DE1764263A1 - Gut waermeableitendes Flachgehaeuse fuer Halbleitersysteme - Google Patents
Gut waermeableitendes Flachgehaeuse fuer HalbleitersystemeInfo
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Description
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- Bei der Entwicklung von Halbleiterschaltungen strebt man nach immer größerer Packungsdichte. Dabei vergrößert sich das Problem der 17ärmeableitung. Die Isolier-Stoffe, auf denen die Schaltelemente häufig aufgebaut werden, sind, mit ganz wenigen Ausnahmen, schlechte Wärmeleiter. Gut wärmeleitende Isolatoren wie Diamant oder Be0 sind teuer oder technologisch schwer zu verarbeiten. Bei anderen Isolierstoffen muß man deshalb besondere Kunstgriffe arnienden, um die Wärme von den Halbleitersystemen abzuführen.
- Bei in der Schaltkreis- oder der Multichip-Technik häufig vervrendeten Flachgehäusen besteht der Gehäuseboden aus Glas oder Keramik. Diese Isolatorschicht muß, um nicht leicht zu zerbrechen, eine bestimmte Dicke haben. Die Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein zur Zeit übliches Flachgehäuse. Zwischen einer Grundplatte 1 aus Glas oder Keramik und den Deckplatten 2 und 3 aus gleichem Material ist ein Halbleitersystem 4 eingeschlossen, dessen elektrische Anschlüsse über Metallbänder 5 nach außen geführt werden.
- Die Erfindung wird anhand der Figuren 2 und 3 näher beschrieben. Wie aus der Fig. 2 ersichtlich, ist die Grundplatte 1 jetzt nicht mehr gleichmäßig dick, sondern unterhalb des Halbleitersystems an der Stelle f und unter den Anschlußbdndern an den Stellen 7 besonders dünn. An diesen dünnen Stellen ist die Unterseite der Grundplatte metallisiert. Ein vorgeprägtes Blech ß aus gut wärmeleitendem Material, das mit seinen Erhebungen genau in die Vertiefungen paßt,-wird an den metallisierten Stellen angelötet oder auf andere Weise befestigt. Die übrigen Stellen des Bleches 8 werden--nicht mit der Grundplatte verbunden. Wegen der verschiedenen Wärmeausdehnung von Grundplatte und
- Zusätzlich kann die Wärme noch durch die dünnen Isolierschichten unter den Zuleitungsbfindern abgeleitet werden. Dadurch kann die Wärme über eine noch größere FMche an die Luft oder auf die Metallbahnen der Leiterplatte übertreten, an denen die Zuleitungsbänder de: Gehäuses angelötet sind. In diesem Fall werden auch die Zuleitungsbiinder der Gehäuse aus gut v@@r^@cleitendem Material wie z.B. Silber, Kupfer, Eisen oder Nickel gemacht.
Claims (2)
- P a t_ e- n t- a- n- s_ p_ r' ü- c-h e 1. Gut wärneableitendes Flachgehäuse für Halbleitersysteme, bei den zwischen einer Grundplatte aus Glas oder Keramik und den Deckplatten aus vorzugsweise gleichem Material ein oder mehrere Halbleitersysteme eingeschlossen sind, deren elektrische Anschlüsse über Metallbänder nach außen gdführt werden, dadurch gelcennzeichnet, daß die Grundplatte aus Glas oder Keramik dort, vro sich an der Oberseite ein Halbleitersystem befindet, und gegebenenfalls auch dort,.wo die Zuleitungsbänder am Flachgehäuse angelötet oder sonstivie_ befestigt sind, dünn ausgebildet ' ist, vorzugsweise etwa o,1 bis 0,3 mm, metallisiert ist, und da13 ein Blech aus gut wärmeleitendem Material nur an diesen dünnen Stellenangelötet oder auf andere Weise befestigt ist, während an den übrigen Stellen 1) das Grundmaterial so dick ausgebildet ist, wie es für die Festigkeit des Gehäuses notelendig ist und 2) das Blech mit dem Grundmaterial nicht verbunden und so geformt ist, daß Ausdehnungsaifferenzen zwischen Blech und Grundmaterial vörvriegend zu Verbiegung des Bleches und weniger zu Scherspannungen an-den Verbindungsstellen zwischen Blech und Grundmaterial führen.
- 2. Flachgehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Blech Löcher oder von den Lötstbllen radial nach außen verlaufende Schlitze aufweist. 3
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEB0097663 | 1968-05-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1764263A1 true DE1764263A1 (de) | 1971-06-16 |
Family
ID=6989244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681764263 Pending DE1764263A1 (de) | 1968-05-06 | 1968-05-06 | Gut waermeableitendes Flachgehaeuse fuer Halbleitersysteme |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1764263A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2334427A1 (de) * | 1972-07-10 | 1974-01-31 | Amdahl Corp | Baugruppe fuer ein lsi-plaettchen und herstellungsverfahren |
FR2485262A1 (fr) * | 1980-06-19 | 1981-12-24 | Thomson Csf | Boitier d'encapsulation resistant a de fortes pressions externes |
DE3511722A1 (de) * | 1984-04-02 | 1985-10-03 | Burroughs Corp. (n.d. Ges. des Staates Delaware), Detroit, Mich. | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen |
EP0385048A1 (de) * | 1989-01-20 | 1990-09-05 | Mitsubishi Mining & Cement Co., Ltd. | Substrat für integrierte Hybridschaltung und Herstellungsverfahren |
-
1968
- 1968-05-06 DE DE19681764263 patent/DE1764263A1/de active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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FR2485262A1 (fr) * | 1980-06-19 | 1981-12-24 | Thomson Csf | Boitier d'encapsulation resistant a de fortes pressions externes |
EP0044755A2 (de) * | 1980-06-19 | 1982-01-27 | Thomson-Csf | Gegen hohe auswendige Drucke widerstandsfähiges Verkapselungsgehäuse für hybride Schaltung |
EP0044755A3 (en) * | 1980-06-19 | 1982-02-10 | Thomson-Csf | Encapsulating housing resistant against high external pressures for a hybrid circuit |
DE3511722A1 (de) * | 1984-04-02 | 1985-10-03 | Burroughs Corp. (n.d. Ges. des Staates Delaware), Detroit, Mich. | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen |
EP0385048A1 (de) * | 1989-01-20 | 1990-09-05 | Mitsubishi Mining & Cement Co., Ltd. | Substrat für integrierte Hybridschaltung und Herstellungsverfahren |
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