DE1785290U - Halbleiteranordnung. - Google Patents

Description

• Halbleiteranordnung Die Neuerung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung aus n-Germanium mit wenigstens einer durch Einlegieren von Indium in das n-Germanium erzeugten Sperrschicht. Die Herstellung derartiger Halbleiteranordnungen lässt sich sehr vereinfachen, wenn man mit der oder den aufgesetzten Indiumpillen während des Legierungsvorgangs gleichzeitig auch die zum Anschluss der Halbleiteranordnung erforderlichen Anschlussdrähte anlötet. Es hat sich jedoch gezeigt, dass bei Verwendung von Kupfer als Werkstoff für die Anschlusselektroden die erforderlichen scharfen p-n-Übergänge ungünstig beeinflusst werden, weil beim Lötvorgang Spuren von Kupfer in das Germanium hineindiffundieren. Diese Gefahr ist umso grösser, je grõsser die von dem Indium benetzte Oberfläche der Anschlusselektrode ist.
• Man kann trotzdem grosse Wärmeübergangsflächen zwischen dem Indium und der Anschlusselektrode erzielen und eine ungünstige Beeinflussung der Sperrschicht-übergänge verhindern, wenn man gemäss der Neuerung als Werkstoff für die bogenförmig ausgebildeten Zu-bzw. Ableitungen Aluminium verwendet.
• In der Zeichnung ist, als Ausführungsbeispiel der Neuerung eine Hochleistungsdiode im Längsschnitt dargestellt.
• Die Diode hat einen topfförmigen Grundkörper 10 aus Kupfer, der an seiner äusseren Bodenseite 11 einen mit Innengewinde 12 versehenen Ansatz 13 trägt. Das Gewinde ist zur Aufnahme einer nicht gezeichneten Klemmschraube zum Anschliessen eines ebenfalls nicht dargestellten Zuleitungskabels bestimmt. An der inneren Bodenfläche des Grundkörpers ist mit einer Zinnschicht 14 eine Scheibe 15 aus n-Germanium festgelötet. Ein als Zuleitungselektrode dienender Aluminiumbolzen 16, der in seinem freien Ende ebenfalls dne Längsbohrung mit Innengewinde 17 hat, ist mit seiner Stirnseite durch eine Zwischenlage 18 aus Indium auf der Germaniumscheibe festgelötet.
• Bei der Herstellung der beschriebenen Diode wird zunächst der Aluminiumbolzen an der vorgesehenen Lötstelle mit einer Lösung von HF + HNO3 + H20 blankgeätzt. Für den nachfolgenden, gleichzeitig das Einlegieren und das Anlöten des Aluminiumbolzens bezweckenden Arbeitsgang wird zwischen die Germaniumscheibe 15 und die Stirnseite des Aluminiumbolzens eine ausgestanzte Indiumscheibe 18 eingelegt und zusammen mit dem Grundkörper in sauerstoffreier Wasserstoff-Atmosphäre auf etwa 400 bis 5000C erhitzt.
• Ansprüche 1. Halbleiteranordnung aus n-Germanium mit wenigstens einer durch Einlegieren von Indium in das n-Germanium erzeugten Sperrschicht, dadurch gekennzeichnet, dass als Werkstoff für wenigstens eine der mit dem Indium verbundenen Anschlusselektroden Aluminium verwendet ist.

Claims (1)

1. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode die Form eines Bolzens hat, der mit einer seiner Stirnseiten gegen das Germanium gerichtet ist.

   3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Bolzen an seinem freien Ende ein Gewinde aufweist.

   4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1-3, dadurch gekennzeichnet, dass die Aluminiumelektrode an ihrer dem Germanium zugekehrten Oberfläche mit Flußsäure vorzugsweise mit einer Lösung von HF + HNO3 + H20 abgeätzt ist.