DE1764878C3 - Laseranordnung zur Informationspeicherung mit mindestens drei stabilen Zuständen - Google Patents
Laseranordnung zur Informationspeicherung mit mindestens drei stabilen ZuständenInfo
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Description
35
Die Erfindung betrifft eine Laserano^dnung zur Informationsspeicherung
mit mindestens drei stabilen Zuständen, die ein stimulierbares Medium und zwei mit ihm optisch gekoppelte nichtlineare Lichtabsorber
aufweist, deren Absorptionsvermögen durch Anlegen jeweils eines äußeren Signals verringerbar ist, um
wahlweise eine Strahlungsrichtung der Laserstrahlung und damit einen stabilen Zustand einzustellen.
Es sind bereits verschiedene optisch aktive Bauteile bekannt. Die meisten derselben nutzen zur Informationsspeicherung
die optische Verstärkung aus und unterscheiden zwischen dem Vorhandensein und dem
Fehlen einer kohärenten Strahlung. Beispiele solcher optisch aktiver Bauteile sind in folgenden Arbeiten
beschrieben: »Applied Physics Letters«, Bd. 3, Nr. 1, vom 1. Juli 1963, S. 1 bis 3, oder »I. B. M. Journal
R & De, Bd. 8, Nr. 4, September 1964, S. 471 bis 475. Die in diesen Arbeiten beschriebenen Anordnungen
stellen optische Kippstufen dar. Dieselben besitzen zwei stabile Zustände, so daß sie für eine Verwendung
als Informationsspeicher geeignet sind.
Aus der deutschen Patentschrift 1 220 055 und aus »Technische Rundschau« vom 1. Oktober 1965, Bd. 57,
Nr. 41, S. 45, ist eine Halbleiterdiodenschaltanordnung als optischer Informationsspeicher mit zwei stabilen
Zuständen bekannt, bei der optisch miteinander gekoppelt ein Bereich einer Halbleiterdiode als optischer
Sender und ein anderer als Lichtabsorber arbeitet. Diese Anordnung hat die logische Funktion eines Inverters.
Die deutsche Auslegeschrift 1 214 783 beschreibt eine Laseranordnung der eingangs genannten Art, bei
ier jeweils nur eine Stirnfläche des stimulierbaren Mediums als Fabry-Perot-Resonatorspicgel ausgebildet
ist, d. h. von je einem Paar parallel zueinander verlaufender Stirnflächen ist jeweils eine teilweise reflektierend
und die andere durchlässig ausgebildet, wobei sich der Absorber jeweils an die durchlässige Seitenfläche
anschließt. Durch Ausbildung des stimulierbaren Mediums in Form eines regelmäßigen Vielecks
kann man innerhalb ein und desselben stimulierbaren Mediums in verschiedene Richtungen ausgerichtete
optische Resonatoren verwirklichen. Durch Anregung der Eigenschwingung je eines dieser optischen Resonatoren
erhält man dann mit einem einzigen stimulierbaren Medium mehrere stabile Zustände. Bezogen auf
die Anzahl η der Lichtabsorber einer Laseranordnung ist die mögliche Anzahl der stabilen Zustände // · 1.
Da die verschiedenen Lichtabsorber jeweils verschiedenen optischen Resonatoren zugeordnet sind, ist es
schwierig, sicherzusteüen, daß die verschiedenen Eigenschwingungen
miteinander übereinstimmen.
Über den eingangs angegebenen Gattungsbegriff des Anspruchs 1 hinaus ist es aus der deutschen Auslegeschrift1
214 783 bekannt, daß sowohl das stimulierbare Medium, das als optischer Sender wirkt, als aucli
die nichtlinep.ren Lichtabsorber Halbleiterdioden sind.
Aufgabe der Erfindung ist die Ausnutzung eines einzigen optischen Resonators und damit ein und derselben
Eigenschwingung eines optischen Senders (Lasers) zur Informationsspeicherung mit mindestens
drei stabilen Zuständen.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß erstens das stimulierbare Medium und die
Lichtabsorber in einem gemeinsamen optischen Resonator durch Umlenkspiegel optisch so hintereinandergeschaltet
sind, daß der Laserstrahlengang einen in sich geschlossenen Weg (Ring) bildet, daß zweitens
die Einstellung der Strahlungsrichtung in einer Einstellung des Umlaufsinnes der Laserstrahlung auf dem
geschlossenen Weg besteht und daß drittens die dem stimulierbaren Medium zugeführte Anregungsenergie
derart unterschiedlich einstellbar ist, daß die Laserstrahlung entweder in nur einer Umlaufrichtung oder
in beiden Umlaufrichtungen gleichzeitig auftreten kann.
Durch die Anordnung eines geschlossenen Lichtwegs kann man ein und dieselbe Eigenschwingung
wahlweise für beide möglichen UmJaufrichtungen ausnutzen. Darüber hinaus ist es möglich, durch entsprechende
Einstellung der Lichtabsorber und/oder durch entsprechende Anregungsenergie/ufuhr zum
stimulierbaren Medium beide Umlaufrichtungen gleichzeitig zu verstärken. Dadurch erhält man mit zwei
Lichtabsorbern innerhalb einer Laseranordnung vier mögliche stabile Zustände.
Die Erfindung wird in der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen an Hand bevorzugter
Ausführungsbeispiele erläutert.
F i g. 1 ist eine graphische Darstellung der Durchgangs-Lichtintensität
in Abhängigkeit von der Einfalls-Lichtintensität für Galliumarsenid;
F i g. 2 ist ein Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 3 ein entsprechendes Blockschaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung und
F i g. 4 (a) und 4 (b) Kennlinien zur Erläuterung der Wirkungsweise dieser Ausführungsformen der
Erfindung.
F i g. 1 zeigt für Galliumarsenid (GaAs) die Kennlinie der Durchgangs-Lichtintensität in Abhängigkeit
io
von der Einfalls-Lichtintensität; Galliumarsenid ist
ein Beispiel eines nichtlinearen Absorbers und in «Applied Physics Letters«, Bd. 6, Nr. 6, vom 15.3.1965,
S 101 bis 102, erläutert. Es gibt zahlreiche weitere Stoffe mit nichtlinearer Absorptionskennlinie.
F i g. 2 zeigt eine AusTührungsfoim der Erfindung
-nil einem stimulierbaren Medium 1, den nichtlinearen
Lichtabsorbern 2 und 3, den Resonatorspiegeln 4, 5 und 6, den Nachweisgeräten 7 und 8 für die Strahlung*-
richtung und mit einer löschenden Lichtquelle 9. Die gestrichelte Linie gibt den Licht- bzw. Strahlungsweg
an Beide Stirnflächen des stimulierbaren Mediums 1 sind nichtreflektierend, so daß im stimulierbaren Medjum
1 keine stehenden Wellen auftreten können, und das stiniulierbare Medium 1 als nichtrückgekoppelter
optischer Sender oder als optischer Verstärker wirkt.
Unter der Annahme eines Verstärkungsfaktors g des
stimuiierbaren Mediums 1, von Durchlässigkeitsfak-,oren
/, und t3 der Absorber 2 und 3 und einer aus
beiden Stirnflächen des stimulierbaren Mediums 1 aus- ao tretenden Lichtintensität I0, erhält man die Intensität i>
des im mathematisch positiven Drehsinn (entgegen dem Uhrzeiger) zum Ausgangspunkt zurückkehrenden
Lichtstrahls zu
IP - '° ^ V*
mit χ ais Reflexionsfaktor der Resonatorspiegel 4, 6
u„d 5. Entsprechend ergibt sich die Intensität i» des
im mathematisch negativen Drehsinn (mit dem Uhrzeiger) sich ausbreitenden Lichtstrahls bei Rückkehr
sität des Lichtbündels bei Rückkehr in die Ausgangsstellung gemäß der Beziehung
/„' = I0 λ u'l3'g'
nicht zur Aufrechterhaltung der stimulierten Emission
aus, da der Verstärkungsfaktorg herai?S"et^'St"da.
Eine entsprechende wahlweise Strahlung kannoa
durch erhalten werden, daß man ein f"satzl^htbunuei
unabhängig von dem Lichtbuiidei /, im ^genu
zeigersinn auf den Absorber 2 nch,tet, :stau a*» rn
einen äußeren Lichtimpuls de™ L'cMbunde! Y0 uoe
lagert. Wenn andererseits ein Halbleiter-PN-Ubergang
als Absorber 2 benutzt ist, l.efert die SWJ
Durchlaßstromes im Sinne einer Änderung des uurcn
lässigkeitsfaktors das gleiche Ergebnis.
Nach der zweiten Ausfuhrungsforrn der trhnaung
gemäß F i g. 3 sind Halbleiter-PN-tJbergange als AO-sorber
2 und 3 benutzt, die an eine Ko"s;*" 3",
nungsquejle angeschlossen sind Wenn ein L'c™^
auf die tJbergangszone auffallt, bedingt oie' "1^
chende elektrische Leitfähigkeit eine vergr°UerunS oes
Stromes. Da der vergrößerte Strom d"f ^arkung
des auffallenden Lichtes anhebt, steigt mogl.cnerweis
die Durchlässigkeit der Übergangszone an.
F i g 4 gibt die obengenannte Beziehung zwischen dem duri. die Übergangszone fließenden Strom und
der an derselben anliegenden Spannung wieder, vv ei erc
Einzelheiten sind in »Japanese «^
Physics«, Bd. 3, 1964, S 233 bis .234. erläutert Wenn
nach F i g. 4 (a) die Dioden und »an eine Span
Eine stimulierte Emission tritt nicht aui, wenn V*
< 1.
35
Wird dagegen ein zusätzliches im positiven Drehsinn umlaufendes äußeres Lichtbündel der ursprünglichen
Strahlung/0 überlagert, die Strahlung somit auf den
Wert^ /„ verstärkt und auf den Absorber 3 gerichtet, dann verringert sich der Durchlässigkeitskoeffizient
des Absorbers 3 vom Wert h auf den Wert r3'. Das
durch den Absorber 3 hindurchtretende Lichtbündel wird in dem optischen Verstärker 1 verstärkt und tritt
durch den Absorber 2 mit dem Durchlässigkeitsfaktor f,' hindurch; das Lichtbündel hat bei Rückkehr
zum Ausgangspunkt die Intensität
Wenn
ii' β I0K t2't3'g .
V
h't3'S
50
wird, bleibt die in dem geschlossenen optischen Kreis
umlaufende Lichtintensität konstant, auch wenn der zusätzliche äußere Lichtimpuls verschwindet. Damit ist
die stimulierte Emission ausgelöst.
Andererseits stellt sich eine Schwingung des im Drehsinn des Uhrzeigers umlaufenden Lichtbündels
ssäsä! sssä
jst in F i g 4 (b) angegeben. Danach ist die emittierte
Strahlungsintensität der Diode 1 mehr als doppelt.so
groß wie die Strahlungsintensität der Diode I Der
Anstieg der Strahlungsintensität der Diode 1ist aurtn
die Zunahme der elektrischen ^&Η'*^ι1 Η"10^"
starken Lichteinfalls bedingt. Diesί n»1 ^nden crlässigkeitsfaktor
der Diode 1 an, wie im folgenden
läutert wird. ,,MPrnH„ Treiber-
Wenn nach Fig. ^e-" kurzdauernde^ Treibe
impuls an dem Absorber 3 mit einem Harn ei
PN-Übergang anliegt, tragt ein Teil der in aem 1
Übergang injizierten Ladungsträger zu der verew
kung des Einfallslichtbundels in dem 0^" «
Sinn bei. Infolgedessen ander «ch d
keitsfaktor von t3 auf t3 . Die Strahlung J0 « t2 im ^e
genuhrzeigersinn verringert sich auf /0 « ttt3',
nachdem sie durch den Absorber 3 gelangt ist; diese Strahlung gelangt dann in den Verstarker 1 wird üort
auf den Wert
7o λ
verstärkt und trifft auf den Absorber 2 Absorber 2 flielknde Slrom steigt bei E
z.
im Uhrzeigersinn auf einen Wert unter den für das Lichtbündel im Gegenuhrzeigersinn erforderlichen
Wert (bekannt als Löscheffekt). Dann reicht die Intentung
der Schwingung erforderliche Beziehung lautet. Λ t^t^g = 1.
Andererseits erreicht der Strahlungspuls im Uhr- Einfallsfläche und Jer Lichteinfallsrichtung die Un-2:eigersinn,
det aus dem von einem Treiberimpuls ange- gleichung erfüllt: regten Absorber 3 herauskommt, den Verstärker 1, .
nachdem der Strahlungspuls im Gegenuhrzeigersinn in sm f >
"°'n ·
den Verstärker 1 eingetreten ist. Der Verstärkung- 5
faktor g' des Verstärkers 1 für den Strahlungspuls im Setzt man η = 3,6 für die kohärente Strahlung in
Uhrzeigersinn ist kleiner als für den Strahlungspuls im GaAs, so tritt Totalreflexion auf, für ψ
> 16°8', so-Gegenuhrzeigersinn,
da der Hauptteil der an dem Ver- lange der Brechwert der Umgebung H0 = 1, oder
stärker 1 anliegenden Anregungsenergie für die Ver- φ
> 19°28', solange //„ = 1,2 (entsprechend flüssigem
ütäiNung des Strahlungspulses im Gegenuhr/eigersinn io Stickstoff als umgebenden Stoff). Bei der Anordnung
verbraucht ist. Deshalb bleibt die Beziehung in f-orm eines gleichseitigen Dreiecks nach F i g. 3 ist
der Winkel zwischen der Normalen zu der Obcr-
■Kt2t3f>' 1 fläche A-B, C-D oder E-F und der Lichteinfallsrich-
tung ψ —- 30°, so daß Totalreflexion auftritt und λ0 1
bestehen, und eine stimulierte Emission für ein Licht- 15 gültig bleibt. Da das Licht senkrecht zu beiden Stirnbündel
im Uhrzeigersinn wird nicht angeregt, flächen des stimdiubarcn Mediums 1 und der Ab-
Die stimulierte Emission kann durch impulsartige sorber 2 und 3 einfällt und da beide Stirnflächen nichtHerabsetzung des Verstärkungsfaktors des Verstärkers reflektierend ausgebildet sind, so daß man einen Reabgebrochen
werden, da die Intensität des Ausgangs- flexionsfaktor R unterhalb 1 °/0 erhält, kann man die
Üchtbündels dann abfällt und der Durchlässigkeits- 20 Reflexionsverlustc vernachlässigen. Setzt man \ I
faktor wieder den Ausgangswert annimmt. In der und R < 1 %, erhält man einen Verstärker, wenn gilt:
Praxis erfolgt die Unterdrückung der stimulierten
Emission durch Auslöschung mit der Lichtquelle 9 im (-k 4- β J) I
> 0 ,
Sinne einer Herabsetzung des Verstärkungsfaktors des
Verstärkers 1. Der Umlaufsinn der stimulierten Emis- 35 und einen Absorber, wenn gilt:
sion kann durch Löschen der stimulierten Emissien
mittels der Lichtquelle 9 und danach entweder durch ( -k i β J)I <
0 .
Einführung eines äußeren Lichtimpulses in entgegen
gesetzter Richtung oder durch Anhebung des Durch- Somit ändert sich der Durchlässigkeilsfaktur mit
lässigkeitsfaktors des Absorbers 2 umgekehrt werden. 30 einer Änderung der Stromdichte J des durch den
Die stimulierte Emission wird durch die Nachweis- PN-iJber^ng fließenden Stromes. Für die übliche
geräte 7 und 8 oder durch Messung des in den Ab- kohärente GaAs-Strahlung hat man jeweils folgende
sorbern 2 und Λ fließenden Stromes nachgewiesen, in Werte A -= 50 cm J und b - 0,05 cm/A bei der Temletzterem
Falle, wenn die Halbleiter-PN-Übergänge peratur des flüssigen Stickstoffs.
als Absorber 2 und 3 benutzt werden. 35 Andeicrscits hat das kohärente Strahlenbündel in
Die zweite Ausführungsfcrm der Erfindung nach GaAs normalerweise eine Divergenz von etwa 10° für
F i g. 3 ist nach Art eines Festkörperschallkrcises auf- alle Richtungen. Die Divergenz bringt Lichtverluste
gebaut, bei dem alle Bauteile aus PN-Übergängen be- beim Übergang von dem stimuüerbaren Medium 1 zu
stehen. An Stelle von Spiegeln werden Prismenflächen dem Absorber 2, vor dem Absorber 2 zu dem Absorder
HalWeiterkörper selbst, sowohl des stimuüerbaren 40 ber 3 usw. mit sich. Der Verlustwert© ändert sich mit
Mediums 1 als auch der der Absorber 2 und 3 für eine dem Abstand zwischen dem stimuüerbaren Medium 1
in diesem Falle totale Reflexion ausgenutzt. Die Bedin- und den Absorbern 2 oder 3 oder zwischen den Abgung
zur Auslösung der stimulierten Emission ent- sorbern 2 und 3. Setzt man die Stromdichte des stimuspricht
derjenigen für die erste Ausführungsform der lierbaren Mediums 1 auf J1, diejenige der Absorber 1
Erfindung nach F i g. 2. Die stimulierte Emission kann 45 und 3 auf J und die Länge des stimuüerbaren Medurch
impulsartige Verringerung des durch den Ver- diums 1 und der Absorber 2 und 3 jeweils auf /, se
stärker 1 oder die Absorber 2 und 3 fließenden Stromes tritt keine stimulierte Emission auf, solange gilt:
abgebrochen werden.
Zweckmäßig finden im Rahmen dieser zweiten Aus- ( \* η - —Π χ \ι i m ι ->
m /
führungsform der Erfindung PN-Übergänge von 50 ^oj ' Ό ' '-' r3'S-c· exp \-ik +P(J1 t-*.J)\ /<
1 GaAs für den Verstärker 1 und die Absorber 2 und 3 ,
Verwendung. Wenn durch den GaAs-PN-Übergang ° 11
Strom fließt, können der Verstärkungsfaktor des Ver- β (J1 ^. 2 J)
< 3k + - In — .
stärkers 1 und die Durchlässigkeitskoeffizienten der / Θ
Absorber 2 und 3 folgendermaßen ausgedrückt wer- 55
den: Wenn die Stromdichte des Absorbers 3 um Δ J3 zu
nimmt, wird die auf den Absorber 2 einfallende Lichi
ft0 · exp (—k ]- β J) ■ 1 intensität um einen Faktor exp β Δ J3I größer. Wen
die Stromdichte, des Absorbers 2 infolge einer Zi
mit k als Atsorptionskoeffizient, / als Stromdichte 60 nähme der Einfallslichtintensität um AJ2 zunimm
durch den PN-Übergang, β als Konstante zur Dar- tritt eine stimulierte Emission auf, wenn gilt:
stellung des Verstärkungsfaktors für Licht, / als Licht-Weglänge des Lichtwegs durch das stimulierbare Me- 1 1
dium 1 oder die Absorber 2 oder 3 und mit «0 als P Wi -t-2J + AJ2) — 3k + —- In -- .
Reflexionsfaktor der Oberflächen A-B, C-D und E-F. 65
Bezeichnet man den Brechwert von GaAs mit π und
Bezeichnet man den Brechwert von GaAs mit π und
denjenigen der Umgebung mit n0, so tritt Totalreflexion Nimmt man ?, B. folgende Werte an: / = 5'Xi ,.u
auf, wenn der Winkel ψ zwischen der Normalen der Θ = O1S, J1 -- 2288 A/cm2 und ./ =-- 400 A/cm2, ergi
sich keine stimulierte Emission, da
3Ar + --In-* = 154,5
β (J1+ 2J)= 154,4.
Wenn der Zusatzstrom Δ J3 = 520 A/cm2 dem durch
Absorber 3 fließenden Strom überlagert wird, ergibt sich die auf den Absorber 2 einfallende Liehtinten-
»ität um einen Faktor
exp β Δ J3/ = 3,7
größer. Wenn der durch den Absorber 2 fließende Strom um 1 °/0 infolge des Anstiegs der Einfallslichtintensität
zunimmt, wird die Bedingung für das Auftreten der stimulierten Emission erfüllt, da AJ2
= 4A/cm2 und
β (J1 + 2J + Δ J2) = 154,6
> 3A- -f -■- In —
/ Θ
Wie man diesem Ausführungsbeispiel entnimmt, bestehen zahlreiche Freiheitsgrade für den Aufbau der
Anordnung, indem man die Längen des stimulierbaren Mediums 1 und der Absorber 2 und 3, den Stromwert
und den Verlustwert auf Grund der Dispersion der kohärenten Strahlung einstellt.
Die Erfindung liefert somit eine optische Anordnung mit drei bzw. vier stabilen Zuständen, nämlich erstens
keine optische Strahlung in irgendeiner Richtung, ίο zweitens optische Strahlung im Gegenuhrzeigersinn,
drittens optische Strahlung im Uhrzeigersinn und viertens in dem anderen Arbeitsbereich bei heraufgesetzter
Eingangsenergie des stimulierbaren Mediums im Gegenuhrzeigersinn und Uhrzeigersinn gleichzeitig auf·
tretende kohärente Strahlung.
Auf diese Weise wird ein Speicherelement mit dre bzw. vier Zuständen erhalten.
Die Anordnung nach der Erfindung kann gegenübe·
der vorstehendtn Beschreibung so abgewandelt wer
ao den. daß man noch mehr stabile Zustände erhält, in
dem man weitere stimulierbare Medien und/oder A^ sorber einfügt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Laseranordnung zur Informationsspeicherung mit mindestens drei stabilen Zuständen, die ein
stimuücrbares Medium und zwei mit ihm optisch
gekoppelte nichtlineare Lichtabsorber aufweist, deren Absorptionsvermögen durch Anlegen jeweils
eines äußeren Signals verringerbar ist, um wahlweise eine Strahlungsrichtung der Laserstrahlung
und damit einen stabilen Zustand einzustellen, dadurch gekennzeichnet, daß erstens
das stimulierbare Medium (1) und die Lichtabsorber (2, 3) in einem gemeinsamen optischen Resonator
durch Umlenkspiegel (4, 5, 6) optisch so hintereinandergeschaltet sind, daß der Lascrstrahlengang
einen in sich geschlossenen Weg (Ring) bildet, daß zweitens die Einstellung der
Slrahlungsrichtung in einer Einstellung des Umlaufsinnes
der Laserstrahlung auf dem geschlossenen Weg besteht und daß drittens die dem stimulierbaren
Medium (1) zugeführte Anregungsenergie derart unterschiedlich einstellbar ist, daß die Laserstrahlung
entweder in nur einer Umlaufrichtung oder in beiden Umlaufrichtungen gleichzeitig auftreten
kann.
2. Laseranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl das stimulierbare
Medium (1) als auch die Lichtabsorber (2, 3) Halbleiterdioden sind.
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |