DE1919555B2 - Wärmeleitende Wand fbr einen Wärmeaustauscher - Google Patents
Wärmeleitende Wand fbr einen WärmeaustauscherInfo
- Publication number
- DE1919555B2 DE1919555B2 DE19691919555 DE1919555A DE1919555B2 DE 1919555 B2 DE1919555 B2 DE 1919555B2 DE 19691919555 DE19691919555 DE 19691919555 DE 1919555 A DE1919555 A DE 1919555A DE 1919555 B2 DE1919555 B2 DE 1919555B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid
- boiling
- thermally conductive
- porous layer
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
- F28F13/185—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
- F28F13/187—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings especially adapted for evaporator surfaces or condenser surfaces, e.g. with nucleation sites
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Cookers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine wärmeleitende Wand für einen Wärmeaustauscher zum Sieden von Flüssigkeiten
mit einem Kelvin-Parameter von weniger als 0,0014 cmK, deren eine Seite mit einer Wärmequelle in
Berührung steht und deren andere Seite eine porige Schicht trägt, die von der Siedeflüssigkeit bedeckt ist
und die Blasenbildung unterstützende Keimstellen bildet.
Es ist seit langem bekannt (US-PS 19 31 268), bei einer
solchen im Keimtauchsiedeverfahren arbeitenden wärmeleitenden Wand die in die Siedeflüssigkeit eintauchende
porige Schicht aus einem Ebullatorwerkstoff in Form von Sand, Kieselgel, Prozellan, Antimon, Zink,
Rohzink, Zinkschwamm oder Schlacke aufzubauen. Diese Werkstoffe eignen sich zwar für Ebullatoren, die
in die zu siedende Flüssigkeit eintauchen, ohne selbst Wärme auf die Flüssigke-t zu übertragen, und deren
Aufgabe es ist, die Übertemperatur zu vermindern und die Temperatur der Hauptmasse der Flüssigkeit besser
in Gleichgewicht mit dem Flüssigkeitsdampfdruck zu bringen. Derart beschichtete Wärmeaustauscherwände
erwiesen sich jedoch als wenig befriedigend. Die erzielten Siede-Wärmeübergangszahlen sind niedrig;
bei vorgegebenen AT-Wert stellen sich nur bescheidene Wärmeströme ein. Die Betriebsdaten sind denen von
unbeschichtetein glatten Wärmeaustauscherwiinden aus
rviipicr ment wGscfiuiCii uL/criCgCn.
Des weiteren ist es bekannt (Abhandlungen des Deutschen Kältetechnischen Vereins, Nr. 18 »Beitrag
zur Thermodynamik des Wärmeübergangs beim Sieden«, 1964, Seiten 12 bis 102), bei solchen Wärmeaustauscherwänden
die in die Siedeflüssigkeit eintauchende Wandseite mit die Blasenbildung unterstützenden
Vertiefungen zu versehen. Es ist gezeigt, daß an der rauhen Oberfläche die Wärmeübergangszahlen größer
als an einer glatt polierten Oberfläche sind.
Daneben ist es bekannt (US-PS 30 95 255), bei einem Rieselverdampfer mehrere übereinander angeordnete Reihen von Wärmeaustauscherrohren vorzusehen, die mit einer dicken porigen Umhüllung aus einem verdichteten Metallpulver von guter Wärmeleitfähigkeit, insbesondere aus bei einem Druck von etwa 56,4 bar verpreßtem und anschließend gesintertem dentritischem Elektrolytkupferpulver, ausgestattet sind. Die zu verdampfende Flüssigkeit wird auf die Wärmeaustauscherrohre aufgesprüht
Daneben ist es bekannt (US-PS 30 95 255), bei einem Rieselverdampfer mehrere übereinander angeordnete Reihen von Wärmeaustauscherrohren vorzusehen, die mit einer dicken porigen Umhüllung aus einem verdichteten Metallpulver von guter Wärmeleitfähigkeit, insbesondere aus bei einem Druck von etwa 56,4 bar verpreßtem und anschließend gesintertem dentritischem Elektrolytkupferpulver, ausgestattet sind. Die zu verdampfende Flüssigkeit wird auf die Wärmeaustauscherrohre aufgesprüht
Der unterste Teil der Umhüllung der untersten Rohrreihe taucht ferner in den sich am Boden des
Wärmeaustauschers sammelnden Flüssigkeitssumpf ein und nimmt Flüssigkeit durch kapillare Absorption aus
dem Sumpf auf. Die Flüssigkeitstemperatur liegt unter dem Siedepunkt der Flüssigkeit. Der Dampfdruck der
Flüssigkeit ist geringer als der Druck des die Wärmeausiauscherrohre umgebenden Gases. Im Bereich
des Eintauchens der Umhüllung in den Sumpf unterdrückt die Flüssigkeit jeden Siedevorgang an der
jo Oberfläche der Umhüllung. Die Verdampfung erfolgt
ausschließlich von den im Gasraum befindlichen Teilen der Umhüllung. Die gegenseitige Verbindung der Poren
durch Kapillarkanäle hat den Zweck, an der Oberseite der Umhüllung verdampfende Flüssigkeit ständig zu
ersetzen und einen dünnen Flüssigkeitsfilm aufrechtzuerhalten, bis der Flüssigkeitsvorrat der innenliegenden
Poren erschöpft ist.
Für dentritisches Kupfer ist in Kieffer, Hotop »Pulvermetallurgie und Sinterwerkstoffe«, 1948, Seite
23 bis 25 eine Teilchengröße von 0,1 bis 30 μπι genannt.
Eine andere bekannte, gleichfalls für Verdampfungsprozesse, also nicht für Siedevorgänge, bestimmte
Wärmeaustauscherwand (US-PS 30 49 795) besteht aus einer Trägerplatte, insbesondere Kupferplatte, mit
darauf befindlicher verdichteter und gesinterter poröser Kupferpulverschicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine wärmeleitende Wand für einen Flüssigkeitssiedewärmeaustauscher
zu schaffen, die beim Sieden von Flüssigkeiten mit einem Kelvin-Parameter von weniger als
0,0014 cmK eine wesentlich höhere Wärmeübergangszahl als vergleichbare bekannte wärmeleitende Wände
hat und die es gestattet, der Siedeflüssigkeit große Wärmemengen bei besonders kleinen Δ T-Werten
zuzuführen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die porige Schicht aus diskreten Teilchen hoher
Wärmeleitfähigkeit aufgebaut ist, daß die überwiegende Menge der Teilchen eine Teilchengröße zwischen 38
bo und 105 μπι hat, daß die Teilchen in wahlloser
Schichtung untereinander und mit der Wand unter Bildung eines gleichförmigen Gefüges verbunden sind,
das miteinander in Verbindung stehende Poren aufweist, daß der äquivalente Porenradius zwischen 2,5 und
b5 63 μιτι liegt und daß die Dicke der porigen Schicht
mindestens gleich dem Wert der mittleren Teilchengröße, jedoch so klein ist, daß im Betrieb Flüssigkeit mittels
Kapillarwirkung durch die porige Schicht hindurch bis
zu der wärmeleitenden Wand gelangt
Die Erfindung geht davon aus, daß niedrige Siede-Wärmeübergangszahlen oft eine erhebliche Beeinträchtigung
des Wärmeübergangsvennögens von Siedevorrichtungen zur Folge habet Wenn beispielsweise
die zum Sieden erforderliche Wärme durch Kondensation eines Dampfes auf einer glattwandigen
Wärmeübergangsfläche zugeführt wird, kann die Kondensations-Wärmeübergangszahl leicht in der Größenordnung
von 1,1 W/cm2K liegen, während die Siede-Wärmeübergangszahl an der gegenüberliegenden
Seite der Wärmeübergangsfläche nur 0,05 bis 0,11 W/cm2K betragen kann. Werden die Wärmeübergangswiderstände
wie üblich addiert, wenn die Siede-Wärmeübergangsfläche und die Kondensations-Wärmeübergangsfläche
von gleicher Flächengröße sind, wird die resultierende Wärmeübergangszahl U näherungsweise
wie folgt erhalten:
~h~H
U =
h„
wobei ha und hc die Siede-Wärmeübergangszt hl bzw.
die Kondensations-Wärmeübergangszahl sind. Wenn he
klein gegenüber hc ist, nähen sich der Wert von U dem
Wert /jß und geht der Vorteil einer hohen Konder.sations-Wärmeübergangszahl
weitgehend verloren. Es kommt daher darauf an, die Siede-Wärmeübergangszahl
he klein zu halten, was mit den erfindungsgemäßen
Maßnahmen gelingt. Dafür dürfte weitgehend die extrem geringe Dicke des sich bei der wärmeleitenden
Wand nach der Erfindung innerhalb der Poren ausbildenden Flüssigkeitsfilms verantwortlich sein. Es
wurde nämlich überraschend gefunden, daß neben dem im folgenden noch näher erläuterten Übertemperatur-4
rder Gibbs-Clapeyron-Gleichung ein Δ Γ-Wert für
den Flüssigkeitsfilm berücksichtigt werden muß, der wirkungsmäßig mit dem Übertemperatur-4rin Reihe
liegt. Es stellte jich ferner heraus, daß das Flüssigkeitsfilm-47"im
Gegensatz zu dem Übertemperatur-zl7"mit
zunehmendem äquivalentem Porenradius ansteigt und daß diese einander entgegengesetzten Einflüsse auf das
Gesamt-ΛΓ zu einem Umkehrpunkt in der die Abhängigkeit des Gesamt-4 Γ vom äquivalenten Porenradius
darstellenden Kurve führen, dem ein zugleich vom Kelvin-Parameter der Siedeflüssigkeit abhängiger
optimaler Wert des äquivalenten Porenradius zugeordnet ist.
Der äquivalente Porenradius entspricht dem Hohlraumradius rc der Gibbs-Clapeyron-Gleichung; er stellt
zugleich den ungefähren Radius einer aus einem Hohlraum mit diesem Radius austretenden Blase dar.
Ein Verfahren zum genauen Bestimmen des äquivalenten Porenradius ist weiter unten angegeben.
Unter dem Betriff Kelvin-Parameter wird die Größe 2Co TsM Pvverstanden, wobei
σ = Oberflächenspannung (dyn/cm),
Ts = Sättigungstemperatur der Siedeflüssigkeit entsprechend dem Dampfdruck der Flüssigkeit (K),
Pv = Dichte des Dampfes (g/cm3),
λ = latente Wärme der Siedeflüssigkeit (]/g),
Ts = Sättigungstemperatur der Siedeflüssigkeit entsprechend dem Dampfdruck der Flüssigkeit (K),
Pv = Dichte des Dampfes (g/cm3),
λ = latente Wärme der Siedeflüssigkeit (]/g),
C = Umwandlungsfaktor ( 10 7 , ).
\ m.n cm /
Kelvin-Parameter für typische Flüssigkeiten irn
Bereich von weniger als 0,0014 cmK sind in der untenstehenden Tabelle 1 angegeben.
Flüssigkeit*) | Ke'vin-Parameter |
(craK) | |
Trifluor-l,l,2-Trichloräthan | 0,001256 |
Äthyläther | 0,001256 |
Fluortrichlormethan | 0,001058 |
Äthylchlorid | 0,001044 |
n-Pentan | 0,00093 |
n-Hexan | 0,00085 |
Difluordichlormethan | 0,00079 |
Äthylalkohol | 0,00078 |
Aceton | 0,00076 |
Propan | 0,00062 |
Propylen | 0,00061 |
Äthan | 0,00055 |
Propylen bei 1,5 bar | 0,00049 |
Äthylen | 0,00045 |
Methan | 0,00031 |
Sauerstoff | 0,00024 |
Stickstoff | 0,00016 |
*) Bei 1 bar Druck, falls nicht anders angegeben.
Entsprechend der bekannten Wärmeübergangsgleichung Q/A — hAT erlaubt es die erfindungsgemäße
j) wärmeleitende Wand beim Sieden von Flüssigkeiten
den Gesamtwert der übertragenen Wärme Q zu erhöhen, die Fläche A zu verringern und/oder den Wert
Δ T kleiner zu halten. Die wärmeleitende Wand ist von besonderem Vorteil in Systemen, die erhöhte Drücke
•in erfordern, um einen notwendigen Temperaturunterschied
zu erzielen. Beispielsweise wird in den Kocher-Kondensator-Röhren einer Tieftemperatur-Lufttrennanlage,
wo das flüchtigere, normalerweise bei niedrigerer Temperatur siedende Stickstoffgas durch das Sieden
4> von weniger flüchtigem, flüssigem Sauerstoff kondensiert wird, der Stickstoff ausreichend unter Druck
gesetzt, um seine Kondensationstemperatur über die Sauerstoffsiedetemperatur anzuheben. Durch Verwendung
der wärmeleitenden Wand nach der Erfindung kann der nötige Druckunterschied zwischen den
fließfähigen Medien herabgesetzt werden, die Energiekosten lassen sich kleinstmöglich halten.
Die Dicke der porigen Schicht ist vorzugsweise mindestens gleich dem doppelten Wert des mittleren
Teilchendurchmessers. Im Hinblick auf eine einwandfreie Porenbildung sind die Teilchen zweckmäßig
kugelig oder granulär ausgebildet.
Bei Anwendung der wärmeleitenden Wand für das Sieden von Monofluortrichlormethan beträgt vorteilte
haft der äquivalente Porenradius zwischen 7,6 und 63 μίτι.
Die Erfindung ist im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den Zeichnungen
zeigt
b5 Fig. 1 eine graphische Darstellung des Zusammenhangs
zwischen den äquivalenten Poranradien für porige Schichten und dem Siedeseite-Temperaturuniercr*hii»H fi'ir ^anf»rctr*ff itrtA PlnrtrtricMrM-miMhan iinrl
F i g. 2 eine Kurvenschar für die Beziehung zwischen dem Wärmestrom und dem siedeseitigen Temperaturunterschied
für wärmeleitende Wände nach der Erfindung sowie für glatte Siedeoberflächen, verhältnismäßig
grobporige Schichten und Ebullatoren.
Auf der wärmeleitenden Wand eines Wärmeaustauschers ist eine porige Siedeoberflächenschicht angebracht,
um Wärme zu einer Flüssigkeit zu überführen. Die Schicht wird von wärmeleitenden Teilchen gebildet,
die mechanisch und thermisch derart miteinander verbunden sind, daß untereinander in Verbindung
stehende Poren von Kapillargröße innerhalb der Schicht entstehen. Die Poren sind in großer Anzahl je
Flächeneinheit vorhanden. Zwischen den Poren befindet sich nur wenig nicht poriges Material. Die porige
Schicht zeichnet sich durch eine ausgeprägte Kapillarwirkung aus.
Im Gegensatz zur Ebullatortechnik befindet sich die porige Schicht auf der heißen Wand der Siedevorrichtung
zwischen dieser Wand und der zum Sieden zu bringenden Flüssigkeit; der Werkstoff dieser Schicht
muß wärmeleitend sein. Die Schicht soll eine sehr große Wärmemenge mit weitgehend vermindertem Wärmeübergangswiderstand,
das heißt bei verringertem Temperaturunterschied zwischen Wand und Flüssigkeit übergehen lassen. Dieser ein Maß für den Wärmeübergangswiderstand
darstellende Temperaturunterschied zwischen warmer Wand und gesättigter Flüssigkeit ist
der Wert A T in der normalen Wärmeübergangsgleichung.
Um wirksam zu sein, muß die porige Schicht bestimmte Bedingungen hinsichtlich des äquivalenten
Porenradius erfüllen. Es wurde nämlich gefunden, daß es sich bei der überraschenden Verbesserung der Wärmeübergangszahl
h um einen in beträchtlichem Umfang nur in sehr kleinen Poren auftretenden Effekt handelt,
der bei Ebullatoren keinen wesentlichen Faktor darstellt. Das Betriebsverhalten von Ebullatoren wird
durch die Kombination der bekannten Gleichungen von Gibbs und Clapeyron beschrieben, die das für das
Anwachsen einer Blase erforderliche Wärmepotential (ausgedrückt als die Übertemperatur der die Blase
umgebenden Flüssigkeit) mit der Größe der Blase in Beziehung setzen:
2 Oi
τ-τ.
TAP, - P
P1.- Py :
wobei
Hohlraumradius (entsprechend dem vorliegend verwendeten Begriff äquivalenter Porenradius r,
auch der ungefähre Radius einer aus einem Hohlraum vom Radius rc ausgehenden Blase)
(cm),
Oberflächenspannung (dyn/cm),
Temperatur der eine Blase umgebenden Flüssigkeit (K),
Temperatur der eine Blase umgebenden Flüssigkeit (K),
Sättigungstemperatur der siedenden Flüssigkeit entsprechend dem Dampfdruck der Flüssigkeit
rc =
Pl = Dichte der Flüssigkeit (g/cm3),
Pv = Dichte des Dampfes (g/cm3),
λ = latente Wärme der siedenden Flüssigkeit (J/g),
C = Umwandlungsfaktor ( 10 7 -^~—
\ dyn cm.
Der Wert von 7~muß um einen Betrag größer als Ts
sein, der ausreicht um eine Blase vom Radius rc gegen
0-
die Oberflächenspannung zum Wachsen zu bringen. Infolgedessen ist die Größe T-Ts die minimale
Übertemperatur, die zur Aufrechterhaltung des Siedevorganges benötigt wird. Entsprechend der Gibbs-Clapeyron-Gleichung
wird die für das Blasenwachstum erforderliche Übertemperatur verringert, das heißt
T-Ts minimal gehalten, indem rc erhöht wird.
Infolgedessen ist ein Ebullator mit einer porigen Oberfläche zu versehen, die möglichst große Poren
ίο aufweist, die noch in der Lage sind, das eingeschlossene
Gas zu halten. In F i g. 1 zeigt die Kurve A den Wert von rc in Abhängigkeit von der zur Aufrechterhaltung des
Blasenwachstums benötigten Übertemperatur AT, das heißt T-Ts, entsprechend der Gibbs-Clapeyron-Gleichung
für Sauerstoff und Fluortrichlormethan, die in Kontakt mit Oberflächen von verschiedener Porengröße
bei einem Wärmestrom von 0,95 W/cm2 sieden. Der Arbeitspunkt eines guten Ebullators liegt in dem Teil
der Kurve A, der niedrigen Werten von <4Tund hohen
Werten von rc entspricht. So wurden für Werkstoffe von
Ebullatoren für Fluortrichlormethan /v-Werte zwischen
ungefähr 0,20 und 0,38 mm gemessen. Die Übertemperatur AT, die derartigen Porenradien entspricht, liegt
unterhalb 0,056 K.
Um jedoch das Gesamtsiedeverhalten zu verbessern, reicht es nicht aus, nur die zur Aufrechterhaltung des
Blasenwachstums erforderliche Übertemperatur zu verringern. Wenn der Siedevorgang durch die Bildung
von Blasen innerhalb der Poren oder Hohlräume einer Oberfläche mit zugeordneter Wärmequelle fortschreitet,
ist, wie gefunden wurde, das in der Gibbs-CIapeyron-Gleichung
auftretende Übertemperatur-4 T, das heißt der Wert T-Ts, nur einer der Widerstände, die
bei dem Gesamtsiedeprozeß eine Rolle spielen. Es tritt ein zweites Δ T an dem Flüssigkeitsfilm in Form des
Temperaturunterschiedes zwischen der Wandtemperatur Tw und der Temperatur T an der Zwischenfläche
zwischen dem überhitzten Dampf und der Flüssigkeit auf; dieses Film-4 Tliegt in Reihe mit dem Übertempe-
AO ratur-AT der Gibbs-Clapeyron-Gleichung. Das Ge-
s&mt-A T zwischen der Wand und dem Dampf ist die
Summe des Übertemperatur-4 Tund des Film-4 T. In der
Kurve B der F i g. 1 ist der Wert von r in Abhängigkeit von diesem GesamWl T aufgetragen. Es wurde überra-
4ί schenderweise gefunden, daß das FWm-AT, das heißt
Tw-T, ansteigt, wenn r anwächst, ein Effekt, der dem
für das Übertemperatur-4 T, das heißt T - Ts, beobachteten
Effekt entgegengesetzt ist Der waagrechte Abstand zwischen den Kurven A und Ader F i g. 1 stellt
dieses Film-id 7*dar.
F i g. 1 läßt also erkennen, daß dann, wenn der äquivalente Porenradius r kleiner wird, das FWm-AT
abnimmt und das Übertemperatur-4 T in der aus der
Gibbs-Clapeyron-Gleichung zu erwartenden Weise weitgehend das Gesamt-4 T bestimmt Nimmt umgekehrt
der äquivalente Porenradius r zu, wird das Übertemperatur-4 T kleiner und bestimmt das Film-4T
vorherrschend das Gesamwl T. Die einander entgegengesetzten
Einflüsse auf das Gesamt-4 Tführen zu einem Umkehrpunkt in der Kurve B entsprechend einem
optimalen Wert von r und einem Kleinstwert des Gesamt-id T.
Für Sauerstoff bei Atmosphärendruck und einem typischen Wert des Wärmestromes Q/A von
b5 035 W/cm2 liegt, wie aus F i g. 1 hervorgeht, der
optimale Wert von r zwischen 5,1 und 50,8 um. Dieser
Bereich stellt auch das Otimum für andere Kryogene, beispielsweise Stickstoff und Methan, dar, da deren
Kelvin-Parameter dem Kelvin-Parameter von Sauerstoff sehr nahe kommen. Für Fluortrichlormethan liegt
der optimale Wert von r, wie F i g. 1 zeigt, zwischen 7,6 und 63,5 μπι. Der Kelvin-Parameter ist näherungsweise
gleich rc (T — Ts), ermittelt durch die oben angegebene
Gibbs-Clapeyron-Gleichung; er unterscheidet sich nur
in der Annahme, daß P/. — fVgleich Pl ist.
Der äquivalente Porenradius r einer porigen Siedeoberflächenschicht
wird sehr einfach und genau dadurch bestimmt, daß das eine Ende der Schicht in eine frei
benetzende Flüssigkeit lotrecht eingetaucht und der kapillare Anstieg der Flüssigkeit entlang der Schichtoberfläche
gemessen wird. Dann gilt r gleich 2 öl ph, wobei ρ die Dichte der Flüssigkeit, in die das Ende der
Schicht eintaucht, in g/cm3, σ die Oberflächenspannung dieser Flüssigkeit in dyn/cm, und Λ der lotrechte
kapillare Anstieg der Flüssigkeit entlang der Schichtoberfläche ist.
Die Verwendung einer frei benetzenden Flüssigkeit zur Bestimmung des äquivalenten Porenradius hat den
Vorteil, daß der Flüssigphasen-Kontaktwinkel Θ, den die Flüssigkeitsoberflächen mit dem Werkstoff der
porigen Schicht bilden, sehr klein ist und die Messung nicht beeinflußt. Wird keine frei benetzende Flüssigkeit
verwendet, muß der Ausdruck 2 al ph dem Ausdruck /-/cos Θ gleichgesetzt und der Kontaktwinkel Θ
berücksichtigt werden. Unter frei benetzender Flüssigkeit sollen vorliegend Flüssigkeiten verstanden werden,
die mit dem Werkstoff, aus dem die porige Schicht aufgebaut ist, einen Kontaktwinkel von weniger als
2O0C bilden. Solche Flüssigkeiten können verwendet
werden, ohne den Einfluß des Kontaktwinkels zu berücksichtigen, weil der auf die Vernachlässigung des
Kontaktwinkels zurückzuführende Fehler unter 5% bleibt.
Beispiele geeigneter Flüssigkeiten, die Aluminium- und Kupferoberflächen (zwei der bevorzugten Werkstoffe
für die Fertigung von porigen Siedeoberflächenschichten) frei benetzen, sind Methanol, Fluortrichlormethan,
Dichlortetrafluoräthan, Aceton, Äthylchlorid, flüssiger Sauerstoff und flüssiger Stickstoff. Die zur
Ermittlung des äquivalenten Porenradius verwendete Flüssigkeit sollte vorzugsweise für öl und Fett ein gutes
Lösungsmittel darstellen, so daß der Einfluß des Vorhandenseins dieser häufig anzutreffender·. Oberflächenveninreinigungen
so klein wie möglich gehalten wird. Reines Wasser stellt keine frei benetzende Flüssigkeit dar, da sein Kontaktwinkel Θ mit einer
Aluminiumoberfläche etwa 66° beträgt.
Der äquivalente Porenradius hängt nicht von den Eigenschaften des Werkstoffs ab, der zum Aufbau der
porigen Schicht benutzt wird. Er bestimmt in qualitativer Hinsicht die geometrischen und größenmäßigen
Eigenschaften der Schicht, erlaubt aber keine Voraussage des quantitativen Verhaltens einer bestimmten
ίο Schicht, da dieses unter anderem von dem Schichtwerkstoff
und der Siedeflüssigkeit abhängt.
Um beispielsweise den äquivalenten Porenradius für die porige Kupferoberfläche gemäß Ziffer 1 der Tabelle
II mit einer maximalen Teilchengröße von 44 μίτι zu
bestimmen, wurde ein schmaler Streifen aus Kupferblech mit darauf aufgebrachter poriger Schicht lotrecht
aufgehängt und mit dem einen Ende in Fluortrichlormethan eingetaucht. Die Flüssigkeit benetzte die Oberfläche
durch Kapillarwirkung bis zu einer Höhe h über dem Flüssigkeitsspiegel von 64,0 mm. Fluortrichlormethan
hat eine Oberflächenspannung von 18,98 dyn/cm und eine Dichte von 1,46 g/cm3. Werden diese Werte in
die Gleichung für den äquivalenten Porenradius eingesetzt, ergibt sich ein Wert für r von 42 μπι.
In Tabelle II, Spalte 2 sind die Werte für den effektiven Porenradius zusammengestellt, die für eine
Anzahl von Oberflächen einschließlich bekannter Ebullatoren sowie für porige Siedeoberflächenschichten
der vorliegend betrachteten Art in frei benetzenden Flüssigkeiten, insbesondere Methanol, Fluortrichlormethan
und Dichlortetrafluoräthan, experimentell bestimmt wurden. Die Spalte 3 der Tabelle II zeigt die
Werte für die Temperaturunterschiede, die bei den verschiedenen Oberflächen erforderlich sind, um
0,95 W/cm2 übergehen zu lassen, wenn Fluortrichlormethan
bei Atmosphärendruck siedet. Da das Verhältnis Q/A konstant auf 0,95 W/cm2 gehalten wird, sind die
einzigen Variablen der Wärmeübergangsgleichung AT und h; diese Variablen sind umgekehrt proportional.
Folglich wird bei einer Verringerung des erforderlichen Δ T um einen Faktor 10 die Wärmeübergangszahl Λ um
einen Faktor 10 erhöht. Die Spalte 3 der Tabelle II gestattet es daher, die Wärmeübergangseigenschaften
der verschiedenen Oberflächen in einer gemeinsamen Flüssigkeit miteinander zu vergleichen.
Oberfläche
Äquivalenter
Porenradius
Porenradius
(am) A T (K) erforderlich
für Q/A = 0,95W/cm2
für Q/A = 0,95W/cm2
Porige Siedeoberflächenschichten
1. Kupfer, maximale Teilchengröße 44 μπι
kugelig, flache Platte
2. Kupfer, Teilchengröße 44 bis 74 μπι <
kugelig, flache Platte
3. Kupfer, maximale Teilchengröße 44 μπι
kugelig, Zylinder
4. Aluminium, Teilchengröße 53 bis 105 μπι
granulär, flache Platte
5. Aluminium, Teilchengröße 250 bis 500 μπι
granulär, flache Platte
0,61
0,89
0,89
0,56
0,94
0,89
0,89
0,56
0,94
Fortsetzung
Nichtmetallischer Ebullator
15. Natriumsilicatebullator
15. Natriumsilicatebullator
♦) Besitzt keine Kapillarität.
Oberfläche | Äquivalenter Porenradius |
AT(K) erforderlich für Q/A = 0,95 W/cm2 |
(um) | ||
6. Kupfer, Teilchengröße 250 bis 300 μηι kugelig, flache Platte |
104 | 0,94 |
7. Kupfer, Teilchengröße 250 bis 500 am kugelig, flache Platte |
86 | 1,22 |
8. Aluminium, Teilchengröße 149 bis 177 μίτι granulär, flache Platte |
76 | 1,39 |
9. Aluminium,Teilchengröße 38 bis420 μΐη granulär, flache Platte |
86 | 1,39 |
11. Kupfer, Teilchengröße 125 bis 149 ij.m kugelig, flache Platte |
< 38 | 1,67 |
Metallische Ebullatoren | ||
10. Zinkwolleebullator | 254-381 | 3,33 |
12. Antimonebullator, granulär | 203 | 4,06 |
Glatte Oberflächen | ||
13. glatte Kupferplatte*) | (nicht porig) | 8,33 |
14. glatte Aluminiumplatte*) | (nicht porig) | 12,5 |
19,44
Eine porige Siedeoberflächenschicht der oben beschriebenen Art sorgt im Betrieb für eine Vielzahl von
untereinander verbundenen, teilweise mit Flüssigkeit gefüllten Kapillaren, die als Keime für das Anwachsen
vieler Blasen der siedenden Flüssigkeit wirken. Wären die Poren nicht miteinander verbunden, hinge ihre
ständige Wirksamkeit als Keime für das Blasenwachstum in kritischer Weise davon ab, daß innerhalb der
Poren eingefangene Luft oder eingefangener Dampf festgehalten wird. Bei gegenseitig verbundenen Poren
kann jedoch in einer Pore gebildeter Dampf eine oder mehrere benachbarte Poren aktivieren, so daß der
Prozeß ohne Unterbrechung weiterläuft und nicht von dem Einschluß von Luft oder Dampf abhängt.
Mindestens einige der Poren innerhalb des Porengefüges dürften auch Flüssigkeit an benachbarte Poren
liefern. Wenn die Blasen anwachsen, treten sie schließlich auf Grund der fortgesetzten Dampferzeugung
innerhalb der Kapillaren aus den miteinander verbundenen Kapillaren aus, lösen sich von der
Oberfläche ab und steigen durch den die porige Siedeschicht bedeckenden Flüssigkeitsfilm hindurch
nach oben. Die Flüssigkeit strömt ständig in die Kapillaren ein und hält die Wände der Kapillaren
benetzt, wodurch es zu einer erhöhten Oberflächenverdampfung
kommt Die hohe Siede-Wärmeübergangszahl ist darauf zurückzuführen, daß die die Grundmetalloberfläche
verlassende Wärme nicht durch eine merkliche Flüssigkeitsschicht hindurchzuwandern
braucht, bevor sie auf eine eine Verdampfung bewirkende Dampf-Flüssigkeits-Grenzschicht trifft
Innerhalb der porigen Schicht wird eine Vielzahl von
Blasen zum Wachsen gebracht, so daß die Wärme zur Erreichung einer Dampf-Flüssigkeits-Grenzschicht nur
eine extrem dünne Flüssigkeitsschicht durchqueren muß, deren Dicke erheblich kleiner als der Durchmesser
der die Schicht umschließenden Pore ist. Die Verdampfung der Flüssigkeit findet vollständig innerhalb der
Poren statt; es ist praktisch keine Überhitzung der Masse der Flüssigkeit erforderlich; eine solche Überhitzung
kann auch nicht auftreten.
Das oben beschriebene Betriebsverhalten einer porigen Schicht ist nicht nur auf die größere Oberfläche
zurückzuführen, wie sie zum Beispiel auch durch mechanische Aufrauhung erreicht wird. Um dies
nachzuweisen, wurde eine porige Schicht eingetaucht, die mit einem Kupferblock verbunden war, in den
so Heizschlangen eingebettet waren, um flüssigen Sauerstoff bei Atmosphärendruck zum Sieden zu bringen. Bei
sehr niedrigen Wärmeströmen, die nicht ausreichen, um die Poren mit Dampf zu aktivieren, waren die
Siede-Wärmeübergangszahl und die wahrzunehmenden Blasenpunkte sehr ähnlich wie bei einem Kupferblock
mit glatter Oberfläche. Bei höheren Wärmeströmen, die zu einer Dampfaktivierung der Poren führten, wurden
dagegen extrem hohe Siede-Wärmeübergangszahlen erreicht, die sich unmöglich mit dem glatten Block oder
mit einem Block erzielen lassen, der sorgfältig mechanisch aufgerauhte Oberflächen besitzt Die
folgenden Versuchsergebnisse in siedendem flüssigen Sauerstoff und Fluortrichlormethan veranschaulichen
die Wirkung von porigen Schichten bei drei Temperaturdifferenzen und bei Wärmeströmen, die ausreichend
groß sind, um für eine Dampfaktivierung der Poren zu sorgen.
Flache Plattenoberfläche mit poriger Siedeschicht
Äquivalenter Porenradius
(am)
Wärmestrom*)
Q/A
Q/A
(W/cm3)
Wärmeübergangszahl
(W/cm2K)
Siedeversuche mit Fluortrichlormethan
1. Kupfer 42 maximale Teilchengröße 44 μτη
kugelig
kugelig
2. Kupfer < 38 Teilchengröße 44 bis 74 μΐη
kugelig, flache Platte
6. Kupfer 104 Teilchengröße
250 bis 300 μηι
kugelig, flache Platte
kugelig, flache Platte
7. Kupfer 86 Teilchengröße
250 bis 500 μηι
kugelig, flache Platte
kugelig, flache Platte
8. Aluminium 76 Teilchengröße
149 bis 177 μΐη
granulär, flache Platte
granulär, flache Platte
9. Aluminium 86 Teilchengröße
38 bis 420 μηι
granulär, flache Platte
granulär, flache Platte
11. Kupfer 38
Teilchengröße
125 bis 149 μπι
kugelig, flache Platte
125 bis 149 μπι
kugelig, flache Platte
Siedeversuche mit Sauerstoff
3. Kupfer 42 maximale Teilchengröße 44μΐτι
kugelig, Zylinder
4. Aluminii'T) 44
Teilchengröße
53 bis 105 μπι
granulär, flache Platte
granulär, flache Platte
5. Aluminium 70 Teilchengröße
250 bis 500 μΐη
granulär, flache Platte
granulär, flache Platte
0,56 0,83 1,11 |
3,94 | 4,71 |
0,56 0,83 1,11 |
6,31 | 5,68 |
1,11 1,39 1,67 |
1,17 1,74 2,30 |
1,08 1,25 1,36 |
1,11 1,39 1,67 |
1,23 1,74 |
0,91 1,02 |
1,11 1,39 1,67 |
0,95 1,39 |
0,68 0,85 |
1,11 1,39 1,67 |
0,95 1,26 |
0,68 0,74 |
1,11 1,39 1,67 |
0,95 | 0,57 |
0,56 0,83 1,11 |
2,30 3,94 5,68 |
4,15 4.71 5,11 |
0,56 0,83 1,11 |
0,95 1,83 2,87 |
1,70 2.21 2,61 |
!,!! 1,39 1,67 |
1,26 1,80 2,43 |
1 1 Λ 1,48 |
*) Wo Werte weggelassen sind, liegt der Wärmestrom Q/A außerhalb des in Fig. 2 wiedergegebenen Bereiches von 0,95 bis
6,31 W/cm2.
Fig.2 zeigt die Daten der Tabelle III in Form eines
Diagramms mit dem Wärmestrom als Ordinate und der Temperaturdifferenz Δ Τ als Abszisse. Gleiche Oberflächen
sind in der Tabelle II, der Tabelle III und F i g. 2 mit gleichen Kennziffern versehen. Ein Vergleich der
einzelnen Geraden für porige Schichten, die aus Teilchen unterschiedlicher Größe gefertigt sind, zeigt
weitgehende Unterschiede hinsichtlich des Betriebsverhaltens. Der Vergleich kann beispielsweise auf dem
Wert von Δ Tbei gleichem Wärmestrom beruhen, wobei die wirksamste Oberfläche das kleinste Δ Τ erfordert,
während die Oberfläche mit geringstem Wirkungsgrad den größten Δ T-Wert verlangt (die Temperaturdifferenz
kann unmittelbar in den Energiebedarf umgesetzt werden).
Die zum Aufbau der porigen Schicht verwendeten
b5 Metallteilchen können unterschiedliche Teilchengrößen
besitzen. Ein größerer Anteil der Teilchen soll jedoch durch ein Sieb mit einer Maschenweite von 105 μίτι
hindurchgehen, um Poren hinreichend kleiner Abmes-
sung zu erhalten, die bei niedrigem Λ Τ aktiv werden.
Gemäß Fig.2 wird ausgehend von den glatten
Oberflächen Nr. 13 unc 14 eine Verringerung der Übertemperatur mit typischen Ebullatoren erzielt, wie
dies aus den Geraden Nr. 10 und 12 erfolgt. Eine weitere Verbesserung wird durch porige Siedeoberflächenschichten
erhalten, die verhältnismäßig große äquivalente Porenradien zwischen 64 und 102 um besitzen
(vergleiche die Kurven Nr. 5,6,7,8 und 9, die Schichten
aus Teilchen mit einer Größe von 250 bis 500 μπι, 250 bis
300 μητ, 250 bis 500 μπι, 149 bis 177 μπι bzw. 38 bis
420 μπι darstellen). Hervorragende Ergebnisse werden mit porigen Siedeschichten mit kleinen äquivalenten
Porenradien, das heißt zwischen 2,5 und 3,5 μπι, erzielt,
was aus den Kurven Nr. 1, 2, 3 und 4 hervorgeht, die Oberflächen mit Teilchen einer maximalen Größe von
44 μπι, 44 bis 74 μπι, 44 μπι bzw. 53 bis 105 μπι
darstellen. Um optimale Ergebnisse zu erhalten, sollten infolgedessen die zum Aufbau der porigen Schicht
benutzten Teilchen eine Teilchengröße zwischen 38 und 105 μπι haben, war bedeutet, daß im wesentlichen
sämtliche Metallteilchen durch ein Sieb mit einer Maschenweite von 105 μπι hindurchgehen und von
einem Sieb mit einer Maschenweite von 38 μπι zurückgehalten werden. Pulver, die zur Herstellung
dieser bevorzugten Oberflächen verwendet werden, können kleinere Prozentsätze an Teilchen enthalten, die
gröber oder feiner als der bevorzugte Bereich von 38 bis 105 μπι sind. Versuche lassen erkennen, daß derartige
Teilchen in kleinen Mengen, zum Beispiel 10 Gew.-%, unabhängig davon, ob sie größer oder kleiner als die
Teilchen des bevorzugten Bereiches sind, das Betriebsverhalten weder verbessern noch verschlechtern.
Während im allgemeinen kleinere Teilchen zu porigen Schichten mit kleineren äquivalenten Radien
führen, besteht zwischen diesen beiden Parametern keine unmittelbare Beziehung. Dies ist zum Teil darauf
zurückzuführen, daß die zur Herstellung einer bestimmten porigen Schicht benutzten Einzelteilchen weder
notwendigerweise die gleiche Gestalt besitzen, noch unbedingt die gleiche Gestalt wie zur Herstellung
anderer poriger Schichten benutzte Teilchen mit unterschiedlicher Teilchengröße haben. Außerdem
werden die Teilchen ungeordnet auf die wärmeleitende Wand aufgebracht und können die Größen der
interstitiellen, miteinander verbundenen Poren erheblich schwanken. Die Teilchengestalt beeinflußt die
Porengröße, da beispielsweise Kugeln eine dichtere Packung als Teilchen mit unregelmäßiger Form haben
und zu kleineren Hohlräumen führen. Die unzähligen Variationen, die diese Faktoren zulassen, machen es
praktisch unmöglich, für alle geeigneten Pulver eine gemeinsame Vorschrift anzugeben. Demgegenüber
bildet der äquivalente Porenradius, der durch Routineversuche an Proben der fertigen porigen Schicht in der
oben beschriebenen Weise bestimmt wird, eine Möglichkeit zu einer genauen Identifikation.
Allgemein ist jeder metallische Werkstoff für die Herstellung der porigen Schicht geeignet, vorausgesetzt,
daß er gute Wärmeleitfähigkeit hat, als feines Pulver zur Verfügung steht, die Metallteilchen untereinander
und mit dem Grundmetall eine Bindung eingehen können und der Werkstoff durch die zu siedende
Flüssigkeit leicht benetzt wird. Die für die Fertigung der porigen Schicht verwendeten Pulverteilchen sind
vorzugsweise entweder granulär oder kugelig. Geometrische Überlegungen deuten darauf hin, daß solche
Teilchen sind, wenn es darum geht, eine große Anzahl
von Poren ungefähr gleicher Größe zu erzeugen. Sehi dünne Flocken sind weniger geeignet, da sie als diskrete
Teilchen nur schwierig miteinander verbunden werden können und ihre extrem große Oberfläche eine
gründliche Reinigung des Pulvers erschwert
Unter anderem wurden als Werkstoff für porige Siedeoberflächenschichten Nickel und Kupfer aul
einem Kupfergrundwerkstoff unter identischen Bedingungen geprüft Die Wärmeübergangszahl für Kupferauf-Kupfer
ist ungefähr dreimal so groß wie die Wärmeübergangszahl der Kombination Nickel-auf-Kupfer,
was wegen der größeren Wärmeieitfähigkeil von Kupfer zu erwarten ist Kupfer hat auch gewisse
Vorteile gegenüber Aluminium; die Leitfähigkeiten dieser Metalle liegen bei 388 bzw. 203W/(mK). Ir
korrodierenden Umgebungen können gegen chemische Angriffe widerstandsfähige Legierungen, beispielsweise
rostfreier Stahl, benutzt werden.
Die Dicke der poriger. Schicht kann ohne wesentliche Beeinträchtigung um einen Faktor von mindestens IC
variieren und wird durch die physikalischen Eigenschaften der Siedeflüssi'-keit nur wenig beeinflußt. Die Dicke
sollte über dem mittleren Teilchendurchmesser liegen und vorzugsweise mindestens den doppelten Wert des
mittleren Teilchendurchmessers haben. Bei feinen Teilchen, beispielsweise Teilchengrößen von 44 μπι
bestimmen die Gleichförmigkeit und der Zusammenhang des Überzuges im allgemeinen die aufzubringende
minimale Dicke. In der Praxis liegt die minimale Dicke bei ungefähr 100 μπι.
Die maximale Dicke, die ohne nachteilige Wirkungen verwendet werden kann, wird funktionsmäßig nur durch
die Kapillarität der Schicht und die Fähigkeit der Schicht bestimmt, den beim Sieden erzeugten Dampf
abzugeben. Im Betrieb sollte die Schicht in der Lage sein, die Flüssigkeit durch die volle Dicke der Schicht
hindurch bis zum Grundwerkstoff zu ziehen, so daß die Oberfläche vollständig benetzt wird, während gleichzeitig
der Dampf aus den Poren abgegeben wird und sich von den Poren löst. Hervorragende Ergebnisse wurden
mit verhältnismäßig dicken Schichten erzielt. Beispielsweise ist die porige Schicht des Beispiels 3 der Tabelle II
und der F i g. 2 ungefähr 400 bis 500 μΐη dick.
Eine solche Schicht kann beispielsweise dadurch hergestellt werden, daß Teilchen aus wärmeleitendem
Metall, beispielsweise Kupfer, mit einer Größe von 38 bis 149 μίτι auf die Wand aufgesintert werden, die die
Wärme für die Siedeflüssigkeit liefert. Die Teilchen werden in solcher Menge aufgebracht, daß eine porige
Schicht mit einer Dicke von ungefähr 430 μΐη entsteht.
Die Zwischen- oder Hohlräume zwischen den Teilchen sollten im wesentlichen frei von massivem Werkstoff
und innerhalb der Schicht miteinander verbunden sein Die Größe der auf diese Weise gebildeten, miteinander
verbundenen Poren schwankt in weiten Grenzen. Viele Poren liegen, wie mikroskopisch ermittelt wurde, in
einem Durchmesserbereich von 15 bis 76 μπι. Pro
Flächeneinheit der Oberfläche ist eine große Anzahl
bo von Poren vorhanden.
Zur Erzeugung der porigen Schicht auf einem metallischen Grundwerkstoff können verschiedene
Verfahren eingesetzt werden. Vorzugsweise wird ein Bindemittel, beispielsweise ein Kunststoff, verwendel
das auf der Oberfläche des Grundwerkstoffes einen gleichförmigen Überzug bildet und das sich während
der Aufheizung und des Sinterprozesses zersetzt unc
- - — ·» J -* ■ ι ι ■ ι Γ* IT*·* «*»**#η*λ*ι«**4 -r* ^ I^ * i«^r4f*4f%rf *c** ti *% air
vci ιιαιιιμιι. l-πι gctiguti^i i\u>iowiwn *&%. «. u. w»
t5
Isobutylpolymer mit einem Molekulargewicht von
ungefähr 140 000, das im Handel unter der Bezeichnung »Vistanex« (Wz) erhältlich ist
Das Kunststoffbindemitte1 wird in einem Lösungsmittel, beispielsweise Kerosin oder Tetrachlorkohlenstoff,
gelöst Es wird eine ausreichende Menge an Metallpulver zugesetzt um einen gleichförmigen, viskosen Brei
mit einem Metall-Kunststoff-Gewichtsverhältnis von ungefähr 92:1 zu erhalten. Die Oberfläche des
Grundwerkstoffes muß frei von Fett, öl und Oxydschichten sein, um für eine einwandfreie Bindung des
porigen Überzuges zu sorgen. Unmittelbar bevor der Brei aufgetragen wird, kann die Oberfläche mit der
Kunststofflösung gespült werden, um die Benetzung durch den Brei zu erleichtern, wodurch eine gleichmäßigere Verteilung sichergestellt wird. Das Aufbringen
eines breiigen Oberzuges auf das Grundmetall kann in verschiedenartiger Weise, z. B. durch Sprühen oder
Tauchen erfolgen.
Der Überzug wird entweder während oder nach dem Aufbringen luftgetrocknet. Der Großteil des Lösungsmittels wird auf diese Weise durch Verdampfen
entfernt. Es verbleibt eine feste, selbsttragende Schicht, die durch das Bindemittel an Ort und Stelle gehalten
wird. Sodann werden das Grundmetall und der Überzug mit einer leicht reduzierenden Atmosphäre abgedeckt.
Die Temperatur wird für eine Zeitspanne erhöht, die ausreicht, um die Teilchen miteinander und mit dem
Grundmetall zu sintern. Das umlaufende reduzierende Gas beseitigt den dünnen Oxydfilm und spült außerdem
Zersetzungsprodukte weg. Im Falle von Kupfer wird der Überzug bei ungefähr 100 K unterhalb des
Schmelzpunktes oder ungefähr 960° C gesintert.
Es ist auch möglich, nur das Bindemittel und das Lösungsmittel auf die Oberfläche aufzutragen und das
Metallpulver dann in trockener Form auf den klebrigen Überzug aufzustäuben. Dies hat den Vorteil, daß das
Lösungsmittel verdampft werden kann, bevor die Metallteilchen aufgebracht werden, und daß der
Kunststoff weniger fließfähig ist. Bei sorgfältigem Aufstäuben kann eine sehr gleichförmige Schicht
erhalten werden, die eine verringerte Neigung zum Laufen oder Absacken hat. Die Überzugs- und
Aufstäubvorgänge können wiederholt werden, um verhältnismäßig dicke Schichten aus dünnen Teilschichten
aufzubauen. Dieses Vorgehen eignet sich für die Herstellung von porigen Schichten auf der Außenwand
von Wärmeaustauscherrohren. Der Kunststoffüberzug läßt sich durch Aufsprühen oder Aufbürsten leicht
aufbringen. Das Pulver läßt man zweckmäßigerweise von einem über der Trägerfläche angeordneten Sieb
herunterfallen. Statt dessen kann das mit Kunststoff überzogene Rohr auch in dem Metallpulver gewälzt und
dann aufgestampft werden, um überschüssige Teilchen abzulösen, die nicht fest anhaften.
Ein anderes geeignetes Bindemittel ist ein im Handel unter dem Namen »Methocel« (Wz) bekanntes Methylcellulosepolyrner
mit einer Viskosität von 4000 cP. Vorzugsweise werden 32 g Kupferpulver in 100 cm3
einer 2%igen wäßrigen Lösung des Polymers eingemischt. Der auf das Grundmetall aufgebrachte Überzug
wird an Luft bei normalen Temperaturen (unterhalb des Siedepunktes von Wasser) vorgetrocknet, anschließend
bei ungefähr 400°C im Ofen in einer Atmosphäre von mit Wasser gesättigtem Glühgas weiter getrocknet und
dann gesintert.
Ein anderes brauchbares Kunststoffbindemittel ist Polystyrol, das ein Molekulargewicht von uneefähr
90 000 hat und in Toluol oder Xylol löslich ist
Das Bindemittel hat die Aufgabe, die Verteilung zu erleichtern und das Pulver zwischenzeitig an Ort und
Stelle zu halten, bis eine dauerhafte thermische Bindung erzielt ist Wenn es die Oberflächenausbildung erlaubt
kann das Pulver jedoch auch ohne Bindemittel aufgebracht und in trockener Form gesintert werden.
Die porige Schicht kann beispielsweise auf die Innenwand von Wärmeaustauscherrohren aufgebracht
ίο werden. Dabei wird vorteilhaft zunächst das Pulver/Bindemittel-Gemisch innerhalb des Rohres über dessen
Länge verteilt und das Rohr dann um seine Achse mit einer Drehzahl gedreht, die ausreicht um einen glatten
Überzug entstehen zu lassen. Als zweckmäßig erwies sich zum Beispiel eine Drehzahl von 200 u/min. Der
Überzug wird während des Drehvorganges luftgetrocknet und dann unter den oben beschriebenen Bedingungen im Ofen gesintert. Um insbesondere flache oder
gewellte Flächen und zylindrische Außenflächen zu beschichten wird zweckmäßig ein Brei aus Metallpulver
und Kunststoffbindemittel mit einem Trichter aus auf die Außenfläche einer polierten Walze in gleichförmiger
Schicht aufgebracht. Während die Walze langsam rotiert, erhärtet der Kunststoffilm durch Verdampfung
des Lösungsmittels. Der Kunststoffilm wird von der Walze in Form einer Kunststoffolie mit eingebettetem
Metallpulver ständig abgezogen und mit der Oberfläche eines Metallbleches in Kontakt gebracht, das in den
Ofen eingeführt wird, wo der Kunststoff verdampft und
3(> das Metallpulver auf das Blech aufgesintert wird.
Die wärmeleitende Wand eignet sich für Wärmeaustauscher, bei denen mindestens zwei Kanäle über die
Wand einander derart thermisch zugeordnet sind, daß die zu siedende Flüssigkeit durch einen ersten Kanal und
ein wärmeres, fließfähiges Medium durch den zweiten Kanal hindurchströmt. Dabei bildet das wärmere
fließfähige Medium die Wärmequelle, während die wärmeleitende Wand Wärme von dem wärmeren
fließfähigen Medium aufnimmt. Die porige Schicht ist Teil des ersten Kanals. Dynamische Wärmeaustauscher,
für die sich die beschriebene Wand eignet, sind unter anderem Platten-Wärmeaustauscher, bei denen mehrere
parallele, in Abstand voneinander angeordnete Trennbleche in einem Kernabschnitt untergebracht
■45 sind, wobei zweckentsprechende Sammlerstücke und
Sammelleitungen für die Ströme der fließfähigen Medien vorhanden sind. Der Wärmeaustauscher kann
auch ein Mantel/Rohr-Wärmeaustauscher sein, bei dem ein oder mehrere Rohre innerhalb eines Mantels derart
untergebracht sind, daß die Rohre einen ersten Kanal und der umgebende Mantel einen zweiten Kanal bilden.
Die porige Schicht wird auf die eine Seite der Rohrwand aufgebracht, so daß sie mit der Siedeflüssigkeit in
Kontakt steht. Die Wand läßt sich auch bei Beckensiedewärmeaustauschern
vorsehen, bei denen die eine Seite der Wand mit einem wärmeren fließfähigen Medium oder einer elektrischen, kerntechnischen oder
anderen Feststoff-Würmequelle in Kontakt steht. Die porige Schicht wird mit der zu siedenden Flüssigkeit
ho bedeckt; der entstehende Dampf wird von der porigen
Schicht freigegeben und gelangt durch das Flüssigkeitsbad hindurch in den darüberliegenden Gasraum.
Die porige Schicht kann ferner auf die Innenwände eines Rohrbündels aufgebracht sein, das in einem
Mantel lotrecht angeordnet ist. Die kühlere Flüssigkeil in den Rohren wird durch das wärmere fließfähige
Medium innerhalb des Mantels, das mit der Rohraußenfläche in Kontakt kommt, aufgeheizt und zurr. Sieden
gebracht Die Flüssigkeit siedet mit einem Perkolationseffekt,
wobei die aus der porigen Schicht aufsteigenden Dampfblasen den verhältnismäßig dünnen Flüssigkeitsfilm durchqueren, der die porige Schicht vollständig
bedeckt Der aufsteigende Dampf, der Flüssigkeitsteilchen mit sich führt, wird von dem oberen Ende der
Rohre aus abgeleitet
Bei der Anwendung der wärmeleitenden Wand braucht die zu siedende Flüssigkeit nur einen dünnen
Film über der porigen Schicht zu bilden; es kommt lediglich darauf an, daß diese Schicht vollständig
bedeckt ist Bei anderen Ausführungsformen taucht die porige Schicht in ein verhältnismäßig tiefes Flüssigkeitsbad
ein. Die wärmeleitende Wand kann jeden beliebigen Winkel zwischen einer waagrechten Lage und einer
lotrechten Lage einnehmen. Bei einer schrägen oder lotrechten Anordnung kann die zu siedende Flüssigkeit
in der oben beschriebenen Weise am unteren Ende eingeführt werden; statt dessen ist es aber auch möglich,
die Flüssigkeit am oberen Ende aufzugeben, so daß sie nach unten strömt
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Wärmeleitende Wand für einen Wärmeaustauscher zum Sieden von Flüssigkeiten mit einem
Kelvin-Parameter von weniger als 0,0014 cmK, deren eine Seite mit einer Wärmequelle in
Berührung steht und deren andere Seite eine porige Schicht trägt, die von der Siedeflüssigkeit bedeckt ist
und die Blasenbildung unterstützende Keimstellen bildet, dadurch gekennzeichne:, daß die
porige Schicht aus diskreten Teilchen hoher Wärmeleitfähigkeit aufgebaut ist, daß die überwiegende
Menge der Teilchen eine Teilchengröße zwischen 38 und 105 μηι hat, daß die Teilchen in
wahlloser Schichtung untereinander und mit der Wand unter Bildung eines gleichförmigen Gefüges
verbunden sind, das miteinander in Verbindung stehende Poren aufweist, daß der äquivalente
Porenradiusi zwischen 2,5 und 63 μπι liegt und daß
die Dicke der porigen Schicht mindestens gleich dem Wert der mittleren Teilchengröße, jedoch so klein
ist, daß im Betrieb Flüssigkeit mittels Kapillarwirkung durch die porige Schicht hindurch bis zu der
wärmeleitenden Wand gelangt.
2. Wärmeleitende Wand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der porigen
Schicht mindestens gleich dem doppelten Wert des mittleren Teilchendurchmessers ist.
3. Wärmeleitende Wand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen kugelig
oder granulär ausgebildet sind.
4. Wärmeleitende Wand nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei
Anwendung der wärmeleitenden Wand für das Sieden von Monofluortrichlormethan der äquivalente
Porenraclius zwischen 7,6 und 63 μΐη beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73032368A | 1968-05-20 | 1968-05-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1919555A1 DE1919555A1 (de) | 1970-01-08 |
DE1919555B2 true DE1919555B2 (de) | 1979-10-04 |
DE1919555C3 DE1919555C3 (de) | 1980-06-12 |
Family
ID=24934851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691919555 Expired DE1919555C3 (de) | 1968-05-20 | 1969-04-17 | Wärmeleitende Wand für einen Wärmeaustauscher |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4947350B1 (de) |
AT (1) | AT290473B (de) |
BE (1) | BE733274A (de) |
CA (1) | CA923389A (de) |
CH (1) | CH512048A (de) |
DE (1) | DE1919555C3 (de) |
DK (1) | DK143422C (de) |
FR (1) | FR2008933B1 (de) |
GB (1) | GB1256300A (de) |
LU (1) | LU58682A1 (de) |
NL (1) | NL6907627A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4154294A (en) * | 1976-09-09 | 1979-05-15 | Union Carbide Corporation | Enhanced condensation heat transfer device and method |
CN112555784B (zh) * | 2020-10-27 | 2022-09-13 | 广西大学 | 一种用于强化大功率led灯散热器效率的传热工作介质 |
-
1969
- 1969-01-29 CA CA041411A patent/CA923389A/en not_active Expired
- 1969-04-17 DE DE19691919555 patent/DE1919555C3/de not_active Expired
- 1969-04-23 AT AT394569A patent/AT290473B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-05-16 GB GB2505569A patent/GB1256300A/en not_active Expired
- 1969-05-19 DK DK268669A patent/DK143422C/da not_active IP Right Cessation
- 1969-05-19 BE BE733274D patent/BE733274A/xx not_active IP Right Cessation
- 1969-05-19 NL NL6907627A patent/NL6907627A/xx unknown
- 1969-05-20 LU LU58682D patent/LU58682A1/xx unknown
- 1969-05-20 JP JP3848669A patent/JPS4947350B1/ja active Pending
- 1969-05-20 FR FR6916351A patent/FR2008933B1/fr not_active Expired
- 1969-05-20 CH CH771469A patent/CH512048A/fr not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1919555A1 (de) | 1970-01-08 |
BE733274A (de) | 1969-11-19 |
LU58682A1 (de) | 1970-01-13 |
CA923389A (en) | 1973-03-27 |
DE1919555C3 (de) | 1980-06-12 |
CH512048A (fr) | 1971-08-31 |
FR2008933A1 (de) | 1970-01-30 |
FR2008933B1 (de) | 1973-05-25 |
DK143422C (da) | 1981-12-21 |
DK143422B (da) | 1981-08-17 |
JPS4947350B1 (de) | 1974-12-14 |
GB1256300A (en) | 1971-12-08 |
AT290473B (de) | 1971-06-11 |
NL6907627A (de) | 1969-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2900453C2 (de) | Rippenrohr und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2511842C2 (de) | Verwendung einer porösen Wärmeübertragungszwischenschicht auf der Wandseite eines Wärmetauschers | |
DE2603362B2 (de) | Heizflächen von Wärmeaustauschern für Flüssigkeiten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE112019003618T5 (de) | Wärmerohre umfassend dochtstrukturen mit variabler durchlässigkeit | |
DE2637370A1 (de) | Sonnenwaermekollektorflaeche | |
DE3612760A1 (de) | Waermetauscheinheit mit wasserstoffadsorbierender legierung | |
DE3828348A1 (de) | Vorrichtung zur waermeuebertragung | |
US4136428A (en) | Method for producing improved heat transfer surface | |
DE60126282T2 (de) | Adsorptionskältevorrichtung | |
DE3433984A1 (de) | Waermerohr aus aluminium oder stahl | |
DE2740397C3 (de) | Wärmeaustauscherwand | |
DE1919555C3 (de) | Wärmeleitende Wand für einen Wärmeaustauscher | |
EP1836433B1 (de) | Wärmestrahlungsschutzschirm für vakuum - und schutzgasöfen | |
DE1919556C3 (de) | Wärmeleitende Wand für einen Wärmeaustauscher | |
DE2740396B2 (de) | Wärmeaustauscherrohr | |
US4136427A (en) | Method for producing improved heat transfer surface | |
DE1942392C3 (de) | Herstellen einer porösen Masse aus verbundenen Metallteilchen | |
DE2551751A1 (de) | Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben | |
DE102006023882B4 (de) | Wärmeübertragungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Wärmeübertragungsvorrichtung | |
WO2001007858A1 (de) | Wärmetauscher | |
DE2720078C2 (de) | Verfahren zur Vergrößerung der wärmeaustauschenden Fläche von Graphitelementen in einem Wärmeaustauscher | |
DE2900430C3 (de) | Metallisches Wärmeaustauscherelement und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE10160759B4 (de) | Temperiereinrichtung für den Kochbereich | |
DE2852726C2 (de) | Metallisches Wärmeaustauscherelement und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE69105419T2 (de) | Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |