DE1774962B1 - Anordnung zur Speicherung von analogen Signalen - Google Patents
Anordnung zur Speicherung von analogen SignalenInfo
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- DE1774962B1 DE1774962B1 DE19681774962D DE1774962DA DE1774962B1 DE 1774962 B1 DE1774962 B1 DE 1774962B1 DE 19681774962 D DE19681774962 D DE 19681774962D DE 1774962D A DE1774962D A DE 1774962DA DE 1774962 B1 DE1774962 B1 DE 1774962B1
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
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- Processing Of Color Television Signals (AREA)
Description
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Anordnung zur Speicherung von analogen Eingangssignal und der demgegenüber niedrigeren
Signalen mittels eines Kondensators, dessen La- 5 Spannung am Kondensator die Zündspannung überdezustand
in Abhängigkeit von den zu speichern- schreitet und die Röhre 39 leitend gesteuert ist. Um
den Signalen verändert wird und in dessen Aus- die Ladung auf dem Kondensator zu erhöhen, ist
gangskreis ein Feldeffekttransistor liegt, da- dann ein entsprechend höheres Eingangssignal nötig,
durch gekennzeichnet, daß im Ein- Wenn die Differenzspannung unter die Brennspangangskreis
des Kondensators (40) eine als Schal- io nung abfällt, hört die Neon-Gasentladungsröhre 39
ter wirkende Neon-Gasentladungsröhre (39) liegt, auf zu leiten, und der Kondensator 40 hält seine Ladie
leitend gesteuert wird und dabei die Ladung dung auf dem Pegel, auf den er aufgeladen wurde,
des Kondensators verändert, wenn das Eingangs- Sinkt dagegen die Eingangsspannung unter die Konsignal
eine vorbestimmte Schwelle überschreitet. densatorspannung und erreicht dabei die Differenz-
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch ge- 15 spannung wiederum die Zündspannung, so wird der
kennzeichnet, daß eine Klemmschaltung an den Kondensator abhängig von der Größe der Eingangsspannungsempfindlichen
Schalter (39) zur Be- spannung entladen. Es ist somit eine Ladungsverängrenzung der maximalen Amplitude der Ein- derung in beiden Richtungen möglich,
gangsspannung gekoppelt ist. Der Kondensator 40 ist so gewählt, daß er einen
gangsspannung gekoppelt ist. Der Kondensator 40 ist so gewählt, daß er einen
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, da- 20 sehr hohen Leckwiderstand hat. Da die Neon-Gasladurch
gekennzeichnet, daß die Anordnung zwei dungsröhre 39, wenn sie nicht leitet, einen außeror-Eingänge
besitzt, an die Speichersignale unter- dentlich hohen Widerstand hat, behält der Kondenschiedlicher
Polarität anlegbar sind. sator 40 seine Ladung und bleibt auf seinem Spannungspegel.
25 Die Spannung des Kondensators wird über einen
Feldeffekttransistor 42 mit hohem Eingangswiderstand am Ausgang A den weiteren Verarbeitungs-
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung schaltungen 50 zugeführt. Dieser Feldeffekttransistor
zur Speicherung von analogen Signalen mittels eines verhindert durch seinen hochohmigen Abschluß, daß
Kondensators, dessen Ladezustand in Abhängigkeit 30 der Kondensator ausgangsseitig merklich entladen
von den zu speichernden Signalen verändert wird wird.
und in dessen Ausgangskreis ein Feldeffekttransistor Es entsteht daher am Kondensator für längere Zeit
liegt. Eine derartige Kondensatorschaltung ist aus kein nennenswerter Spannungsabfall. In einer prakeinem
Aufsatz von Beck: »Analog Storage Circuit«, tisch aufgebauten Schaltung trat ein Spannungsver-IBM
Technical Disclosure Bulletin, Vol. 9, Nr. 7, 35 lust von weniger als 10 % während einer Dauer von
Dezember 1966 bekannt. mehr als 106 Sekunden auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Dieser Wert wird von keiner bekannten Schaltung
Anordnung so auszubilden, daß das Signal über erreicht.
einen langen Zeitraum weitgehend unverfälscht ge- Am Eingang des spannungsempfindlichen Schalspeichert
werden kann. 40 ters 39 können Klemmdioden 54, 55 vorgesehen wer-
Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß der Er- den, die verhindern, daß der Spannungspegel am
findung dadurch, daß im Eingangskreis des Konden- Kondensator 40 einen vorbestimmten Wert übersators
eine als Schalter wirkende Neon-Gasentla- schreitet, um Fehlfunktionen des Systems, insbesondungsröhre
liegt, die leitend gesteuert wird und dabei dere des Feldeffekttransistors, zu vermeiden,
die Ladung des Kondensators verändert, wenn das 45 Die Schaltung kann weiterhin zwei Eingänge mit Eingangssignal eine vorbestimmte Schwelle über- Dioden 35, 48 aufweisen, z.B. für Signale unterschreitet, schiedlicher Polarität, wodurch es möglich ist, den
die Ladung des Kondensators verändert, wenn das 45 Die Schaltung kann weiterhin zwei Eingänge mit Eingangssignal eine vorbestimmte Schwelle über- Dioden 35, 48 aufweisen, z.B. für Signale unterschreitet, schiedlicher Polarität, wodurch es möglich ist, den
An Hand der Zeichnung wird die Erfindung näher Ladezustand des Kondensators polaritätsmäßig zu
erläutert. verändern. Diese Maßnahme wirkt sich besonders
Das den Ladezustand des Kondensators verän- 50 vorteilhaft aus, wenn die Anordnung nach der Erfindernde
Signal wird am Eingang!? der Schaltung ein- dung als Steuerschaltung verwendet wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64430167A | 1967-06-07 | 1967-06-07 | |
DE1774962 | 1968-06-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1774962B1 true DE1774962B1 (de) | 1973-07-26 |
DE1774962C2 DE1774962C2 (de) | 1974-02-28 |
Family
ID=25755670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681774962D Expired DE1774962C2 (de) | 1967-06-07 | 1968-06-01 | Anordnung zur Speicherung von analogen Signalen. Ausscheidung-aus: 1763459 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1774962C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4124904A1 (de) * | 1991-05-16 | 1992-11-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterspeichervorrichtung, faehig nicht-periodische auffrischungsoperationen auszufuehren |
-
1968
- 1968-06-01 DE DE19681774962D patent/DE1774962C2/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4124904A1 (de) * | 1991-05-16 | 1992-11-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterspeichervorrichtung, faehig nicht-periodische auffrischungsoperationen auszufuehren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1774962C2 (de) | 1974-02-28 |
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Legal Events
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