AT228839B - Verfahren zum großflächigen Verbinden einer Elektrode einer Halbleiteranordnung mit einem Kontaktteil - Google Patents

Description

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  Verfahren zum grossflächigen Verbinden einer Elektrode einer
Halbleiteranordnung mit einem Kontaktteil 
 EMI1.1 
 

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Belastung wegen der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Halbleiterkörper und
Kontaktteil sonst sehr leicht auftritt, vermieden. 



   Mit dem Verfahren gemäss der Erfindung ist somit eine   grossflächigeKontaktierung   vonHalbleiterbau- elementen ohne grosse mechanische Beanspruchung des Bauelementes möglich. Auch kann die Kontaktiei rung bei relativ niedrigen Temperaturen erfolgen. 



   Bei einer besonders   günstigen Ausführungsform des Verfahrens   gemäss der Erfindung wird eine mit auf- gewalztem Indium verseheneBleifolie zwischen Elektrode und Kontaktteil aufgebracht und durch Erhitzen mit dieser verbunden. 



   In Fig. 2 ist ein Transistor dargestellt, bei dem die Kollektorelektrode 12, die   z. B.   aus Gold oder   aus   aus einer Gold-Antimon-Legierung besteht, nach dem Verfahren gemäss der Erfindung mit dem gleichzei- tig als Boden des Gehäuses dienenden, z. B. aus Eisen bestehenden Kontaktteil 14 verbunden ist. Der Halb- leiterkörper 6 besteht dabei   z. B.   aus p-leitendem Silicium und ist mit einer   z. B.   aus Aluminium beste- henden Basiselektrode 8 und einer ringförmig um die Basiselektrode angeordneten z. B. aus einer Gold-
Antimon-Legierung bestehenden Emitterelektrode 7 versehen. Die Gehäusekappe 9 ist mit der Grundplatte 14 gasdicht verbunden. Durch die Grundplatte 14, die gleichzeitig als Kollektoranschluss dient, sind die
Emitterzuleitung 10 und die Basiszuleitung 11 hindurchgeführt. 



     DasVerfahren   gemäss der Erfindung ist auch mit Vorteil zum grossflächigen Kontaktieren der Elektro- den von Gleichrichtern, besonders von Hochleistungsgleichrichtern, verwendbar. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1.   Verfahrenzum grossflächigen Verbinden einer Elektrode einer Halbleiteranordnung   mit einemKon- taktteil, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Kontaktteil (1, 14) und der Elektrode (5, 12) eine wenigstens an den dem Kontaktteil und der Elektrode zugewendeten Teilen ihrer Oberfläche mit einem an sich bekannten benetzenden Metall (2, 4) versehene Schicht (3) aus Blei aufgebracht und durch Erhitzen auf eine Temperatur, die oberhalb des Schmelzpunktes des benetzenden Metalles liegt, mit dem Kontaktteil und der Elektrode verbunden wird.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung bei einer Temperatur durchgeführt wird, die unterhalb des Schmelzpunktes des Kontaktteiles (1. 14) und des Bleies sowie unterhalb des Schmelzpunktes des Elektrodenmetalles (5, 12) liegt.

   3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine wenigstens an einem Teil ihrer Oberfläche mit Indium (2, 4) versehene Bleischicht (3) aufgebracht wird.

   4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schicht (3) ver- wendet wird, auf die das benetzende Metall (2, 4) aufgewalzt ist.

   5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine mit aufgewalztem Indium verse- hene Bleifolie verwendet wird.

   6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine z. B. aus Gold bestehende Elektrode (12) auf ihrer ganzen dem Kontaktteil zugewendeten Oberfläche über die an den dem Kontaktteil und der zu kontaktierenden Elektrode zugewendeten Teilen der Oberfläche mit Indium (2, 4) versehene Bleischicht (3) mit dem die Grundplatte eines Gehäuses (9, 14) bildenden z. B. aus Eisen bestehenden Kontaktteil (14) verbunden wird.