyse des beschichteten Substrates führt zur Bildung von dichten keramischen Schichten im ternären System Si-C-N.
b) Reaktive Abscheidung des Polymers aus der Lösung
Die reaktive Abscheidung des Polymers auf dem Si-Substrat kann auch direkt aus einer Lösung von Tetrachlorsilan und Bistrimethylsilylcarbodiimid in THF oder Toluol bzw. aus der Mischung von Tetrachlorsilan mit Bis(trimethylsilyl)­ carbodiimid ohne Lösungsmittelzusatz erfolgen. Das Sub­ strat wird dazu in die vorbereitete Lösung bzw. Mischung eingetaucht. Durch gleichzeitige Zugabe von Chlortrime­ thylsilan zu dem Ansatz kann das für die Abscheidung der Schicht notwendige Gleichgewicht (1) gezielt eingestellt werden. Für die Entstehung einer Schicht auf dem Substrat ist nun eine heterogene Keimbildung notwendig. Hierzu wird die Grenzflächenenergie zwischen Substrat und Schicht durch Vorbehandlung des Substrats gegenüber der Grenzflä­ chenenergie zwischen Substrat und Lösung abgesenkt, damit eine homogene Keimbildung entsprechend einer Abscheidung von Pulverteilchen aus der Lösung vermieden wird. Die Ausfällung des Polymers erfolgt dann als Schicht auf der Oberfläche des Substrats. Nach anschließender Pyrolyse unter Schutzgas erfolgt die Umwandlung der polymeren Schicht in die keramische Si-C-N-Schicht.
Weiterhin soll die Erfindung durch folgendes Beispiel erläutert werden.
Beispiel
Ein Silicium-Substrat (1 × 1 × 0,2 cm) wird zunächst zur Oberflächenaktivierung (Einführung von Si-OH-Gruppen) in eine Lösung aus 1 Volumenteil H₂O₂, 8 Volumenteilen H₂O und 1 Volumenteil konzentrierte HCl getaucht und für 12 Stun­ den bei 80°C erhitzt.
Dieses an einem Metalldraht befestigte Silicium-Substrat wird unter Schutzgas in eine Lösung von 5 ml Siliciumte­ trachlorid in 5 ml Toluol eingetaucht und darin für 5 Minuten belassen und anschließend aus der Lösung herausge­ zogen. Daraufhin wird das Substrat durch Eintauchen in ein Bad aus Toluol von überschüssigem Siliciumtetrachlorid befreit. Dieses so behandelte Substrat wird danach in eine Lösung von 5 ml Bis(trimethylsilyl)carbodiimid in Toluol getaucht, darin für 5 Minuten belassen und wiederum durch Eintauchen in ein Toluolbad von überschüssigem Bis(trime­ thylsilyl)carbodiimid befreit.
Nach zehnmaligem Wiederholen dieses Verfahrens wird eine dichte rißfreie Si-, C- und N-haltige Schicht erhalten, was mit Hilfe der Rasterelektronenmikroskopie nachgewiesen werden kann.

Claims (20)

1. Verfahren zum Aufbringen eines keramischen Überzugs auf ein Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß man auf der Substratoberfläche eine Schicht einer Keramikvorstufe erzeugt, die durch Reaktion von mindestens einer Element-Halogen-Verbindung mit einer Verbindung der Formel (I) R₃Si-N=C=N-SiR₃ (I)worin R jeweils unabhängig eine C₁-C₃-Alkyl- oder Alkenylgruppe bedeutet, gebildet wird, und die Kera­ mikvorstufe durch Pyrolysebehandlung in ein Keramik­ material überführt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Element-Halogen-Verbindungen verwendet, die aus Halogeniden von Elementen der Gruppen IIIA, IVA, VA des Periodensystems, Übergangsmetallen und Sel­ tenerdmetallen ausgewählt sind.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß man Halogenide von Bor, Silicium, Phosphor, Titan, Wolfram oder Mischungen davon verwendet.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Halogenid von Silicium verwendet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man als Element-Halogen-Verbindung ein Chlorid oder Bromid verwendet.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung der Formel (I) N,N′-Bis-(tri­ methylsilyl)carbodiimid verwendet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfas­ send die Schritte
  • a) Inkontaktbringen des zu beschichtenden Substrats mit mindestens einer Element-Halogen-Verbindung unter solchen Bedingungen, daß auf der Substrat­ oberfläche eine Schicht der Element-Halogen-Ver­ bindung abgelagert wird,
  • b) Inkontaktbringen des Substrats aus Schritt (a) mit einer Verbindung der Formel (I) unter solchen Bedingungen, daß auf der Substratoberfläche eine chemische Reaktion zwischen der Element-Halogen-Ver­ bindung und der Verbindung (I) stattfindet, bei der eine Keramikvorstufe gebildet wird, und
  • c) gegebenenfalls Wiederholen der Schritte (a) und (b), bis eine Oberflächenschicht mit der jeweils gewünschten Dicke aufgebaut wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (a) das Eintauchen des zu beschichtenden Substrats in eine Lösung bzw. Suspension der Ele­ ment-Halogen-Verbindung oder in die Element-Halogen-Ver­ bindung selbst umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablagerung der Element-Halogen-Verbindung auf der Substratoberfläche eine chemische Reaktion mit dem Substrat umfaßt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (b) das Eintauchen des Substrats in eine Lösung bzw. Suspension der Verbindung (I) oder in die Verbindung (I) selbst umfaßt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfas­ send die Schritte:
  • (a) Herstellen eines flüssigen Gemisches aus minde­ stens einer Element-Halogen-Verbindung und einer Verbindung der Formel (I) gegebenenfalls unter Zusatz von Lösungsmittel,
  • (b) Inkontaktbringen des zu beschichtenden Substrats mit dem Gemisch aus Schritt (a) unter solchen Bedingungen, daß eine durch Reaktion der Ele­ ment-Halogen-Verbindung und der Verbindung (I) gebildete Keramikvorstufe auf der Substratober­ fläche abgelagert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (b) das Eintauchen des Substrats in das Gemisch gegebenenfalls unter Zugabe einer Verbindung der Formel (II) X-SiR₃ (II)worin X Halogen bedeutet und R jeweils unabhängig einen C₁-C₃-Alkyl- oder Alkenylrest bedeutet, um­ faßt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung der Formel (II) Chlortrime­ thylsilan verwendet.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikvorstufe einen Wasserstoffgehalt von 6 Masse-% aufweist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikvorstufe einen Wasserstoffgehalt von 3 Masse-% aufweist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß man die Pyrolysebehandlung der Keramikvorstufe durch Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich von 1000 bis 1300°C unter einer Inertgasatmosphäre durchführt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß man den keramischen Überzug auf einem Substrat mit metallischer Oberfläche erzeugt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß man den keramischen Überzug auf einem Substrat mit einer Silicium-Oberfläche erzeugt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß man den keramischen Überzug in einer Dicke von bis zu 400 µm aufbringt.
20. Gegenstand, der eine Oberfläche enthält, die mit einem keramischen Material überzogen ist, erhältlich durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19.
DE1995102095 1995-01-24 1995-01-24 Herstellung keramischer Überzüge durch reaktive Abscheidung von polymeren Keramikvorstufen Withdrawn DE19502095A1 (de)

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