DE1762094A1 - Schaltung zur Regelung des Verstaerkungsgrades eines Transistorverstaerkers - Google Patents

Description

DR. HANS KARL HACH easo mosbach, den

WALD STADT - HIRSCHSTR. 4 PATENTANWALT

Telefon 313! (Vorwahl Ο62β1) I / D ^ U 9 H Be*irk»-Sperkaseo Moabach 5OQO

, Postscheck Stuttgart 1OG8O6

meine Akte t F 15 Socket t EN 966oo7

International Business Machines Corpcre.ti.on, Arsaoaii, lc5o4i.F-T.(üSA5

Schaltung sur Bsgolung des VerstärfcungagrEdes eines

Die Erfindung betrifft sine Schaltung sur Eegelufig des Yerstärirungs--grades einee eraictergeeohslteten TransistorverEtärkors durch Steuerung des Esiitt er stromes.

Bsi einer bekannten Schaltung dieser Art (l'ransistortechnil: Bsrli/ier Union, Stuttgart 1962, S. 366) ist als Steuergröße für den ßnittorstrom eine äussere G-leichepannung vorgesehen, die man den jeweils gewünschten Erfordernissen entsprechend verstellen kenn.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung der eingangs g Art so ausEVigesialten- dass mit einf&caen l^tteln der verstärfcer temperaturstabilieierlaer let.

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IXLe Erfindung let dadurch gekennzeichnet, dass zur Temperaturkompensation die Steuergröße für den Emitterstrom aus der Basisemitterepannung eines Steuertransistors nit zur Temperaturoharakteristik des Transistorverstärkerβ gleichartiger Temperaturoharakteristik abgeleitet wird.

Bio Erfindung maoht sich, wie weiter unten nooh im einzelnen abgehandelt, Eigenschaften von Transistoren zunutze, nach denen zum Beispiel die Baeisemitter spannung eines Silizium-Steuertransistors ziemlich genau pro Zentlgrad Temperatur üb 2 Milli-Volt absinkt. Dieses Temperaturverhalten erstreokt sich erfahrungsgemäss über einen sehr weiten Temperaturbereich, den sogenannten Militärbereich, der sich von 218° Kelvin bis 398° Kelvin erstreckt. Die Erfindung macht es möglich, Transistorverstärkerschaltungen auf einfache Weise sehr exakt und über einen weiten Temperaturbereich in der Temperatur zu kompensieren.

Eine bevorzugte Ausgestaltung der erfinderischen Schalt;·; dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter des S teuer tr pn ^! & or direkt und die Basis Über einen Spannungsteiler an Maseoripoto, Λ liegt, und dass der Emitter eines zweiten Steuer transistors "■- Abgriff dieses Spannungsteilers und seine Basis am Kollektor l-j, ersten S teuer transistors und sein Kollektor an der Basis ein».: emitterge schal te ten Transistorumkehr stufe liegt, deren Emitte;,:·- kolloktorstrecke in der Emitterstromzuleitung des Transistorvurstärkers liegt.

Kleine Unterschiede im Temperaturverhalten der einzelnen Trannietoren, kann man durch Sohaltungsmaßnahmen ausgleichen, was jedoch nicht nötig ist bei einer bevorzugten Ausgestaltung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass alle an der Temperaturkompensation beteiligten Transistoren und die Transistoren des Transistor-Verstärkers von gleioher Type und hinsichtlich ihrer Temporatv.rcharakteristik gleichartig sind.

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Besondere wiohtig ist eine einwandfreie Temperaturkompensation bei der Verstärkung kleiner 8ignalspannungen. Eine dementsprechende Ausgestaltung dor Erfindung ist gekennzeichnet durch einen Differenzverstärker als Transistorverstärkers mit zwei gleichartigen anlttergekoppelten NPH-Tran sistören in Emitterschaltung, deren Basiselektroden über einen mit einem Abgriff Über einen Wideretand an einem positiven Spannungepotential gelegenen Spannungsteiler miteinander verbunden sind und für sioh an jeweils einen Blngangeansohluse des Translstorverstärkers liegen und dadurch, da·· der Kollektor des ersten Steuertransisto* s über üinen Wiöerstand an dem Abgriff liegt und dass die gekuppelten Emittoren as Kollektor des Transistors der Translstorumkehretufe lieger..

Sie oben angegebenen Eigenschaften von Transistoren, die hier zur Teoperaturküir $nsation herangesogen werden, kann man auch bei anderen Schaltungen su dem gleichen Zweck anwenden. Dementsprechend ist eine S ohwell wert schaltung mit emittergeechalteton Transit toren, insbesondere sum Tasten der integrierten und verstärkten Auagangespannung einer Schaltung erfinduügngemäss dadurch gekenxzeiahnet, dass ein endttergesteuertor Steuertransistor mit gleichartiger Tgmperaturcharakterietlk und von gleichem Typ wie dir übrigen Transistoren dieser Schwellwertschaltung mit seinem Kollektor und seiner Basis direkt und mit seinem Emitter über einen Widerstand je an einem festen Potential liegt und dass die Etdtterapannung dieses Steuertransistore zum Steuern der Emitterbasiaspannung der für die'Schwellwertfunktion maßgeblichen Transistoren naoh Maßgabe der Betriebstemperatur eingekoppelt ist.

Bei den erfinderischen Schaltungen wird davon ausgegangen, dr.es die beteiligten Transistoren jedenfalls weitgehend bei gleicher Betriebstemperatur arbeiten, wie dies bei Schaltungen der hi.r infrage stehenden Größenordnung in der Regel auch der Pail 1 t. Exakt sind diese Voraussetzungen gegeben, wenn dltee Schaltungen integrierte Schaltungen oder monolithische Schaltungen e:.r.d, und

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die betroffenen Transistoren in einer Baueinheit vereinigt sind.

He Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

In der Zeichnung zeigt Figur 1 eine 'Schaltung nach der Erfindung, Figur 2 das Schaltbild einer abgeänderten Schaltung

W nach der Erfindung,

Figur 3a Teile aus Figur 1, noch einmal übersichtlich

herausgezeichnet,

Figur 3b eine Wertetabello zur Erläuterung der Funktion aue Figur 1 und Figur 3c Gleichungen zur Erläuterung der der Erfindung

zugrunde liegenden physikalischen Zusammenhänge.

Gemäße Figur 1 eind in einem allgemein mit 7o bezeichneten DIfferentialverstärker zwei Transistoren 1 und 2 vorgesehen. Die Transistoren sind HPN-Transistoren. Ihre Kollektorelektroden, Emitterelektroden und Basiselektroden sind mit Ic₉ le, Ib bzw. 2o, 2e, 2b bezeichnet. Die Emitterelektroden Ie und 2e sind miteinander verbunden. Die Kollektorelektrode Io liegt über die Leitung 5 und die Kapazität 6 an Massenpotential. Die Kollektorelektrode 2c liegt über einen Widerstand 7, die Leitung 5 und die Kapazität 6 an Massenpotential. Die Kollektorelektroden 2o und Ic liegen ausserdem über einen Widerstand θ und die Leitung 9 an einem +5 Volt Spannungepotential. Die Basiselektroden Ib und 2l> liegen tibor die Leitungen 11a bzw. 12a an den Eingangsanschl.üse-en 11 und 12. Die beiden Widerstände 13a und 13b sind als Wldersttndsserie 13 zTvischen die EJngangsanechlüsso 11 und 12 geschaltet vxiä.

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bilden einen Eingangewiderstand von 2oo Ohm für die Eingangssignal©.

Die allgemein mit 72 bezeichnete temperaturkompeneierte Spannungequelle weist die Transistoren 15» 2o und 25 auf und dient als Stromquelle für den Differentialverstärker 7o. Die Transistoren sind HPN-Transistören. Sie Emitterelektroden, Kollektorelektroden und Basiselektroden sind mit den Buchstaben e, c bzw. b bezeichnet. Der Kollektor 15o des Transistors 15 liegt Über den Widerstand 16, die Leitung 18 und die Leitung 14- am Mittelabgriff der Widerstandsserie 13 und über den Widerstand 16,die Leitung 18 und den Wider- ^ stand 17 an der Kapazität 6. Ausserdem liegt dieser Kolloktor über die Leitung 19 an der Basiselektrode b des Transistors 2o. Dio Basiselektrode b des Transistors 15 liegt über einen Widerataad an der Emittorelektrode ο des Transistors 2o, die ihrerseits Ibor einen Widerstand 22 an Massenpotential liegt. Die Kollektorelaktrod© c des Transistors 2o liegt über den Widerstand 27 und die Leitung 26 an der Leitung 5 und ausserdem über die Leitung 28 an der Basiselektrode b des Transistors 25, die ihrerseits über den Wideretand 29 an Massenpotential liegt. Die Emitterelektrode a des Transistors 25 liegt über den Widerstand 3o an Massenpotential. Die Kollektorelektrode c des Transistors 25 liegt über die Leitung 31 an den beiden miteinander verbundenen Emitterelektroden Ie und 2e des DifferentialVerstärkers 7o und liefert einen hoch- " gradig temperaturkompensierten Strom, der die Verstärkung dee Differentialverstärkers 7o in weitem Temperaturbereich - im Beispiel von -55⁰C bis +125⁰C - konstant hält. Im folgenden verden einige theoretische Grundlagen zur Wirkung der erfinderischen Schaltung angegeben.

Der Verstärkungsgrad A des DifforentialVerstärkers kanr. aus-

gedrückt werden duroh

I (Gleiclung I)

A_g « _£. - 1 h

^Bi ¹¹Ib₁ ^{+ 11}Ib

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In Oloiohung I bedeutet I_Q « Ausgangeetrom E^ » Bingangeepannung

« Strom ve r Stärkung einer Schaltung mit zusammengefaßten Emittoren

» Eingangsimpedanz.

Aus Gleichung 1 ist ersichtlich, dass die Wirkung dor GrOBe h^ auf die Vorstärkung belanglos ist, es sei denn, hf_Q ist grofl gegenüber eine. Die Verstärkung wird mithin hauptsächlich durch die Werte von h^, h^ bestimmt. Wenn man die Summe von h^^ unü

konstant ^ ² hält, dann bleibt mithin die Vor-β des Differenzvorstärkere im wesentlichen konstant. ... ^u von h., ist eine Funktion der phyeiakli sehen Eigenschaften eine β Transistors und fast unabhängig von dem Tjp oder Material des betroffenden Transistors. Viele Versuche haben ergeben, ftusr man für h^ setzen kann :

KT_-, (Gleichung 2) In Gleiohung 2 ist K = BoItarnen¹s Konstante = 1·3β χ Ιο" ' Joule Grad Kelvin

q = Elektronenladung β 1.6ο χ Io * Coulomb T s Temperatur in Grad Kelvin und

I^ ~ Emitterstrom Ampere

Die Werte von K und q sind konstant, während die Variablen T und Temperatur und den Emitterstrom angeben.

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He Temperaturanjgaben sind in Orad Kelvin gemacht und mithin auf den absoluten tullpunkt beBOgen· Die Raumtemperatur entsprloht ungefähr 298⁰C. Heine Temperaturiwhwankungen sind nur von kleiner Wirkung, aber Über einen Temperaturbereich, der für Militärzwecke infrage kommt und el oh von 218⁰K Me 398⁰I. erstreckt, 1st die Teapei^turabhängigkelt beträohtUoh. Der SBitteretrom I_£ hat natUrlloh den grOBten Einfluss. Wenn man also den Bnitteretrom als funktion der Temperatur steuert, 1st es möglich, den Wert h_ib und damit die Verstärkung von Temperatursohwankungen unabhängig zu halten.

IHe Transistoren 15 und 2o sind rückgekoppelt geschaltet, so das ε der Kollektorstrom des Traneistore 2o durch die Baeisemitterepannung des Traneistors 15 und den 6oo Ohm großen Wideretand 22 bestimmt wird. Me Temperaturoharakterietlk der Baelsemitterepannung eines Sill siua-Traneie tore selgt eine bestimiBte Temperaturabhängigkeit, die alemlioh genau bei »2 αν pro Centlgrad betrügt. Unglücklicherweise verändert eioh daitaroh der Kollektoretrom dee Transietors 2o in einer Richtung umgekehrt su der, die notwendig ist, um den Verstärkungsgrad des Differentielveretärkere konstant SU halten. Die dadurch erforderliche Biohtungeumkehr wird dur*;h den Transietor 25 bewirkt· Die Praxis hat gezeigt, dass man auf diese Weise den Kollektoretrom des Transietore 25 eo β teuer η kann, dass damit der Terstärkungsgrad dee Differentialverstärkerθ tomperaturunabhängig. gehalten «erden kann.

Beim dargeetellten AusfUhrungsbelspiel let der Strom Im Trane., sto.x 25 eine direkte Funktion der Temperatur und er ändert eich in einem Maße, eo daee er die temperaturbedingten Änderungen von h^ kompensiert. Die Verstärkung des Different! al verstärker β 7c k <nr auf diese Weise über einen Temperaturbereich von etwa 2?.3⁰K Ί..& 398⁰K nahezu konstant gehalten werden.

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Figur 2 zeigt ein Wechsels trom-Äquival ent eu dem Dl fieren ti al verstärker, bei dem die temperaturkomponeierte Spannungequelle als Block CCS dargestellt ist. Sie Schaltung des Blocke COS ist die gleiche wie die der Spannungsquelle 72 aue Figur 1.

In Figur 3a ist der Differential verstärker 7 ο mit der temperaturkompensierten Spannungequelle 72 noch einmal übersichtlich, herausgeeeiohnet.

Figur 3b zeigt einige Ueseorgebnisse dieser Schaltung. In Figur 3b ist aufgetragen in der ersten Spalte die Meestemporatur in Grad Celsius, in der zweiten Spalte die Mess temperatur in G-rai Kelvin, in der dritten Spalte die Spannung am Kollektor ο des Transistors 2o, in der vierten Spalte die Spannung am Emitter e des Transistors 25, in der fünften Spalte der Kollektorstrom des Transistors 25 und in den lotsten Spalten die Grüßen h^_fl, h^ und A , wie in Figur 3b angegeben. Das umgekehrte Ohm-Zeichen bedeutet den Rosiprokwert, also die Dimension eins durch Ohm. Aus Figur 3b ist ersichtlich, dass A über einen Temperaturbereich von 218⁰K bis 398⁰K konstant bleibt. Erst bei den oberen Grenetemperaturen des fraglichen Bereiches ergeben eich kloira Änderungen in der Größe A .

Die zweite Stufe der Sohaltung aus Figur 1 besteht aus einom Integrationeveretärker 71 mit den Transistoren 36, 39 und 42, die sämtlichst HPN-Traneistören sind. Die Transistoren 36 und arbeiten integrierend und verstärkend, während der Transistor zur Gleiohepannungsstabilität dient und eine niedrig« Außgangsimpedanz bewirkt und ausserdem die Transistoren 36 und 39 ausserhalb ihrer Sättigungsbereiche hält· Die Basiselektrode dee Transistors 36 liegt am Ausgang des Different!alVerstärkers 7o und zwar über die Kapazität 32. Die Emitterelektrode des Transistors 36 liegt über den Widerstand 37 an Massenpotential uxd über die Leitung 38 an der Basis des Transistors 39. Der Kollektor

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des Transistors 39 liegt über die Leitung 4-0 und den Widerstand

41 an dem +5 V-Potential Io und über die leitung 35 und die Kapazität 34 am Ausgang des Differentialverstärkers 7c. Der Kollektor des Transistors 39 liegt ausserdom Über die Leitung 4oa on der Basis des Transistors 42* Der Kollektor des Transistors 42 Hegt über die leitung 43 an dem +5 V-Potential Io, während ede Emitterelektrode des Transistors 42 über einen Wj -'erstand an, Massonpotential liegt.

Die Integration der Transistoren 36 und 39 wird duroh. die Rückkopplung der Kapazität 34 bewirkt, die 4opf beträgt, so dass die Verstärkung umgekehrt proportional zur Prequenz ist, Bei seh^ tiefen Frequenzen ist mithin die Verstärkung sehr hoch. Dies ist unerwünscht, weil Geräuschspannungen und thermischea Rauschen der Transistoren dadurch mit einem hohen Verstärkungsgrad ve:>■ stärkt würden. Aus diesem Grunde muss die Verstärkung bsi rJ. gen Frequenzen gedrückt werden. Zu diesem Zweck dient eine s Rückkopplungsleitung, die die Emitterelektrode des Transistors

42 über den Widerstand 76 mit der Baeiselektrode des Translators 36 verbindet. Auf diese Weise wird die Verstärkung dee Voratirkers

limitiert und vorhindert, dass die Verstärkung der niedrigen rrequenzen einen bestimmten Wert übersohreitet.

Der Ve-rstärkungegrad des Verstärkere 71 wird im wesentlicher duroh dia Kapazität 34 mit dem Kapazitätswert 4opf bestimmt,, Diese Kapazität ist im wesentlichen temporaturunabhängig, so dass die Verstärkung dieses Verstärkers über den lnfrages behenden Temperaturbereich Im wesentlichen konstant bleibt.

Der Ausgang des Verstärkere 71 wird in einem Schwollwortkreis 75 eingespeist, der eingangssei tig eine GKLei ohepannunges chal tang mit dem Transistor 47 und der Kapazität 5o und dieser nachge™ eohaltet eine Transistorschaltung aus den Transistoren 52 und 56

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auf fei et. Die Transistoren sind HPH-Transietoren. Die Basis des Transistors 47 liegt an Maeaenpotential, während dl· Kollektorelektrode Über die Leitung 49 und die Kapazität 5o an der »Bitter elektrode liegt. Sie Emitterelektrode des Transistors 47 liegt ausserdem Über den Widerstand 51 an eines -5 V-Po ten ti al. Der Ausgang dieser Schaltung liegt Über die Leitung 48 an der Basiselektrode des Transistors 52, dessen Kollektorelektrode an Massenpotontial liegt und dessen Emitterelektrode über die Leitung 53 an der Emitterelektrode des Transistors 56 liegt. Die beiden genannten Emitterelektroden liegen Über einen Widerstand 54 an einem.-5 V-Potential 55. Die Kollektorelektrode des Transistors 56 liegt Über die Leitung 57 und einen Widerstand 58 an einem +5 V-P ο ten ti al 59. Die Basis des Trsnsistors 56 liegt an der Emitterelektrode des Transistors 63, und zwar über die Leitung 56, ausserdem liegt sie über den Widerstand 61 an einem -5 V-Potential 62. Sie Kollektorelektrode des Transistors 63 liegt an . einem +5 V-Pοtenti al 64, während die Basiselektrode an einem' Spannungsteiler aus den Widerständen 66 und 65 liegt, die zwischen das Mae β enp ο ton ti al und ein +5 V-P ο ten ti al 67 ge β ehaltet sind.

Die Kapazität 5o beträgt 0.0I_xUf. Im Normal zustand liegt an eier Emitterelektrode des Transistors 47 ein negatives Maesenpotential, das genauso groß ist wie die Basisemitterspannung.Ein positiv gehend Signal an der Emitterelektrode des Transietors 42 wird über die Kapazität 5o an die Emitterelektrode des Transistors 47 und ;in die Basiselektrode des Transistors 52 gekoppelt. Dieses positiv gehende Signal spannt den Transistor 47 rückwärts Vor und gelangt direkt an die Basiselektrode des Transistors 52. Im Gegeneat;: dazu, verursacht ein negativ gehendes 8ignal an der Emitterelektrode des Transistors 42 über die Kapazität 5o lediglich eine Verbesserung der vorwärtigen Torspannung des Transistors 47, wodurch die Entladung der Kapazität 5o verhindert wird. Die Bezugsspannung an der Basiselektrode des Transistors 52 bleibt mihin

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konstant und nur die positiv gehenden Teile der Signale können dii Besugespannung überragen· i

tu· transistoren 52 und 56 bilden den eigentlichen Schwellwert-Jkrels innerhalb der tenperaturfeampenslerten Schwellwertschaltung 75· lormalerwtise leitet der Transistor 56 alle Ströme weiter, «•11 die fetal«elektrode des Tranalstore 63 aber den Spannungsteiler der Widerstände 66 und 65 auf ungefähr +2oo mv gehalten wird. Der Widerstand 66 hat einen Wideratandswert von 5 K Ohm und der Widerstand 65 einen solohen von 2oo Ohm. Die Emitterspannung de· Transistors 63 sieht immer die Etaitterspannung dea Transistors 47 sdt einer Differenz von 2oo mv, und zwar Über 4«n ganzen hier betrachteten Temperaturbereich von 218⁰K bie 398⁰X₉ weil in «onolithisohen KreieenJJoim solche handelt es sich hier, dl· Transistoren so angepaßt sind, dass sie im fraglichen Bersloh temperaturkompensiert sind.

Der 8ohwellwertkrele eohaltet auf ein 2oo mv tiberschreitende ε positiv gehendes 8ignal am Emitter des Transistors 42. Die Folgo davon ist, dass der Kollektor des Transistors 56 und der Enitter de· Transistors 68 positiver werden. Biese Spannung ist hoch genug, um einen Verbraucher 76 eu steuern. Der Verbraucher 77 Hide t zusammen mit dem Transistor 68 und einem 4 K Ohm Widerstand die allgemein mit 74 bezeichnete VerbrauoherschaltunK. Der Verbraucher 77 ist derart, wie er in modernen Rechnern der diction Generation verwendet'wird.

Die dargestellten Schaltungen sind vorsugsweise ale nsonolitl ieche integrierte Kreise ausgebildet.

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Claims (6)

meine Akte ι P 15 833 Docket J EN 966oo7 ANSPRÜCHE

1./Schaltung zur Regelung des Verstärkungsgrados eines emittergeschalteten Transietorveretärkere durch Steuerung des Emitteretromes, dadurch gekennzeichnet, dass zur Temperaturkompensation die Steuergröße für den Emitterstrom aus der * Basisemitterspannung eines Steuertransistors (15) mit zur Temperaturcharakteriβtik des Transietorverstärkers (1,2) gleichartiger Temperaturoharakterietik abgeleitet vdrd.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitter des Steuertransistors (15) direkt und die Basis Über einen Spannungsteiler (21, 22) an Massenpotential liegt, uid dass der Emitter eines zweiten 8teuertraneietors (2o) am Aogriff dieses Spannungsteilers (21,22) und seine Basis am Kollektor des ersten Steuertransistors (15) und sein Kollektor an der Basis einer emittergeschalteten Transistorumkehretufe (25) liegt, deren Emitterkollektorstrecke in der Emitterstromzuleitung (31) des Tranaistorveretärkere (To) Ir'.egt,.

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3. Schaltung nach Anspruch 1 und 2, daduroh gekennzeichnet, dass alle an der Teraperaturkompöneation beteiligten Transistoren (15, 2o, 25) und die Transistoren (1,2) des Transistorverstärkers (7o) von gleicher Type (NPN) und hinsichtlich ihrer Temperaturcharakteristik gleichartig sind.

4. Sohaltung nach Anspruch 3, daduroh gekennzeichnet, dass Tran- _t si stören (15, 2o, 25, 1, 2) Silizium-Transistoren, vom Typ NIN sind.

5. Schaltung nach Anspruch 1 bis 4, gekennzeichnet durch einan ^ Differenzverstärker als Transistorverstärker mit zwei gleichartigen emittergekoppelten NPN-Transistören (1,2) in Emitterschal, tung, deren Basiselektroden über einen mit einem Abgriff (14) über einen Widerstand (17, 8) an einem positiven Spannungspotential (lo) gelegenen Spannungsteiler (13) miteinander verbunden sind und für eich an jeweils einen EingangsanSchluss (11,12) des Transistorverstärkers (7o) liegen und dadurch, claes der Kollektor des ersten Steuertransistors (15) über einer Widerstand (16) an dem Abgriff (14) liegt und dass dio gekoppelten Emittoren am Kollektor des Transistors (25) der Trans!storurakohratufe liegen.

6. Schwellwertschaltung mit emittergeschalteten Transistor en, insbesondere zum Tasten der integrierten und verstärkten Ausgangsspannung alner Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dees ein emittergeeteuerter Steuertransie tor (63) mit gleichartiger Temperaturcharakteristik und von gleichem Typ (NPN) wie die übrigen Transistoren dieser Schwellwertschaltung mit seinem Kollektor und seiner Basis direkt und mit seinem Emitter über einen Widerstand (61) je an einem festen Potential (62,64,67) liegt und dass die Emitterspannung dieses Steuertransistoro zum Steuern der Esiitterbasiespannung der für die Sohwellwertfunktioa ma3-geblichen Transistoren (47,42,56) nach Maßgabe der Betriebstemperatur eingekoppelt ist.

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21a2 18-08 AT: 5.4.68 OT: I6.M.1970

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