JP3370333B2 - マルチモードイメージング素子及びこれを有するリングレーザ - Google Patents
マルチモードイメージング素子及びこれを有するリングレーザInfo
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 55
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射を分割又は結合するマルチモードイメー
ジング素子に関するものであり、この素子は導波路を有
し、この導波路の一端には、放射を導波路内に又は導波
路から伝達させる少なくとも１つの窓が設けられてい
る。本発明は、マルチモードイメージング素子が設けら
れたリングレーザにも関するものである。
ジング素子に関するものであり、この素子は導波路を有
し、この導波路の一端には、放射を導波路内に又は導波
路から伝達させる少なくとも１つの窓が設けられてい
る。本発明は、マルチモードイメージング素子が設けら
れたリングレーザにも関するものである。
マルチモードイメージング素子はマルチモード干渉素
子やマルチモード導波路としても知られている。以後、
“マルチモードイメージング”をMMIと略記する。
子やマルチモード導波路としても知られている。以後、
“マルチモードイメージング”をMMIと略記する。
MMI素子は特に、ドイツ連邦共和国特許第DE2506272号
明細書から既知である。この素子は、他の素子とのその
集積化の適合性が満足なものであり、製造公差が広く、
偏光及び放射波長に対する感応性がなく、放射損失が低
く、多様性がある為に、集積化した光学系における放射
分割器又は放射結合器として用いるのに極めて適してい
る。
明細書から既知である。この素子は、他の素子とのその
集積化の適合性が満足なものであり、製造公差が広く、
偏光及び放射波長に対する感応性がなく、放射損失が低
く、多様性がある為に、集積化した光学系における放射
分割器又は放射結合器として用いるのに極めて適してい
る。
MMI素子の適用に関しては、スイスのヌーシャテルで
開催されたECIO'93の会報の第２−24及び２−25頁に記
載された論文“Design and fabrication of integrated
InGaAsP ring lasers with MMI outcouplers"（M.J.N
van Stralen氏等著）に記載されている。この適用で
は、MMI素子がリングレーザからの放射を２つの出力導
波路に結合するのに用いられている。MMI素子は２つの
端部を有し、各端部に２つの窓が設けられており、この
MMI素子は放射を発生するレーザリングの一部となるよ
うにリングレーザ内に配置されている。レーザリングの
放射は各端部で１つの窓、すなわち計２個の窓を経て出
力導波路に与えられる。レーザリング、MMI素子及び導
波路を有するリングレーザは単一の基板上に集積化され
ている。
開催されたECIO'93の会報の第２−24及び２−25頁に記
載された論文“Design and fabrication of integrated
InGaAsP ring lasers with MMI outcouplers"（M.J.N
van Stralen氏等著）に記載されている。この適用で
は、MMI素子がリングレーザからの放射を２つの出力導
波路に結合するのに用いられている。MMI素子は２つの
端部を有し、各端部に２つの窓が設けられており、この
MMI素子は放射を発生するレーザリングの一部となるよ
うにリングレーザ内に配置されている。レーザリングの
放射は各端部で１つの窓、すなわち計２個の窓を経て出
力導波路に与えられる。レーザリング、MMI素子及び導
波路を有するリングレーザは単一の基板上に集積化され
ている。
この既知の構造の欠点は、出力導波路における放射の
スペクトルがあらゆる状況の下でリングレーザの所望の
レーザモードを有するばかりではなく、多数の他の不所
望なスペクトル成分をも有するということである。
スペクトルがあらゆる状況の下でリングレーザの所望の
レーザモードを有するばかりではなく、多数の他の不所
望なスペクトル成分をも有するということである。
本発明の目的は、特に上述した問題点を有さないMMI
素子を提供せんとするにある。
素子を提供せんとするにある。
本発明は、放射を分割又は結合するマルチモードイメ
ージング素子であって、このイメージング素子は導波路
を具え、この導波路は当該導波路内に又は当該導波路か
ら放射を伝送する少なくとも１つの窓が設けられた端部
を有しているマルチモードイメージング素子において、 前記の端部のうち前記の窓の外部に位置する部分に、
導波路の長手軸線の方向での放射の反射を低減させる手
段が設けられていることを特徴とする。
ージング素子であって、このイメージング素子は導波路
を具え、この導波路は当該導波路内に又は当該導波路か
ら放射を伝送する少なくとも１つの窓が設けられた端部
を有しているマルチモードイメージング素子において、 前記の端部のうち前記の窓の外部に位置する部分に、
導波路の長手軸線の方向での放射の反射を低減させる手
段が設けられていることを特徴とする。
本発明は、既知のリングレーザの問題点は、２つの端
部のうち窓の外部に位置する部分でMMI素子内の放射を
反射することにより生じるという新規な認識を基に成し
たものである。これらの部分は入射放射をMMI導波路の
長手軸線の方向に反射する為、２つの端部間で定在波が
生じるおそれがある。リングレーザへの前述した適用の
場合、MMI導波路の内部空間にレーザ活性媒体が充填さ
れ、２つの端部が共振空胴のミラーを構成する。この共
振空胴内で発生された放射はリングレーザの出力導波路
内に不所望なスペクトル成分を導入する。端部での反射
を低減させることにより、共振空胴におけるレーザ作用
が少なくなり、不所望なスペクトル成分が小さくなる。
部のうち窓の外部に位置する部分でMMI素子内の放射を
反射することにより生じるという新規な認識を基に成し
たものである。これらの部分は入射放射をMMI導波路の
長手軸線の方向に反射する為、２つの端部間で定在波が
生じるおそれがある。リングレーザへの前述した適用の
場合、MMI導波路の内部空間にレーザ活性媒体が充填さ
れ、２つの端部が共振空胴のミラーを構成する。この共
振空胴内で発生された放射はリングレーザの出力導波路
内に不所望なスペクトル成分を導入する。端部での反射
を低減させることにより、共振空胴におけるレーザ作用
が少なくなり、不所望なスペクトル成分が小さくなる。
導波路がいかなるレーザ活性媒体をも有さないMMI素
子の適用においても、本発明による手段を用いて大きな
利点、例えば入力導波路及び出力導波路にまたがる放射
の不所望な分布を生ぜしめる内部反射を低減させるとい
う利点を得ることができる。
子の適用においても、本発明による手段を用いて大きな
利点、例えば入力導波路及び出力導波路にまたがる放射
の不所望な分布を生ぜしめる内部反射を低減させるとい
う利点を得ることができる。
反射を低減させる手段は反射防止被膜又は放射吸収被
膜又は拡散散乱面又は傾斜面を有し、これにより反射放
射を、所望の放射分布に妨害を及ぼさない方向に案内す
るようにするのが好ましい。
膜又は拡散散乱面又は傾斜面を有し、これにより反射放
射を、所望の放射分布に妨害を及ぼさない方向に案内す
るようにするのが好ましい。
前記のドイツ連邦共和国特許明細書の図16は端部に傾
斜面を有するMMI素子を示している。しかし、これらの
面は窓であり、窓間の領域ではない。図示のMMI素子で
は窓が端部の全面を覆っている。更に、傾斜面は導波路
の長手軸線の方向での反射の低減機能を有さない。
斜面を有するMMI素子を示している。しかし、これらの
面は窓であり、窓間の領域ではない。図示のMMI素子で
は窓が端部の全面を覆っている。更に、傾斜面は導波路
の長手軸線の方向での反射の低減機能を有さない。
本発明の上述した及びその他の特徴は後に説明する実
施例を参照することから明らかとなるであろう。
施例を参照することから明らかとなるであろう。
図面において、
図１は既知のリングレーザを示し、
図２は既知のリングレーザのスペクトルを示し、
図3a及び3bは既知のMMI素子における所望な強度分布
及び不所望な強度分布を示し、 図4a,4b,4c及び4dは本発明によるMMIカップラの４つ
の実施例を示し、 図５はMMIカップラをパワーコンバイナとして示して
いる。
及び不所望な強度分布を示し、 図4a,4b,4c及び4dは本発明によるMMIカップラの４つ
の実施例を示し、 図５はMMIカップラをパワーコンバイナとして示して
いる。
図１は特に前記の論文“Design and fabrication of
integrated lnGaAsP ring lasers with MMI outcouple
rs"から既知のリングレーザ１を示し、この場合全出力
パワーが単一の導波路で得られる。レーザ放射は、環状
の導波路、すなわち２つの放射ビームが互いに反対方向
に移動するレーザリング２で発生される。MMIカップラ
３はレーザリング２からの放射ビームの一部を導波路４
及び５に結合する。MMIコンバイナ６は導波路４及び５
の放射を合成して出力導波路７に供給する。このレーザ
リング１は半導体構造中に集積化されている。素子２〜
７で占められる全領域はレーザ活性領域である。すなわ
ち、所定の共振基準を満足する共振空胴がこの領域に存
在する場合には、この共振空胴でレーザ放射が発生され
る。
integrated lnGaAsP ring lasers with MMI outcouple
rs"から既知のリングレーザ１を示し、この場合全出力
パワーが単一の導波路で得られる。レーザ放射は、環状
の導波路、すなわち２つの放射ビームが互いに反対方向
に移動するレーザリング２で発生される。MMIカップラ
３はレーザリング２からの放射ビームの一部を導波路４
及び５に結合する。MMIコンバイナ６は導波路４及び５
の放射を合成して出力導波路７に供給する。このレーザ
リング１は半導体構造中に集積化されている。素子２〜
７で占められる全領域はレーザ活性領域である。すなわ
ち、所定の共振基準を満足する共振空胴がこの領域に存
在する場合には、この共振空胴でレーザ放射が発生され
る。
図２は既知のリングレーザの出力導波路７における放
射スペクトルの一例を示す。図２の横軸には波長λがマ
イクロメートルの単位でプロットされ、縦軸にはスペク
トル成分の強度がデシベルの単位でプロットされてい
る。この放射スペクトルはリングレーザの幾何学的形状
や、リングレーザを活性化する電流の強度のような動作
条件に著しく依存する。スペクトル成分10はリングレー
ザの所望のレーザモードである。スペクトル成分10は不
所望な放射モードを構成する。個別のスペクトル成分11
間の距離は約250μｍの共振空胴長に対応する。
射スペクトルの一例を示す。図２の横軸には波長λがマ
イクロメートルの単位でプロットされ、縦軸にはスペク
トル成分の強度がデシベルの単位でプロットされてい
る。この放射スペクトルはリングレーザの幾何学的形状
や、リングレーザを活性化する電流の強度のような動作
条件に著しく依存する。スペクトル成分10はリングレー
ザの所望のレーザモードである。スペクトル成分10は不
所望な放射モードを構成する。個別のスペクトル成分11
間の距離は約250μｍの共振空胴長に対応する。
MMIカップラ３における不所望な放射モードの発生は
このようなカップラにおける放射の強度分布を参照する
ことにより理解しうる。図3aはカップラ３の方形のMMI
導波路14における強度分布を示しており、この導波路の
両端15及び19にはそれぞれ窓16,18及び20,22がそれぞれ
設けられており、且つこれら窓間に中間面17及び21がそ
れぞれ設けられている。MMIカップラ及びこれに連結さ
れた入力及び出力導波路は一般に同一の材料から造られ
ている為、窓はMMI導波路14の境界を表わす仮想の面で
ある。1.6μｍの波長の放射に対し適した代表的なMMIカ
ップラは233μｍの長さ、７μｍの幅及び図面の平面に
対し垂直な方向での0.2μｍの活性層の厚さを有し、端
部の窓の直径は2.5μｍである。
このようなカップラにおける放射の強度分布を参照する
ことにより理解しうる。図3aはカップラ３の方形のMMI
導波路14における強度分布を示しており、この導波路の
両端15及び19にはそれぞれ窓16,18及び20,22がそれぞれ
設けられており、且つこれら窓間に中間面17及び21がそ
れぞれ設けられている。MMIカップラ及びこれに連結さ
れた入力及び出力導波路は一般に同一の材料から造られ
ている為、窓はMMI導波路14の境界を表わす仮想の面で
ある。1.6μｍの波長の放射に対し適した代表的なMMIカ
ップラは233μｍの長さ、７μｍの幅及び図面の平面に
対し垂直な方向での0.2μｍの活性層の厚さを有し、端
部の窓の直径は2.5μｍである。
図3aは、レーザリング２からの放射がMMI導波路の窓1
6を経て入り２つの窓20及び22にわたって等しく配分さ
れた状態の放射の強度分布を示す。導波路に明るく示す
領域では放射強度が高く、暗く示す領域では放射強度が
低い。MMIカップラの動作は、窓16に入る放射の強度分
布に応じた強度分布が、導波路の寸法に応じた特定の伝
搬特性を有する導波路を通る異なる横放射モードにより
窓20及び窓22の双方の領域に形成される、換言すれば、
入力窓16の強度分布は出力窓20,22の各々にいわゆる結
像されるという認識に基づいている。その結果、窓16を
経てMMI導波路14に入る放射パワーは２つの窓20及び22
にわたって配分される。
6を経て入り２つの窓20及び22にわたって等しく配分さ
れた状態の放射の強度分布を示す。導波路に明るく示す
領域では放射強度が高く、暗く示す領域では放射強度が
低い。MMIカップラの動作は、窓16に入る放射の強度分
布に応じた強度分布が、導波路の寸法に応じた特定の伝
搬特性を有する導波路を通る異なる横放射モードにより
窓20及び窓22の双方の領域に形成される、換言すれば、
入力窓16の強度分布は出力窓20,22の各々にいわゆる結
像されるという認識に基づいている。その結果、窓16を
経てMMI導波路14に入る放射パワーは２つの窓20及び22
にわたって配分される。
図3bは図3aにおけるのと同じMMI導波路14を示すが、
この場合不所望な強度分布を有し、不所望な案内モード
が発生される。図3aに示すカップラとして動作する導波
路14は、中間面17が導波路中の放射モードにより中間面
21上に結像されるような寸法を有する。233μｍの相対
距離を有する２つの中間面は共振空胴のミラーを構成す
る。このようなミラーの反射係数は空気で囲まれた半導
体材料を有する共振空胴の場合約0.30である。共振空胴
がレーザ活性媒体を有する場合には、中間面での反射に
より強度が増大するレーザ放射がこの共振空胴で発生さ
れる。その結果、図２で11で示す不所望なスペクトル成
分がリングレーザ１のスペクトル中に生じる。
この場合不所望な強度分布を有し、不所望な案内モード
が発生される。図3aに示すカップラとして動作する導波
路14は、中間面17が導波路中の放射モードにより中間面
21上に結像されるような寸法を有する。233μｍの相対
距離を有する２つの中間面は共振空胴のミラーを構成す
る。このようなミラーの反射係数は空気で囲まれた半導
体材料を有する共振空胴の場合約0.30である。共振空胴
がレーザ活性媒体を有する場合には、中間面での反射に
より強度が増大するレーザ放射がこの共振空胴で発生さ
れる。その結果、図２で11で示す不所望なスペクトル成
分がリングレーザ１のスペクトル中に生じる。
図4aは本発明によるMMIカップラを示す。導波路14′
の２つの中間面17及び21に、すなわち窓の外部に位置す
る導波路端部の部分に反射防止被膜24及び25がそれぞれ
設けられている。これらの被膜は、放射強度が図3aに示
す分布に対し低い導波路の領域にある。従って、反射防
止被膜はこの分布に殆ど影響を及ぼさず、図4aに示す導
波路の結合機能は図3aに示す導波路の結合機能に等しく
なる。図3bに示すような不所望な放射分布の強度は反射
防止被膜の領域で高い。従って、被膜はこの分布に著し
い影響を与える。被膜は非反射性である為、中間面17及
び21がミラーを構成する共振空胴のＱ（クォリティ・フ
ァクタ）は低く、従って図3aに示す共振空胴におけるよ
りもこの共振空胴におけるレーザ作用が可成り小さくな
る。従って、このようなMMIカップラが設けられたリン
グレーザは、主としてレーザリングの所望のスペクトル
成分を有するスペクトルを呈するようになる。このよう
なリングレーザの製造は実質的に前記の論文“Design a
nd fabrication of integrated InGaAsP ring lasers
with MMI outcouplers"に記載されており、ここで本発
明によれば２つの反射防止被膜を加える必要がある。
の２つの中間面17及び21に、すなわち窓の外部に位置す
る導波路端部の部分に反射防止被膜24及び25がそれぞれ
設けられている。これらの被膜は、放射強度が図3aに示
す分布に対し低い導波路の領域にある。従って、反射防
止被膜はこの分布に殆ど影響を及ぼさず、図4aに示す導
波路の結合機能は図3aに示す導波路の結合機能に等しく
なる。図3bに示すような不所望な放射分布の強度は反射
防止被膜の領域で高い。従って、被膜はこの分布に著し
い影響を与える。被膜は非反射性である為、中間面17及
び21がミラーを構成する共振空胴のＱ（クォリティ・フ
ァクタ）は低く、従って図3aに示す共振空胴におけるよ
りもこの共振空胴におけるレーザ作用が可成り小さくな
る。従って、このようなMMIカップラが設けられたリン
グレーザは、主としてレーザリングの所望のスペクトル
成分を有するスペクトルを呈するようになる。このよう
なリングレーザの製造は実質的に前記の論文“Design a
nd fabrication of integrated InGaAsP ring lasers
with MMI outcouplers"に記載されており、ここで本発
明によれば２つの反射防止被膜を加える必要がある。
これらの被膜はMMI素子の製造処理にほんのわずかな
製造工程を加えるだけで設けることができる。これらの
被膜は例えば、４分の１波長の厚さの材料SiOx又はHfOx
を有するようにしうる。各中間面上には多層被膜を設け
ることもできる。これら層を端部上に設けるばかりでは
なく、MMI導波路の全構造上に設ける場合には、これら
の層を設けるのが簡単化される。導波路の長手側面上の
反射防止被膜はMMI素子の動作に殆ど影響を及ぼさな
い。反射防止被膜は、共振空胴を囲む、ある製造処理に
必要な誘電体被膜としても機能する。
製造工程を加えるだけで設けることができる。これらの
被膜は例えば、４分の１波長の厚さの材料SiOx又はHfOx
を有するようにしうる。各中間面上には多層被膜を設け
ることもできる。これら層を端部上に設けるばかりでは
なく、MMI導波路の全構造上に設ける場合には、これら
の層を設けるのが簡単化される。導波路の長手側面上の
反射防止被膜はMMI素子の動作に殆ど影響を及ぼさな
い。反射防止被膜は、共振空胴を囲む、ある製造処理に
必要な誘電体被膜としても機能する。
図4bは本発明によるMMIカップラの第２実施例を示
す。２つの中間面17及び21には放射吸収層26及び27がそ
れぞれ設けられている。これらの層は反射防止被膜24及
び25に匹敵しうるように導波路14″の不所望な放射モー
ドに影響を及ぼし、カップラにおけるレーザ作用を可成
り低減させる。放射吸収層は例えば、ポンピングを行わ
ないレーザ活性材料を有するようにしうる。
す。２つの中間面17及び21には放射吸収層26及び27がそ
れぞれ設けられている。これらの層は反射防止被膜24及
び25に匹敵しうるように導波路14″の不所望な放射モー
ドに影響を及ぼし、カップラにおけるレーザ作用を可成
り低減させる。放射吸収層は例えば、ポンピングを行わ
ないレーザ活性材料を有するようにしうる。
図4c及び4dは本発明によるMMIカップラの第３及び第
４実施例をそれぞれ示す。図4cにおける２つの中間面1
7′及び21′は導波路の長手軸線23に対し斜行してい
る。中間面17′が不所望な放射モードにより中間面21′
上に結像されなければ、これらの両面間の導波路で構成
される共振空胴はもはや共振基準を満足せず、導波路中
にレーザ作用が殆ど生じない。２つの中間面をそれぞれ
２つの面27,28及び29,30を以って構成し、これらの２つ
の面が相俟って図4dに示すように屋根型部を構成するよ
うにする場合にも上述したことが言える。図4dに示すよ
うな屋根型部は図3aに示す既知の平坦な中間面17,21よ
りも簡単に製造しうる。図4c及び4dに示す実施例では、
斜行面の法線は図面の平面内にある。しかし、これらの
斜行面はこれらの法線が図面の平面内に存在しないよう
に傾斜させることができる。
４実施例をそれぞれ示す。図4cにおける２つの中間面1
7′及び21′は導波路の長手軸線23に対し斜行してい
る。中間面17′が不所望な放射モードにより中間面21′
上に結像されなければ、これらの両面間の導波路で構成
される共振空胴はもはや共振基準を満足せず、導波路中
にレーザ作用が殆ど生じない。２つの中間面をそれぞれ
２つの面27,28及び29,30を以って構成し、これらの２つ
の面が相俟って図4dに示すように屋根型部を構成するよ
うにする場合にも上述したことが言える。図4dに示すよ
うな屋根型部は図3aに示す既知の平坦な中間面17,21よ
りも簡単に製造しうる。図4c及び4dに示す実施例では、
斜行面の法線は図面の平面内にある。しかし、これらの
斜行面はこれらの法線が図面の平面内に存在しないよう
に傾斜させることができる。
斜行面17′,21′,27〜30を充分に斜行させれば、不所
望な放射モードは減衰される。その理由は、斜行面に入
射される放射が、MMI導波路の案内モードを発生しえな
い方向に反射される為である。端部での反射は、MMI導
波路の端部のうち窓の外部の部分を粗面にし、もはやい
かなる鏡面反射も生じないようにすることによっても低
減せしめうる。
望な放射モードは減衰される。その理由は、斜行面に入
射される放射が、MMI導波路の案内モードを発生しえな
い方向に反射される為である。端部での反射は、MMI導
波路の端部のうち窓の外部の部分を粗面にし、もはやい
かなる鏡面反射も生じないようにすることによっても低
減せしめうる。
図４につき説明したすべての実施例は導波路中にレー
ザ活性媒体を有している。しかし、本発明をレーザ活性
媒体が導波路中に存在しないMMIカップラに用いても極
めて有利である。この場合、本発明による反射低減手段
は、窓にわたって放射を不所望に再分布させるおそれの
ある導波路中の反射を抑圧する。設計値に正確に等しい
長さ及び幅を有する図3aに示すようなMMI素子によって
は、入力窓16に供給されるパワーのうちのほんのわずか
な部分のみが同じ窓に反射されるにすぎない。しかし、
製造誤差の為に長さ又は幅が設計値から例えば５％相違
した場合には、MMI素子により窓16に反射されるパワー
は100倍に増大する。MMI素子をある分野に適用する場
合、例えばMMI素子をパワーコンバイナとして適用した
り、コヒーレント検出装置に用いたりする場合には、入
力窓の方向への反射を極めて低くする必要がある。
ザ活性媒体を有している。しかし、本発明をレーザ活性
媒体が導波路中に存在しないMMIカップラに用いても極
めて有利である。この場合、本発明による反射低減手段
は、窓にわたって放射を不所望に再分布させるおそれの
ある導波路中の反射を抑圧する。設計値に正確に等しい
長さ及び幅を有する図3aに示すようなMMI素子によって
は、入力窓16に供給されるパワーのうちのほんのわずか
な部分のみが同じ窓に反射されるにすぎない。しかし、
製造誤差の為に長さ又は幅が設計値から例えば５％相違
した場合には、MMI素子により窓16に反射されるパワー
は100倍に増大する。MMI素子をある分野に適用する場
合、例えばMMI素子をパワーコンバイナとして適用した
り、コヒーレント検出装置に用いたりする場合には、入
力窓の方向への反射を極めて低くする必要がある。
前者の適用例は異なるレーザからの放射パワーを合成
するものである。図５は、２つのレーザ33,34により供
給される放射を合成するパワーコンバイナ32の形態のMM
I素子を示す。レーザとパワーコンバイナとは１つの基
板上に集積化しうる。レーザの放射は２つの導波路35,3
6を経てパワーコンバイナの入力窓37,38に案内される。
パワーコンバイナは、入力窓37と出力窓38とを１つの出
力窓39上に結像するような構造を有する。従って、入力
窓に供給される放射パワーは出力窓で合成され、この出
力窓から導波路40が更にパワーを案内する。入力窓から
到来する放射のうちのわずかな部分が出力窓39の側方の
面41,42に達する。通常のパワーコンバイナは放射のこ
の部分を入力窓に向けて反射し、これら入力窓でこの放
射の一部を導波路35,36を経てレーザ33,34に帰還させ
る。このような放射の帰還はレーザのパワー及びスペク
トルに悪影響を及ぼす。DFB（分布帰還型）レーザは、
通常のパワーコンバイナを用いた場合に各レーザとパワ
ーコンバイナとの間に60dBよりも大きなアイソレーショ
ンを有するデュアルアイソレータを配置する必要がある
程度に帰還に感応しやすい。パワーコンバイナ32を本発
明により構成すれば、すなわち、パワーコンバイナの面
41,42及び43を反射防止又は吸収面に形成するか或は斜
行面又は屋根型として形成すれば、帰還強度が可成り減
少する。
するものである。図５は、２つのレーザ33,34により供
給される放射を合成するパワーコンバイナ32の形態のMM
I素子を示す。レーザとパワーコンバイナとは１つの基
板上に集積化しうる。レーザの放射は２つの導波路35,3
6を経てパワーコンバイナの入力窓37,38に案内される。
パワーコンバイナは、入力窓37と出力窓38とを１つの出
力窓39上に結像するような構造を有する。従って、入力
窓に供給される放射パワーは出力窓で合成され、この出
力窓から導波路40が更にパワーを案内する。入力窓から
到来する放射のうちのわずかな部分が出力窓39の側方の
面41,42に達する。通常のパワーコンバイナは放射のこ
の部分を入力窓に向けて反射し、これら入力窓でこの放
射の一部を導波路35,36を経てレーザ33,34に帰還させ
る。このような放射の帰還はレーザのパワー及びスペク
トルに悪影響を及ぼす。DFB（分布帰還型）レーザは、
通常のパワーコンバイナを用いた場合に各レーザとパワ
ーコンバイナとの間に60dBよりも大きなアイソレーショ
ンを有するデュアルアイソレータを配置する必要がある
程度に帰還に感応しやすい。パワーコンバイナ32を本発
明により構成すれば、すなわち、パワーコンバイナの面
41,42及び43を反射防止又は吸収面に形成するか或は斜
行面又は屋根型として形成すれば、帰還強度が可成り減
少する。
上述したところでは、本発明を２つの端部を有するMM
I素子につき説明したが、図４に示すような、MMIカップ
ラにおける反射低減手段は１つ又は２つ又はそれよりも
多い端部を有するあらゆる種類のMMI素子にも用いうる
ものである。これには、方向性カップラ、90゜ハイブリ
ッド、Ｎ×Ｎパワースプリッタ、スターカップラ、マッ
ハ−ツェンダー干渉計に基づくＮ×Ｎスイッチ、マルチ
プレクサ及びデマルチプレクサを含むものである。
I素子につき説明したが、図４に示すような、MMIカップ
ラにおける反射低減手段は１つ又は２つ又はそれよりも
多い端部を有するあらゆる種類のMMI素子にも用いうる
ものである。これには、方向性カップラ、90゜ハイブリ
ッド、Ｎ×Ｎパワースプリッタ、スターカップラ、マッ
ハ−ツェンダー干渉計に基づくＮ×Ｎスイッチ、マルチ
プレクサ及びデマルチプレクサを含むものである。
フロントページの続き
(72)発明者 ファン ロエイエン レイモンド
オランダ国 5621 ベーアー アインド
ーフェン フルーネヴァウツウェッハ
１
(56)参考文献 特開 昭51−57457（ＪＰ，Ａ)
国際公開92／11550（ＷＯ，Ａ１)
米国特許4627732（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 6/12 - 6/14
H01S 3/00 - 3/30
Claims (6)
- 【請求項１】放射を分割又は結合するマルチモードイメ
ージング素子であって、このイメージング素子は導波路
を具え、この導波路は当該導波路内に又は当該導波路か
ら放射を伝送する少なくとも１つの窓が設けられた端部
を有しているマルチモードイメージング素子において、 前記の端部のうち前記の窓の外部に位置する部分に、導
波路の長手軸線の方向での放射の反射を低減させる手段
が設けられていることを特徴とするマルチモードイメー
ジング素子。 - 【請求項２】請求項１に記載のマルチモードイメージン
グ素子において、放射の反射を低減させる前記の手段が
反射防止被膜を有していることを特徴とするマルチモー
ドイメージング素子。 - 【請求項３】請求項１に記載のマルチモードイメージン
グ素子において、放射の反射を低減させる前記の手段が
吸収被膜を有していることを特徴とするマルチモードイ
メージング素子。 - 【請求項４】請求項１に記載のマルチモードイメージン
グ素子において、前記の端部のうち窓の外部に位置する
部分が前記の長手軸線に対して斜行するように配置され
ていることを特徴とするマルチモードイメージング素
子。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれか一項に記載のマル
チモードイメージング素子において、導波路の内部空間
がレーザ活性媒体を有していることを特徴とするマルチ
モードイメージング素子。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか一項に記載のマル
チモードイメージング素子が設けられていることを特徴
とするリングレーザ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP93202298 | 1993-08-04 | ||
| EP93202298.1 | 1993-08-04 | ||
| PCT/IB1994/000231 WO1995005020A1 (en) | 1993-08-04 | 1994-08-02 | Multimode imaging component and ring laser provided with a multimode imaging component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08502606A JPH08502606A (ja) | 1996-03-19 |
| JP3370333B2 true JP3370333B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=8214025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50631595A Expired - Fee Related JP3370333B2 (ja) | 1993-08-04 | 1994-08-02 | マルチモードイメージング素子及びこれを有するリングレーザ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5563968A (ja) |
| EP (1) | EP0663111B1 (ja) |
| JP (1) | JP3370333B2 (ja) |
| CA (1) | CA2144866A1 (ja) |
| DE (1) | DE69400905T2 (ja) |
| WO (1) | WO1995005020A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE520432C2 (sv) * | 1997-03-07 | 2003-07-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Optisk anordning för våglängdsmultiplexering/demultiplexering innefattande MMI-vågledare och Braggreflektorstruktur. |
| US6792172B1 (en) | 1998-05-08 | 2004-09-14 | The Trustees Of Columbia University Of The City Of New York | Reduced size multimode interference based coupler |
| SE516882C2 (sv) * | 1998-12-23 | 2002-03-19 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning för att reflektera ljus |
| GB0125260D0 (en) * | 2001-10-20 | 2001-12-12 | Qinetiq Ltd | Optical multiplexer and demultiplexer |
| GB0125262D0 (en) * | 2001-10-20 | 2001-12-12 | Qinetiq Ltd | Optical filter |
| JP4499611B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-07-07 | 日本電信電話株式会社 | 多モード干渉型光導波路 |
| JP4560479B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2010-10-13 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 多モード光干渉デバイスの製造方法 |
| FR2933816B1 (fr) | 2008-07-10 | 2015-08-21 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a coupleur selectif en longueur d'onde pour collection de la lumiere emise par une source laser. |
| SE534231C2 (sv) | 2009-05-13 | 2011-06-07 | Syntune Ab | Ljusdelare med låg reflex. |
| WO2016169054A1 (zh) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 华为技术有限公司 | 一种波导结构及硅基芯片 |
| WO2018198193A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US10606143B2 (en) * | 2017-06-27 | 2020-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multimode interferometer, Mach-Zehnder modulation device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3599019A (en) * | 1967-08-25 | 1971-08-10 | Nippon Electric Co | Laser device with selective oscillation |
| US3760297A (en) * | 1972-01-20 | 1973-09-18 | Int Standard Electric Corp | Laser to optical fiber coupling |
| US3803511A (en) * | 1972-10-18 | 1974-04-09 | Int Standard Electric Corp | Gallium arsenide laser fiber coupling |
| DE2506272C2 (de) * | 1975-02-14 | 1986-02-13 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Belichtungsautomat für einen Röntgengenerator |
| US4116739A (en) * | 1976-11-26 | 1978-09-26 | New York Institute Of Technology | Method of forming an optical fiber device |
| US4627732A (en) * | 1981-05-20 | 1986-12-09 | Raytheon Company | Mode discrimination apparatus |
| US4525843A (en) * | 1982-04-29 | 1985-06-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Ring laser with wavefront conjugating beams |
| NL8202935A (nl) * | 1982-07-21 | 1984-02-16 | Philips Nv | Beeldoverdrachtsinrichting. |
| WO1995007562A1 (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-16 | Philips Electronics N.V. | Ring laser |
-
1994
- 1994-08-02 DE DE69400905T patent/DE69400905T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-02 US US08/406,953 patent/US5563968A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-02 EP EP94921076A patent/EP0663111B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-02 WO PCT/IB1994/000231 patent/WO1995005020A1/en active IP Right Grant
- 1994-08-02 JP JP50631595A patent/JP3370333B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-02 CA CA002144866A patent/CA2144866A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08502606A (ja) | 1996-03-19 |
| DE69400905D1 (de) | 1996-12-19 |
| WO1995005020A1 (en) | 1995-02-16 |
| CA2144866A1 (en) | 1995-02-16 |
| EP0663111A1 (en) | 1995-07-19 |
| EP0663111B1 (en) | 1996-11-13 |
| DE69400905T2 (de) | 1997-05-22 |
| US5563968A (en) | 1996-10-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |