DE1924962C3 - Verfahren zum Schmelzschweißen von Zirkon und seinen Legierungen - Google Patents

Verfahren zum Schmelzschweißen von Zirkon und seinen Legierungen

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DE1924962C3
DE1924962C3 DE19691924962 DE1924962A DE1924962C3 DE 1924962 C3 DE1924962 C3 DE 1924962C3 DE 19691924962 DE19691924962 DE 19691924962 DE 1924962 A DE1924962 A DE 1924962A DE 1924962 C3 DE1924962 C3 DE 1924962C3
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Francesco Dr -Chem Osmate Ferrari Giovanni Luino Musso Giuseppe Dr Chem Osmate Brossa, (Italien)
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Europaische Atomgemeinschaft (EURATOM), Brüssel
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schmelzschweißen von Zirkon und seinen Legierungen unter Vermeidung von Kornwachstum.
Es ist bekannt, daß das Schweißen von Zirkon und seinen Legierungen den Nachteil hat, in der Schmelzzone der Schweißung und in der thermisch veränderten Nachbarzone eine Vergrößerung der Kristallkörner hervorzurufen. Diese mehr oder weniger ausgeprägte Rekristallisationserscheinung steht in enger Beziehung zur Art der zu schweißenden Legierung, dem Schweißverfahren und der Geometrie der Schweißung.
Die Vergrößerung der Kristallkörner hat den Nachteil einer Versprödung des Werkstoffs in der geschweißten Zone. Dieser bei Werkstoffen von einigen Zentimetern Dicke ungünstige Effekt ist auch bei dünnen Werkstoffen, z. B. den Brennelementhüllen von Kernreaktoren, unerwünscht, und er kann die Anwendung der Schmelzschweißtechnik verhindern.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten sowohl der Schweißverfahren als auch der Geometrie der Schweißung und der angewandten thermischen Behandlung, 2. B. durch Veränderung der die Kristallisation beeinflussenden Parameter, aber diese Möglichkeiten sind nicht vollständig befriedigend. Bessere Ergebnisse können durch Härten und Glühen der geschweißten Zone erzielt werden, jedoch sind diese Verfahren nicht !eicht anzuwenden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde. Zirkon und Zirkonlegierungen ohne nachteilige Kornvergrößerung leicht schweißen zu können.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in die Schweißzone Teile eingebracht werden, die einen die Kristallkörner verkleinernden Stoff enthalten, der Keime zur Kristallkornbildung liefert, die während
des Schweißvorgangs direkt in die Schmelze gehen.
Diese Keime sind aus Metallen oder deren Salzen, die auf die zu schweißenden Teile oder auf die Elektrode aufgebracht werden, wenn die Schweißung z. B. mit Zusatzmetallen ausgeführt wird.
Besondere Sorgfalt muß bei der Dosierung der Keime beachtet werden, um Sekundäreffekte zu vermeiden, die die Schweißung eventuell ungünstig beeinflussen können.
ίο Befriedigende Ergebnisse liefern Keime aus einzeln oder vermischt angewendeten Oxiden und Halogeniden des Kupfers und des Lithiums. Gute Ergebnisse werden auch mit den Salzen dieser Metalle z. B. Karbonaten, Nitraten usw. erzielt, wobei die Salze durch thermische Dissoziation zur Bildung der entsprechenden Oxide führen.
Man kann Zirkon und seine Legierungen mit Kupfer- und Lithiumverbindungen beschichten, wobei diese Beschichtung durch chemische Anlagerung erfolgt.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung kann der die Kristallkörner verkleinernde Stoff eine solche Kupfer- oder Lifhiumverbindung sein, die auf die zu verschweißenden Stücke aufgebracht wird, indem sie in ein CuCb- oder LiCI-Bad unter Schutzgasatmosphäre bei einer Temperatur zwischen 430 und 600°C für 10 Sekunden bis 20 Minuten eingetaucht werden.
Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung kann die Menge und die Zusammensetzung der Keime zur Kornbildung für eine gegebene Legierung verändert werden, wodurch die chemophysikalischen Eigenschaften der erhaltenen Schweißung verändert werden. Daher ist es möglich, mittels geeigneter Wahl dieser Beimengungen für eine bestimmte Aufgabe die gewünschten Eigenschaften der Schweißung besonders zu fördern.
Die Wirksamkeit der Verwendung dieser Keime ist sowohl bei Bogenschweißung unter Argon — mit oder ohne Zusatzwerkstoff —, als auch bei Elektronenstrahlschweißung von verschiedenen Legierungen auf Zirkonbasis festgestellt worden.
Die Verwendung solcher Beimengungen bzw. Kristallkornbildner führt auch zu weiteren, nennenswerten Vorteilen: Das Fließvermögen des geschmolzenen Metalls wird in der für das Schweißen wichtigen Zone verbessert, und ferner wird beim Bogenschweißen die benötigte Stromstärke auf 40% gegenüber anderen, herkömmlichen Schweißverfahren vermindert.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 eine Argonarc-Schweißung von Rohren mit Zusatzmetall,
F i g. 2 ein Beispiel einer Elektronenstrahlschweißung von Rohren ohne Zusatzmetall.
Die Rohre in F i g. 1 sind aus Zircaloy-2, und die Rohrenden haben folgende Abmessungen: Innendurchmesser 106 mm und Außendurchmesser 110 mm. Die zu verschweißenden Enden 1 — einfachheitshalber ist nur der obere Teil gezeigt — werden in geeigneter Weise, wie in der Zeichnung dargestellt, bearbeitet, geputzt und unter Inertgasatmosphäre nach dem Argonarc-Verfahren geschweißt, wobei 2 mm dicke Elektroden 2 aus Zircaloy-2 verwendet werden. Das Ende dieser Elektroden ist mit einer Schicht 3 aus Kupferchlorid bedeckt, die die Keime zur Kornbildung liefert.
Das Gewichtsverhältnis von Kupferchlorid zur Elektrode, d.h. dem beschichteten Teil, ist 5%. Die Schweißung wird einlagig ausgeführt bei einer Strom-
stärke im Bogen von 50 A. Die kornverkleinernde Wirkung des Zusatzes ist bemerkenswert, und es wird auch in der ausgeführten Schweißung kein Kornwachstum festgestellt.
Die bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 verwendeten Rohre aus einer Zirkonlegierung mit 2,5% Niob haben einen Innendurchmesser von 92 mm und einen Außendurchmesser von 98 mm. Die Enden 4 werden vor dem Schweißen in die dargestellte Form gebracht, geputzt und sofort mit Keimen 5 zur Kristallkernbildung beschichtet, bevor sie mi' einem Elektronenstrahl geschweißt werden, wie es Pfeil 6 andeutet. Die Zugabe des Kornverkleinerungsmittels kann entweder durch Eintauchen des; zu schweißenden Teils der Werkstücke in ein CuCI2-Schmelzbad oder durch Auftragen einer in Isoamylacetat suspendierten Mischung von 50 Gewichtsprozent LiCI und 50 Gewichtsprozent CuCb auf die zu schweißende Zone mit einem Pinsel erfolgt sein. Nach einer Ofentrocknuny bei 1800C wird die Schweißung in bekannter Weise mit einem Elektronenstrahl ausgeführt. Das Gewichtsverhältnis von kornverkleinerndcm Zusatz zum geschmolzenen Werkstoff ist 5%. Die Wirkung des kornverkleinernden Zusatzes ist auch in diesem Fall bemerkenswert, und es wird keine Bildung großer Kristallkörner festgestellt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Schmelzschweißen von Zirkon und suinen Legierungen, dadurch gekennzeichnet, daß in die Schweißzone Teile eingebracht werden, die einen die Kristallkörner verkleinernden Stoff enthalten, der Keime zur Kristallkornbildung liefert, die während des Schweißvorgangs direkt in die Schmelze gehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der die Kristallkörner verkleinernde Stoff eine Kupfer- oder Lithiumverbindung ist, die auf die zu verschweißenden Stücke aufgebracht wird, indem sie in ein CuCb- oder LiCI-Bad unter Schutzgasatmosphäre bei einer Temperatur zwischen 430 und 600°C für 10 Sekunden bis 20 Minuten eingetaucht werden.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der die Kristallkörner verkleinernde Stoff auf den Enden der zu schweißenden Stücke aufgebrach l ist.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der die Kristallkörner verkleinernde Stoff auf der Schweißelektrode aufgebracht ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichtsverhältnis vom die Kristallkörner verkleinernden Stoff zum zu schweißenden Stoff 5% ist.
DE19691924962 1968-05-13 1969-05-13 Verfahren zum Schmelzschweißen von Zirkon und seinen Legierungen Expired DE1924962C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT3694168 1968-05-13
IT3694168 1968-05-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1924962A1 DE1924962A1 (de) 1969-11-27
DE1924962B2 DE1924962B2 (de) 1977-01-20
DE1924962C3 true DE1924962C3 (de) 1977-08-25

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