DE1646780A1 - Verfahren zum Behandeln von Gegenstaenden aus oxydischen,keramischen,polykristallinen Materialien - Google Patents

Verfahren zum Behandeln von Gegenstaenden aus oxydischen,keramischen,polykristallinen Materialien

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DE1646780A1
DE1646780A1 DE19651646780 DE1646780A DE1646780A1 DE 1646780 A1 DE1646780 A1 DE 1646780A1 DE 19651646780 DE19651646780 DE 19651646780 DE 1646780 A DE1646780 A DE 1646780A DE 1646780 A1 DE1646780 A1 DE 1646780A1
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DE19651646780
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Jonker Gerard Heinrich
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

.-Ina. HORSTAUER . i*/g780
R- 339 Anmeldung vom; 12. Okt. 1965
PEN.339
dJo/WG.
"Verfahren aum Behändein von Gegenständen aus oxydischen, keramischen, polykristallinen Materialien."
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung von Gegenständen, die· ganz oder im wesentlichen aus oxydiechen, keramischen, polykristallinen, halbleitenden, ferro-elektrischen Materialien bestehen und auf diese Weise behandelte Gegenstände, unter diesen Materialien werden ferroelektrische Materialien verstanden, die durch Anwendung des Prinzips der gesteuerten Valenz und gegebenenfalls auch durch Reduktion halbleitend gemacht werden. : -
Es ist bekannt, dass der elektrische Widerstand der unter Anwendung des Prinzipsder gesteuertenvalenz gebildeten, in einem sauerstoffhaltigen Medium erhitzten, oxydischen, keramischen, polykristallinen, halbleitenden Materialien bei Erhb'hung der Temperatur bis zu oder gerade oberhalb der ferroelektrischen Curie-Temperatur erheblich zunehmen kann, Beispiele solcher Materialien 3ind Erdalkalimetatitanate (Perοwskitstruktur) in denen ein Teil der Erdalkali-Ionen, ζ·Β. Ba +-Ιοηβη, durch La -Innen oder ein Teil der 'Ti -Ionen durch Nb -Ionen eraetät sind.
Es wird angenommen, dass der elektrische Widerstand dieser p^lykri stall inen Materialien oberhalb der ferro^elektr-isöhen Curie-Temperatur im wesentlichen durch Sperirechiehten bedingt ist, die sieh an den Srenaea--der Soriderkristalle } ü&B polfkri-stalllnsn Materials befir.aen* Diese S
• - 1Qit?lä/1&iÄ '" BAD
■ ·2- ■ PHN.
schichten werden weiter unten Korngrenzsperrschichten genannt.
Es ist weiter beschrieben worden, dass von gesinterten Körpern aus "dotiertem" Bariumtitanat mit der Zusammensetzung 3aQ qqcYq 015Ti03 ot>erhaltl der ferro-elektrischen Curie-Ternperatur die den Zusammenhang zwischen dem elektrischen Widerstand und der Temperatur andeutende Kurve in dem Masse steiler ist, wie der partielle Sauerstoffdruck eines Argon-Sauerstoffgemisches höher ist» in dem die- Körper erhitzt werden. Nach Erhitzung in reinem Argon entstanden Körper, bei denen die erwähnte Kurve praktisch flach war; der elektrische Widerstand eines solchen Förpers nimmt praktisch nicht zu bei Zunahme der Temperatur des Körpers« = =......
Es wurde gefunden, dass die Teaperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes bei und oberhalb der ferroeiektrischen Curie-Temperatur von Körpern ganz oder im wesentlichen aus oxy.disehen, keramischen, polykristallinen, halbleitenden, ferroelektrischen Materialien,die durch. Anwendung des Prinzips der gesteuerten Valenz halbleitend gemacht worden sind, in erheblichem Masse beeinflusst werden kann.
Uas Verfahren bezieht sich somit auf einen "Gegenstand,, der ganz oder im" wesentlichen aus oxydischen, keramischen, polykristallinen, halbleitenien, ferroelektrischen Materialien besteht und' der unter Anwendung des Prinzips der gesteuerten »alsnz halbleitend ge.aiae.ht worden ist und dessen, elektrischer Widerstand nach Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen Ataos-phrir?*' Ms gu ULi oberhalb äer farra-stektrisefc-jn Onrlti-Teapsrfttur οιλ;/· i-ir4inraturaPhI«gij:keit aufweist! g@EtSi>s d-sr .'^vtxi-Aixa.:? tsr. .^-r j-, f'-'rtl.re.-· .1 --Viα« ei* gekenn^efiefca:^, -ϊα,Βύ ά".τ }^: ::ΐ.'^^^·\ ^i ή1-
3 Il M ^UA -■■"■" BADORK3JNAL
-3-· ;...■-■-■ FHN
höhter Temperatur· der Einwirkung eines oder mehrerer Halogene der Giuppe: FIu^r, CLlτ und Brom unterworfen wird.
Es'wurde gefunden, dass bei Temperaturerhöhung bis zu und oberhalb der ferro-elektrischen Curie-Terr.peratur der elektrische Widerstand solcher erf indungsgeiLäss behandelten Körper erheblicn stärker zunimxt, als z» B. bei solchen in bekannter Weise in Luft hergestellten Körpern, die weiter unten "unbehandelte Korper" genannt werden, oder dass die absolute Zunahme des elektrischen Widerstandes, in einer bestimmten Temperaturstrecke wesentlich grosser ist als bei unbehar.delten Körpern; häufig treten beide Effekte bei einem erfindunjsgemass behandelten Körper auf. G-einäss der Erfindung kann man auch Forper mit einer starken Widerstandszunahme erhalten, die in einer langen Temperaturstrecke einen praktisch konstanten Teoperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands aufweisen. Infolgedessen kann man erfindungsgemäss hergestellte Gegenstände vorteilhaft fur elektrische Widerstände mit positiven; Temperaturkoeffizienten verwenden, welche Widerstände grosse Anwendung finden können -and z.B. fUr Strombegrenzung oder Stronistabilisierung Thermoregelvhrrichtungen, Spannungs-Gtabilisatoren zum Sichern von Elektromotoren und bei Temperatur- und Strahlunsmessungen "benutät werden können.
Eü wird angeriociraen, dass bei dem Verfabr'en nach der Erfindung in dea Körper der ^erwähnten pnXykristallihen Ifiaterialien Komgrenzsperrschichten geltltdet tzw. beeinflusst Herder. Dieses «erf&nrer, bezweckl nicbt,, die Halbleiterfshigkeit- der K^rnrr.Ei-.'er, zu beeinflußsei.. -;=--_ ^- .
1098 33/U94
"*■ ^" '" BAD ORIGINAL
-4- ■■-■'■.- PHK. 339
Las verfahrer, nach der- ErfL-nlurg igt V(\r allein wichtig bei polycristalline*; Körpern (Gegenständen), die ganz tder im wesentlichen aus unter Anwendung des Prinzips der gesteuerten Valenz halbleitend gemachten» oxydischen, keramischen, ferro-elektrischen Materialien mit Pero^skitstruktur bestehen, vie Titanaten, Zirkonaten, Stannaten, Niobaten von Erdalkalimetallen der Gruppe: Barium, Strontium, Calcium und Blei und festen lösungen zweier oder mehrer dieser Verbindungen. Diese Materialien müssen in geeigneten Mengen mindestens ein Element enthalten, das durch das Prinzip der gesteuerten νalenz die Halbleitfähigkeit hervorruft. Beispiele eines solchen Elementes sind Wismut, Antimon, Mob, Tantal und seltene Erdmetalle, wie lantan. .
Geeignete oxydische, keramische, ferro-elektrische Materialien mit Perowskitstruktur für die erfindungsgemäss zu "behandelnden Gegenstände sind z.B. Erdalkalititanate und feste '.Lösungen derselben oder eines oder mehrerer derselben mit Bleititanat, weiter fteste Lösungen eines Erdalkali ti tanats und eir.es Srdttlkalizirkonats oder Erdalkalistannate mit Perowskitstruktur cder beider letztgenannten»
Besonders gut geeignete oxydische, keramische, ferro-elektrische Materialien mit Ferowskitstruktur für- die erfirdungsgeinäss zu behandelnden Gegenstände sind Bariumtitanat, feste. Lösungen -on Bariuntitanat und Strnntiumtitanat und/oder Calciuntitanat und feste Lösungen "on Bariuratitanat und Barium-.-tanriat und »oii Enriuinfitanat und Bleiti tui al. Geeignete Mateiufil ier. ηi :.u wei 1 er" n^c'h die im voi-hergehendeii Gata erwähnten
1098 33/H94 BADOR(Q1NA1.
-5- ' ■- ' PHK. 339
Materialien, in denen Lan tan, Antimon oder Ki ob zum Erzieler, der Halbleiterfähigkeit verwendet werden»
Das Verfahren nach der Erfindung, bei dem die zu behandelnden Gegenstände bei erhöhter Temperatur der Einwirkung eines oder mehrerer der Halogene Fluor, Chlor und Brom unterworfen werden, lässt sich auf verschiedene,Weise ausführen.
Das Resultat der Behandlung gercäss der Erfindung
ist nicht nur von der chemischen Zusammensetzung der Gegenstände, ^ sondern auch von einigen anderen Faktoren abhängig. Einer dieser Pastoren ist die Porosität des durch Formgebung und Sinterung hergestellten Körpers; die Porosität darf nicht gross sein, da Sonet das verwendete Halogen häufig zu stark auf .die äusseren •Schichten der Kristalle des polykristallinen Körpers einwirkt. Der einer Behandlung nach der Erfindung unterworfenen Körper darf Such nicht zu stark dichtgesintert sein, da in diesem Falle die -Ifrrttgvezizett nicht hinreichend für den Halogendampf zugänglich sind. In d-ejj* Praxis kann durch einige systematisch durchgeführte SJ,ntir«xper4mente \>©n Fall au Fall bestimmt werden, wie diese " ausgeführt »irden sollen, um bei der Behandlung nacli der Erfindung dae erwünschte Resultat zu erzielen.
I Auch die Korngrosse des polykristallinen Materials lit tin Pakioi?t der daa Resultat dea Verfahrens nach der Erfindung beiinflusst. vorzugsweise wird Material mit einer KorngrHast von etwa 5 Ms 20 /u..Durchiäea&er verwendet. Gute Resultate wurden mit Material mit eineo* Korngrösae vnn 2 bis ICOm Durchmesser erzielt«
Die B& hand lung, der polykristallinen.-Körper nach der
109833/1494 Sa0 0B1s1nal
-6- PHN.
Erfindung erfolgt bei erhöhter Temperatur, z.B. zwischen 75O0C und 12000C, vorzugsweise bei einer Temperatur zwischen '850-95O0C.
Von den Halogenen konant insbesondere Chlor in Betracht. Bei einer Behandlung nach der Erfindung mit Chlor kann man eine sehr grosse Temperaturabh&ngigkeit des elektrischen Widerstands in bestimmten Fällen erreichen, wahrend in anderen Fällen die absolute Zunahme dea elektrischen Widerstandβ bei Temperaturerhöhung Überraschend gross ist. In bestimmten Fällen ergeben sich durch.eine Behandlung nach der Erfindung mit Chlor Körper mit starker Widerstanderunahne, die in einer ausgedehnten leaperaturstrecke einen praktisch konstanten Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands aufweisen. Auch bei Verwendung von Fluor oder Brom lassen sich gute Besultate erzielen.
Jjae Verfahren nach der Srfirdrang lässt sich auch mit Halogenverbindungen durchfuhren. Pie Verhältnisse wurden dabei vorzugsweise derart gewählt«dass in altu (bei der Behändlungstemperatur) Halogen daraus entsteht.
Las Verfahren nach der Srfiadune läest sich i.B. . dadurch ausfuhren, dass in einen den'bu behandelnden Körper enthaltenden Ofen hälogendaapf oder ein Geiaißcii aus »irem Kalogendatnpf und einen inerten Gas, z.B. Stickstoff, oder aus Halogen und Sauerstoff eingeführt wird. Der Halogendaopf, gecebenenfa]]& mit den erwähnten anderen Gater. cenischt, kmnn über den zu behandelnden KKrpsr geführt werden. IS&n kann die Behandlung auch in eines geschlossenen Raum durchfuhren.
Bei einer anderen AusfUnru&gsfora des Verfahren« nach der Erfindung kann man statt einet Halogendaepfes
BAD ORIGINAL
" ' -7~ PHN,
Dampf einer Halogenverbindung oder einer solchen Verbindung mit Sauerstoff verwenden. In diesen: Falle zersetzt sich oder "erbrennt die fcalog-enverbindung bei der Behandlungstemperatur, wobei Halogendampf erzeugt wird. Als Halogen-'erbindung eignet sich -"or allem eine organische Verbindung, wie Tetrachlorkohlenstoff oder ein Fluorkohlenwasserstoff. Es können auch ■flüchtige Halogenverbindungen, z.B. SiF,, mit Sauerstoff verwendet werden. Die flüchtige Halogen^erbindung kann örtlich entwickelt werden. " ™
Es wurde gefunden, dass besonders bei Anwendung eines Gemisches eines Halogens oder einer flüchtigen Halogen-Verbindung mit Sauerstoff gute Resultate erhalten werden.
Der Druck des Halogendampfes, dem die erfindungsgemäss zu behandelnden Gegenstände ausgesetzt werden, kann verschieden sein» Vorzugsweise wird dieser Druck höher als etwa C,05 Atmosphäre gewählttDie weiter unten zu beschreibenden Experimente wurden im wesentlichen mit Halogendampf eines Drucks swisehen 0,ü1 und 5 Atmosphären durchgeführt. Es zeigte sich, dass bei j einem Druck von O1T Atmosphäre in den meisten Fällen bereits gute bis sehr gute Resultate erhalten wurden; daher wird dieser Druck bevorzugt. ■
Es wurde weiter festgestellt, dass das Resultat einer Behandlung nach der Erfindung mit einem,Gemisch eines Halogen.s oder einer flüchtigen Halogen^erbindung und Sauerstoff auch -'on dem Sauerstoff druck abhängt; dies gilt insbesondere für flüchtige, anorganische Fluorνerbindungen, wie SiF. und
-..-■■ 4 ■
4. Günstige Resultate ergeben sich 'ror allem bei Verwendung eines erhöhten Sauerstoffdrucks, z.B. bei Sauerstoffdrucken
109833/1494
BAD ORIGINAL
-δ- . PHN. 339
zwischen ΰ,8 bis 5 Atmosphären und mehr.
Das verfahren nach der Erfindung und die dadurch · erzielten Resultate werden an Hand der nachfolgenden· Beispiele näher erläutert. *
Bei den versuchen wurden Scheiben aus oxydischem, keramischem, polykristallinem, halbleitendem, ferro-elektrischem Material gemeinsam mit einem Halogen oder einer flüchtigen Halogenverbindung gegebenenfalls in Kombination mit Sauerstoff behandelt« In einigen Fällen wurde die flüchtige Halogenverbindung örtlich entwickelt.
Bei der ersten Reihe von Versuchen wurden Scheiben aus polykristallinem Bariumtitanat verwendet, das 2 mol.^ überschüssiges Titandioxyd und 0,2 mol # Nb2O5 enthielt. Zu diesem Zweck wurde zunächst ein'Pulper hergestellt, indem BaCO-,, TiO2 und Nb2O5 in dem verlangten Verhältnis gemischt und gemahlen · wurden. Dieses Pulver wurde während 15 Stunden auf 1000° C erhitzt, das erhaltene Prndukt wurde im nassen Zustand gemahlen und darauf zu Scheiben gepresst, die während drei Stunden auf 135O°C in Luft erhitzt wurden. ·
Eine zu prüfende Scheibe wurde mit 0hm1sehen Elektroden versehen, worauf der elektrische Widerstand bei verschiedenen Temperaturen gemessen wurde. Die Elektroden wurden nach dem Entfernen -"on Oberflächenschichten an den betreffenden Elektrodenstellen angebracht. Das Elektrodenmaterial war eine Indium-Quecksilberlegierung; auf diese Weise werden Kontaktwiderstände vermieden.
In den nachfolgenden Tabellen sind nacheinander die
BAD ORIGINAL COF
1098 33/1494
- -9- - PHN.
Nummern der Prüfung, die GasatmoSphäre, der die Scheiben ausgesetzt wurden,' die Behandlungatemperatur und die Erhitzungsdauer, der Minimalwert des spezifischen, elektrischen Widerstands in Ohm.cm (R ., welcher Minimalwert meistens 20 bis 6O0C unterhalb der ferro-elektrisehen CurierTemperatur liegt), die Temperatur in Grad Celcius, bei der ein Maximalwert (R_Q„) des spezifischen, elektrischen Widerstands gemessen wurde (T_ev.), das Verhältnis zwischen dem Maximal- und dem Minimalwert des
• R
spezifischen Wi der stands (κ=·=·) und der Maximalwert des Temperaturkoeffizienten des spezifischen elektrischen Widerstands ( ^Κ,^^ in
^ pro Grad Celcius)angegeben.Zum Definieren der Temperatur^effizienten (TK) des elektrischen Widerstands {ß ) gilt folgendes:
- 1 %ß - 2Λ a
(T * Temperatur in ,Grad Celsius).
Da %m vorliegenden Falle die Werte der Temperaturkoeffizienten sehr ,hoch sind (30 bis 12096 pro Grad C) bedeutet dies, dass die Anwendung des elektrischen Widerstands bei einer Temperaturzunehme 70η 1°C erheblich grosser als 30 bis 120# ist. Diese Zunahme ist dämlich: . "r-"■'■-■-- ' ■-■ ,
-:_: -:--5 ; - , j?i-(eIisi die Grundzahl des natürlichen logarithmenaystems). JPÜr Vinen TF-Wert von 100?i pro Grad C ist eTK = 2,78, was bedeutet, dass pro Grad C der elektrische Widerstand in •diesem Falle um einen Faktor 2,78 zunimmt.
' · Jn den Tabellen sind weiter stets die erwähnten
.GrHaeen von Scheiben angegeben, die nicht einer Behandlung räch der Erfindung unterworfen waren; diese Fälle sind Ir: den COPY
109833/1494 bad original
«10-PHK.
Tabellen mit "unbehandelt" bezeichnet. Diese Scheiben waren bei der -"-erstehend geschilderten Herstellung "auf 135O°'C= in Luft erhitzt. ■
TABELLE I
Material:Bariumtitanat mit 2 mol.# überschüssigem TiO2-und 0,2 mol.
Probe Kr.
Gasatm* usw.
•R.
Ϊ* max
x Bmin
max
1
2
3 4
10
11
unbehandelt
GhlorjO,T atm»9000C; 2 Stunden
Brom;0,25 atm;900°C; 2 Std
100
105
;,
2 Stunden.
' Fluor;G,05 atm;900°Q (mit inertem GrM als Stickstoff)
180
1JO1I atm;92O0C; 2 Stunden
(CCl4 mit Luft Überführung) \
CHBr1;0,1 atm;10Q0°C| 2,5 Stunden CHBr, mit O9 Überführung c
NT,j 0,1 atm;85O0C; 2 Stunden
(verschlfissenes Rohr)
2;0,05 atmi900°Cf
2 Stunden
(verschlossenes Rohr)
SFgϊ0,1 atm;900°C;
2 Stunden
(verechlossenes Rohr; mit 0,1 atm»O2)
C2H2F2JO,1 atm;9750Cj
2 Stunden
(verschlossenes Rohr mit 0»2 atm«02)
Flüchtige F-Verbindung Hrtiloh aus CaF2 + 5iO2(t:2)entwicRelt; in O2 i,o atm.;900% 2 St. (verschlossenea Rohr)
165 190' 165
165 165
165
175. t65 142
160
8000 50000 70000
16000 42000
4ÜÜ00
i I
ι : I
25000 I
49000 25000
185
109833/
' ΠϋΟΟϋ ,
U94
30
100
90
60 115
100
60
80
60000 : no
115
40 BAD OBIGINAI.
(Fortsetzung)
PHN. 339
Pr*be Nr.
QasatE« usw.
max
max j TK, mir ■
max
12
Flüchtige P-^erbindung örtlich aus KF^MnO2>Sjq> entwickelt;
2 Stunden;900°C( 1S1s 2) ι (•"■erschlossenes Rohr)
345 : 185
.100000
120
Fig. X zeigt graphisch die Temperaturabhängigkeit des spezifischen, elektrischen Widerstands .(/0 ) von Scheiben nach den Proben lr 3» T. .
Bei den in den anderen Proben nach Tabelle I und den weiter unten zu beschreibenden Proben erhaltenen Scheiben wurden stets die die Temperaturabhängigkeit des spezifischen elektrischen Widerstandes andeutenden Kurven bestimmt. Die in Fig. 1 dargestellten Kurven dienen als Beispiel.
In der Tabelle II sind das Behandlungsverfahren und
die erhaltenen Resultate für Scheiben aus Ban onSro. -o^.Ti0, mit 1
U ,OU U t du j
mol $ TiO2 überschuss und 0,15 mol i> Ia2O^ angegeben. Die durch das erfindungsremässe Verfahren zu behandelnden Scheiben waren durch ein gleiches »erfahren hergestellt wie die, von denen die Tabelle I die Resultate angibt. Die Grossen der Tabelle II haben die gleiche Bedeutung wie die der Tablle I.
G-leiches ist in Tabelle III für ein Bariumstr^ntium-
mi* 2 mo^ ^ überschüssigem TiOo und 0,15 mcl $ Sb^O,- angegeben, in Tabelle IV fUr einr Bariumstrcntiumtitanat der Zusammensetzung Ba^ ^0Sr. -.,,
w , 1U <j ψ JU
TiO, mit 2 mol $ TiO2 überschuss und 0,15 mol # Sb-O5 und in Tabelle V für ein Bariumcalciumstrcntiumtitanat mit 2 mcl ^ TiO2 überschuss und G,t5 mol Sb^Oc·
titanat der Zusammensetzung BaQ
109833/1A94
BAO ORiGlNAU
PHN. 339
TABELLE II Material: BaQ gQSrO 20Tit*3 mi* 1 mol*#
überschuss-und 0,15
Probe Nr.
Gasatm· usw.
min
TK.
max
: unbehandelt ;
·- Flüchtige F-ν erbindun?
örtlich aus CaF2+SiO2+MnO2 !
(1:2:1) entwickelt; 90O0Cj 2 Stunden
45
100
20
TABELLE III
Material: Ban ^7nSr,- ,r TiO ,mit 2 mol.?i TiO0 überschuss und 0,15
: Probe Nr. ! Gasatm, usw. Bmin · T -
max
R
min
j TKmax
15 unbehandelt 40 : 145 800 :. 8
! 16 C2HCl.;0,3 atm;95O0C;
.2 Stunden(offenes Rohr,
Ο« Strom)
' 150 ' 140 6000 1.4
17 Br2; 0,25 atm; 9000C;
; 2 Stunden(verschlossenes
. Rohr) ■"-■ ·
,200
150· 4500 . 10
i OF2;0,05 atm;9000C;
300 160 20000 : 15
2 Stunden(verschlossenes
ORIGINAL INSPECTED COPY
33/14 94
PHN.
TABELLE IV
Material: BaQ γΟ δΓθ 3OTi°3 üt>erschuss und °»15
Probe Nr.
Gasatm', usw.
j Rmin
max
19
20
unbehandelt
OP2; 0,05 atm; 9000C; 2 St. (verschlossenes Rohr) 40
300
Flüchtige P-Verbindung örtlich aus CaF2>Si02+Mn02(1:2:1)
entwickelt; 9QO0C; 2 Stunden (verschlossenes Rohr) 140
160
1Oq
15000 i
30000
18
Material: BaQ'
0,15
TABELLE V lO,1OSrO,3OTiO3 2 mol.-?t TiO2 überschuss und
Sb2O,
ί Probe; Nr. :
Gasatm.
USW.
min max;
max ζϋΐη
22. 23
24
unbehandelt
Cl2; 0,1 atm; 95O°C; 1 St. (verschlossenes Rohr)
NP3; 0,1 atm; 85O0C; 2 St. (verschlossenes Rohr) 90
170
400
! 150 500 140 j 10000 150 ! 30000
12
15
Tabelle Vl erwähnt die Resultate von Prüfungen mit Scheiben aus Bariumcalciumtitanat und Bariumcalciumstrontiumtitanat mit einem zunehmenden Gehalt an Strontium.
109833/1494
TABEILE VI
PHN. 339
0 gCan .,TiO3 mit 0,9 mol, ! TiOp undΌ,Ί5
!
i unbehandelt
,; 0,1 atm; 95O°C; 1 St.
90 160
200 2000 25 180 20000 , 60
1 Material:
:'Beo,8Cao.iSro, 1110^nIt
: 0,9 mol.^ TiO2 und 0,15
unbehandelt Cl2; 0,1 atm.: 95O0C; 1 St.
170
220
170
170
750
8000
11
20
-- ι Material: 2WO3 »it 0,9 70 - 1500. 500 9
iBao,7Cao,iSro, 0,15 mol .* ; HO - 8000 : Q5Q0-. 13
31 mol.£ TiO2 und -=■"■ *
29 32 Sb2O5
unbehandelt
95O°C; 1 St. i 160 -
30 Cl2; 0,1 atm.; ί 155
Material: ^TiO3 mit
0,15 mol.
0,9 70 6
Ba0,6Ca0,1Sr0,
mol.^ TiO2 und
150 \ 12 -
Sb2O5
unbehandelt 95O0Cj 1 St. 160,
Cl2; 0,1 atm.; 140
Fig. 2 zeigt graphisch die Temperaturabhängigkeit des epeziflachen elektrischen Widerstände (D) von Scheiben nach den Proben 25 bis 32.
Pur Scheiben aus Bariuastrnntiumtitan&t mit SiO2 als
QOPY \
PHK. 339
Sinterniittel sind die Resultate in Tabelle VIl angegeben.
TABELLE ·ΙΙ
Material: »»ο,βΟ^Ο^Ο11^
Nb2O5
Gew
und Ot2
Probe
Nr. ·
Saeatm.
usw.
min
TK,
max
f '33* ■ unbehandelt 80
34 Flüchtige verbindung Srtlich i aus KF-frSiOp+MnOp (1:2.ij ent- { 8.5
20Oj 11000
1 t
\ ' · 200!12OOOO
11
I wickelt; 90O°C; 2 Stunden
FUr Scheiben aus einem Bariumtitanatstannat mit als Dotierung Niob und Lantan sind die Resultate in Tabelle viii angedeutet.
TABEItE »III Material: Ba(Sn0 ^^Ti0 qq)0, »it 0,2 mol.)(
Nr Sasata. - usw. ! Rmin T
max
j Jr^ I ^max
i min i
54000 !
35 unbehandelt j 100 170! 3000! 10
, 36 Flüchtige F-verbindung örtlich
aus KF+SiO2+MnG2(1:2:1) ent-
: ; wickelt; 9000C; 2 Stunden
; !
j ί
! 250
125 100005 • 13
Material: wie 35 und 36 aber
; ; mit 0,2 kp1.< La9C1 statt
* Nh O J ·
■i
ΐ
;
i
" I -
70000! 20. ^
} ΐ
I 37 / unbehandelt . I
55]
170 " COPY . '■'■
103*33/1494
■ 33 Flüchtige F-verbindung örtlich ;
i . < aus KP+SiO2*lInO2( 1:2:1 )ent-
• : wickelt 9000C; 2 Stunden
i . ·
r
i
J
i
250 t
125!
■;.■-. -.16- ; . PHN. 339
Fig. 3 zeigt graphisch die Temperaturabhängigkeit des spezifischen elektrischen Widerstands (/O) vnn Scheiben nach Prnbe Nr. 36 als Beispiel eines Gegenstandes nach der Erfindung,' der in einer langen Temperaturstrecke einen konstanten Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands aufweist. Dies kann z.B. bei Temperaturmessungen wichtig sein.
Diese Eigenschaft findet man im allgemeinen bei erfindungsgemäss behandelten Gegenständen aus Materialien"mit einer ■"•erhältnismässig niedrigen, ferro-elektrischen Curie-Temperatur wie Bariumstrontiumtitanat, Bariumcalciumstrontiumtitana'ty Bariumstannattitanat und Bariumzirkonattitanat.
Hohe Werte des Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes findet man vor allem bei erfindungsgemäss behandelten Gegenständen aus Materialien mit eirier ""erhaltnismässig hohen, ferro-elektrischen Curie-Temperatur, wie Bariumtitanat und Bariumbleititanat.
Siehe die Tabl1en IX und XI.
1 09833/149 4
BAD ORIGINAL
PHH. 339
Material: Ba
TABELLE IX
06TiC)3 mit und 0,2
Probe
Nr.
Gasatm.
usw.
min
max i
max
vmin
ΓΚ.
max
unbehandelt 27
4-0 Flüchtige F-Verbindung örtlich aus CaFp+SiOp (2:1) in Oo-atm. , entwickelt; 9000C; 2 Stunden (geschlossenes Rohr) 75-
4-1 NF3; 0,1 atm.; 85O0C; 2 Stunden
(geschlossenes Rohr) 30
220 : 5500 ! 45
240 10C000 38
240 17000 40
Material wie 39-41 aber mit 0,2 mol.^ La2O3 statt
unbehandelt
Cl2; 0,05 atm. ; 9000C; 2 St.
■ Br2; 0,25· atm. ; 9000C, 2 St.
F2; 0,05 atm.; 90O0C; 1 St.
Flüchtige F-verbindung örtlich aus KF+Si02+iin02 (1:2:1) entwickelt; 9000C; 2 Stunden (geschlossenes Rohr),
45 · · 22-Ü 1500 40
65 230 1Q000 ' 63
6.0 210 6000 70
82 200 5100 30
240
110000
Tabelle X zeigt die Resultate von Scheiben aus Bariumcalciumtitanat bei Untersuchungen, bei denen einerseits der Einfluss der Erhitzungsdauer und andererseits der der Temperatur festgestellt wurde.
109333/1494
BAD ORIGINAL
1848780
-18-TABSLLE X ,
Material: Ban q2ao -TiC, mit 2 mol.£ TiO-. und 0,15 anol-fS Sb0O-
-Probe Nr.
Gasatm.
uaw,
mi η
max
max !mim
TK.
47 unbehandelt '
48 Cl2; 0,1 atm.; 11000C; 1 St»
49 gleich 48; 2 Stunden
50 " 48; 4 Stunden ί ■
51 « 50; 95O0C \
12 190 3000
■ι
44
32 : 200 9000: 51
80 T. 160 16000' 58
110 [ 160 50000; 100
62 210; 6000' 46
Für Scheiben aus Bariumtitanat ist der Einfluss der Behandlungstemperatur gemäss der Erfindung untersucht» Die Resultate sind in Tabelle XI angegeben.
TABELLE XI Material: BaTiCU mit 2 mol.^ und 0,2 mol.;^
Probe Nr.
Gasatm.
usw.
Jh." ίτ '*
> mm ι max
max
52 53
54 55
- unbehandelt
Cl2; 3,5-4 atm.; 70O0C; 2 Stunden
Cl0; 3,5-4 atm.; 8QO0C;
2 Stunden
Cl2; 3,5-4 atm.; 9000C; 2 Stunden 15 ; 210 5700 35 25 210 18000 46 70 200 30000 57' 75 200 50000 63
109833/US4 bad original
164JS780
.
Bei diesen Untersuchungen hat es sich gezeigt, dass Unterschiede in den Temperaturen, "bei denen das "Verfahren nach der Erfindung: durchgeführt wurde, grosser en Einfluss auf die Resultate haben als Unterschiede im Druck: des Chlorgases.
Bei den höheren Temperaturen tritt häufig, ein chemisches Anfressen der Äusseren Schichten der Gegenstände ein. Optimale Resultate (siehe auch. Tabelle Xl) ergeben sich vor allem, wenn das Verfahren "hei ö5ü Ms 95O°C durchgeführt wird.
109833/1494
BAD ORIClNM.

Claims (1)

  1. -20- PHK.
    PATENTANSPRÜECHE: . -
    1. Verfahren zur Behandlung eines Gegenstandes, der ganz oder im wesentlichen aus oxydischem, keramischem, polykristallinem, halbleitendem, ferro-elektrischem. Material besteht, das durch Anwendung des Prinzips der steuernden Valenz halbleitend gemacht worden ist und dessen elektrischer Widerstand nach Erhitzung des Körpers in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bis zu und oberhalb der ferro-elektrischen Curie-Temperatür eine Temperaturabhängigkeit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Gegenstand bei erhöhter Temperatur der Einwirkung eines oder mehrerer Halogene der Gruppe: Fluor, Chlor und Brom unterworfen wird.
    2. verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gegenstand, der ganz oder im wesentlichen aus durch Anwendung des Prinzips der geregelten Valenz halbleitend gemachtem · Material mit Perowskitstruktur besteht, bei erhöhter Temperatur der Einwirkung eines oder mehrerer Halogene der Gruppe Fluor, Chlor und Brom ausgesetzt wird,
    3. »erfahren nach Anspruch 2, aaaurch gekennzeichnet, dass der zu behandelnde Gegenstand ganz oder im wesentlichen aus einem halbleitenden Lcüterial mit Perowskitstruktur der Gruppe: Titanate, Zirkonate, Stannate, Niobate, von Erdalkalimetallen der Gruppe: Barium, Strontium und Calcium und Blei und feste Lösungein von zwei oder mehreren dieser Verbindungen besteht.
    4. verfairen nach Anspruch 3« dadurch gekennzeichnet, dass der zu behandelnde Gegenstand ganz oder im wesentlichen aus halbleitendem Bariumtitanat oder festen Lösungen von Barium— titanat und Strontiumtitanat und/oder Calciumtitanat oder
    >>:.*■■■....>«■ 109833/1494 bad original
    * ■".- ; 164S78Q
    -21- · - PHK.
    festen lösungen -omit Bariumtitanat und Bariums t annagt oder Bariumtitanat und Bleititanat feesteht. -
    5. - Verfahren nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet» dass der zu "behandelnde G-e£?enstand ganz oder im wesentlichen aus Bariumtitanat oder einer festen XHsung Vrin Bariumtitanat und einer anderen Verbindung mit Perowskitstruktur besteht, welches Material durch einen passenden Gehalt an Lantan,.
    Antimon oder Hio-to halbleitend gemacht ist." *
    6. Verfahren' nach einem nder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Halogen Chlor verwendet wird.
    7. Verfahren nach -einem oder mehreren der vorhergehenden ■Ansprüche» dadurch gekennzeichnet» dass Halogen in Form einer organischen oder anorganischen Halogen^erbindung verwendet wird» aus der sich bei der Behandlungstemperatur Halogen entwickelt.
    8* Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Halogen oder eine "
    in einer Mischung mit einem, inerten G-as wird*
    9» Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch, gekennzeichnet, dass Halogen oder eine Halogenverbindung in einer Mischung mit Sauerstoff benutzt wird.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Druck des Sauerstoffs in aer Mischung mit Halogen oder der Halogenverbindung bei der Behandlungstemperatur mindestens 0,1 Atmosphäre beträgt.
    1098 337149 4, BAD
    1846780
    -22- PHN.
    11. Verfahren nach Anspruch IDf dadurch eekeEnnzeichnet, dags dör Druck des Sauerstoffs "bei der 3ehanaluEg.3 temperatur 0,8 bis 5 Atmosphären beträgt.
    12. - »erfahren nach einein oder mehreren der= verlier gehend en Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung bei einer Temperatur zwischen 800 und 1200nC, "orzu^sweise "bei einer Temperatur zwischen 850 und 950" C, durchsreftlJhrt wird,
    13. Verfahren nach einem oder mehreren uer vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als oxydisches, .keramisches, pnlykristallines, halbleitendes Katerial ein Material mit einer Korngrösse wn 2 bis 100 /u Durcfemesser-, vorzugsweise "5 bis-20 /U Durchmesser, ■"■erwendet wird.
    14. Gegenstände, die durch ein Verfahren ntacia einem oaer mehreren der vorhergehenden Ansprüche hergestellt sind.
    109833/1414 bad oeiGiNAL
DE19651646780 1964-10-17 1965-10-13 Verfahren zum Behandeln von Gegenstaenden aus oxydischen,keramischen,polykristallinen Materialien Pending DE1646780A1 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8326982D0 (en) * 1983-10-08 1983-11-09 Plessey Co Plc Atmospheric sensor
US4729058A (en) * 1986-12-11 1988-03-01 Aluminum Company Of America Self-limiting capacitor formed using a plurality of thin film semiconductor ceramic layers
US4824826A (en) * 1987-09-10 1989-04-25 Iowa State University Research Foundation, Inc. Millimeter size single crystals of superconducting YBa2 Cu3 O.sub.
CN115784736B (zh) * 2022-11-24 2024-01-26 江苏省陶瓷研究所有限公司 一种表面无橘红色斑点、高阻温的ptc加热陶瓷及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3111414A (en) * 1962-02-02 1963-11-19 Wilhelm R Buessem Method of treating a titanate dielectric body

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