DE1765145C3 - Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit Laserstrahlen - Google Patents
Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit LaserstrahlenInfo
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- DE1765145C3 DE1765145C3 DE19681765145 DE1765145A DE1765145C3 DE 1765145 C3 DE1765145 C3 DE 1765145C3 DE 19681765145 DE19681765145 DE 19681765145 DE 1765145 A DE1765145 A DE 1765145A DE 1765145 C3 DE1765145 C3 DE 1765145C3
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
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Description
Wege gedient hat. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend
gekennzeichnet, daß als Trägermaterial für die weiterzuentwickeln, daß ein zeit- und kostensparen-Schaltkreise
(6) Glas verwendet wird und die Be- des Bearbeiten von Dünnschicht- und Halbleiterarbeitung von der Rückseite her durch das Glas 30 schaltungen ermöglicht wird, die untereinander idenhindurch
erfolgt. tisch in einer Vielzahl nebeneinander auf einem Trä-
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- ger aufgebracht sind.
kennzeichnet, daß während des Ausbrennvor- Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das aus
gangs die elektrischen Werte der einzelnen abzu- dem Laser austretende parallele Lichtbündel zugleichenden
Bauelemente der Schaltkreise (6) ge- 35 nächst mit Hilfe einer Zerstreuungslinse zu einer
messen werden und daß auf Grund dieser gemes- Vielzahl von Teilbündeln aufgefächert wird, die ansenen
Werte der Abgleichvorgang gesteuert wird. schließend mit Hilfe einer Vielzahl von in einer
Ebene angeordneten Linsen gesammelt werden, und
daß in den Sammelpunkten der Teilbündel die zu be-
40 arbeitenden, untereinander gleichen Schaltkreise in
entsprechender Anzahl auf einem gemeinsamen Trä-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbei ger angeordnet werden und so gleichzeitig um den-
ten dünner Schichten mit Laserstrahlen, wobei diese selben Betrag geändert werden können,
dünnen Schichten als Halbleiter- oder Dünnschicht- Damit erreicht man eine völlig gleiche Bearbeitung
schaltkreise auf einem Träger aufgebracht sind und 45 der einander gleichen, nebeneinander aufgebrachten
dieser Träger seinerseits mit Hilfe eines Kreuztisches Einzelschaltungen. Die Bearbeitungszeit der Vielzahl
nach allen Koordinatenrichtungen verschiebbar ist. von Schaltkreisen wird auf die bisherige Bearbei-
Es ist bekannt, mit Hilfe fokussierter Laserstrah- tungszeit eines einzelnen Schaltkreises gesenkt. Auch
lung dünne Schichten zu bearbeiten. Dabei wird das sind die einzelnen Schaltkreise nach der Bearbeitung
aus dem Laser austretende parallele Lichtbündel 50 einander völlig gleich. Das Verfahren eignet sich
möglichst hoher Energie durch ein Linsensystem in speziell zum Abgleichen von Widerständen und Kon-
einem Brennpunkt vereinigt. Damit lassen sich zahl- densatoren.
reiche Aufgaben lösen, wie Löten, Schweißen, Boh- Eine zweckmäßige Ausgestaltung des Linsensyren,
Fräsen und Trennen bei Materialdicken bis zu stems zur Erzeugung der Vielzahl von reellen Bildmehreren
10 jim. 55 punkten sieht vor, daß das aus dem Laser austre-Einige
erprobte Bearbeitungen (»Siemens-Zeit- tende Lichtbündel durch eine Zerstreuungslinse zuschrift«
41, 1967, Heft 1, und »Zeitschrift für Ange- nächst aufgefächert wird und anschließend von den
wandte Mathematik und Physik«, 16, 1965, S. 151 das »Fliegenauge« bildenden Sammellinsen wieder in
bis 154) sind: den einzelnen reellen Bildpunkten vereinigt wird. Da Trimmen von Präzisionswiderständen, wobei die 6o es bereii? L™% mit mehreren hundert Watt Lichtlei-Bearbeitung
auch durch eine Umhüllung aus stun8 S«bt, laßt sich in den einzelnen reellen Bijd-Glas
oder Kunststoff hindurch möglich ist, P"nkte,n jedenfalls die nötige Energiedichte errei-
wvcki^t «,»*«. r\tin~e~u' %.* «hen»dle zur Bearbeitung der Schichten notig ist.
2ftn£L?i Dunnschicht- Wenn die Schicht- und Halbleiterschaltkreise un-
1 und -kondensatoren, 6s fer verwendung von Masken hergestellt sind, so be-
Tnmmen von Quarzen, nutet man zur Bearbeitung der Oberfläche mittels
Trennen von Zuleitungen in integrierten Schaltun- Laserlicht vorzugsweise dasselbe »Fliegenauge« wie
gen. zur Herstellung und Vervielfältigung der Masken,
Hierdurch erreicht man, daß die Lage von Schichtmuster und. Ausbrennmuster auf allen Schichtelementen
übereinstimmt.
Sind die Schaltkreise auf Glas als Trägermaterial aufgebracht, so kann die Bearbeitung zweckmäßigerweise
von der Rückseite her durch das Glas hindurch erfolgen. Das Glas wird dabei nicht beschädigt, weil
es nur sehr wenig Energie absorbiert und die hohe Energiedichte erst im reellen Büdpunkt entsteht, der
auf der Schicht, d. h. außerhalb des Glases liegt.
Dadurch erreicht man den Vorteil, daß während des Ausbrennvorgangs Kontakte auf die Anschlüsse
der einzelnen abzugleichenden Bauelemente der Schaltkreise aufgesetzt werden können, die dazu dienen,
bestimmte Eigenschaften der Bauelemente (z. B.
Widerstand oder Kapazität) zu messen und den Ausbrennvorgang
dann zu beenden, wenn dse gewünschten Werte erreicht sind. „·ί}Λ
Die Abbildung verdeutlicht das erfindungsgemaße
Einvom Laser kommendes paralleles LichtMndel
I wird von einer Zerstreuungslinse 2 aufgefächert, so daß es von einem Brennpunkts auszugehen
scheint. Dieser virtuelle Brennpunkts wird in einer
ίο Ebene liegende Sammellinsen 4 in einer Vielzanl von
reellen Bildpunkten 5 auf ^e zu bearbeitenden
Schichten der Schaltkreise 6 abgebildet, die mi
einem gemeinsamen Träger? aufgebracht sind- Der
Träger 7 liegt auf einem Kreuztisch 8, der nach allen
Koordinatenrichtungen verschoben werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum Bearbeiten dünner Schichten dampfen verschiedener Metalle auf ein Trä°ermatemit
Laserstrahlen, wobei diese dünnen Schichten 5 rial, wie Glas oder Keramik, hergestellt. Zur besseals
Halbleiter- oder Dünnschichtschaltkreise auf ren Ausnutzung der Bedampfungsanlagen werden
einem Träger aufgebracht sind und dieser Träger dabei gleichzeitig mehrere solcher Schaltungen (ζ. Β
seinerseits mit Hilfe eines Kreuztisches nach allen 20 bis 50), die unter sich geometrisch und elektrisch
Koordinatenrichtungen verschiebbar ist, da- gleich sind, auf ein entsprechend großes Trägerplättd
u r c h g e k e η η ζ e i c h η e t, daß das aus dem io chen aufgebracht. Derartige Anordnungen von einer
Laser austretende parallele Lichtbündel (1) zu- Vielzahl von untereinander gleichen elektronischen
nächst mit Hilfe einer Zerstreuungslinse (2) zu Bauelementen auf einer gemeinsamen Trägerplatte
einer Vielzahl von Teilbündeln aufgefächert zeigen die deutsche Auslegeschrift 1 106 893 oder die
wird, die anschließend mit Hilfe einer Vielzahl österreichische Patentschrift 173 754.
von in einer Ebene angeordneten Linsen (4) ge- 15 Es ist nun im Zusammenhang mit der Herstellung
sammelt werden, und daß in den Sammelpunkten von Abdeckmasken für die Bauelementeherstellung
(5) der Teilbündel die zu bearbeitenden, unter- eine Anordnung optischer Linsen bekanntgeworden,
einander gleichen Schaltkreise (6) in entsprechen- genannt »Fliegenauge«, bei der eine Vielzahl von
der Anzahl auf einem gemeinsamen Träger (7) Linsen in einer Ebene angeordnet sind, wodurch von
angeordnet werden und so gleichzeitig um den ao einem Objekt gleichzeitig mehrere Abbildungen ne-
selben Betrag geändert werden können. beneiuander in einer Ebene erzeugt werden. Die ge-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- genseitige Lage der Abbildungen ist dabei durch die
kennzeichnet, daß dieselbe Linsen-Mehrfachan- gegenseitige I-age der einzelnen Linsen zueinander
Ordnung verwendet wird, die auch zum Herste!- bestimmt (»IBM Journal of Research and Developlen
der Abdeckmajsken auf fototechnischem 25 ment« 7, 1963, Nr. 2, S. 146 ff.).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681765145 DE1765145C3 (de) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit Laserstrahlen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19681765145 DE1765145C3 (de) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit Laserstrahlen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE1765145B2 DE1765145B2 (de) | 1973-05-17 |
DE1765145C3 true DE1765145C3 (de) | 1973-11-29 |
Family
ID=5698297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681765145 Expired DE1765145C3 (de) | 1968-04-09 | 1968-04-09 | Verfahren zum Bearbeiten dunner Schichten von elektrischen Schalt kreisen mit Laserstrahlen |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE1765145C3 (de) |
Families Citing this family (10)
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DE3124740A1 (de) * | 1980-08-14 | 1982-04-08 | VEB Elektronik Gera, DDR 6500 Gera | Verfahren zum abgleichen der kapazitaet elektrischer kondensatoren |
IT1179292B (it) * | 1984-03-22 | 1987-09-16 | Gd Spa | Dispositivo per praticare perforazioni in articoli a forma di barretta |
JPH082511B2 (ja) * | 1989-05-08 | 1996-01-17 | 松下電器産業株式会社 | レーザ加工装置 |
US5223693A (en) * | 1990-04-28 | 1993-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical machining apparatus |
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CN109719387B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-03-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 激光加工装置和方法、激光封装方法、激光退火方法 |
-
1968
- 1968-04-09 DE DE19681765145 patent/DE1765145C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |