DE1764738B1 - Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CH392696A (de) * 1959-01-21 1965-05-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist
US3300841A (en) * 1962-07-17 1967-01-31 Texas Instruments Inc Method of junction passivation and product
DE1273956B (de) * 1963-08-01 1968-07-25 Hitachi Ltd Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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DE1273956B (de) * 1963-08-01 1968-07-25 Hitachi Ltd Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern

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JPS4831512B1 (OSRAM) 1973-09-29

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