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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem pn-Übergang,
der an der Halbleiteroberfläche zutage tritt und mit einem Überzug aus bleihaltigem
Isolierstoff bedeckt ist.
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Die Halbleiterkörper bekannter Halbleiterbauelemente bestehen meist
aus Silicium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung zwischen Elementen
der III. und V. Gruppe oder der 1I. und VI. Gruppe des Periodensystems der Elemente.
Die genannten halbleitenden Materialien überziehen sich an der Atmosphäre unvermeidbar
in kürzester Zeit mit einer dünnen Oxidhaut. Diese Oxidhaut ist in der Lage, sehr
schnell Wasser aus der Umgebungsatmosphäre aufzunehmen. Bei Siliciumkörpern bilden
sich hierdurch Kieselsäuren, die durch Polymerisation wieder Wasser abspalten.
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Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß die erwähnte Aufnahme
und Bildung von Wasser in der Oxidhaut mittelbar die Ursache für Alterungserscheinungen
ist. Insbesondere hat es sich gezeigt, daß die Sperrfähigkeit von pn-Übergängen,
die an der Oberfläche des Halbleiterkörpers der Bauelemente zutage treten, im Laufe
des Betriebes nachläßt. Hieraus resultieren instabile Kennlinien der Bauelemente.
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Zur Erhöhung der Oberflächenstabilität von Halbleiterbauelementen
ist ein Verfahren aus der deutschen Patentanmeldung W 15318 VIII c/21
g bekannt, bei dem einer auf die Oberfläche aufgebrachten Schutzschicht aus
Polyäthylen und Polybutylen eine Bleiverbindung in Form von Mennige (Pb304) als
Oxydationsmittel beigegeben wird. Dabei wird jedoch nur die an der Oberfläche befindliche
Feuchtigkeit gebunden.
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Aus der deutschen Auslegeschrift 1273 956 ist ein Verfahren
zur Verbesserung einer Siliciumdioxiddeckschicht auf einem Halbleitergrundkörper
zu entnehmen, bei welchem eine zusätzliche Bleischicht abgeschieden wird und sowohl
die Siliciumdioxidschicht als auch die Bleischicht in oxydierender Atmosphäre in
eine bleihaltige gegen Feuchtigkeit beständige Siliciumdioxidschicht übergeführt
wird. Die Wirksamkeit dieser Schutzschicht erstreckt sich ebenfalls nur auf die
Beständigkeit gegen eindringende Feuchtigkeit.
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Ein weiteres Verfahren zur Passivierung von an Halbleiteroberflächen
zutage tretenden pn-Übergängen ist aus der USA.-Patentschrift 3 300 841 bekannt.
Dort wird die mit Zuführungen versehene Halbleiteroberfläche durch eine Glasschicht
nach außen abgeschlossen. Eine solche Glasschicht kann aus den Komponenten Bleioxid,
Siliciumdioxid und Aluminiumoxid bestehen.
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Der Erfindung liegt dagegen die Aufgabe zugrunde, neben einer Passivierung
der Halbleiteroberfläche die Oxidhaut für die zweiwertigen Bleiionen durchlässig
zu machen, um Alterungserscheinungen an Halbleiterbauelementen zu vermeiden.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Überzug
aus Isolierstoff außer zweiwertigen Bleiionen auch Fluorionen enthält.
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Vorteilhaft besteht der Isolierstoff aus einem Lack oder Kautschuk,
da diese Stoffe relativ einfach auf die Oberfläche von Halbleiterkörpern aufgebracht
werden können und dort auch gut haften. Als besonders geeignet haben sich Siliconlacke
und Siliconkautschuk erwiesen. Der Isolierstoffüberzug auf dem Halbleiterkörper
kann ausgehärtet oder im plastischen Zustand sein. Die Erfindung sei an Hand der
Zeichnung in Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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F i g. 1 zeigt einen stark vergrößerten Schnitt durch den Halbleiterkörper
einer psn-Diode gemäß der Erfindung; F i g. 2 zeigt Sperrkennlinien einer derartigen
psn-Diode; F i g. 3 zeigt Sperrkennlinien einer psn-Diode, die nicht gemäß der Erfindung
ausgebildet ist; F i g. 4 zeigt einen stark vergrößerten Schnitt durch den Halbleiterkörper
eines Thyristors; F i g. 5 zeigt Sperr- und Kippkennlinien eines derartigen Thyristors.
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Der Halbleiterkörper der psn-Diode nach F i g. 1 besteht ohne Beschränkung
der Allgemeingültigkeit der folgenden Ausführungen für andere Halbleitermaterialien
und andere Halbleiterbauelemente aus Silicium. Er weist eine stark n-dotierte Zone
102, einen pn-Übergang 103, eine schwach p-dotierte Zone 104 und eine stark
p-dotierte Zone 105 auf. An der n-leitenden Zone 102 befindet sich eine aus
dem Gold-Silicium-Eutektikum bestehende Kontaktelektrode 101, die antimonhaltig
ist, während an der stark p-leitenden Zone 105 eine aus dem Aluminium-Silicium-Eutektikum
bestehende Kontaktelektrode 106 angebracht ist. Der pn-Übergang
103 tritt an der Mantelfläche 111 des Halbleiterkörpers zutage. Auf
der Mantelfläche hat sich an der Umgebungsatmosphäre in kürzester Zeit eine unvermeidbare
Oxidhaut 107, im vorliegenden Falle aus kieselsäurehaltigem Siliciumdioxid, gebildet.
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Es wird angenommen, daß in der Oxidhaut 107 vorhandenes Wasser dissoziiert
und daß aus den Wasserstoffionen an negativ geladenen Oberflächenteilen des Halbleiterkörpers
atomarer Wasserstoff gebildet wird. Bei in Sperrichtung gepolter Diode, d. h., wenn
die Kontaktelektrode 101 in F i g. 1 sowie die n-leitende Zone 102 positiv und die
Kontaktelektrode 106 sowie die p-leitenden Zonen 104 und 105 negativ vorgespannt
sind, befindet sich ein negativ geladener Oberflächenteil an dem Teil des Halbleiterkörpers,
in dem die schwach p-leitende Zone 104 liegt und in dem sich bekanntlich
ein durch die gestrichelte Linie 110 begrenzter Bereich negativer Raumladung befindet.
Dort werden die Wasserstoffionen entladen, und es bildet sich während der Betriebszustände
des Bauelements allmählich eine elektrisch gut leitende, metallartig wirksame Ansammlung
108 aus atomarem Wasserstoff. Diese schließt den Bereich negativer Raumladung weitgehend
kurz und setzt damit die Sperrfähigkeit des pn-Überganges 103 herab.
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Enthält der Isolierstoffüberzug 109 auf der Oxidhaut 107 zumindest
am pn-Übergang 103 zweiwertige Bleiionen sowie Fluorionen, so wird die Oxidhaut
107 unter Einwirkung der Fluorionen durchlässig für die zweiwertigen Bleiionen.
Letztere wirken im Bereich der Ansammlung 106 des atomaren Wasserstoffes wie ein
Katalysator und bewirken die Umwandlung des atomaren Wasserstoffes in molekularen
Wasserstoff. Molekularer Wasserstoff besitzt keine elektrische Leitfähigkeit und
hat keinen Einfluß auf die Sperrfähigkeit des pn-Überganges 103 und damit auf die
Kennlinie der Diode. Die Kennlinie bleibt somit auch während des Betriebes der Diode
stabil.
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Es ist daher vorteilhaft, wenn an einem pn-Übergang vornehmlich die
Oberfläche desjenigen Teiles
des Halbleiterkörpers mit dem Überzug
aus Blei-und Fluorionen enthaltenden Isolierstoff versehen ist, der die p-leitende
Zone enthält. Ausreichende Wirksamkeit der Blei- und Fluorionen im oben beschriebenen
Sinne ist gewährleistet, wenn der Gehalt des Isolierstoffes an zweiwertigen Bleiionen
0,001 bis 30 Gewichtsprozent beträgt, während der Gehalt an Fluorionen im Bereich
zwischen 0,0001 und 3 Gewichtsprozent liegt. Bei einem innerhalb dieser Bereiche
liegenden Gehalt an Blei- und Fluorionen hat sich kein nachteiliger Einfluß dieser
Ionen auf die Kennlinie der Diode bemerkbar gemacht. Aber auch bei einem Gehalt
an Blei- und Fluorionen, der außerhalb dieser Bereiche liegt, ist ein stabilisierender
Einfluß auf die Kennlinie deutlich erkennbar.
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Die Grundsubstanz des Isolierstoffes kann ein Siliconharz sein. Als
besonders günstig hat sich ein Mischkondensat aus einem Phenylmethylpolysiloxan
und einer Alkydharzkomponente erwiesen, das im ausgehärteten Zustand auch bei Tieftemperaturen
nicht reißt. Dieses Mischkondensat kann zinkfrei sein. Zinkhaltiges Mischkondensat
kann nämlich insbesondere bei hohen Betriebsspannungen (Größenordnung von etwa 2000
V und mehr) ebenfalls zur Verringerung der Sperrfähigkeit von pn-Übergängen im Halbleiterkörper
mit zunehmender Betriebsdauer des Bauelements führen. Es können aber auch andere
Grundsubstanzen für den Isolierstoff, z. B. Kautschuk, insbesondere Siliconkautschuk,
verwendet werden.
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Der Überzug aus Isolierstoff kann als zweiwertige Bleiionen abspaltende
Stoffe Mennige (Pb2[Pb04]), Bleikarbonat (PbC0,) und/oder gelbes Bleioxid (Pb0)
enthalten. Auch ein Bleisalz einer Carbonsäure ist als Bleiionen abspaltender Bestandteil
geeignet, sofern in ihm zweiwertige Bleiionen gebunden sind. Geeignet sind Bleistearat,
Bleiacetat und Bleinaphtenat.
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Der Anteil der Stoffe Mennige, Bleicarbonat und gelbes Bleioxid im
Isolierstoff liegt vorteilhaft zwischen 0,1 und 30 Gewichtsprozent, während der
Anteil der Stoffe Bleistearat, Bleiacetat und Bleinaphtenat im Isolierstoff zwischen
0,002 und 5 Gewichtsprozent liegt. Innerhalb dieser Bereiche wird die Streichfähigkeit
von Isolierstoffen, wie Lack oder Kautschuk, im plastischen Zustand nicht beeinträchtigt.
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Die Bereichsangaben für den Anteil von zu einer Gruppe zusammengefaßten
Stoffen kann hier und im folgenden auch bedeuten, daß im Isolierstoff nur ein einziger
Stoff bzw. einige Stoffe dieser Gruppe enthalten sind, dessen bzw. deren Anteil
innerhalb des angegebenen Bereiches liegt. Ferner schließt das Vorhandensein von
Stoffen einer bestimmten Gruppe im Isolierstoff nicht das Vorhandensein von Stoffen
einer anderen Gruppe aus.
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Als Fluorionen abspaltender Stoff kann der Überzug aus Isolierstoff
Ammoniumfluorid und/oder ein Fluorid eines organischen Amins enthalten. Der Anteil
von Ammoniumfluorid und Fluoriden eines organischen Amins liegt vorteilhaft zwischen
0,0002 und 0,2 Gewichtsprozent. Ammoniumfluorid und Fluoride eines organischen Amins
enthalten keine Bestandteile, die einen nachteiligen Einfluß auf die Kennlinie von
Halbleiterbauelementen haben.
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Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Überzug aus Isolierstcff Bleifluorid
(PbF2) enthält, da diese Verbindung sowohl zweiwertige Bleiionen als auch Fluorionen
abspaltet. Der Isolierstcff kann vorteilhaft 0,001 bis 30 Gewichtsprozent Bleifluorid
enthalten.
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In Weiterbildung der Erfindung kann der Überzug aus Isolierstoff auf
dem Halbleiterkörper neben Fluorionen und zweiwertigen Bleiionen Ionen eines Erdalkali-
und/oder Erdmetalls, insbesondere Magnesium-, Calcium-, Strontium- und Bariumionen
sowie Aluminium- und Galliumionen, enthalten. Dadurch wird in gewissem Umfang eine
Erhöhung der Sperrspannung von pn-Übergängen erzielt. Ferner scheinen Erdalkali-
und Erdmetallionen die Konzentration von Wasserstoffionen und damit schließlich
die Konzentration von atomarem Wasserstoff in der Oxidhaut von vornherein zu vermindern.
Enthält der Isolierstoff Erdalkalimetall- oder Erdmetallsalze schwacher Säuren,
z. B. Carbonsäuren, so werden nach Fertigstellung des Halbleiterbauelementes aus
der Umgebungsatmosphäre in den Isolierstoffüberzug und die Oxidhaut eindringende
Säuren durch diese Salze abgepuffert, d. h., die Konzentration der von den eingedrungenen
Säuren abgespaltenen Wasserstoff-Ionen wird insbesondere in der Oxidhaut sogar in
erheblichem Umfang herabgesetzt.
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Von Vorteil ist es, wenn der Anteil der Erdalkali-und Erdmetallionen
im Isolierstoff zwischen 0,1 und 20 Gewichtsprozent liegt. Besonders gut als Ionenspender
geeignet sind Salze eines Erdalkali- oder Erdmetalls und einer Carbonsäure. Bevorzugt
werden hier Magnesiumstearat, Calciumstearat und/oder Aluminiumstearat, da sie die
Sperrspannung von an der Oberfläche von Halbleiterkörpern zutage tretenden pn-Übergängen
erhöhen, jedoch einen verhältnismäßig geringen Einfluß auf den Sperrstrom dieser
pn-Übergänge haben. Der Gesamtanteil der genannten Stoffe Magnesiumstearat, Calciumstearat
und Aluminiumstearat im Isolierstoff liegt vorteilhaft zwischen 0,1 und 6 Gewichtsprozent.
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Es hat sich gezeigt, daß im Isolierstoff enthaltene Erdalkali- oder
Erdmetallsalze einer starken Säure eine geringere Sperrspannung der pn-Übergänge
im Halbleiterkörper ergeben als Salze einer schwachen Säure. Im Isolierstoffüberzug
enthaltene Salze einer starken Säure hingegen ergeben ein geringeres Sperrstromniveau
der pn-Übergänge als Salze einer schwachen Säure. Das Sperrstromniveau der pn-Übergänge
wird in diesem Sinne auch durch eine im Isolierstoff enthaltene schwache Säure,
z. B. Stearinsäure, verringert. Es ist günstig, wenn der Isolierstoffüberzug 0,1
bis 3 Gewichtsprozent Stearinsäure enthält.
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Es ist ferner günstig, wenn der Isolierstoff ein Fluorid eines Erdalkalimetalls
und/oder ein Fluorid eines Erdmetalls enthält, deren Anteil zwischen 0,002 und 15
Gewichtsprozent liegen kann. Diese Stoffe spalten nicht nur Fluorionen, sondern
auch Erdalkalimetall- und Erdmetallionen ab.
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Zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes gemäß der Erfindung wird
zunächst die Oberfläche eines Halbleiterkörpers, der bereits mit den entsprechenden
Anschlußelektroden versehen ist, mit einem Ätzstrahl aus einer Mischung aus 40°/oiger
Flußsäure und rauchender Salpetersäure (96- bis 100°/oig) im Volumenverhältnis von
1:2 bis 3:2, vorzugsweise von 1:1, geätzt. Halbleiterkörper und Ätzflüssigkeit haben
Zimmertemperatur (20 bis 25°C). Die Ätzdauer beträgt 4 bis 12 Sekunden, vorzugsweise
8 Sekunden. Hierauf wird die Oberfläche mit destilliertem oder entionisiertem Wasser
20 bis
60 Sekunden lang gespült und unter einer Rotlichtlampe getrocknet.
Anschließend wird Isolierstoff im flüssigen oder plastischen Zustand, dem zuvor
Toluol, Xylol, Cyclohexanon und/oder Cyclohexanol zugesetzt wurden, in denen Bleiionen
und Fluorionen abgebende Stoffe gelöst sind, auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers
aufgetragen. Toluol, Xylol, Cyclohexanon und Cyclohexanol sind gute, leicht flüchtige
Lösungsmittel für Blei- und Fluorionen abgebende Stoffe. In den genannten vier Lösungsmitteln
können zusätzlich auch Erdalkalimetall-und/oder Erdmetallionen abgebende Stoffe
gelöst sein. Nach dem Auftragen des Isolierstoffes kann der Halbleiterkörper zwecks
Aushärtung des Überzuges erwärmt werden. Vorteilhaft geschieht das in einem Ofen,
in dem der Halbleiterkörper auf Temperaturen von 180 bis 300°C gebracht wird, da
bei diesen Temperaturen weder eine Zerstörung des Isolierstoffüberzuges noch Veränderungen
in den elektrischen Eigenschaften des Halbleiterkörpers auftreten. Der Isolierstoff
auf dem Halbleiterkörper kann auch im plastischen Zustand belassen werden, wenn
der Halbleiterkörper anschließend in einem entsprechend geeigneten Gehäuse angeordnet
wird.
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Die Dicke des Isolierstoffüberzuges beträgt im plastischen Zustand
etwa 0,8 bis 1,1 mm, im ausgehärteten Zustand 0,5 bis 0,7 mm.
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F i g. 2 zeigt Sperrkennlinien einer psn-Diode entsprechend F i g.
1 mit einem Isolierstoffüberzug auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers, der wie
folgt hergestellt wurde 1 Gewichtsteil Bleistearat, 1 Gewichtsteil Magnesiumstearat
sowie 0,02 Gewichtsteile Ammoniumfluorid werden in 10 Gewichtsteilen Cyclohexanol
unter Erwärmung desselben auf 160°C gelöst. Die heiße Lösung wird sodann 100 Gewichtsteilen
einer auf Zimmertemperatur befindlichen 65%igen Lösung eines Mischkondensats aus
25 Gewichtsprozent Terephthalsäureglyzerinester und 75 Gewichtsprozent Phenylmethylpolysiloxan
in Cyclohexanon unter Um- , rühren zugesetzt. Die sich ergebende Mischung wird sodann
auf die vorher geätzte, gespülte und getrocknete Oberfläche des Halbleiterkörpers
aufgetragen. Anschließend wird der Halbleiterkörper zur Aushärtung des Oberflächenüberzuges
16 Stunden lang auf 220°C erwärmt, wobei sich das Cyclohexanol und das Cyclohexanon
verflüchtigen.
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Diese psn-Diode hat eine in F i g. 2 mit 201 bezeichnete Kaltkennlinie.
202 zeigt die Warmkennlinie der Diode bei 160°C unmittelbar nach Erreichen dieser
Temperatur. 203 zeigt die Warmkennlinie bei 160°C, nachdem der Halbleiterkörper
48 Stunden lang auf dieser Temperatur gehalten und seine Elektroden während dieser
Zeit in Sperrichtung mit einer Gleichspannung von etwa 80 % der Warmsperrspannung
vorgespannt wurden. Wie der F i g. 2 eitnommen werden kann, hat sich die Warmsperrspannung
Uspa praktisch nicht verändert.
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Im Vergleich hierzu zeigt F i g. 3 Sperrkennlinien einer Diode mit
dem gleichen Halbleiterkörper wie der der Diode nach F i g. 2, jedoch mit einem
Oberflächenüberzug, der nur aus der ausgehärteten Cyclohexanonlösung des Mischkondensats
aus Terephthalsäureglyzerinester und Phenylmethylpolysiloxan ohne weiteren Zusatz
besteht. Wie aus F i g. 3 hervorgeht, hat die Kaltkennlinie 301 denselben Verlauf
wie die Kaltkennlinie 201 in F i g. 2. Jedoch stimmt schon der Verlauf der
Warmkennlinie 302, die bei 160°C unmittelbar nach Erreichen dieser Temperatur aufgenommen
wurde, nicht mehr mit dem Verlauf der Warmkennlinie 202 in F i g. 2 überein. Insbesondere
ist die Warmsperrspannung Usp31 um etwa 150 V kleiner als die Warmsperrspannung
USp2 in F i g. 2. Wie die Warmkennlinie 303 zeigt, die nach einer 48stündigen Erwärmung
des Halbleiterkörpers auf eine Temperatur von 160°C bei gleichzeitigem Anliegen
einer Gleichspannung von etwa 80 % der Warmsperrspannung Usp31 an der Diode in Sperrrichtung
aufgenommen wurde, ist die Warmsperrspannung USp32 nach dieser Zeit um etwa 250/0
ihres Ausgangswertes Usp31 bei 160°C abgesunken.
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Ohne Magnesiumstearatgehalt im Isolierstoffüberzug würde die Warmsperrspannung
der psn-Diode mit den Kennlinien nach F i g. 2 nur etwa 90 0/0 des in F i g. 2 dargestellten
Wertes betragen, jedoch würde auch das Sperrstromniveau um etwa 5 bis 10% kleiner
als dort dargestellt sein. Wie Versuche zeigen, werden die Sperrkennlinien eines
solchen Bauelementes deutlich durch aus der Umgebungsatmosphäre stammende Säuren
beeinflußt, wenn der Halbleiterkörper nicht durch Anordnung in einem besonderen
Gehäuse vor derartigen Säuren geschützt wird.
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In den 10 Gewichtsteilen heißen Cyclohexanols können statt des oben
angegebenen 1 Gewichtsteils Magnesiumstearat 3 Gewichtsteile Magnesiumstearat und
außerdem noch 1 Gewichtsteil Stearinsäure enthalten sein. Der im übrigen wie oben
beschrieben hergestellte Isolierstoffüberzug bewirkt dann zwar eine etwas geringere
Warmsperrspannung als in F i g. 2 dargestellt ist, jedoch ist auch das Sperrstromniveau
wesentlich niedriger als in F i g. 2 dargestellt.
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Der in F i g. 4 im Schnitt dargestellte Halbleiterkörper eines Thyristors
besteht aus im wesentlichen einkristallinem Silicium. Er weist eine n-leitende Kernzone
403 und zwei äußere, p-leitende Diffusionszonen 404 und 405 auf. Zwischen
den Zonen 403
und 405 befindet sich der pn-Übergang 403a und zwischen
den Zonen 403 und 405 der pn-Übergang 403b. An der unteren Flachseite des Siliciumkörpers
ist eine Aluminiumelektrode 406 als Emittelelektrode anlegiert. Zwischen der Diffusionszone
405 und der Aluminiumelektrode 406 befindet sich die stark aluminiumhaltige und
daher stark p-leitende Rekristallisationszone 407. In die obere Flachseite des scheibenförmigen
Siliciumkörpers sind eine weitere ringförmige, aus dem Gold-Silicium-Eutektikum
beste' e.ide Emitterelektrode 409 sowie eine ebenfalls aus dem Gold-Silicium-Eutektikum
bestehende kleine scheibenförmige Steuerelektrode 410 einlegiert. Die ringförmige
Elektrode 4D9 kontaktiert die n-leitende, als Emitterzone wirksame Rekristallisationszone
498, während die Elektrode 410 die p-leitende Basiszone 404 sperrfrei kontaktiert.
Zwischen der Basiszone 404 und der Emitterzone 498 befindet sich der pn-Übergang
498a. Die Oberfläche des Siliciumkörpers ist insbesondere auch an den Teilen, an
denen die pn-Übergänge 403a, 403b und 498a zutage treten, mit einem Überzug
411 aus ausgehärtetem Isolierstoff bedeckt, der dieselbe Zusammelsetzung
hat und in derselben Weise hergestellt wurde wie der Isolierstoffäberzug auf dem
Halbleiterkörper der psn-Diode mit der Kennlinie nach F i g. 2.
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F i g. 5 zeigt Warmkennlinien des Thyristors mit dem Halbleiterkörper
nach F i g. 4 bei 110°C. 501a
ist die Kippkennlinie und 501b (-ie
Sperrkennlinie des Thyristors, die sofort, nachdem der Halbleiterkörper die Temperatur
von 110°C erreicht hatte, aufgenommen wurden. 502a und 5026 sind eine Kipp- und
eine Sperrkennlinie, die aufgenommen wurden, nachdem der Siliciumkörper 48 Stunden
lang ohne elektrische Vorspannung auf 110°C gehalten wurde. Wie man erkennt, sind
die Abweichungen der beiden Kennlinien 501 und 502 praktisch bedeutungslos.
Man erhält auch keine Abweichung von den Kennlinien 502a und 502b, wenn man die
Emitterelektrode 406 und 409 nach den 48 Stunden jeweils 1/a Stunde lang auf 80'/,
der Warmkipp- bzw. Warmsperrspannung in Kipp- bzw. Sperrichtung vorspannt, währenddessen
der Halbleiterkörper des Thyristors auf einer Temperatur von 110°C gehalten wird.
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In F i g. 5 sind ferner gestrichelt die Kipp- und die Sperrkennlinie
503a und 503b eines Thyristors mit dem gleichen Halbleiterkörper nach F i
g. 4 eingetragen, der jedoch auf seiner Oberfläche mit einem Überzug versehen ist,
der nur aus der ausgehärteten, zusatzfreien Cyclohexanonlösung des Mischkondensats
aus Terephthalsäureglyzerinester und Phenylmethylpolysiloxan besteht. Die Kennlinien
503a und 503b wurden aufgenommen, nachdem der Halbleiterkörper des Thyristors
48 Stunden lang auf 110°C erwärmt worden war und die beiden Emitterelektroden anschließend
unter Beibehaltung dieser Temperatur jeweils 1/z Stunde lang mit einer Gleichspannung
in Sperr- und in Kipprichtung, die 800/, der Warmsperr- bzw. Warmkippspannung betrug,
vorgespannt wurden. Wie man erkennt, sind die Warmkipp- und Warmsperrspannung UKrr
und Usprr des Thyristors mit den Kennlinien 503a und 503b um etwa ein Drittel
geringer als die Warmkipp-und Warmsperrspannung Uxr und Uspr des Thyristors mit
den Kennlinien 501a, 501b, 502a und 502b.