DE1764908B2 - Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung

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IT1214805B (it) * 1984-08-21 1990-01-18 Ates Componenti Elettron Spositivi a semiconduttore con giunprocesso per la fabbricazione di dizioni planari a concentrazione di carica variabile e ad altissima tensione di breakdown

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