AT201665B - Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Description

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  Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung 
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung aus n-Germanium mit wenigstens einer durch Einlegieren von Indium in das n-Germanium erzeugten Sperrschicht und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Die Herstellung derartiger Halb-   leiteranordnumgen   lässt sich sehr vereinfachen, wenn man mit der oder den aufgesetzten Indiumpillen während des Legierungsvorgangs gleichzeitig auch die zum Anschluss der Halbleiteranordnung erforderlichen Anschlussdrähte anlötet. Es hat sich jedoch gezeigt, dass bei Verwendung von Kupfer als Werkstoff für die Anschlusselektroden die erforderlichen scharfen   p-n-Übergänge ungünstig be-   einfluss werden, weil beim Lötvorgang Spuren von Kupfer in das Germanium hineindiffundieren. 



  Diese Gefahr ist umso grösser, je grösser die von dem Indium benetzte Oberfläche der Anschlusselektrode ist. 



   Man kann   trotzdem grosse Wärmeübergangs-   flächen zwischen dem Indium und der Anschlusselektrode erzielen und eine ungünstige Beeinflus-   sung der Sperrschichtübergänge   verhindern, wenn man gemäss der Erfindung als Werkstoff für die Zu- bzw. Ableitungen Aluminium verwendet. 



   In der Zeichnung ist als Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Hochleistungsdiode im Längsschnitt dargestellt. 



   Die Diode hat einen topfförmigen Grundkörper
10 aus Kupfer, der an seiner äusseren Bodenseite
11 einen mit Innengewinde 12 versehenen Ansatz
13 trägt. Das Gewinde ist zur Aufnahme einer nicht gezeichneten Klemmschraube zum Anschlie- ssen eines ebenfalls nicht dargestellten Zuleitungskabels bestimmt. An der inneren Bodenfläche des   Grundkörpers   ist mit einer Zinnschicht 14 eine
Scheibe 15 aus n-Germanium festgelötet. Ein als Zuleitungselektrode dienender Aluminiumbolzen 16, der in seinem freien Ende ebenfalls eine Längsbohrung mit Innengewinde 17 hat, ist mit seiner Stirnseite durch eine Zwischenlage 18 aus Indium auf der Germaniumscheibe festgelötet. 



   Bei der Herstellung der beschriebenen Diode wird zunächst der Aluminiumbolzen an der vorgesehenen Lötstelle in bekannter Weise mit einer Lösung   von HF+HNOg+H O blankgeätzt.   Für den nachfolgenden, gleichzeitig das Einlegieren und das Anlöten des Aluminiumbolzens bezweckenden Arbeitsgang wird zwischen die Germaniumscheibe 15 und die Stirnseite des   Aluminiumbolzens   eine ausgestanzte Indiumscheibe   18   eingelegt und zusammen mit dem Grundkörper in sauerstoffreier   Wasserstoff-Atmosphäre   in ebenfalls bekannter Weise auf etwa 400 bis 5000 C erhitzt. 



   In Abwandlung dieses Verfahrens kann man auch den Aluminiumbolzen zuerst an den vorgesehenen Lötstellen mit Hilfe von Ultraschall mit einem Überzug aus Indium versehen und dann, gegebenenfalls unter Zwischenlage einer zusätzlichen Scheibe aus Indium, mit dem Germanium verlöten. In beiden Fällen wird eine Verunreinigung der Legierungszonen vermieden und eine hohe Durchschlagsfestigkeit erzielt. 



   PATENTANSPRÜCHE :
1. Halbleiteranordnung aus n-Germanium mit wenigstens einer durch Einlegieren von Indium in das n-Germanium erzeugten Sperrschicht, dadurch gekennzeichnet, dass als Werkstoff für wenigstens eine der mit Indium verbundenen Anschlusselektroden Aluminium verwendet ist. 

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Claims (1)

1. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode die Form eines Bolzens hat, der mit einer seiner Stirnseiten gegen das Germanium gerichtet ist.

   3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Bolzen an seinem freien Ende ein Gewinde aufweist. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.