DE1713832U - Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden. - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden.

Info

Publication number
DE1713832U
DE1713832U DES11242U DES0011242U DE1713832U DE 1713832 U DE1713832 U DE 1713832U DE S11242 U DES11242 U DE S11242U DE S0011242 U DES0011242 U DE S0011242U DE 1713832 U DE1713832 U DE 1713832U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
electrode
electrodes
arrangement according
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES11242U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES11242U priority Critical patent/DE1713832U/de
Publication of DE1713832U publication Critical patent/DE1713832U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

Siemens & Halske München, den .. ο ,
Aktiengesellschaft Wittelsbacherpl. 4
pa 53/270 8
Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten Elektroden=
Bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit aufgesetzten Elektroden, wie sie beispielsweise als Richtleiter, Transistoren, Fototransistoren, Fieldistoren oder dergl„ benutzt werden, haben sich Schwierigkeiten beim Aufsetzen der Elektroden auf die Halbleiterkristalloberfläche ergeben» Es ist · an sich bekannt, die Halbleiteroberfläche vor dein Aufsetzen der Elektroden extrem zu reinigen, beispielsweise zu glätten oder zu ätzen und zwar mit Base oder Säure; oder eine mechanische oder chemische bzw. elektrochemische Behandlung der Oberfläche miteinander zu kombinieren. Es ist auch bekannt, die Elektroden zu reinigen lav. oberflächlich zu behandeln, insbesondere die Spitzenelektroden von Richtleitern elektrolytisch anzuspitzen» Die der Erfindung zugrundeliegenden Untersuchungen haben nun gezeigt, daß diese Maßnahmen unzureichend sind, um eine hohe Lebensdauer und geeignete Kennlinien der Halbleiteranordnungen zu gewährleisten.
Erfindungsgemäß wird eine Elektrode, welche auf einer Halbleiteroberfläche aufzusetzen ist, beispielsweise Spitzen oder Schneidenelektrode, vorzugsweise eine solche Elektrode, die eine punkt-, oder schneidenförmige Berührung mit der Halbleiteroberfläche hat, in physikalisch und/oder chemisch geätztem Zustand auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzt. Die Ätzung der Halbleiteroberfläche lässt sich sowohl chemisch, d<,h„ beispielsweise durch Behandlung mit einer Säure, durchführen, als auch mit physikalischen Mitteln erreichen, beispielsweise durch Kathodenzer-
PA 550/60 - 2 -
stäubung oder Anwendung einer Glimmentladung ο "In geätztem Zustand" bedeutet dabei, daß die Elektrode diesen Zustand bis zu dem Augenblick beibehalten muß, in dem sie auf die Kristallcberflache aufgesetzt wird ο Dies geschieht insbesondere dadurch, äa.'.i sie innerhalb von 48, bzw= von 24 Stunden, möglichst unmittelbar nach dein Ätzen oder während des Ätzens auf die .■>istalloberflache aufgesetzt wird» Würde man die Arbeitsgänge
"onnen und zunächst die Spitze bzw. die Kontaktfläche der Elektrode ätzen, die Elektrode dann einige Zeit lang liegenlassen und erst dann auf den Halbleiterkristall aufsetzen, so /■•'ürde der durch das Ätzen erreichte Zustand der Kontaktfläche der Elektrode mindestens teilweise wieder verlorengehen, dadurch, daß sich aus der umgebenden Atmosphäre irgendeine Froxidschicht auf der Kontaktfläche ausbildet. Es hat sich gezeigt, aaf3 unter Beachtung der Ätzvorschrift nach der Erfindung nicht ..ur die Lebensdauer der Halbleiteranordnung erheblich gesteigert wird, sondern daß auch die Sperrspannung und der Sperrwiderstsnd -beträchtlich vergrössert werden»
Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindungsgedankens lässt sich der durch die Ätzung auf der Kontaktfläche der Elektroden hervorgerufene -Zustand dadurch konservieren, daß die Elektrode anschließend mindestens an der Kontaktstelle oberflächlich mit einem dünnen Überzug eines Edelmetalls, beispielsweise Gold oder Platin versehen wird. Unter Umständen können auch andere Schutzüberzüge anorganischer oder gegebenenfalls auch organischer Art angewandt werden, wie beispielsweise aus Quarz oder Öl, wie diese bereits zum Schütze der Halbleiteroberfläche selbst zum ■Teil vorgeschlagen worden sind (PA 53/2540, S 34684 VIIIc/21g) . Der Überzug soll derart dünn sein, daß er entweder beim mechanischen Aufsetzen der Elektrode auf den Kristall oder bei einer an das Aufsetzen anschliessenden Formierung durch einen elektrischen Strom oder dergl. durchstossen wird.
Von besonderer Bedeutung ist die Erfindung für die Behandlung der Kollektorelektrode auf Transistoren, welche durch elektrische formierung, d.h. durch kurzzeitige Behandlung mit einem erhöhten elektrischen Strom, bei der sie auch auf der Halbleiteroberfläche fixiert wirdo
PA 9/550/60 - 3 - Λ
In der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Einrichtung nach r der Erfindung beispielsweise dargestellt«
1 bedeutet einen Halbleiterkristall aus Germanium oder Silizium, v/elcher auf einem als Basiselektrode dienenden metallischen Träger
2 angeordnet ist» Auf die Oberfläche des Halbleitereinkristalls sind zwei Elektroden 3 und 4 aufgesetzt mit Zuleitungen 5 und 6, Die Elektrode 4 dient als Kollektorelektrode und ist in Figo 2 '■Och einmal in vergrössertem Maßstab dargestellt» Die Elektrode besteht in an sich bekannter Weise ganz oder teilweise aus Kupfer, (Patentanmeldung S 32 369 VIIIc/21g, PA 53/2140) und ist mindestens an der Spitze eine Zeitlang der Ätzwirkung von verdünnter Salpetersäure ausgesetzt«, Unmittelbar anschließend ist die Spitze elektrolytisch mit ein.em dünnen Goldüberzug 7 versehen wordenc Nach Aufsetzen der Elektrode 4 auf den Kristall 1 wird in an sich bekannter Weise kurzzeitig ein Strom durch die Elektrode und der. halbleiter geleitet, wodurch die Goldoberfläche 7 durchschln;;en und die Kupferspitze der Elektrode 4 auf der Halbleiterober:Q:lc· fixiert wird.
Die Erfindung ist nicht auf das Ausführungsbeispiel beschränkt sondern kann mit besonderem Vorteil auch bei Transist or€s.anordnungen mit mehr als drei Elektroden angev/andt werden. Auch im Zusammenhang mit anderen Materialien sowohl für den Kristall als auch für die Spitzen, beispielsweise mit Legierungen der III„ und Vo oder II, und VI0 Gruppe des Periodischen Systems, sowie mit solchen Halbleiterlegierungen, die ±n Flußspat- oder Anti-, flußspatgitter kristallieren, ist die Erfindung von Bedeutung,
2 Figuren
8 ansprüche

Claims (1)

  1. PA 9/550/60 yM-4- W0303H
    anSprüche ο
    I, Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren Elektroden, welche auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzt sind und mit ihr vorzugsweise einen punkt- oder schneidenförmigen Kontakt ergeben, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Elektroden in "geätzten Zustand" mit ihrer Kontaktfläche auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzt ist»
    'i, .Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die geätzte Elektrode mit einer extrem dünnen Schicht eines Edelmetalls, beispielsweise Gold oder Platin oder einer anderen, die Oxydation oder Korrosion verhindernden anorganischen oder organischen Substanz, z.B. Quarz oder Öl, überzogen ist„
    ;■ - Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug derart dünn ist, daß er entweder üciin mechanischen Aufsetzen auf die Halbleiteroberfläche und/oder beim Hindurchschicken eines Formierungsstromes zerstört wird ο
    4« Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 35 dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode eines Transistors in geätztem Zustand auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzt ist»
    ο Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch 'gekennzeichnet, daß sämtliche Elektroden mindestens ausser der Basiselektrode in geätztem Zustand auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzt sind..
    6c Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode ganz oder teilweise aus Kupfer oder Kupferlegierungen besteht»
    ο Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzung der Kontaktfläche der Elektrode bzw» Elektroden 48 bis 24 Stunden, oder am besten unmittelbar vor dem Aufsetzen auf die Halbleiterkristalloberfläche und/oder während des Aufsetzens vorgenommen wird,
    PA 9/550/60 - 5 -
    3. Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung nach, einem der Ansprüche 1 bis 6 oder nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Kontaktstelle der mindestens an dieser Stelle geätzten Elektrode bzw» Elektroden .vor dem Aufsetzen auf die Kristalloberfläche mit einem dünnen Überzug, vorzugsweise Edelmetallüberzug, beispielsweise aus Gold oder Platin oder auch anorganischen oder organischen Schutzschicht, ZoB„ Quarz, Öl. ο»dgl, überzogen wird=
DES11242U 1953-10-01 1953-10-01 Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden. Expired DE1713832U (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES11242U DE1713832U (de) 1953-10-01 1953-10-01 Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES11242U DE1713832U (de) 1953-10-01 1953-10-01 Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1713832U true DE1713832U (de) 1955-12-29

Family

ID=32517953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES11242U Expired DE1713832U (de) 1953-10-01 1953-10-01 Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden.

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1713832U (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614283A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE2142146A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
EP0841561A2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung
DE1279848B (de) Verfahren zum grossflaechigen Kontaktieren eines einkristallinen Siliziumkoerpers
DE1764155A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
DE1614306C3 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Anschlüsse auf einer Oberfläche eines elektronischen Bauelementes und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestelltes Bauelement
DE829191C (de) Halbleiter zu Gleichrichter- oder Verstaerkerzwecken
DE1170555B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
DE1713832U (de) Halbleiteranordnung mit einer oder mehreren aufgesetzten elektroden.
DE2351664A1 (de) Verfahren zum behandeln einer duennschicht
DE1952499A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1126513B (de) Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiteranordnungen
DE2012110A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagenmetallisierung an elektrischen Bauelementen
DE1071846B (de)
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE2057204C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten
DE1243274C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DE1947026A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2506990C3 (de) Verfahren zur selektiven galvanischen Abscheidung von Weichgold auf einer zusammengesetzten Metalloberfläche und seine Anwendung
DE1639051C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontakts an einem Silicium-Halbleiterkörper
DE1184423B (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterbauelement
DE1163975C2 (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen
DE1621044C3 (de) Bad zur anodischen Oxidation von Galliumarsenid
AT218570B (de) Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers
DE10254815A1 (de) Verfahren zum galvanischen Aufbringen eines Metalls, insbesondere von Kupfer, Verwendung dieses Verfahrens und integrierte Schaltungsanordnung