DE1764738B1 - Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH392696A (de) * 1959-01-21 1965-05-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist
US3300841A (en) * 1962-07-17 1967-01-31 Texas Instruments Inc Method of junction passivation and product
DE1273956B (de) * 1963-08-01 1968-07-25 Hitachi Ltd Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH392696A (de) * 1959-01-21 1965-05-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist
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DE1273956B (de) * 1963-08-01 1968-07-25 Hitachi Ltd Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern

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