DE1764878B2 - Laseranordnung zur Informationspeicherung mit mindestens drei stabilen Zuständen - Google Patents
Laseranordnung zur Informationspeicherung mit mindestens drei stabilen ZuständenInfo
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- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
Description
Die Erfindung betrifft eine Laseranordnung zur Informationsspeicherung
mit mindestens drei stabilen Zuständen, die ein stimulierbares Medium und zwei
mit ihm optisch gekoppelte nichtlineare Lichtabsorber aufweist, deren Absorptionsvermögen durch Anlegen
jeweils eines äußeren Signals verringerbar ist, um wahlweise eine Strahlungsrichtiing der Laserstrahlung
und damit einen stabilen Zustand einzustellen.
?.<=■ sind bereits verschiedene optisch aktive Bauteile
bekannt. Die meisten derselben nutzen zur Informationsspeicherung die optische Verstärkung aus und
unterscheide!ι zwischen dem Vorhandensein und dem Fehlen einer kohärenten Strahlung. Beispiele solcher
optisch aktiver Bauteile sind in folgenden Arbeiten beschrieben: »Applied Physics Letters«, Bd. 3. Nr. 1,
vom 1. Juli 1963, S. 1 bis 3, oder »I. B. M. Journal R & D«, Bd. 8, Nr. 4, September 1964, S. 471 bis 475.
Die in diesen Arbeiten beschriebenen Anordnungen stellen optische Kippstufen dar. Dieselben besitzen
zwei stabile Zustände, so daß sie für eine Verwendung
als Informationsspeicher geeignet sind.
Aus der deutschen Patentschrift 1 220 055 und aus »Technische Rundschau« vom 1. Oktober 1965, Bd. 57,
Nr. 41. S. 45, ist eine Halbleiterdiodenschaltanordnung als optischer Informationsspeicher mit zwei stabilen
Zuständen bekannt, bei der optisch miteinander gekoppelt ein Bereich einer Halbleiterdiode als optischer
Sender und ein anderer als Lichtabsorber arbeitet. Diese Anordnung hat die logische Funktion eines Inverters.
Die deutsche Auslegeschrift 1214 783 beschreibt
eii.'i Lascninordnung der eingangs genannten Art, bei
Her K'weils nur eine Stirnfläche des stimulierbaren Mediums
als Fabry-Perot-Resonatorspiegel ausgebildet ist. d. h. von je einem Paar parallel zueinander verlaufender
Stirnflächen ist jeweils eine teilweise reflektierend und die andere durchlässig ausgebildet, wobei
sich der Absorber jeweils an die durchlässige Seitenfläche anschließt. Durch Ausbildung des stimulierbaren
Mediums in Form eines regelmäßigen Vielecks kann man innerhalb ein und desselben stimulierbaren
Mediums in verschiedene Richtungen ausgerichtete
ίο optische Resonatoren verwirklichen. Durch Anregung
der Eigenschwingung je eines dieser optischen Resonate 'en erhält man dann mit einem einzigen stimulierbaren
Medium mehrere stabile Zustände. Bezogen auf die Anzahl η der Lichtabsorber einer Laseranordnung
ist die mögliche Anzahl der stabilen Zustände /; — 1. Da die verschiedenen Lichtabsorber jeweils verschiedenen
optischen Resonatoren zugeordnet sind, ist es schwierig, sicherzustellen, daß die verschiedenen Eigenschwingungen
miteinander übereinstimmen.
Über den eingangs angegebenen Gattungsbegriff des Anspruchs 1 hinaus ist es aus der deutschen Auslegeschrift
1 214 783 bekannt, daß sowohl das stimulierbare Medium, das als optischer Sender wirkt, als auch
die nichtlinearen Lichiabsorber Halbleiterdioden sind.
Aufgabe der Erfindung ist die Ausnutzung eines einzigen optischen Resonators und damit ein und derselben
Eigenschwingung eines optischen Senders (Lasers) zur Informationsspeicherung mit mindestens
drei stabilen Zuständen.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß erstens das stimulierbare Medium und die
Lichtabsorber in einem gemeinsamen optischen Resonator durch Umlenkspiegel optisch so hintereinandergeschaltet
sind, daß der Laserstrahlengang einen in sich geschlossenen Weg (Ring) bi'det. daß zweitens
die Einstellung der Strahllingsrichtung in einer Einstellung des Umlaufsinnes der Laserstrahlung auf dem
geschlossenen Weg besteht und daß drittens die dem stimulierbaren Medium zugeführte Anregungsenergie
derart unterschiedlich einstellbar ist, daß die Laserstrahlung entweder in nur einer Umlaufrichtung oder
in beiden Umlaufrichtungen gleichzeitig auftreten kann.
Durch die Anordnung eines geschlossenen Lichtwegs kann man ein und dieselbe Eigenschwingung wahlweise für beide möglichen Umlauf richtungen ausnutzen. Darüber hinaus ist es möglich, durch entsprechende Einstellung der Lichtabsorber und rder durch entsprechende Anregungsenergiezufuhr /um stimulierbaren Medium beide Umlauf richtungen gleichzeitig zu verstärken. Dadurch erhält man mit zwei Lichtabsorbern innerhalb einer Laseranordnung vier mögliche stabile Zustände.
Durch die Anordnung eines geschlossenen Lichtwegs kann man ein und dieselbe Eigenschwingung wahlweise für beide möglichen Umlauf richtungen ausnutzen. Darüber hinaus ist es möglich, durch entsprechende Einstellung der Lichtabsorber und rder durch entsprechende Anregungsenergiezufuhr /um stimulierbaren Medium beide Umlauf richtungen gleichzeitig zu verstärken. Dadurch erhält man mit zwei Lichtabsorbern innerhalb einer Laseranordnung vier mögliche stabile Zustände.
Die Erfindung wird in der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen an Hand bevorzugter
Ausführungsbeispiele erläutert.
F i g. 1 ist eine graphische Darstellung der Durchgangs-Lichlintcnsität
in Abhängigkeit von der Einfalls-Lichtintensität für Galliumarsenid;
F i g. 2 ist ein Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 3 ein entsprechendes Blockschaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung und
F i g. 4 (a) und 4 (b) Kennlinien zur Erläuterung der Wirkungsweise dieser Ausführungsformen der
Erfindung.
F i g. 1 zeigt für Galliumarsenid (GaAs) die Kennlinie
der Durchgangs-Lichtintensität in Abhängigkeit
\0'·ί der Einfalls-Lichtinteniität: Galliumarsenid ist
ein Beispiel eine;, nichtlinearen Absorbers und in
,Applied Phy>ics Letters··. Bd. 6. Nr. 6. \om 15. 3. !9h5.
$ ii'i! his 102. erläuten. Es gibt zahlreiche weitere
Stoffe mil nichtlinearer Absorptionskennlinie.
F i Ί. - zeigt eine Ausführungsform der Erfindung
mit einem r'imulierbaren Medium 1. den nichtlinearen
Lichtabsorbern 2 und 3. den Resonatorspiegeln 4. 5 und 6. den Nachweisgeräten 7 und 8 für die Strahlungsrichtuns7
und mit einer löschenden Lichtquelle 9. Die iTc^riehelte Linie gibt den Licht- bzw. Strahlungsweg
an. Beide Stirnflächen des stimulierbaren Mediums I sind !lichtreflektierend, so daß im stimulierbaren Me-Jj:-;--1
keine stehenden Wellen auftreten können, und j;... limulierb.ire Medium 1 als niclurückgekoppelter
op'.i-cher Sender oder als optischer Verstärker wirkt.
Inter der Annahme eines Verstärkungsfaktors g des
«,tjnuilierbaren Mediums 1. von Durchlässigkeitsfaktoren
f., und Z3 der Absorber 2 und ? und einer aus
bH-ien Stirnflächen des stimulierbaren Mediums 1 austretenden
Lichtintensität /0. erhält man die Intensität ip
QC- im mathematisch positiven Drehsinn (entgegen
JtTi L hrzeicer) zum Ausgangspunkt zurückkehrenden
Lichtstrahls zu
ip ■-- I0 \ U3*
mi: \ al>
Reflexionsfaktor der Resonatorspiegel 4. 6 v.r-.c 5· Entsprechend ergibt sich die Intensität/,, des
in* .iiathematisch negativen Drehsinn (mit dem Uhr-/.'iier)
sich ausbreitenden Lichtstrahls bei Rückkehr /ι:--. Ausgangspunkt zu
in -= h λ Vl?-
ι mc stimulierte Emission tritt nicht auf. wenn
Wird dagegen ein zusätzliches im positiven Drehsinn umlaufendes äußeres Lichtbündel der ursprünglichen
Strahlung I0 überlagert, die Strahlung somit auf den
Wert .·?/0" verstärkt und auf den Absorber 3 gerichtet,
d::nn verringert sich der Durchlässigkeitskoeffizient
Jj> Absorbers 3 vom Wert Λ, auf den Wert Λ,'. Das
durch den Absorber 3 hindurchtretende Lichtbündel w.rd in dem optischen Verstärker i verstärkt und tritt
durch den Absoiber2 mit dem Durchlässigkeitsfaktor
Λ.' hindurch; das Lichtbündel hat bei Rückkehr zum Ausgangspunkt die Intensität
Wenn
ip' --- β I0 α r2't3'g.
χ u't3g -
wird, bleibt die in dem geschlossenen optischen Kreis
umlaufende Lichtintensität konstant, auch wenn der zusätzliche äußere Lichtimpuls verschwindet. Damit ist
die stimulierte Emission ausgelöst.
Andererseits stellt sich eine Schwingung des im Drehsinn des Uhrzeigers umlaufenden Lichtbündeis
nicht ein, ehe das in Gegenuhrzeigerrichtung umlaufende
Lichtbündel eine kohärente Strahlung auslöst. Solange die auf den Verstärker 1 auftreffende
Eingangsenergie konstant bleibt, verringert die Auslösung des Lichtbündels, das im Gegenuhrzeigersinn
umläuft, den Verstärkungsfaktor für das Lichtbündel im Uhrzeigersinn auf einen Wert unter den für das
Lichtbündel im Gegenuhrzeigersinn erforderlichen Wert (bekannt als Löscheffekt). Dann reicht die Intensität
des Lichtbündels bei RückL r in die Ausgangsstellung gemäß der Beziehung
nicht zur Aufrechterhaltung der stimulierten Emission aus. da der Verstärkungsfaktor!*' herabgesetzt ist.
Eine entsprechende wahlweise Strahlung kann dadurch erhalten werden, daß man ein Zusatzlichtbündel
unabhängig son dem Lichtbündel I0 im Gegenuhrzeigersinn
auf den Absorber 2 richtet, statt daß man einen äußeren Lichtinipuls dem Lichtbündel I0 überlagert.
Wenn andererseits ein Halbleiter-PN-L'bergang
ais Absorber 2 benutzt ist. liefert die Steuerung des
Durchlaßstromes im Sinne einer Änderung des Durchis lässigkeitsfaktors das gleiche Ergebnis.
Nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung gemäß F i g. 3 sind Halbleiter-PN-Übergänge ;üs Absorber
2 und 3 benutzt, c1 ■ an eine Konstantspannungsquelle
angeschlossen sind. Wenn ein Lichtbündel auf die Übergangszone auffällt, bedingt die entsprechende
elektrische Leitfähigkeit eine Vergrößerung des Stromes. Da der vergrößerte Strom die Verstärkung
ues auffallenden Lichtes anhebt, steigt möglicherweise
die Durchlässigkeit der Cbergangszone an. F i g. 4 gibt die obengenannte Beziehung zwischen
dem durch die Übergangszone fließenden Strom und der an derselben anliegenden Spannung w ieder. Weitere
Einzelheiten sind in "Japanese Journal of Applied Physics«. Bd. 3, 1964, S. 233 bis 234. erläutert. Wenn
nach Fig. 4 (a) die Dioden I und II an eine Spannungsquelle \on 10 V angeschlossen sind, ist z. B. der
Strom durch die Diode 1 bei Strahlung größer als der Strom durch die Diode II ohne Strahlung. Die Intensität
des aus jeder Diode I und II austretenden Lichtes ist in F i g. 4 (b) angegeben. Danach i:t die emittierte
Strahlungsintensität der Diode I mehr als doppelt so groß wie die Strahlungsintensität der Diode II. Der
Anstieg der Strahlungsintensität der Diode 1 ist durch die Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit infolge des
starken Lichteinfalls bedingt. Dies hebt den Durchlässigkeitsfaktor der Diode I an. wie im folgenden erläutert
wird.
Wenn nach F i g. 2 ein kurzdauernder Treiberimpuls an dem Absorber 3 mit einem Halbleiter-PN-Übergang
anliegt, trägt ein Teil der in drm PN-Übergang
injizierten Ladungsträger zu der Verstärkung des Einfallslichtbündels in dem oben erläuterten
Sinn bei. Infolgedessen ändert sich der Durchlässigkeitsfaktor von t3 auf Λ,'. Die Strahlung /0 χ /2 'm Gegenuhrzeigersinn
verringert sich auf I0 \ /2/3' ,
nachdem sie durch den Absorber 3 gelangt ist; diese Strahlung gelangt dann in den Verstärker 1 wird dort
auf den Wert
h
%
t«J:iS
verstärkt und trifft auf den Absorber 2. Der durch den Absorber 2 fließende Strom steigt bei Einstrahlung an,
60 und der Übertragungsfaktor ändert sich auf den Wert t2'- Das Licht breitet sich weiter aus und kehrt
zum Absorber 3 zurück. Obgleich der Trciberimpuls in diesem Zeitpunkt abgeschaltet ist, nimmt der Durchlässigkeitsfaktor
wiederum den Wert I3 an, so daß die
65 Lichtintensität konstant bleibt. Die zur Aufrechterhaltung der Schwingung erforderliche Beziehung lautet".
λ /,Y1" = 1 .
5 6
Andererseits erreicht der Strahlungspuls im Uhr- Einfallsfläche und der Lichteinfallsrichtung die Un-
zcigersinn, der aus dem von einem Treiberimpuls ange- gleichung erfüllt:
regten Absorber 3 herauskommt, den Verstärker 1, .· . ^
nachdem der Strahlungspuls im Gegenuhrzeigersinn in Mn r/ ^ "<>■" '
den Verstärker 1 eingetreten ist. Der Verstärkung- 5
faktor ?' des Verstärkers 1 für den Strahlungspuls im Setzt man /; - 3,6 für die kohärente Strahlung in
Uhrzeigersinn ist kleiner als für den Strahlungspuls im GaAs, so tritt Totalreflexion auf, für 7
> 16;8', so-
Gcgcnuhrzeigersinn, da der Hauptteil der an dem Ver- lange der Brechwert der Umgebung ;;„ 1, oder
stärker 1 anliegenden Anregungsencrgic für die Ver- <p „>
19°28', solange /;0 --- 1,2 (entsprechend Hiesigem
Stärkung des Strahllingspulses im Gegenuhrzeigersinn 10 Stickstoff als umgebenden Stoff). Bei der Anordnung
verbraucht ist. Deshalb bleibt die Beziehung in Form eines gleichseitigen Dreiecks nach F i g. 3 ist
der Winkel zwischen der Normalen zu der Ober-
\ u't3g' <
I fläche A-B, C-D oder E-F und der Lichteinfallsrichtung
<f = 30". so daß Totalreflexion auftritt und \0- 1
bestehen, und eine stimulierte Emission für ein Licht- 15 gültig bleibt. Da das Licht senkrecht zu beiden Stirnbündel
im Uhrzeigersinn wird nicht angeregt. flächen des stimulierbaren Mediums 1 und der Ab-
Die stimulierte Emission kann durch impulsartige sorber 2 und 3 einfällt und da beide Stirnflächen nichtHerabsetzung des Verstärkungsfaktors des Verstärkers reflektierend ausgebildet sind, so daß man einen Reabgebrochen
werden, da die Intensität des Ausgangs- flexionsfaktor R unterhalb l°/n erhält, kann man die
lichtbündcls dann abfällt und der Durchlässigkeits- 20 Rcflexionsverluste vernachlässigen. Setzt man \ I
faktor wieder den Ausgangswert annimmt. In der und R < 1 %, erhält man einen Verstärker, wenn gilt:
Praxis erfolgt die Unterdrückung der stimulierten
Emission durch Auslöschung mit der Lichtquelle 9 im (- A ~ β J) I
> 0 ,
Sinne einer Herabsetzung des Verstärkungsfaktors des
Sinne einer Herabsetzung des Verstärkungsfaktors des
Verstärkers 1. Der Umlaufsinn der stimulierten Emis- 25 und einen Absorber, wenn gilt:
sion kann durch Löschen der stimulierten Emission
sion kann durch Löschen der stimulierten Emission
mittels der Lichtquelle 9 und danach entweder durch (—A -+ β 1)1
< 0 .
Einführung eines äußeren Lichtimpulses in entgegengesetzter Richtung oder durch Anhebung des Durch- Somit ändert sich der Durchiässigkeiisfakiui mii lässigkeitsfaktors des Absorbers 2 umgekehrt werden. 30 einer Änderung der Stromdichte J des durch den Die stimulierte Emission wird durch die Nachweis- PN-Übergang fließenden Stromes. Für die übliche geräte 7 und 8 oder durch Messung des in den Ab- kohärente GaAs-Strahlung hat man jeweils folgende sorbern 2 und 3 fließenden Stromes nachgewiesen, in Werte A 50 cm1 und h - 0,05 cm/A bei der Temletzterem Falle, wenn die Halbleiter-PN-Übergänge peratur des flüssigen Stickstoffs,
als Absorber 2 und 3 benutzt werden. 35 Andererseits hat das kohärente Strahlenbündel in
Einführung eines äußeren Lichtimpulses in entgegengesetzter Richtung oder durch Anhebung des Durch- Somit ändert sich der Durchiässigkeiisfakiui mii lässigkeitsfaktors des Absorbers 2 umgekehrt werden. 30 einer Änderung der Stromdichte J des durch den Die stimulierte Emission wird durch die Nachweis- PN-Übergang fließenden Stromes. Für die übliche geräte 7 und 8 oder durch Messung des in den Ab- kohärente GaAs-Strahlung hat man jeweils folgende sorbern 2 und 3 fließenden Stromes nachgewiesen, in Werte A 50 cm1 und h - 0,05 cm/A bei der Temletzterem Falle, wenn die Halbleiter-PN-Übergänge peratur des flüssigen Stickstoffs,
als Absorber 2 und 3 benutzt werden. 35 Andererseits hat das kohärente Strahlenbündel in
Die zweite Ausführungsform der Erfindung nach GaAs normalerweise eine Divergenz von etwa 10 für
F i g. 3 ist nach Art eines Festkörperschaltkreises auf- alle Richtungen. Die Dhergenz bringt Lichtverluste
gebaut, bei dem alle Bauteile aus PN-Übcrgängen be- beim Übergang von dem stimulierbaren Medium 1 zu
stehen. An Stelle von Spiegeln werden Prismenflächen dem Absorber 2, von dem Absorber 2 zu dem Absorder
Halbleiterkörper selbst, sowohl des stimulierbaren 40 ber 3 usw. mit sich. Der Verlustwert Θ ändert sich mit
Mediums 1 als auch der der Absorber 2 und 3 für eine dem Abstand zwischen dem stimulierbaren Medium 1
in diesem Falle totale Reflexion ausgenutzt. Die Bedin- und den Absorbern 2 oder 3 oder zwischen den Ab·
gung zur Auslösung der stimulierten Emission ent- sorbern 2 und 3. Setzt man die Stromdichte des stimu·
spricht derjenigen für die erste Ausführungsform der lierbaren Mediums 1 auf J1. diejenige der Absorber ]
Erfindung nach F i g. 2. Die stimulierte Emission kann 45 und 3 auf J und die Länge des stimulierbaren Me
durch impulsartige Verringerung des durch den Ver- diums 1 und der Absorber 2 und 3 jewv. Is auf /. se
stärker 1 oder die Absorber 2 und 3 fließenden Stromes tritt keine stimulierte Emission auf. solange gilt:
abgebrochen werden.
abgebrochen werden.
Zweckmäßig finden im Rahmen dieser zweiten Aus- a n _
führungsform der Erfindung PN-Übergänge von 50 {x°' *W' '2-V£ = ö-expl-3Ar ± β (J1-^ 2 J)] K 1
GaAs für den Verstärker 1 und die Absorber 2 und 3 ,
Verwendung. Wenn durch den GaAs-PN-Übergang oaer
Strom fließt, können der Verstärkungsfaktor des Ver- β (J1 _ 2J)
< 3A -r- - In -
stärkers 1 und die Durchlässigkeitskoeffizienten der / θ
Absorber 2 und 3 folgendermaßen ausgedrückt wer- 55
den: Wenn die Stromdichte des Absorbers 3 um J J3 zu
_i __ R 1 nimmt, wird die auf den Absorber 2 einfallende Lichl
"*o " exP ( κ ρ J)-1 intensität um einen Faktor exp β Δ J3I größer. Wen
die Stromdichte des Absorbers 2 infolge einer Zt
mit k als Absorptionskoeffizient, J als Stromdichte 60 nähme der Einfallslichtintensität um Sj, zunimm
durch den PN-Übergang, β als Konstante zur Dar- tritt eine stimulierte Emission auf, wenn gilt:
stellung des Verstärkungsfaktors für Licht, / als Licht-Weglänge des Lichtwegs durch das stimulierbare Me- j 1
dium 1 oder die Absorber 2 oder 3 und mit \0 als ß (Λ ~ 2J -r J J2) = 3A: + In * .
Reflexionsfaktor der Oberflächen A-B, C-D und E-F. 65 I Θ
Bezeichnet man den Brechwert von GaAs mit η und
stellung des Verstärkungsfaktors für Licht, / als Licht-Weglänge des Lichtwegs durch das stimulierbare Me- j 1
dium 1 oder die Absorber 2 oder 3 und mit \0 als ß (Λ ~ 2J -r J J2) = 3A: + In * .
Reflexionsfaktor der Oberflächen A-B, C-D und E-F. 65 I Θ
Bezeichnet man den Brechwert von GaAs mit η und
denjenigen der Umgebung mit «o-so tritt Totalreflexion Nimmt man z. B. folgende Werte an: / = 500 μΓ
auf, wenn der Winkel 9 zwischen der Normalen der Θ = 0,8, J1 = 22S8 A/cm2 und J = 400 A/cm*, ergii
iich keine stimulierte Emission, da
1
1
3 A- I ' In
/ β
154.5
β (J, ■ IJ) 154,4.
Wenn der Zusatzstrom /I J3 — 520 A/cm2 dem durch
den Absorber 3 fließenden Strom überlagert wird, ergibt sich die auf den Absorber 2 einfallende Lichtintensität
um einen Faktor
exp β Λ JJ = 3,7
größer. Wenn der durch den Absorber 2 fließende Strom um 1 °/0 infolge des Anstiegs der Einfallslichtintensität
zunimmt, wird die Bedingung für das Auftreten der stimulierten Emission erfüllt, da Λ J2
= 4 A/cm2 und
β (J1 + 2 J + /1 J2) = 154,6
> 3A- -i-
In
Wie man diesem Ausführungsbeispiel entnimmt, bestehen
zahlreiche Freiheitsgrade für den Aufbau der Anordnung, indem man die Längen des stimulierbareii
Mediums 1 und der Absorber 2 und 3, den Stromwert und den Verlustwert auf Grund der Dispersion der
kohärenten Strahlung einstellt.
Die Erfindung liefert somit eine optische Anordnung mit drei bzw. vier stabilen Zuständen, nämlich erstens
keine optische Strahlung in irgendeiner Richtung, ίο zweitens optische Strahlung im Gegenuhrzeigersinn,
drittens optische Strahlung im Uhrzeigersinn und viertens in dem anderen Arbeitsbereich bei heraufgesetzter
Eingangsenergie des stimulierbaren Mediums im Gegenuhrzeigersinn und Uhrzeigersinn gleichzeitig auftretende
kohärente Strahlung.
Auf diese Weise wird ein Speicherelement mit dre bzw. vier Zuständen erhalten.
Die Anordnung nach der Erfindung kann gegenübei
der vorstehenden Beschreibung so abgewandelt wer
den. daß man noch mehr stabile Zustände erhält, in dem man weitere stimulierbare Medien und/oder Ab
sorber einfügt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 5:
Claims (3)
1. Laseranordnung zur Informationsspeicherung mit mindestens drei stabilen Zuständen, die ein
stimulierbares Medium und zwei mit ihm optisch gekoppelte nichtlineare Lichtabsorber aufweist,
deren Absorptionsvermögen durch Anlegen jeweils eines äußeren Signals verringerbar ist. um wahlweise
eine Strahlungsrichtung der Laserstrahlung und damit einen stabilen Zustand einzustellen,
dadurch gekennzeichnet, daß erstens
das stimulierbare Medium (1) und die Lichtabsorber (2. 3) in einem gemeinsamen optischen Resonator
durch Umlenkspiegel (4. 5. 6) optisch so hintereinanderge^chaltet sind, daß der Laserstrahlengang
einen in sich geschlossenen Weg (Ring) bildet, daß zweitens die Einstellung der
Strahlungsrichtung in einer Einstellung des Umlaufsinnes der Laserstrahlung auf dem geschlossenen
Weg besteht und daß drittens die dem stimulierbaren Medium (1) zugeführte Anregungsenergie
derart unter-chiedlich einstellbar ist. daß die Laserstrahlung
entweder in nur einer Umlaufrichtung oder in beiden L'mlaufrichtungen gleichzeitig auftreten
kann.
2. Laseranordr'iiig nach Anspruch 1. dadurch
gekennzeichnet, daß sowohl das stimulierbare Medium (1) als auch die Lichtabsorber (2.
3) Halbleiterdioden
sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5508367 | 1967-08-25 |
Publications (3)
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---|---|
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DE1764878B2 true DE1764878B2 (de) | 1973-09-13 |
DE1764878C3 DE1764878C3 (de) | 1974-04-04 |
Family
ID=12988802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1764878A Expired DE1764878C3 (de) | 1967-08-25 | 1968-08-23 | Laseranordnung zur Informationspeicherung mit mindestens drei stabilen Zuständen |
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- 1968-08-23 DE DE1764878A patent/DE1764878C3/de not_active Expired
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