DE1765091B2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
nur Chromoxid als Schutzschicht gebildet worden, unter Betriebsbedingungen wird immer durch die
ähd ih d dl i fäbt dichte SchutzsctucmeneML·
t gebildet wor,
während sich das edlere Nickel erst im Laufe der aufgestäubte, dichte SchutzsctucmeneML·
Zeit völlig in Nickeloxid umwandelte. Die sich dar- Als das zur Kathodenzerstäubung dienende üas
Zeit völlig in Nickeloxid umwandelte. Die sich dar- Als das zur Kathodenzerstäubung dienende üas
B A
Zeit g Nickeloxid umwandelte. Die sich dar Als
aus während der Benutzung ergebende Änderung kann z.B. Argon bei an^ "^vV?..^.m °er
des Widerstandsverhaltens wird bei den erfindungs- 5 verwendet werden; zuvor wird die VakuumKammer
gemäßen Widerständen vermieden. So gelang es. den bis zu einem Druck von
< 10 °™Λ™^^
Deckungsfehler nach Durchlaufen mehrerer Meß- Bildung einer oxidischen ^
schleifen zwischen -50 und + 150° C unter 1 »/„. Sauerstoff mit 1,5 · 10» Torr in JJ
zu senken. Hieraus läßt sich erkennen, daß durch die wobei der Anteil des Edelgases stetig
große Reaktionsfähigkeit der Sauerstofiionen auch io verringert wird. Als Träger fur die.Widerstandsschicht
das Nickel vollständig oxydiert worden ist, zumal wird Glas verwendet. Es lassen sich Jer au.h kera-
auch der TK-Wert kleiner gehalten werden kann als mische Werkstoffe verarbeiten. Zur entaschen Ron-
bei den getemperten Chrom-Nickel-Widerstands- taktierung werden z. B. vor dem B^tauben L.nrom-
schichten. Nickel-Gold-Streifen durch Aufdampfen mJM-
Will man bei den nach dem erfindungsgemäßen »s vakuum aufgebracht, an denen sich die AnscniuB-
Verfahren hergestellten Chrom-Nickel-Widerständen elemente in bekannter Weise anbringen lassen.
einen sehr kleinen TK erreichen, so wählt man das Verwendet man statt Sauerstoff andere^ oase als
Verhältnis Chrom-.Nickel vorzugsweise so, daß die reaktive Atmosphäre, so erhalt ^ ™~* „«?!
aufgestäubte Schicht aus 40 Gewichtsprozent Nickel schichten. Die jeweilige Wahl <*« PBaMwenJV™{*
und 60 Gewichtsprozent Chrom besteht. Damit wird *o richtet sich dabei nach dem als Widerstandsschicht
nach vollständiger Bearbeitung der TK nur wenig von verwendeten Metall. So ist es mogüch ^n einem
Null verschieden (TK < 30-10-»° C). kohlenstoffhaltigen Gas z. B. Kohlenmonoxid
Durch ein anderes Verhältnis Nickel: Chrom läßt Karbide zu erzeugen. Bei Verwendung von Stickstoff
sich jeder gewünschte andere TK-Wert erreichen, bilden sich Nitride. j,e,cr«t.»ii
ζ. B. TK stark negativ oder TK = 100 · 10- °C usw. *5 Die Figur zeigt einen ertoduiigsgem^ hergestel1-
Die Verwendung anderer Metalle und Legierungen ten Widerstand. Auf das Trägermaterial.L st de
als Widerstandsschicht ergibt jeweils bestimmte, an- Widerstandsschicht 2 aufgebracht und daraut die
dere Verläufe des TK. Die Konstanz der Widerstände Schutzschicht 3.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines hochkon- prinzipiell schwierig, eine eindeutig reproduzierbare
stanten Metallschichtwiderstandselementes mit auf 5 Legierungszusammensetzung zu erhalten, weil Chrom
einer Widerstandsschicht erzeugter Schutzschicht, uud Nickel nicht den gleichen Dampfdruck besitzen,
bei dem in einer Vakuum-Apparatur unter ver- Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Hochmindertem
Druck auf einen isolierenden Träger ohmwiderständen bekannt, bei dem dünne Überzüge
in einer ersten Bearbeitungsstufe die eigentliche vonz. B.Oxiden durch Kathodenzerstäubung dadurch
Metall-Widerstandsschicht und dann in einer io auf den elektrisch nichtleitenden Unterlagen aufgezweiten
Bearbeitungsstufe unter Verwendung bracht werden, daß die von der Kathode zerstäubten
einer reaktiven Atmosphäre die Schutzschicht Elemente durch Reaktion mit den im Zerstäubungsaufgebracht
wird, dadurch gekennzeich- raum vorhandenen Gasen in Verbindungen mit dem net, daß beide Schichten (2, 3) durch kathodi- erforderlichen elektrischen Widerstand übergeführt
sches Zerstäuben in einem fremderregten Plasma 15 werden (deutsche Patentschrift 859 915).
bei einem im wesentlichen gleichbleibenden Drack Es sind auch schon Zinnoxidschichten erzeugt worvon
etwa 10~3 Torr aufgetragen werden, und zwar den durch Kathodenzerstäubung in Sauerstoffatmodie
Metall-Widerstandsschicht (2) in einer Edel- sphäre. Diese Zinnoxidschichten sind aber als Schutzgasatmosphäre,
schicht für den vorliegenden Zweck nicht brauchbar.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 20 Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung metalkennzeichnet,
daß Chrom-Nickel-Schichten auf- lischer Schichten mittels Kathodenzerstäubung in
gestäubt werden. einem vorzugsweise mit Edelgas gefüllten Zerstäu-
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- bungsgefäß bekanntgeworden, bei welchem in dem
kennzeichnet, daß die aufgestäubte Widerstands- Zerstäubungsgefäß ein hochionisiertes Plasma durch
schicht aus 60 Gewichtsprozent Chrom und 25 ein hochfrequentes elektromagnetisches Feld erzeugt
40 Gewichtsprozent Nickel gebildet wird. wird, wobei «ich eine Ringentladung ausbildet, deren
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Ionen zur Zerstäubung benutzt werden (deutsche
kennzeichnet, daß als reaktives Gas Sauerstoff bei Auslegeschrift 1 122 801).
einem Druck von 10~3 Torr verwendet wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 30 Metallschichtwiderstandselement herzustellen, dessen
kennzeichnet, daß als reaktives Gas ein kohlen- Widerstandsschicht gegen atmosphärische Einflüsse
stoffhaltiges Gas verwendet wird. geschützt ist und daher während des Betriebes die
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch ge- Kenndaten nicht verändert. Gleichzeitig soll das Herkennzeichnet,
daß Kohlenmonoxid verwendet stellungsverfahren eintach sein und leicht reproduwird.
35 zierbare Ergebnisse liefern.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß beide
kennzeichnet, daß als reaktives Gas Stickstoff Schichten durch kathodisches Zerstäuben in einem
verwendet wird. fremderregten Plasma bei einem im wesentlichen
gleichbleibenden Druck von etwa 10 s Torr aufge-
40 tragen werden, und zwar die Metall-Widerstands-
schicht in einer Edelgasatmosphäre.
Damit werden die Vorteile erzielt, daß die erzeugte Schutzschicht äußerst dicht ist, daß die Be-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- arbeitung sehr vereinfacht wird, weil in dieselbe
stellung eines hochkonstanten Metallschichtwider- 45 Vakuumkammer erst Edelgas und dann Sauerstoff
Standselementes mit auf einer Widerstandsschicht er- eingeleitet werden kann und daß jede Nachbehand-
zeugter Schutzschicht, bei dem in einer Vakuum- lung entfällt.
Apparatur unter vermindertem Druck auf einen iso- Stellt man nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
lierenden Träger in einer ersten Bearbeitungsstufe die z. B. Nickel-Chrom-Widerstandsschichten her, so
eigentliche Metall-Widerstandsschicht und dann in 50 stäubt man zunächst in einer Edelgasatmosphäre
einer zweiten Bearbeitungsstufe unter Verwendung unter vermindertem Druck die leitende Schicht bis
einer relativen Atmosphäre die Schutzschicht aufge- zur gewünschten Dicke auf. Anschließend läßt man
bracht wird. als reaktives Gas Sauerstoff in die Kammer und ver-
Bisher war es üblich, Chrom-Nickel-Widerstands- mindert stetig den Anteil des Edelgases. In dieser
schichten, die sich z. B. durch kleinen Temperatur- 55 Sauerstoffatmosphäre wird das von der Kathode abkoeffizienten
(TK) auszeichnen, dadurch zu stabilisie- sprühende Metall oxydiert und als oxidische Schutzren,
daß man die Widerstandsschicht an Luft tem- schicht auf der Widerstandsschicht niedergeschlagen,
perte, d. h. erhitzte. Hierdurch wird die Oberfläche Die hervorragende Dichte der oxidischen Schutzoxydiert,
vornehmlich jedoch nur das gegen Sauer- schicht kommt so zustande: Beim Aufstäuben sind
stoff empfindlichere Chrom, weniger das Nickel, wo- 60 durch die große Energiedichte im Plasma auch die
durch sich der Temperaturkoeffizient verschiebt und Sauerstoffmoleküle ionisiert, wodurch die Reaktionsder
Widerstand im Laufe der Zeit seine elektrischen fähigkeit des Sauerstoffes stark erhöht wird. So ge-Werte
ändert. Weiter hat man als Schutzschicht reine lang es z. B. bei reaktiver Zerstäubung von Gold und
Chromschichten aufgetragen; in letzter Zeit ist ein Platin, diese Stoffe zu oxydieren, während sie von
Verfahren bekanntgeworden, bei dem zunächst die 65 neutralen Sauerstoffmolekülen auch bei höheren
Chrom-Nickel-Schicht im Vakuum aufgedampft wird. Temperaturen, wie sie beim Verdampfen auftreten,
Anschließend läßt man Sauerstoff hinzu, so daß der nicht angegriffen werden. Beim Aufdampfen von
Chrom-Nickel-Dampf oxydiert und eine Schutz- Chrom-Nickel-Widerstandsschichten war bisher meist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681765091 DE1765091C3 (de) | 1968-04-01 | 1968-04-01 | Verfahren zur Herstellung eines hochkonstanten Metallschichtwiderstandselementes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19681765091 DE1765091C3 (de) | 1968-04-01 | 1968-04-01 | Verfahren zur Herstellung eines hochkonstanten Metallschichtwiderstandselementes |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1765091A1 DE1765091A1 (de) | 1971-12-30 |
DE1765091B2 true DE1765091B2 (de) | 1973-10-18 |
DE1765091C3 DE1765091C3 (de) | 1974-06-06 |
Family
ID=5698270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681765091 Expired DE1765091C3 (de) | 1968-04-01 | 1968-04-01 | Verfahren zur Herstellung eines hochkonstanten Metallschichtwiderstandselementes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1765091C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2833919A1 (de) * | 1978-08-02 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Elektrische schichtschaltung auf kunststoffolie und herstellungsverfahren |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2318941A1 (fr) * | 1973-03-06 | 1977-02-18 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation de couches minces conductrices et transparentes |
NL7707078A (nl) * | 1977-06-27 | 1978-12-29 | Philips Nv | Koolstoffilmweerstand. |
US4298505A (en) * | 1979-11-05 | 1981-11-03 | Corning Glass Works | Resistor composition and method of manufacture thereof |
-
1968
- 1968-04-01 DE DE19681765091 patent/DE1765091C3/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2833919A1 (de) * | 1978-08-02 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Elektrische schichtschaltung auf kunststoffolie und herstellungsverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1765091A1 (de) | 1971-12-30 |
DE1765091C3 (de) | 1974-06-06 |
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