DE1905058B2 - Vorrichtung fuer die beschichtung von werkstuecken durch hochfrequenzplasmazerstaeubung von werkstoffen im vakuum - Google Patents
Vorrichtung fuer die beschichtung von werkstuecken durch hochfrequenzplasmazerstaeubung von werkstoffen im vakuumInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Beschichten von Werkstücken mit einem Metall,
einer Metallegierung oder einer Metallverbindung im Vakuum.
Aus der französischen Patentschrift 1 502 647 ist das Beschichten von Werkstücken mit einem Metall,
einer Metallegierung oder einer Metallverbindung in einer Kammer bekannt. In dieser Kammer wird während
der Beschichtung ein Druck von weniger als 10-'mm Hg aufrechterhalten. Die Kammer enthält
eine Spule, die mit einem Hochfrequenzgenerator verbunden ist. Die Spule besteht wenigstens an ihrer
Oberfläche aus einem Werkstoff, der durch eine Hochfrequenz-Plasmaentladung zerstäubt wird. Der
zerstäubte Werkstoff wird dann auf dem Gut niedergeschlagen. In der Kammer wird eine Atmosphäre
aus inertem Gas aufrechterhalten, wenn der zerstäubte Werkstoff selbst auf dem Gut niedergeschlagen
werden soll, oder es wird eine Atmosphäre aus einem reaktiven Gas oder einem Gasgemisch aus
reaktivem unnd inertem Gas aufrechterhalten, wenn eine Verbindung des zerstäubten Werkstoffes auf
dem Gut niedergeschlagen werden soll. Zerstäubt werfen durch Hochfrequenz-Plasmaentladung im
wesentlichen Metalle und Metallegierungen.
Es ist aus der vorgenannten Patentschrift bekannt, die Menge an zerstäubtem Werkstoff pro Minute und
damit auch die Beschichtungsgeschwindigkeit dadurch zu erhöhen, daß man die Zahl der Windungen
der Spule, deren Oberfläche zerstäubt wird, erhöht oder daß man die Hochfrequenz-Plasmazerstäubung
einem bekannten üblichen Kathodenzerstäubungsvorgang überlagert. Im letzteren Fall wird zwischen der
die Spule enthaltenden BeschichtungsV-ammer und
der Spule ein starkes Gleichspannungsfeld angelee' Diese bekannten Lösungen erwiesen sich zwar a:
brauchbar, jedoch lassen sich damit nicht sehr höh Beschicntungsgeschwindigkeiten erzielen, wie sie 1?
vielen Fällen in der Praxis gewünscht werden.
Versuche haben folgendes ergeben:
Die Abscheidungsgeschwindigkeit bei einer V01-richtung
entsprechend der französischen Patentschrift 1 502 647 für Mo und einen Abstand zwischen End
querschnitt der Spule unö Substrat von 5 cm betrag; bei einer Hochfrequenzleistung von 2 kW und
Argon als Zerstäubungsgas (Druck 5-K)-2Torr»
0,25 um/Min.
Die Abscheidungsgeschwindigkeit bei einer Vorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung,
bei gleicher Leistung, gleichem Abstand, wiederum Mo als Werkstoff und Argon als Zerstäubungsgas
(Druck im Zerstäubungsraum 5 · K)-2 Torr), Magnetfeld 150 oe parallel zur Spulenachse, beträgt
0,4μΐη/Μΐη.
Außer der höheren Zerstäubungsrate ist bei einer Ano»dnung nach der vorliegenden Erfindung von
Vorteil, daß der Druck im Kondensationsraum auf iO":>Torr und darunter herabgesetzt werden kann.
Dadurch wird die Zahl der Zusammenstöße zwischen Restgas und Metalldampfatomen und die Auftreffrate
von Restgasmolekülen auf das Substrat erheblich verringert. Das führt zu duktileren Schichten mit
besseren optischen und elektrischen Eigenschaften.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die es gestattet, die Beschichtungsgeschwindigkeit
mit möglichst einfachen Mitteln optimal dem jeweiligen Anwendungsfall anzupassen.
Gelöst wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung zum Beschichten von Werkstücken mit einem
Metdll, einer Metallegierung oder einer Metallverbindung im Vakuum, in einer ein inertes und/oder
reaktives Gas enthaltenden Kammer durch Plasmazerstäubung der Oberfläche einer in der Kammer
angeordneten, mit einem Hochfrequenzgenerator verbundenen Spule und Niederschlagen der abgestäubten
Teilchen oder ihrer Reaktionsprodukte auf dem Werkstück, erfindungsgemäß dadurch, daß in
der Kammer Magnete zum Erzeugen eines Feldes mit zur Achse der Spule annähernd parallelen Feldlinien
angeordnet sind.
Besonders bewährt hat sich, daß die Spule in einem innerhalb der Kammer befindlichen Gehäuse
angeordnet ist und dieses Gehäuse durch Einführen eines inerten und/oder reaktiven Gases einen höheren
Druck als der die Werkstücke enhaltende Raum der Kammer aufweist.
Es ist besonders vorteilhaft, in dem innerhalb der Kammer befindlichen Gehäuse, in welchem die zu zerstäubende
Spule angeordnet ist, einen höheren Druck aufrechtzuerhalten als in dem Kammerraum, in welchem
das Werkstück angeordnet ist. Beispielsweise wird in dem Gehäuse ein Druck von etwa
10"1ITIm Hg aufrechterhalten und in dem Kammerraum,
in welchem das zu beschichtende Werkstück angeordnet ist, ein Druck von etwa 10~4 mm Hg.
Die in dem Gehäuse auf der den Werkstücken zugewandten Seite angebrachte öffnung zum Durchtritt
der von der Spulenoberfläche abgestäubten Teilchen besitzt etwa die Größe des Innendurchmessers
der zu zerstäubenden Spule. Die Ebene der öffnung stein praktisch senkrecht auf der Achse der zu zerstäubenden
Spuk. Die die öffnung enthaltende Wand des die zu zerstäubende Spule enthaltenden Gehäuses
wird vorteilhafterweise aus einem solchen Werkstoff hergestellt, welcher das in den. von der Spule
umschlossenen Raum erzeugte Hochfrequenzfeld nicht wesentlich schwächt. Als besonders geeignet
hat sich hierfür eine mit einer Öffnung versehene Kupferplatte erwiesen, welche vorzugsweise gekühlt
ist. in den von der zu zerstäubenden Spule umschlossenen Raum wird von dem zu beschichtenden
Werkstück abgekehrten Ende der Spuie her ein inertes und/oder reaktives Gas eingeleitet. Durch die erfindungsgemäße
Ausbildung der Vorrichtung wird die Ionendichte in dem von der zu zerstäubenden Spule umschlossenen Raum erhöht, woraus eine Erhöhung
der Zerstäubungsrate und damit der Beschichtungsgeschwindigkeit resultiert. Durch die Anordnung
der Spule in einem Raum, in welchem gegenüber dem Beschichtungsraum ein wesentlich erhöhter
Druck aufrechterhalten wird, kann die kinetische Energie der abgestäubten Teilchen voll ausgenutzt
werden. Unerwünschte Gasentladungen, wie sie beispielsweise bei der bekannten Vorrichtung
durch Überlagern einer üblichen Kathodenzerstäubung auftreten können, sind bei der erfindungsgemäßen
Vorrichtung ausgeschlossen.
In der Figur ist schematisch ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt,
welche sich besonders bewährt hat.
In der Kammer 1 ist das zu beschichtende Werkstück 2 und die Spule 3 angeordnet. Die Spule, von
deren Oberfläche Teilchen durch Hochfrequenz-Plasmaentladung abgestäubt werden sollen, ist mit
dem Hochfrequenzgenerator 4 verbunden. Die Kammer 1 wird während der Beschichtung des Werkstücks
2 mittels des Vakuum-Pumpenaggregats 5 auf einem Druck von etwa 10~4mm Hg gehalten. Die
zu zerstäubende Spule 3 is,* innerhalb des Gehäuses 6
angeordnet. Dieses Gehäuse weist von der Spule in Richtung Werkstück gesehen eine öffnung 7 auf zum
Durchtritt der von der Spule abgestäubten Teilchen oder ihrer Reaktionsprodukte. Das Gehäuse 6, insbesondere
aber die dem zu beschichtenden Werkstück 2 zugekehrte Gehäusewand, besteht aus Kupfer
und ist vorzugsweise gekühlt. Zur Kühlung sind beispielsweise Kühlschlangen P an dem Gehäuse befestigt.
Die Kühlschlangen werden mittels Wasser durchspült. Zur Erhöhung der Ionendichte in dem
zylindrischen, von der Spule umschlossenen Raum sind die Magnetspulen 9 vorgesehen. Mittels dieser
Magnetspulen wird ein Magnetfeld mit zur Achse der Spule annähernd parallelen Feldlinien erzeugt. Zum
Zuführen eines inerten und/oder reaktiven Gases in den von der Spule umschlossenen Raum ist das Rohr
10 vorgesehen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Beschichten von Werkstücken mit einem Metall, einer Metall-Legierung
oder einer Metall verbin dung im Vakuum in einer ein inertes und/oder reaktives Gas enthaltenden
Kammer, durch Plasmazerstäubung der Oberfläche einer in der Kammer angeordneten,
mit einem Hochfrequenzgenerator verbundenen Spule und Niederschlagen der abgestäubten Teilchen
oder ihrer Reaktionsprodukte auf dem Werkstück, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammer Magnete zum Erzeugen eines
Feldes mit zur Achse der Spule annähernd parallelen FelJünien angeordnet sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule in einem innerhalb
der Kammer befindlichen Gehäuse angeordnet ist, und dieses Gehäuse durch Zuführen eines
inerten und oder reaktiven Oses einen höheren Druck als der die Werkstücke enthaltende Raum
der Kammer aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, άλύ das Gehäuse auf der den Werkstücken
zugewandten Seite eine Öffnung in Größe des Innendurchmesser.; der Spule besitzt und die
Ebene der öffnung auf d; - Achse dieser Spule senkrecht steht.
4. Vorrichtung nach An* ruch 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens die die öffnung aufweisende Wand des Gehäuses aus
einem das Hochfrequenzfeld nicht wesentlich beeinflussenden Werkstoff besteht.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
wenigstens die die Öffnung aufweisende Gehäusewand gekühlt ist.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch
ein Rohr zum Zuführen eiues inerten und/oder reaktiven Gases in den von der Spule umschlossenen
Raum von dem den Werkstücken abgekehrten Ende dieser Spule her.
45
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691905058 DE1905058C3 (de) | 1969-02-01 | 1969-02-01 | Vorrichtung für die Beschichtung von Werkstücken durch Hochfrequenz-Plasmazerstäubung von Werkstoffen im Vakuum |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691905058 DE1905058C3 (de) | 1969-02-01 | 1969-02-01 | Vorrichtung für die Beschichtung von Werkstücken durch Hochfrequenz-Plasmazerstäubung von Werkstoffen im Vakuum |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1905058A1 DE1905058A1 (de) | 1970-08-13 |
DE1905058B2 true DE1905058B2 (de) | 1973-03-15 |
DE1905058C3 DE1905058C3 (de) | 1973-10-04 |
Family
ID=5724069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691905058 Expired DE1905058C3 (de) | 1969-02-01 | 1969-02-01 | Vorrichtung für die Beschichtung von Werkstücken durch Hochfrequenz-Plasmazerstäubung von Werkstoffen im Vakuum |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1905058C3 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE766345A (fr) * | 1971-04-27 | 1971-09-16 | Universitaire De L Etat A Mons | Dispositif pour fabriquer des couches minces de substances minerales. |
FR2324755A1 (fr) * | 1975-09-19 | 1977-04-15 | Anvar | Dispositif de pulverisation cathodique de grande vitesse de depot |
JPS57111031A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Clarion Co Ltd | Sputtering device |
US6264812B1 (en) | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
KR100489918B1 (ko) | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
US6254737B1 (en) | 1996-10-08 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
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-
1969
- 1969-02-01 DE DE19691905058 patent/DE1905058C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1905058A1 (de) | 1970-08-13 |
DE1905058C3 (de) | 1973-10-04 |
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Legal Events
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