DE1771937C3 - Als Speicherelement oder Schaltelement geeignetes polarisationsumkehrbares Wandlerelement - Google Patents
Als Speicherelement oder Schaltelement geeignetes polarisationsumkehrbares WandlerelementInfo
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- DE1771937C3 DE1771937C3 DE19681771937 DE1771937A DE1771937C3 DE 1771937 C3 DE1771937 C3 DE 1771937C3 DE 19681771937 DE19681771937 DE 19681771937 DE 1771937 A DE1771937 A DE 1771937A DE 1771937 C3 DE1771937 C3 DE 1771937C3
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Description
(R1R1' J2O3-3MO1 ,W,(),
worin R und R' wenigstens ein Seitenerdclemcnt, χ = O bis 1,0 und e = O bis 0,2 ist, Methylammonium
- Aluminiumsulfat - Dodecahydrat. Aminoniunicadmiumsulfat
und Eisen-Jod-Boracit besteht und Mittel zur Bewirkung der Polarisalionsumkehr
des Elements an einer zur spontanen Belastungs- oder spontanen Polarisationsrichtung
des Kristalls senkrechten Fläche sowie Mittel zur Abnahme der im Zusammenhang mit der Umkehr
der spontanen Polarisation im Element erzeugten mechanischen Verformung oder elektrischen Energie
an einer zur spontanen Belastungs- oder spontanen Polarisationsrichtung senkrechten Flache
vorgesehen sind.
2. Wandlerelement nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die gegenüberliegenden Endflächen
des Elements senkrecht zur spontanen Polarisations- und spontanen Belastungsrichtung
geschnitten sind und elektrische Mittel zur Anlegung eines elektrischen Feldes oberhalb des
Koerzitivfeldcs des Elements an einem Paar von gegenüberliegenden, zur spontanen Polarisationsrichtung senkrechten Flächen des Elements sowie
Mittel zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten mechanischen Verformung
an den zur spontanen Bclastungsrichtung senkrechten Endflächen des Elements vorgesehen
sind.
3. Wandlerelement nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß zwei Paare von gegenübeiliegendcn
!lachen des Elements senkrecht zur spontanen Polarisations- und spontanen Belastungsrichtung
geschnitten sind und mechanische Mittel zur Anlegung einer der mechanischen Koerzitivkraft des Elements wenigstens gleichen
Spannung an dem zur spontanen Bclaslimgsrich- to
tung des Elements senkrechten Endflächen sowie Mittel zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel
im Element erzeugten elektrischen Energie an den gegenüberliegenden, zur spontanen
Polarisationsrichtung senkrechten Endflächen vorgesehen sind.
4. Wandlerclcment nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Paare gegenüberliegender
Flächen des Elements senkrecht zur spontanen Polarisationsrichtung geschnitten sind und elektrische
Mittel zur Anlegung eines elektrischen Feldes von wenigstens der dem Koerzit.vfcld des
Elements gleichen Stärke an einem Paar der »euenüberliegenden Flächen sowie Mittel zur Abnakne
einer durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten elektrischen Energie an dem
anderen Paar der gegenüberliegenden Machen vorgesehen sind.
5" Wandlerclement nach Aaspruch 1, dadurch
,»kennzeichnet, daß zwei Paare gegenüberliegender
Flächen senkrecht zur spontanen Bclastungsrichtunc geschnitten sind und mechanische Mittel
zur Anietiunu einer der mechanischen Koerzitivkraft
des"Elernents wenigstens gleichen Spannung an einem Paar der gegenüberliegenden Flachen
des Elements sowie Mittel zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten
mechanischen Verformung am anderen Paar der gegenüberliegenden Flächen des Elements
vorues.ehen sind.
b Wandlerelement nach Anspruch 3. weiter
«ekennzeichnct durch Impedanzausgleichsmittel
zwi sehen dem Element und einer Last.
7 Wandlerelement nach Anspruch 4. weiter ^kennzeichnet, durch Impcdanzausgleichsmittcl
zwischen dem Element und einer Last in dem mit
dem Elektroenergieabnahmekreis verbundenen Kreis.
Die Erfindung bezieht sich auf ein polarisalionsumkchrbarcs
Wandlerelemcnl, bei dem ein elektrisches Feld oder eine mechanische Spannung an einen
Krislall mit der ferroelektrischen Eigenschaft angelegt
wird, wobei die Größe des elektrischen Feldes oder der mechanischen Spannung gleich oder größer
als das elektrische KocrzitivfeU. bzw. die mechanische
»Koerzitivkraft« des Kristalls ist, um einen elektrischen Polarisationswechsel hervorzurufen, und
bei dem eine in dem Kristall durch den Polarisationswechsel erzeugte mechanische Dehnung oder elektrische
Energie ausgewertet wird.
Wie bekannt ist, hat ferroelektrisches Material
einen piezoelektrischen Effekt, wobei durch Anlegen einer mechanischen Spannung oder Erzeugen einer
Dehnung eine elektrische Spannung oder durch Anlegen einer elektrischen Spannung eine mechanische
Spannung oder Dehnung erzeugt wird. Unter den Stoffen mit dem piezoelektrischen Effekt hat Blei-Zirkon-Titanat
(im folgenden »P.Z.T.« abgekürzt) einen starken piezoelektrischen Effekt, der auf eine
elektrische oder mechanische Spannung zurückzuführen ist, die in dem Kristall durch Anlegen einer
mechanischen oder elektrischen Spannung induziert wird. Wenn /. B. ein piezoelektrisches Relais aas
P.Z.'!'.-Stücken mit einer Länge von 20 bis 30 mm
und einem Berühningsspalt von 0,1 mm hergestellt ist. ergibt sich die Ausdehnung In durch den l.ängseffekt
(d. h. die angelegte elektrische Spannung \\ und die erzeugte Dehnung liegen in der gleichen
Richtung) durch die Gleichung
hi = «/.,., K,.
wobei (/,, eine vom Material um! der Richtung der
wobei (/,, eine vom Material um! der Richtung der
elektrischen Spannung abhängige Konstante ist. Der Maximalwert Tür </,, von P.Z.T. ist
J3., = 600· U)"1-(m VJ.
So muß die Spannung \'}. um einen Kontaklspalt
der Größenordnung von 0,1 mm zu schallen.
167 kV
1.11 kV
sein, da
• IO
Dehnung .X1 (d. h. die Dehnung, die KDP im spontanen
Zustand besitzt) zu
I/
= 2x\
== S- 1(T
Das für den »Polarisationswechsel« erforderliche elektrische Feld E1 (im folgenden als Koerzitiv-Feld
bezeichnet) ergibt sich zu
Wenn P.Z.T.-Stückc mit einer Seitenabmessunu
/ = 30 mm und einer Längenabmessung η = 0,1 mm
verwendet werden und ihre Quereffckte (d. h.. das angtiegte elektrische Feld E und die Dehnung Λ'
stehen senkrecht aufeinander) ausgenutzt werden" so muß. um eine seitliche Dehnung in der Größenordnung
von 0.1 mm zu erhalten, die Spannung Γ,
Ec = 1000 V cm.
Deshalb
V, = En
und
I/ = 2
El.
Wenn eine Spannung Vs = 50 V an ein KDP-
2s Stück mit / = 15 mm und η = 0,5 mm angelegt wird.
wird die Längenänderung 1/ = 0,12 mm. So ist es möglich, unter Verwendung des LängselTekts von
KDP ein piezoelektrisches Relais herzustellen. d'}i in
den obigen Gleichungen ist der anscheinende piczo-
^o elektrische Modul. Da
Deshalb ergibt sich, daß, selbst wenn das beste P.Z.T. verwendet wird, eine große Steuerspannung
erforderlich ist.
Nach umfangreicher Forschung auf dem Gebiet ferroelcktrischer Stoffe wurde gefunden, daß einige
Stoffe, z. B. Rochelle-Salz und Kaliumdihydrophosphat (im folgenden mit »KDP« abgekürzt), von
Bariumtitanat dadurch verschieden sind, daß die Anlegung einer Spannung über einem bestimmten Wert
ihre spontane Polarisation umkehren kann (el h.. die
elektrische Polarisation, die der Stoff im spontanen Zustand besitzt). Weiter wurde gefunden, daß der 4_s
Kristall beim Umkehren der Polarisation schnell verzerrt wird, wodurch eine Art von Kriecherscheinung
hervorgerufen wird. Diese anomale Verzerrung verschwindet, wenn die Polarisalionsumkchr beendet
ist. Bs zeigte sich, daß Hystereseschleifen zwischen so
der Spannung und der Polarisation (λ' gegen P5) und
zwischen der Spannung und der Dehnung (,Y gegen xs)
zu beobachten sind. Man fand weiter, daß der mechanisch-elektrische Umwandlungswirkungsgrad auf
Grund dieses neuen Effekts größer als der des herkömmliehen piezoelektrischen Effekts ist. Nimmt
man z. B. den ferroelektrischen Stoff KDP, dessen Curie-Punkt 123"K ist. und schneidet ihn in
45-Z-Form (d. h. parallel zu den [OH]-, [010]- und [110]-Flächen), befestigt eine Elektrode an der <*.>
Z-([0l 1 ]-)-Fläche seiner dünnen Platte und legt eine Wechselstromspannung an. so beobachtet man eine
Hysterese zwischen der Spannung und der elektrischen Spannung in der ferroelektrischen Phase
entsprechend dem »Polarisationswechsel«. Wenn die 6s
dünne Platte eine Länge / hat und die Variation der Länge der dünnen Platte auf Grund des »Polari··
Kütinrniu/iM-hsek« I/ isi eruibl sich eine spontane
I/
2t/
2t/
= 40 000 K)
in
I
I
ist J^1 133mal größer als d3l von P.Z.T.
Es ist daher die allgemeine Aufgabe der Erfindung, ein polarisationsumkehrbares Wandlerelement unter
Ausnutzung des »Polarisationswechsels« vorzusehen, der in einem wferroelektrisch-ferroelastischen Stoff«
durch ein elektrisches Feld oder eine mechanische Spannung hervorgerufen wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Wandlerelement der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß der Kristall aus einem Material der Gruppe Kaliumdihydrophosphat. Stoffe der Gadoliniummolybdalkristallslruktur
des Typs 42 m F mm 2 lind der chemischen Formel
(RxR1' J2O3-3MO1 .,.W1-Oj.
worin R und R' wenigstens ein Seltenerdelement, χ = 0 bis 1,0 und e - 0 bis 0,2 ist, Methylammonium-Aluminiumsulfat
- DodecahyJrat. Ammoniumcadmiumsulfat und Eisen-Jod-Boracit besteht und Mittel
zur Bewirkung der Polaiisationsuinkehr des Elements an einer zur spontanen Belastungs- oder spontai.jn
Polarisationsrichtung des Kristalls senkrechten Fläche sowie Mittel zur Abnahme der im Zusammenhang
mit der Umkehr der spontanen Polarisation im Element erzeugten mechanischen Verformung oder
elektrischen Energie an einer /ur spontanen Bclastungs-
oder spontanen Polarisationsrichtung senkrechten Fläche vorgesehen sind.
In Weiterbildung der Erfindung weist ein elcklromechanisches
Wandlerelemeni das Kennzeichen auf, daß die gegenüberliegenden Endflächen des Elements
senkrecht zur spontanen Polarisations- und spontanen
Belastungsrichtung geschnitten sind und elektrische Mittel zur Anlegung eines elektrischen Feldes
oberhalb des Koerzitivfcldcs des Elements an einem Paar von gegenüberliegenden, zur spontanen Polarisationsrichtung
senkrechten Flächen des Elements sowie Mittel zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel
im Element erzeugten mechanischen Verformung an den zur spontanen Belastungsrichtung
senkrechten F.ndflächcn des Elements vorgesehen sind.
Weiter ist ein mechanisch-elektrisches Wandlcrelemenl
gemäß einer Ausfuhrungsart der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zwei Paare von gegenüberliegenden
Flächen des Elements senkrecht zur spontanen Polarisations- und spontanen Belastungsrichtung geschnitten sind und mechanische Mittel
zur Anlegung einer der mechanischen Koerzitivkraft des Elements wenigstens gleichen Spannung an dem
zur spontanen Belastungsrichtung des Elements senkrechten Endflächen sowie Mittel zur Abnahme einer
durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten elektrischen Energie an den gegenüberliegenden, zur
spontanen Polarisationsrichtung senkrechten Endflächen vorgesehen sind.
Ein elektro-elektrisches Wandlerelement weist in Weiterbildung der Erfindung das Kennzeichen auf,
daß zwei Paare gegenüberliegender Flächen des Elements senkrecht zur spontanen Polarisationsrichtung
geschnitten sind und elektrische Mittel zur Anlegung eines elektrischen Feldes von wenigstens der dem
Koerzitivfeld des Elements gleichen Stärke an einem Paar der gegenüberliegenden Flächen sowie Mittel
zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten elektrischen Energie an dem
anderen Paar der gegenüberliegenden Flächen vorgesehen sind.
Schließlich ist ein mechanisch-mechanisches Wandlerclement nach einer weiteren Ausfuhrungsart der
Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zwei Paare gegenüberliegender Flächen senkrecht zur spontanen
Belastungsrichtung geschnitten sind und mechanische Mittel zur Anlegung einer der mechanischen Koerzitivkraft
des Elements wenigstens gleichen Spannung an einem Paar der gegenüberliegenden Flächen des
Elements sowie Mittel zur Abnahme einer durch den Polarisationswechsel im Element erzeugten mechanischen
Verformung am anderen Paar der gegenüberliegenden Flächen des Elements vorgesehen sind.
Das mechanisch-elektrische Wandierelement kann
crfindungsgemäß Impedanzausgleichsmittel zwischen
dem Element und einer Last aufweisen.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist das
elektro-elektrische Wandlerelement weiter durch Impedanzausgleichsmittel zwischen dem Element und
einer Last in dem mit dern Elektroenergieabnahmekreis verbundenen Kreis gekennzeichnet.
Andere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden detaillierten
Beschreibung gewisser bevorzugter Ausfuhrungsjeispiele
im Zusammenhang mit der Zeichnung. Es »igt
F i g. 1 eine Hystereseschleife eines ferroelekrischen Materials in Abhängigkeit von der Polariation
uad dem elektrischen Feld,
F i g. 2 eine Hystereseschleife eines ferroelastischen
if ateriab in Abhängigkeit von der Dehnung und der Spannung,
Fi g. 3 eine Hystereseschleife eines ferrocleklrischferroelastischen
Materials in Abhängigkeit von der Dehnung und dem elektrischen Feld,
Fi g. 4 eine Hystereseschleife eines ferroelektrischferroelastischen Materials in Abhängigkeit von der Polarisation und der Spannung,
Fi g. 4 eine Hystereseschleife eines ferroelektrischferroelastischen Materials in Abhängigkeit von der Polarisation und der Spannung,
Fig. 5a und 5b Orientierungszustandc einer Einheitszelle
in dem Spontanzustand eines zum Typ 42 m F mm2 gehörenden ferroeleklrisch-ferroejastischen
Materials,
Fi g. 6a und 6b Orientierungszustände einer Einheitszelle
in dem Spontanzustand eines zu dem Typ 222 F2 gehörenden ferroelektrisch-ferroelastischen
Materials,
Fig. 7a und 7b Seiten- und Seitenschnittansichten zur Darstellung eines Wandlerelements als eines
Ausführungsbeispiels der Erfindung,
F i g. 8 eine Erläuterungüansicht eines piezoelektrischen
Relais unter Verwendung eines Wandlerelements gemäß der Erfindung,
F i g. 9 ein erfindungsgemäßes Wandierelement, das in einem bimorphen Typ von piezoelektrischem
Vibrator benutzt wird,
Fig. 10 und 11 die Arbeitsweise des bimorphen Vibratortyps in F i g. 9 bei verschiedenen Arten der Stapelung dünner Kristallplatten und
Fig. 10 und 11 die Arbeitsweise des bimorphen Vibratortyps in F i g. 9 bei verschiedenen Arten der Stapelung dünner Kristallplatten und
Fig. 12a und 12b einen Längsschnitt und eine Aufsicht eines erfindungsgemäßen Wandlerelements
in Verwendung als piezoeleli trischer Transformator.
Die Erfindung wird nun im Zusammenhang mit der Zeichnung erläutert.
Ein ferroelektrisches Material hat mehr als zwei verschiedene Orientierungen der elektrischen Polarisation
in Abwesenheit eines elektrischen Feldes und einer mechanischen Spannung, und diese beiden verschiedenen
Orientierungen kännen durch Anlegung eines elektrischen Feldes einer gegenseitigen Umwandlung
unterworfen werden. Es ist hierbei festzustellen, daß zwei Orientierungszustände bezüglich
der Kristallstruktur stets identisch oder enantiomorph sind. Das ferroelektrische Material zeigt
allgemein eine Hystereseschleife der Polarisation*P) mm elektrischen Feld (E), wie sie in F i g. 1 dargestellt
ist.
Wie bekannt ist, ergibt sich das thermodynamische Potential des ferroelektrischen Materials unter den
Bedingungen, daß die Temperatur Γ, das elektrische Feld E (Vektor) und die Spannung X (zweitrangiger
Tensor) konstant sind, als
Ψ = u-TS-EP+X:x,
worin u die innere Energie, ίί die Entropie, P die
elektrische Polarisation und χ die mechanische Dehnung sind.
Das ferroelektrische Material hat folgende Eigenschaften:
(a) Wenn E- 0 und £ = t) ist, gibt es mehr als
zwei verschiedene Orientierungszustände P mit einer
stabilen elektrischen Polarisation. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes Έ einer geeigneten Stärke
wird die Differenz von Ψ zwischen zwei Zuständen infolge des dritten Gliedes der rechten Häffie der
Gleichung (1) beträchtlich groß. Das bedeutet, daß
6s die Zustände instabil sind Man kann daher feststellen,
daß es durch das elektrische Feld eine übergangsmöglichkeit zwischen zwei verschiedenen Zuständen
gibt.
(b) In Abwesenheit eines elektrischen Feldes und einer Spannung gibt es bei verschiedenen Dehnungen
mehr als zwei Orkntierungszustände, und der Unterschied
von '/' zwischen zwei Zustanden wird durch Anlegen einer mechanischen Spannung X einer gecigneten
Größe infolge des vierten Gliedes auf der rechten Seite der Gleichung (1) erheblich groß. Daraus
ergibt sich, daß durch die mechanische Spannung eine Ubergangsmöglichkeit zwischen diesen beiden
Zuständen gegeben ist.
Weiter wird das Material fcrroelastisches Material genannt, wenn es mehr als zwei verschiedene Orienticrungszustände
der mechanischen Dehnung in Abwesenheit eines elektrischen Feldes und einer Spannung
hat und durch eine mechanische Spannung übergänge /wischen zwei verschiedenen Orientierungszuständen
durchlaufen kann. Das ferroelastische Material zeigt eine Rechteck-Hystereseschleife
der gegenseitigen Abhängigkeit einer Dehnung (χι und einer Spannung[X), wie sie in Fig. 2 gezeigt
ist. Es ist hier festzustellen, daß zwei Orientierungs zustände bezüglich der Kristallstruktur stets identisch
oder enantiornorph sind.
Das Material wird in dieser Anmeldung »ferroelektrisch-ferroelastisches
Material« genannt, wenn es die ferroelektrischen und ferroelastischen Eigenschaften
gleichzeitig besitzt. Übergänge zwischen zwei beliebigen Zuständen können entweder durch ein
elektrisches Feld oder durch eine Spannung hervorgerufen werden. In der Abwesenheit einer Spannung
zeigt das ferroelektrisch-ferroel astische Material die Hysterese des elektrischen Feldes gegenüber der elektrischen
Polarisation, wie sie in F i g. 1 gezeigt ist. sowie die Hysterese des elektrischen Feldes gegenüber
der mechanischen Spannung, wie sie in F i g. 3 gezeigt ist. In Abwesenheit eines elektrischen Feldes
zeigt das Materia! die Spannungs-Dehnungs-Hysteresc gemäß Fig. 2 sowie die Spannungs-Elektropolansations-Hysterese
entsprechend F i g. 4.
Einige der Kristalle, die ihre Orientierungszustände der Polarisation durch ein elektrisches Feld oder eine
Spannung ändern, erleiden eine mechanische Dehnung in einer Einheitszelle entweder, wenn die spontane
Polarisation positiv (»O«-Zustände genannt), oder, wenn sie negativ (»1 «-Zustand genannt, 180"-Änderung
in der Orientierung der elektrischen Polarisation) ist. Ein keine Dehnung erleidender Kristall
wird als ein regelmäßiges ferroelektrisches Material definiert, während ein eine Dehnung erleidender Kristall
als ein unregelmäßig ferroelektrisches Material definiert wird, wobei das letztere zum »ferroelektrischferroelastischen«
Material gehört.
Entsprechend den durchgeführten Forschungsarbeiten sind Rochelle-Salz, KDP, Methylammonium-Aluminium-Sulfatdodecahydrat
(im folgenden mit MASD bezeichnet) und Gadoliniummolybdat, die zur Punktgittergruppe mm 2 gehören und durch die
Formel
(R und R' sind wenigstens eine Art von Seltenerdelement, χ = O bis 1,0 und e = 0 bis 0,2) gekennzeichnet
werden, unregelmäßig ferroelektrische Stoffe.
In den Hystereseschleifen nach den F i g. 1 bis 4 entsprechen die Kurven AB und ("O voneinander
verschiedenen Orientierungszuständen. Die halbe Polarisationsdifferenz in der Abwesenheit des elektrischen
Feldes und der mechanischen Spannung wird »spontane Polarisation« P5 genannt, während der
halbe Unterschied der mechanischen Spannung »spontane Spannung« x, genannt wird. Die Kurven BB'
und DD' entsprechen Zwischenzuständen des Überganges. Das elektrische Feld und die Spannung, die
für solche übergänge erforderlich sind, heißen »Koerzitivfeld« bzw. »mechanische Koerzitivkraft«.
Das »ferroelektrisch-ferroelastische Material« verhält
sich allgemein wie ein besonderer Phasenübergang in Richtung auf die paraelektrisch-paraelastische
Phase. Wenn zwei ferroelektrisch-ferroelastische Materialien bezüglich ihrer eigenen Punktgittergruppe und
einer entsprechenden Punktgittergruppe von paraelektrisch-paraelastischer Phase gleich sind, werden
sie im gleichen Typ klassifiziert. 42 Typen sind in der Tabelle 1 klassifiziert, wo das Symbol der Punktgittergruppe
des ferroelektrisch-ferroelastischen Materials rechts vom Buchstaben »F« und das Symbol
der Punklgittergruppe der entsprechenden paraelektrisch-paraelastischen
Phase links des »F« geschrieben ist. Die erste Spalte zeigt den Typ, die zweite die
Zahl der Orientierungszustände, die dem Typ zukommen, und die dritte Spalte das durch das Symbol
dargestellte Material. Der Buchstabe »p« in den Klammern in Spalte 1 bedeutet, daß die kristallographische
Hauptachse der ferroelektrisch-ferroelastischen Phase zu der der paraelektrisch-paraelastischen
Phase (die zum nichtkubischen System gehört) parallel ist. Der Buchstabe »s« bedeutet, daß
die kristallographische Hauptachse der ferroelektrisch-ferroelastischen
Phase senkrecht auf der der paraelektrisch-paraelastischen Phase (die zum nichtkubischen System gehört) oder parallel zu der einen
der Phasendiagonalen eines kubischen Gitters der paraelektrisch-paraelastischen Phase (zum nichtkubischen System gehörig) steht
Typ | Zahl der | Entsprechendes Material |
Zustände | ||
2Fl | 2 | |
mFl | 2 | |
222Fl | 4 | |
222F2 | 2 | Rochelle-Salz |
mm2Fl | 4 | |
mm2Fm | 2 | |
4Fl | 4 | |
4Fl | 4 | |
Typ
Zahl der
Zustände
Entsprechendes Material
3mFm | 3 |
6Fl | 6 |
6Fl | 6 |
6Fm | 3 |
622Fl | 12 |
622F2<s) | 6 |
6mm Fl | 12 |
6mmFtn | 6 |
9 | 1771 937 | |
Fortsetzung | Zahl der | |
Typ | Zustünde | Entsprechendes Material |
2 | ||
4F2 | 8 | |
422Fl | 4 | |
422 F 2 (S) | 8 | |
4mm Fl | 4 | |
4mm Fm | 8 | |
42 m FI | 4 | |
42 m F 2(s) | 4 | |
42 m F m | 2 | |
42 m F mm 2 | 3 | GMO, KDP |
3Fl | 6 | |
32Fl | 3 | |
32 F 2 | 6 | |
3 m Fl | ||
Typ
6m2Fl
6m2Fm(s)
6m2Fm(p)
6m2Fmm2
23 F!
23 F 2
23 F 3
432Fl
432 F 2(s)
43 m Fl
43 m Fm
43mFmm2
43mF3m
6m2Fm(s)
6m2Fm(p)
6m2Fmm2
23 F!
23 F 2
23 F 3
432Fl
432 F 2(s)
43 m Fl
43 m Fm
43mFmm2
43mF3m
Zahl der
Zustande
Zustande
12
6
6
3
6
6
3
12
6
4
6
4
Entsprechendes Material
MASD*)
♦| Mclhylamniunium-Aluminiunisuirut-Doilccahydrut und Aninionium-Cadmiunisulfal.
Das angelegte elektrische Feld oder die angelegte Spannung sowie ihre Typen und Richtungen, welche
übergänge zwischen zwei Orientierungszuständen hervorrufen, sind für jeden der 42 Typen bestimmt.
Im Fall von KDP, welches zum Typ 42 m F mm 2 gehört, orientieren sich, wenn die z-Achse parallel
zur 4-Achse der Symmetrie der paraelektrisch-paraelastischen Phase und die x- und y-Achse senkrecht
auf den beiden Spiegelebenen der Symmetrie definiert sind, die a- und die i>-Achse der Einheitszelle des
ferroelektrisch-ferroelastischen Materials, die zum Typ gehören, so, wie in den F i g. 5 a und 5 b gezeigt
ist (genannt »0«- bzw. »!«-Zustände). Die Orientierung der spontanen Polarisation ist parallel zur
z-Achsc (d. h. senkrecht auf der Zeichenebene), wobei die Richtung im »1 «-Zustand positiv, im »O«-Zustand
dagegen negativ ist. Ein übergang vom »0«- zum »1 «-Zustand durch ein elektrisches Feld wird durch
Anlegen des Feldes in der positiven Richtung der z-Achse erzielt. Ein übergang vom »0«- zum »1 «-Zustand
durch eine Spannung wird durch Einwirken eines Druckes auf eine Kristalloberfläche senkrecht
zur x-Achse, einer Spannung an einer Kristalloberfiäche senkrecht zur y-Achse oder einer Schubspannung
längs einer Kristalloberfläche unter Bildung eines Winkels gegenüber sowohl der x- als auch der
y-Achse erzeugt. Ein übergang vom »1«- zum »0«-Zustand
durch ein elektrisches Feld wird durch Anlegen des Feldes in der negativen Richtung der z-Achse
erhalten. Ein Übergang vom »1«- zum »0«-Zustand durch eine Spannung wird durch Einwirken eines
Druckes auf eine Kristalloberfläche senkrecht zur y-Achse, einer Spannung an einer Kristalloberfläche
senkrecht zur x-Achse, eines Drucks und Zugs zur gleichen Zeit oder einer Schubspannung an einer
Kristalloberfläche unter Bildung eines Winkels gegenüber der x- und der y-Achse erreicht
Im Falle des zum Typ 222 F 2 gehörenden Rochelle-Salzes orientiert sich, wenn die x-, y- und z-Achsen
parallel zu den drei diagonalen .(diad-)Symmetrieachsen
der paraelektrisch-paraelastischen Phase definiert sind, die Einheitszelle des ferroelektrisch-ferroelastischen
Materials entsprechend dem Typ, wie er in den Fig. 6a und 6b in den »0«- und »1 «-Zuständen
gezeigt ist. Hier ist die Diagonal-(diad-)Achse der Symmetrie des ferroelektrisch-ferroelastischen
Materials parallel zur z-Achse gewählt. Daher erhält man einen Zustandsübergang durch ein elektrisches
Feld durch Anlegen des Feldes parallel zur z-Achse. Ein Zustandsübergang durch eine Spannung erhält
man durch Anlegen einer Schubspannung längs eines Paares von Kristalloberflächen senkrecht zu der x-
und der y-Achse oder Einwirken eines Druckes oder einer Spannung an einem Paar von parallelen Kristalloberflächen
unter Bildung eines Winkels mit den x- und ^-Achsen.
Die GMO-Kristallstruktur
Die GMO-Kristallstruktur
(R und R' sind wenigstens eine Art von Seltenerdelement, χ = 0 ~ 1,0 und e = 0 ~ 0,2), die nach
dieser Erfindung verwendet wird, gehört zum orthorhombischen System Pba2 und der Punktgittergruppe
mm 2. KDP gehört ebenfalls zur Punktgittergruppe mm 2, hat jedoch einen Curie-Punkt
von - 150°C und andere praktische Fehler. Andererseits behält das GMO mit dem Curie-Punkt in der
Nähe von 1600C die Eigenschaft eines »ferroelektrisch-ferroelastischen
Materials« über einen weiten Temperaturbereich und zeigt einen hohen Umwand-
lungswirkungsgrad von mechanischer zu elektrischer Energie. Daher ist die Eignung von GMO für eine
mechanisch-elektrische Kopplungsvorrichtung aus* gezeichnet.
Obwohl dieser Kristalltyp als Einkristall im USA.-
Patent 4 18 206 vom 14. 12. 1964 beschrieben wird, gehört die Kristallstruktur von Gadoliniummolybdat
mit gleichen Kristallgitterkonstanten a) und b), wie sie dort offenbart sind, weder zur Punktgruppe mm 2
noch zu den unregelmäßig ferroelektrischen Mate-
rialien. Es gehört nicht einmal zu den ferroelektrischferroelastischen
Materialien im weiten Sinne.
Eine Erklärung des
Eine Erklärung des
(R*Ri-x)20? 3Mo,_e W,O3
mit der GMO-Struktur und Zugehörigkeit zur Punktgittergruppe mm 2 wird später gegeben.
Ergebnisse und Messungen mittels eines Dreiachsenröntgen-Goniometers
und der Röntgendif-
fraktionsmethode zeigten, daß Gd2(MoO4), zum
rhombischen System mit folgenden Gitterkonstanten
a) = 10,38 ± 0,005 A,
b) = 10,426 ± 0,005 Ä,
c) = 10,709 ± 0,005 Ä
gehört und durch die
Tabelle 2
Tabelle 2
l'iohc
Raumgruppe Pba | ± 0,005 |
a) | ± 0,005 |
(Al | -t 0,005 |
10,377 | ± 0,005 |
10,388 | |
10,331 | |
10,478 | |
und die
Eu2(MoO4),
Gd2(MoO4),
Dy2(MoO4),
Sm2(MoO4),
Gd2(MoO4),
Dy2(MoO4),
Sm2(MoO4),
Die Einkristalle von Gd2(MoO4J3, Sm2(MoO4J3,
Eu2(MoO4)3, Tb2(MoO4J3 und Dy2(MoO4J3 wurden
parallel zu den [100]-, [010]- und [00 l]-Flächen geschnitten, welche senkrecht auf ihren α-, b- und
c-Achsen stehen, und durch Polen (poling) behandelt, um die Einbereichsstruktur zu erhalten (dies wurde
unter einem Polarisationsmikroskop unter Einführung polarisierten Lichts in der Richtung der Achse
und Betätigung eines gekreuzten Nicol-Prismas überprüft). Die Intensitätsverteilung des reflektierten Lichts
aus verschiedenen Richtungen des Einkristalls wurde mit einem Röntgen-Dreiachsen-Goniometer gemessen.
Die Messung wurde bei einer Reflexion von den Oberflächen [400], [600], [800] und [1000] und den
Flächen [003], [004] und [005] durchgerührt. Anschließend wurde eine umgekehrte Spannung in der
Richtung der c-Achse angelegt. Nach Bestätigung der Umkehr der a- und b-Achse wurden die Intensitätsverteilungen
des von den Flächen [040], [060], [0801 und [0100] reflektierten Lichts mit Hilfe der Cu-Kd-Linie
mit einem Röntgenirisablenkschlitz von 1", einem Streuschlitz von 1" und einem Empfangslichtschlitz
von 0,1 mm gemessen. Die Spannung und der Strom der Röntgenstrahlquelle waren 30 kV bzw.
1OmA. Die Abtastgeschwindigkeit des Goniometers war 1Z4 0ZmJn und der Radius des Geiger-Zählers
185 mm.
Wenn weiter die Polbedingung des obengenannten GMO-Kristalls aufgehoben ist, wird es schwierig,
den Unterschied zwischen den Kristallgitterkonstanten a) und b) zu beobachten. Darüber hinaus kann
durch Verwendung eines GMO-Einkristalles, der, wie oben erwähnt, durch Polen behandelt ist, im
Wandlerelement gemäß der Erfindung der erfindungswesentliche Effekt weiter verbessert werden.
Die zusammengesetzten Materialien, die gemäß der Erfindung verwendet werden, sind Einkristalle
aus chemischen Verbindungien mit der GMO-Kristallstruktur, chemische Verbindungseinkristalle und
ihre feste Lösung.
Die Ergebnisse von Messungen verschiedener Arten von zusammengesetzten Materialien mit der GMO-Kristallstruktur
sind in der Tabelle 2 wiedergegeben. Die gemäß der Erfindung verwendete Kristallstruktur
wird durch die Abmessungen der dabei verwendeten positiven Ionen beeinflußt. Wenn ein positives Ion
übermäßig groß oder klein ist, ändert sich die Kristallstruktur.
Die Arrhenius-'Ionenradien der Seltenerd-Punktgittergruppe
mm 2 gekennzeichnet werden kann.
Eu2(MoO4)-,, Tb2(MoO4J3, Dy2(MoOJ3 und
Sm2(MoO4)3 sind Isomorphe von Gd2(MoO4J3, doch
die mittels Röntgendiffraktionsmethoden gemessenen Gitterkonstanten unterschieden sich in den Kristallgitterkonstanten
a) und b). Alle diese chemischen Verbindungen haben die GMO-Kristallstruktur.
b)
(A)
(A)
10,472 ± 0,005
10,426 ± 0,005
10,346 ± 0,005
10,511 ± 0,005
10,426 ± 0,005
10,346 ± 0,005
10,511 ± 0,005
C)
(A)
10,655 ± 0,005 10,709 ± 0,005 10,603 ± 0,005 10,856 ± 0,005
Ionen sind Tür Sm+3 1,00 Ä, für Eu+3 0,98 Ä, für
Gd+3 0,97 Ä, für Tb 0,93 Ä und für Dy 0,92 Ä.
Daher bildet (R1RJ-J2O3 · 3Mo,_eWeO3 (R und R'
sind wenigstens eine Art von Seltenerd-Element, χ = 0 ~ 1,0 und e = 0 ~ 0,2), das unter Beteiligung
dieser positiven Ionen hergestellt ist, ähnliche GMO-Strukturen.
Die Abmessungen des Kristalls mit der GMO-Struktur, die zum rhombischen System und
zur Punktgruppe mm 2 gehört, von welchen erfindungsgemäß Gebrauch gemacht wird, sind
a) = 10,388 ± 0,005 Ä,
b) = 10,42 ± 0,005 Ä,
c) = 10,709 ± 0,005 Ä.
Die spontane Dehnung xs ergibt sich zu
la
> 5 ■ 10
Die Tabelle 3 zeigt die Eigenschaften von Gd2(MoO4J3, welches erfindungsgemäß verwendet
wird.
Eigenschaften von Gd2(MoO4J3
Farbe farblos und durchsichtig
Dichte 4600 kg/m2
Punktgittergruppe rhombisch mm 2
ferroelektrischferroelastische Phase, wenn T Tc (Curie-Temperatur),
tetragonal ?2m paratlektrische Phase, wenn T Tc
Phasenübergangs-
temperatur 162 ± 3° C
Schmelzpunkt 117Q°C
Spaltungsoberfläche [110] und [001]
Dielektrische Konstante... ta = rh = 9,5,
te = 10,5 bei 20oC(fa,fbund
te entsprechen den Achsen a, b
und c)
Fortsetzung | . 1,86 · 1(T5 (c/m2) |
Spontane Polarisierung .. | (Richtung der |
c-Achse) | |
1,5 · 1(T3 | |
Spontane Dehnung ., | 310-.12 |
Elastizitätsmodul | (m2/Newton) |
6 · 105 (V/m) | |
Koerzitivelektrisches Feld | |
Mechanische Koerzitiv | 1,4 ■ 105 |
kraft | (Newton/m2) |
. mehr als 1010UCm | |
Elektrischer Widerstand.. | |
Wasserdichtheits- und | |
chemische Beständig | stark |
keitseigenschaften | |
Efforeszenz- und Zerfließ | Null |
eigenschaften | |
Nun soll die Herstellungsmethode des gemäß der Erfindung verwendeten GMO-Kristalls durch Beispiele
erläutert werden.
B e i s pi e1 1
361,8 g Gd2O3 und 431,7 g MoO3 wurden gemischt,
um unter geeignetem Druck ein Pellet zu bilden. Die Gd2(MoOJ3-Scheibe wurde in einen Platintiegel
getan oder auf eine Platinplatte in einem Aluminiumoxydtiegel gelegt und einige Stunden im
elektrischen Ofen auf 70O0C erhitzt. Die Probe wurde aus dem Ofen herausgenommen, pulverisiert,
umgerührt und wieder unter Druck gesetzt. Die Gd2(MoO4)3-Scheibe wurde in einen Tiegel getan
und für 2 bis 4 Stunden im elektrischen Ofen auf 1000° C erhitzt. Das Produkt wurde nach der Pulverröntgendiffraktionsmethode
gemessen und hatte die GMO-Kristallstruktur.
Weiter wurde das oben erhaltene Gd2(Mo OJ3-
Pulver in den Platintiegel gegeben und bei etwa 11900C geschmolzen. Ein Platindraht von 1 mm
Durchmesser wurde in das Gd2(MoO^)3 als Keimkristall
getaucht. Die Temperatur wurde gesenkt, bis die geschmolzene Lösung am Draht fest wurde. Die
Umdrehung des Platindrahts erfolgte mit 30 bis 60U/min. Dann wurde der Platindraht mit einer
Geschwindigkeit von 1,5 bis 18 mm/Ii angehoben. Die Stromzufuhr zur Induktionsspule wurde erhöht,
ίο bis der Durchmesser des Kristalls etwa 1 mm
erreichte. Dann wurde die Ofeneingangsleistung so gesteuert, daß der Durchmesser des Kristalls 10 bis
15 mm erreichte, wobei der Kristall mit 1 mm Durchmesser als Keimkristall diente. Die Zuggeschwindigkeit
war ebenfalls 1,5 bis 18 mm/h. Als der Kristall bis auf etwa 30 bis 70 mm 0 angewachsen war,
wurde er aus der Gd2(MGOJ3-Lösung herausgeschnitten.
Der ausgeschnittene Kristall wurde in einen Nacherhitzer getan und die Temperatur mit
einer Geschwindigkeit von 50 bis 100°C/h gesenkt, um das Auftreten von Rissen im Kristall zu verhindern.
Das so erhaltene Produkt wurde als Gd2(MoO4)-,
identifiziert, welches zum rhombischen System und zur Punktgittergruppe mm 2 gehört, und erfindungs
gemäß verwendet.
Beispiele 2 bis 40
Die im Beispiel 1 beschriebene Methode wurde zur Herstellung von Einkristallen entsprechend Tabelle
4 benutzt. Die Menge der Reagenzien, die in dieser Tabelle angegeben ist, wurde bis kurz untei
den Schmelzpunkt erhitzt, um eine feste Lösung zu bilden. Dann wurden diese chemischen Verbindunger
erhitzt und die Einkristalle aus der geschmolzener Lösung — wie im Beispiel 1 — herausgezogen.
Einkristall
Sm2 · (MoOJ3
Eu2 · (MoOJ3
Dy2 · (MoOJ3
Tb2 · (MoO4J3
(Gd05Sm05I2 · (MoO4J3
(Gd„_5Eu„.5)2 (MoO4).!
(Gd0 5Tb0.5)2 · (MoOJ3
(Gd0 ..,Dy05J2-(MoOJ,
(Gd0.95YbO(l5)2 (MoOJ,
Eu2 · (MoOJ3
Dy2 · (MoOJ3
Tb2 · (MoO4J3
(Gd05Sm05I2 · (MoO4J3
(Gd„_5Eu„.5)2 (MoO4).!
(Gd0 5Tb0.5)2 · (MoOJ3
(Gd0 ..,Dy05J2-(MoOJ,
(Gd0.95YbO(l5)2 (MoOJ,
Molybdal (Teile) |
Sclicncrdoxyd (Teile) |
(Sm2O3: 174,3 |
431,8 | (Sm2O.,) 348,7 |
(Eu2O3) 176,0 |
431,8 | (Eu2O3) 352,0 |
(Tb4O1) '87,2 |
431,8 | (Dy2O3) 373,0 |
(Dy2O3) 186,5 |
863,6 | (Tb4O7) 748,8 |
(Yb2O3) 19,7 |
431,8 | (Gd2O3) 180,9 |
|
431,8 | (Gd2O3) 180,9 |
|
431,8 | (Gd2O3) 180,9 |
|
431,8 | (Gd2O3) 180,9 |
|
431,8 | (Gd2O3) 343.7 |
|
/Io
15
Fortsetzung
Einkristall
Einkristall
(Gd0.95Ho005)2 · (MoO4I3
(Gdo_„Luo 05), ■ (MoO4J3
(Gd095Tm1105J2 · (MoO4J3
(Gd095Sc0 05)2 · (MoO4J3
(Gd0 O5Lan 115), · (MoO4).,
(Gd045Pr1105J2 · (MoO4J3
(Gd011Y04J2- (MoO4).,
<Gdo.(lOLao 40)2 (MoO4).,
(Gd0110Tb020Dy020J2 ■ (MoO4).,
(Gd070Eu020Dy011J)2 ■ (MoO4),
(Gd0 ,,,,Sm0 20Tb„ 10)2 · (MoO4),
(Gd0 7OEu(K2OTb(11())2 · (MoO4),
(Gd07Y02La111I2-(MoO4).,
(Gd0 7Eu0 20Ho010)2 · (MoO4J3
(Gd0.7Sm0.,Eu11 .,Y01J2 · (MoO4).,
(Gd0C5Nd005I2 · (MoO4J3
(Gdo,,Tbo.2Yo,Lao,)2· (MoO4J3
Gd2(Mo0095W01O4), · (MoO4),
(Sm05Eu05I2 (MoO4)
(Sm05Dy05I2 (MoO4).,
(Sm0i5Tb„ 5)2 · (MoO4),
(Sm0115Yb1105), · (MoO4),
er. <£-■ |
16 | (Ho2O3) 18,9 |
(Tb4O7) 78,8 |
1771 937 | Seitenerdoxyd (Teile) |
(Lu2O3) 19,9 |
(Dy2O3) 37,3 |
Molybdat (Teile) |
(Gd2O3) 343,7 |
(Tm2O3) 19,3 |
(Tb4O7) 39,4 |
431,8 | (Gd2O3) 343,7 |
(Sc2O3) 6,9 |
(Tb4O7) 39,4 |
431,8 | (Gd2O3) 343,7 |
(La2O3) 16,3 |
(Y2O3) 45,2 |
431,8 | (Gd2O3) 343,7 |
(Pr11O11) 17,0 |
(Ho2O3] 37,8 |
431,8 | (Gd2O3) 343,9 |
(Y2O3) 90,3 |
(Eu2O3) 35,2 |
431,8 | (Gd2O3) 343,9 |
(La2O3) 130,0 |
|
431,8 | (Gd2O3) 217,0 |
(Dy2O3) 74,6 |
|
431,8 | (Gd2O3) 217,0 |
(Eu2O3) 70,4 |
(La2O3 32.6 |
431,8 | (Gd2O3) 217,0 |
(Sm2O3) 69,7 |
|
431,8 | (Gd2O3) 253,3 |
(Eu2O3) 70,4 |
|
431,8 | (Gd2O3) 217,0 |
(La2O3) 32,6 |
|
431,8 | (Gd2O3) 253,3 |
(Eu2O3) 70,4 |
|
431,8 | (Gd2O3) 253,3 |
(Sm2O3) 34,9 |
|
431,8 | (Gd2O3) 253,3 |
||
431,8 | (Gd2O3) 253,3 |
(Nd2O3) 16,8 |
|
431,8 | (Y2O3) 22,6 |
(Tb4O7) 39,4 |
|
(Gd2O3) 343,7 |
|||
431,8 | (Gd2O3) 217,0 |
ι (Eu2O3) 176,0 |
|
431,8 | (Wo3) 70,0 |
I (Dy2O1) 186,5 |
|
431,8 | (Sm2O3) 174.1 |
) (Tb4O7) 187,2 |
|
431,8 | (Sm2O3; 174.1 |
) (Yb2O,) 19.7 |
|
431.8 | (Sm2O, 174,1 |
||
431,8 | (Sm2O3 331,3 |
||
431,8 | |||
17
18
Fortsetzung
Einkristall
(Sm1195Ho0 05)2 - (MoOJ.
J.,
(Sm0g5TmO(:5)2 -(MoOJ3
(Sm0115Sc005), -(MoO4J3
(Sm()l,5Y005), (MoOJ,
(Sm111H1Er01), ■ (MoO4),
(Sm0„Eu„ ,Er01), ■ (MoO4),
ISm117Tb02Y01),-(MoO4),
(Sm11 sEr01 Y111), (MoO4),
(Sm118Dy0 ,Y005Er005), · (MoO4),
ISm05Tb05), (Mo090W01),
<Dy0-115L0-05), (MoO4),
(Dy045Pr0115), (MoO4).,
(Dy0115Nd1105), (MoO4),
(Dy11-SNd1110H11111), (MoO4I-,
(Eu1111Tb11 ,,,Dy112)2 ■ (MoO4),
(Gd011Eu11 ,Sm0 ,Tb0 ,Dyol)2 · (MoO4),
Molybdat (Teile) |
Seltenerdoxyd. (Teile) |
(Ho2O3) 18,9 |
(Er2O3) 19,1 |
431,8 | (Sm2O3) 331.3 |
(Lu2O3) 19,9 |
(Y2O-1) 22.6 |
431,8 | (Sm2O3) 331,3 |
(Tm2O3) 19,3 |
(Er2O3) 19.1 |
431,8 | (Sm2O3) 331.3 |
(Sc2O3) 6,9 |
(Y2O3) |
431,8 | (Sm2O3) 331,3 |
/Y2O3) 11.3 |
|
431,8 | (Sm2O3) 331.3 |
(Er2O3) 19.1 |
|
431.8 | (Sm2O-1) 313.4 |
(Eu2O3) 105.4 |
|
431,8 | (Sm2(I,) 209.4 |
(Tb4O-,) 78,8 |
|
431,8 | (Sm2O3) 244.0 |
(Y2O3) 22,6 |
|
431,8 | (Sm2O3) 278.9 |
(Dy2O3) | |
431,8 | (Sm2O3) | ||
388.6 431.8 431,8
431,8 431.8 431,8 431.8
278,9 37.3 11.3
(Er2O-1)
9.5
(Sm2O3) (Tb4O7)
174.1 187.2
IWO-1) 70,0
(Dy2O3) Il ' O3)
369.3 16.3
(Dy2O3) (Pr11O11)
369.3 17.0
(Nd2O3) (Dy2O3)
16.8 369,3
(Dy2O1) (Ho2O3) (Nd2O1)
298.4 37,8 33,7
(Eu2O3) (Dy2O1) (Tb4O-)
211,2 74,6 78,8
(Gd2O3) [Sm2O3)' (Eu2O3)
217,0 34,9 70.4
(Dy2O3)
37,3
Anschließend werden Ausführungsbeispiele der Anordnung wurde in flüssigen Stickstoff getaucht,
Erfindung beschrieben. Gd2(MoO4), wird darin ein- um sie auf einer extrem niedrigen Temperatur zu
fach mit GMO abgekürzt. ho halten. Ein Fenster 8 wurde in der Pyrofcrritanord-
. _.. . ... , mum vorgesehen, um eine schnelle Wanderung von
Ausfuhrungsbe.sp.el I flüssigem Stickstoff zu fördern und eine Kontakt-
Wie in den Fig. 7a und 7b gezeigt ist. wurde feder 6 (s. Fig. 7b) leicht anzubringen. Ein Druck
ein 5-mm-Würfel I von 45 Z-Sehnitl-KDP (parallel in der Größenordnung von lOOkg/cnr wurde unter
zu den I lachen [(K)I], [I K)] und [11O]) geschnitten, 6s Verwendung eines doppelten Druckstabes 5 mit
dessen [(M)I !-Oberfläche mit einer Elektrode 2 ver- Druckflächen 4 auf die Anordnung ausgeübt. Eine
sehen war, in einer hohlen, zylindrischen Druck- Spannung der Größenordnung von 5000 V konnte
/eile 3 aus einer Art von Pyrofcrril angeordnet. Die der Elektrode 2 zugeführt weiden. Wie im seitlichen
schnitt in Fig. 7b gezeigt ist, war ein Konden-
;ator 7 der Größenordnung von 380 pF parallel zum K.DP-Würfel 1 über die Kontaktfeder 6 angeschlossen,
und es wurde eine elektrische Energie von 5 · 10~3 Joule erhalten. " s
Ausführungsbeispiel 2
Wie in F i g. 8 gezeigt ist, wurde ein Z-Schnitt-KDP-Stück
1 mit den Abmessungen von 0,5 mm Dicke, 2 mm Breite und 15 mm Länge (senkrecht zur ι ο
c-Achse geschnitten), dessen [001]-Oberfläche mit zwei Elektroden 2 auf beiden Seiten verbunden war,
während eine andere Oberfläche 10 an eine Relaiskontaktzone 11 angeschlossen war, in einem Tieftemperaturbad
unter Verwendung von z. B. flüssigem Stickstoff angeordnet. Als ein Relaiskreij 13 an der
Kontaktzone Il angeschlossen und über die Anschlüsse 14 eine Spannung von 50 V an den Elektroden
2 angelegt wurde, erfolgte ein Polarisationswechsel im KDP 1. Da sich der KDP-Kristall 1 in
der Richtung der Kontaktzone ausdehnte und den Kontakt ^chloß, floß ein Strom durch den Rclaiskreis
13. Als eine Umkehrspannung von -50 V angelegt wurde, zog sich der Kristall in der Richtung der
Kontaktzone zusammen, so daß das Relais geöffnet wurde. Daher kann der Polarisationswechsel von
KDP durch ein elektrisches Feld zur Herstel'ung eines piezoelektrischen Relais des Selbsthaltetyps
verwendet werden. Das Steuerelement für ein solches piezoelektrisches Relais kann aus ferroelektrischferroelaslischen
Kristallen unter Einschluß nicht nur von KDP, sondern auch von GMO und Rochellc-SaI/
hergestellt werden.
Ausrührungsbeispiel 3
Wie in F i g. 9 gezeigt ist, wurden Z-Schnitt-GMO-Dünnplattcn
I1 und I2 (senkrecht zur c-Achse geschnitten)
auf beiden Seiten mit einem Metallstück 15 verbunden, wobei ihre c-Achsen in der gleichen oder
der entgegengesetzten Richtung angeordnet waren, so daß ein Bimorph gebildet wurde. Ein Ende 17 des
Metallstücks wurde festgelegt, während das andere Ende mit einem Ausleger verbunden wu.de, der eine
Saphirnadel 18 trug. Gummidämpfer 16 wurden auf beiden Seiten des Metallstücks 15 vorgesehen. Wenn
der so konstruierte Abtaster längs einer Spur 20 bewegt wurde, übte er ein Biegemoment auf das
Bimorph aus. Dabei wurde im GMO ein Polarisationswechsel entsprechend dem Maß der Biegung
erzeugt, und es ergab sich eine Änderung der elektrischen Energie an den Oberflächen der GMO's I1
und I2.
1. Wenn die GMO's mit beiden Seiten des Metallstücks 15 verbunden und ihre c-Achsen in der gleichen
Richtung angeordnet sind, wie in F i g. 10 dargestellt ist, tritt eine Spannung an den Elektroden 2I1
und 2I2 auf. Da die Biegungen der GMO's Ii und I2
und daher ihre Polarisationswechsel proportional der Amplitude der Spur sind, kann eine der Amplitude
der Spur proportionale Spannung erzielt werden.
2. Wenn die Z-Schnitt-GM O-Kristaile an beiden
Seiten des Metallstücks 15 befestigt und ihre c-Achsen in der umgekehrten Richtung angeordnet sind und
ein Druck "auf die GMO's I1 und I2 ausgeübt wird,
ergibt sich eine Spannung entsprechend dem in 1 beschriebenen Prinzip (Fig. 11).
Ausführungsbei;>piel 4
Wie in den Fig. 12a und 12b gezeigt ist, wurde
ein 45' -Z-Schnitt-GM O-Stück 1 (parallel zu den [OGl]- und [UO]-Flächen. die senkrecht auf der c-Ächse
stehen, geschnitten) mit Abmessungen von 0,2 mm Dicke, 20 mm Länge und 1,5 mm Breite an beiden
Seilen der [O01]-Oberfläche mit 2 Paaren von Elektroden
2 und 2' und mit einem Kondensator 22 von 0,1 uF auf der Seite der Elektrode 21' bestückt. Als
eine Wechselspannung von 100 V und 50 Hz an den Primäranschlüssen der Elektrode 21 angelegt
wurde, wurde in dem Bereich A des GMO-Stücks 1 eine Spannung induziert und eine Änderung in der
spontanen Polarisation erzeugt. So wurde in den Sekundärelektroden 2' eine elektrische Energie
erzeugt, wobei sich am Sekundäranschluß 23 eine Spannung von 2 V und 50 Hz ergab.
Die in" den vorstehenden Ausführungsbeispiclcn
verwendeten ferroelektrisch-ferroelastischen Materialien können in einem polarisationsumkehrbaren
Wandlcrelement unter Ausnutzung des Polarisationswechsels der Kristalle verwendet werden, die zu den
Typen in Tabelle 1 gehören. Insbesondere eignen sich Rochelle-Salz KDP, MASD, Eisen-Jod-Boracit und
die GMO-Kristallstruktur
(RxR^x)O3-3MoO3-W^O3
(wobei R und R' wenigstens eine Art von Scltenerdelement,
χ = 0 ~ 1,0 und e = 0 ~ 0,2 ist), die zum
rhombischen System und zu der Punktgittergruppe mm 2 gehören, als polarisationsumkehrbares Wandlerelcment
gemäß der Erfindung.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Als Speicherelement oder Schaltelement geeignetes
polarisationsumkehrbares Wandlerelement, bei dem ein elektrisches Feld oder eine
mechanische Spannung an einen Kristall mit der ferroclektrischen Eigenschaft angelegt wird, wobei
die Größe des elektrischen Feldes oder der mechanischen Spannung gleich oder größer als
das elektrische Koerzitivfeld bzw. die mechanische »Koerzitivkraft« des Kristalls ist, um einen
elektrischen Polarisationswechsel hervorzurufen, und bei dem eine in dem Kristal1 durch den Polarisationswechsel
erzeugte mechanische Dehnung oder elektrische Energie ausgewertet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kristall aus einem Material der Gruppe Rochelle-Sal/.
Kaiiumdihydrophosphat, Stoffe der Gadoliniummolybdatkristallstruktur
des Typs 42 m F mm 2 und der chemischen Formel
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4967467 | 1967-08-02 | ||
JP42049674A JPS4943831B1 (de) | 1967-08-02 | 1967-08-02 | |
JP5945067 | 1967-09-18 | ||
JP42059450A JPS492479B1 (de) | 1967-09-18 | 1967-09-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1771937A1 DE1771937A1 (de) | 1972-03-23 |
DE1771937B2 DE1771937B2 (de) | 1976-02-12 |
DE1771937C3 true DE1771937C3 (de) | 1976-09-23 |
Family
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