DE1622498B1 - Filteranordnung mit einem durchlassband von ultraviolett bis etwa infrarot - Google Patents
Filteranordnung mit einem durchlassband von ultraviolett bis etwa infrarotInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3447—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide
- C03C17/3452—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide comprising a fluoride
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
- G02B5/282—Interference filters designed for the infrared light reflecting for infrared and transparent for visible light, e.g. heat reflectors, laser protection
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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- Sustainable Energy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
— h|
bemessen sind.
bemessen sind.
2. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Schichten noch ein
zusätzlicher, ultraviolett reflektierender Belag angebracht ist.
3. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Schichten ein Wärmefilter,
vorzugsweise mit einem Reflexionsverhältnis 3:1 angebracht ist.
4. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Materiahen für die Schichten
A = Magnesiumfluorid MgF2, das einen relativ niedrigen Brechungsindex H1 = 1,38 hat,
B = Titandioxid TiO2, dessen Brechungsindex mit H3 = 2,30 relativ hoch liegt, und C = Lanthanoxid
La2O3 mit dem die rechnerische Bedingung
der genannten Formel erfüllenden Brechungsindex^ = 1,9 verwendet sind.
5. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit ihrem durchsichtigen
Tragkörper auf eine Solarzelle aufgeklebt ist.
6. Filteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ultraviolett reflektierender
Belag auf dem durchsichtigen Tragkörper aufgebracht ist, um das Klebemittel gegen die Einwirkung
von Ultraviolett zu schützen.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Filteranordnung mit einem Durchlaßband von Ultraviolett bis etwa
Infrarot, die aus mehreren auf mindestens eine Oberflächenseite eines durchsichtigen Tragkörpers periodisch
übereinander angeordneten Schichten besteht.
Bei der Verwendung von lichtelektrischen Siliziumzellen mit einem pn-Ubergang, wie sie als Solarzellen
(Sonnenzellen) allgemein bekannt sind und zur Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie
dienen, ist es bekannt, daß die Ausgangsleistung der Zelle bei zunehmender Temperatur abnimmt, d, h.
mit anderen Worten, daß der Wirkungsgrad der Siliziumsolarzelle mit zunehmender Temperatur kleiner
wird. Eine der wichtigsten Anwendungen der Siliziumsolarzellen besteht darin, sie als Hilfsenergiequelle in
Raumfahrzeugen zu benutzen. Solche Zellen absorbieren den größten Teil der empfangenen Sonnenenergie,
jedoch werden nur 10% oder weniger davon in Elektrizität umgewandelt, so daß der Rest eine
Erwärmung der Zellen und des Raumfahrzeugs bewirkt. Diese Wärme erhöht die Zellentemperatur und
hat noch eine weitere Herabsetzung des Wirkungsgrades der Zelle zur Folge. Der einzig mögliche Weg,
die Wärme im Raum abzuführen, ist die Wärmeabstrahlung. Daher wird die Zellentemperatur hauptsächlich
durch die optischen Eigenschaften der Solarzellenoberfläche bestimmt. Allgemein spricht eine
Siliziumsolarzelle auf eine Strahlung zwischen 0,40 Mikron und etwa 1,1 Mikron an. Somit wird die Sonnenenergie
außerhalb dieses Bandes nicht in Elektrizität umgewandelt und heizt, wenn sie absorbiert wird,
lediglich die Solarzelle auf. Es sind viele Versuche gemacht worden, die unerwünschte Sonnenenergie
von der Solarzelle fernzuhalten, so daß diese Energie die Solarzelle nicht aufheizt. Es haben sich jedoch
beträchtliche Schwierigkeiten in dieser Hinsicht wegen der breiten spektralen Empfindlichkeit der Solarzelle
zwischen 0,40 bis zu 1,1 Mikron ergeben. Bisher war noch kein geeignetes Filter verfügbar, das zu beiden
Seiten dieses breiten Bandes reflektiert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Filteranordnung der eingangs genannten Gattung zu
schaffen, mit deren Hilfe der Wirkungsgrad einer daran angekoppelten Siliziumsolarzelle durch 'Kleinhaltung
von deren Arbeitstemperatur gesteigert werden kann.
Die Lösung der genannten Aufgabe besteht er-■ findungsgemäß darin, daß die Schichten, die aus drei
verschiedenen Materialien A, B, C mit verschiedenen Brechungsindizes H1, n2, H3 bestehen, mit einer Periodizität
ABCBA wie an sich bekannt angeordnet sind, daß die Schichten in an sich bekannter Weise je eine
optische Dicke von einem Viertel der Bezugswellenlänge aufweisen, und daß die Brechungsindizes nach
der Formel
H1H3 — H2
bemessen sind. Eine solche Ausbildung der Filteranordnung macht es möglich, die Reflexionsbänder
zweiter und dritter Ordnung zu unterdrücken, so daß
nur Reflexionsbänder erster und vierter Ordnung übrigbleiben. Auf diese Weise läßt sich ein Durchlaßband
von großer Breite erreichen, daß dem spektralen Bereich maximaler Empfindlichkeit einer Siliziumsolarzelle
mit weitgehender Annäherung entspricht.
Eine scharfe Begrenzung des Durchlaßbandes an seinem einen Ende ist dadurch erreichbar, daß auf den
Schichten der Filteranordnung noch ein zusätzlicher, Ultraviolett reflektierender Belag angebracht ist. Eine
entsprechend scharfe Begrenzung des anderen Endes
des Durchlaßbandes läßt sich erzielen, indem auf den Schichten ein Wärmefilter, vorzugsweise mit einem
Reflexionsverhältnis 3 :1 angebracht ist.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand der ■ Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine stark vergrößerte Schnittansicht einer mit einer Filteranordnung versehenen, durchsichtigen
Unterlage,
F i g. 2 eine graphische Darstellung des Durchlaßgrades in Abhängigkeit von der Wellenlänge, wie sie
für den Entwurf einer Filteranordnung gemäß der Erfindung verwendet werden kann, und die Reflexionsbänder
eines allgemeinen Stapels eines Viertel-
Wellenstapels und des gewünschten Stapels der Filteranordnung darstellt,
F i g. 3 ein Kurvenbild des Durchlaßgrades in Abhängigkeit von der Wellenlänge einer Filteranordnung
nach F i g. 1,
F i g. 4 ein Kurvenbild des Durchlaßgrades in Abhängigkeit von der Wellenlänge eines ultraviolettes
Licht reflektierenden optischen Belags,
F i g. 5 das Kurvenbild einer Filteranordnung, welche die in F i g. 3 und 4 veranschaulichten Eigenschäften
optischer Beläge oder Filteranordnungen miteinander kombiniert, um das erwünschte Durchlaßband
von Ultraviolett bis etwa Infrarot zu erhalten, F i g. 6 das Kurvenbild des Durchlaßgrades einer
Filteranordnung, bei der die in F i g. 3 veranschaulichten Eigenschaften eines optischen Belags mit
einem wärmereflektierenden Belag derart kombiniert sind, daß sich ein besonders breites Durchlaßband
ergibt.
Die in F i g. 1 gezeigte Filteranordnung 11 ist auf einem geeigneten, durchsichtigen Tragkörper 12 aufgebracht,
die Filteranordnung 11 besteht aus mehreren nicht metallischen, übereinandergelegten Interferenzschichten
13 von vernachlässigbarer Absorption und von verschiedenen Brechungsindizes, die übereinander,
wie in F i g. 1 dargestellt, auf einer der Oberflächen des Tragkörpers 12 aufgebracht sind. Es sind
drei verschiedene mit A, B und C bezeichnete Materialien für die verschiedenen Schichten 13 vorgesehen
und mit einer Periodizität ABCBA angeordnet.
Jede dieser Schichten hat eine optische Dicke von einer Viertelwellenlänge. Die Dicke solcher Anordnungen
liegt in der Größenordnung der Wellenlänge des Lichtes, für welches das Filter benutzt werden
soll. Die optische Dicke (Schichtdicke mal Brechungsindex) wird normalerweise auf die Wellenlänge bezogen,
für welche das Filter benutzt werden soll. Jede Filteranordnung hat normalerweise eine Bezugswellenlänge, und die optische Dicke wird als Bruchteil
hiervon angegeben.
In Fi J^ 2 sind verschiedene Reflexionsbänder gezeigt,
wobei die Ordinate den Durchlaßgrad und die Abszisse die relative Wellenzahl angibt. Die relative
Wellenzahl ist definiert als /I0/'λ, worin /I0 die Bezugswellenlänge
und λ die Wellenlänge ist.
Die Kurve 16 in F i g. 2 zeigt verschiedene Reflexionsbänder, die durch einen mehrschichtigen Belag
erzeugt sind, welcher aus periodisch aufeinanderfolgenden Schichten zusammengesetzt ist. Wie F i g. 2
zeigt, werden dabei Reflexionsbänder erster, zweiter, dritter und vierter Ordnung erhalten. Das Reflexionsband erster Ordnung ist das erste von links, da als
Abszisse der reziproke Wert der Wellenlänge aufgetragen wird. Die Kurve 17 in F i g. 2 gilt für ein Viertelwellenpaket
mit zwei Schichtmaterialien. Die Kurve 17 hat ein Reflexionsband der ersten Ordnung, kein
Reflexionsband der zweiten Ordnung, ein Reflexionsband der dritten Ordnung und wiederum keines der
vierten Ordnung. Die Kurve 18 in F i g. 2 gilt für den gewünschten Belag, der ein Reflexionsband der ersten
Ordnung und ein Reflexionsband der vierten Ordnung, jedoch kein Reflexionsband der zweiten und dritten
Ordnung besitzt.
In dem Aufsatz von Epstein, »Improvements
in Heat Reflecting Filters«, veröffentlicht im Mai 1955 in der Zeitschrift »Journal of the Optical Society of
America«, Bd. 45, Heft 5, S. 361, 362, ist ausgeführt, daß es möglich ist, zwei Bänder von unterschiedlichen
Wellenlängen durch Verwendung eines Aufbaues mit einer Periodizität ABCBA zu unterdrücken. In
einem weiteren=Aufsatz von R. B. Muchmore, veröffentlicht 1948 im »Journal of the Optical Society
of America«, Bd. 38, S. 20, ist ausgeführt, daß es möglich ist, Antireflexionseffekte zu erhalten, sobald
die Brechungsindizes und die Dicken wie folgt in Beziehung stehen:
wenn
worin
worin
tSLn2k1d2 —
n3n0,
-ng
2π
Ίπ
—
άχ = Körperliche Dicke,
= Wellenlänge,
n0 = Brechungsindex des Mediums (Luft),
H1 = Brechungsindex der dem Medium zunächstliegenden Schicht des Belags,
n2 = Brechungsindex der nächsten Schicht,
n3= Brechungsindex des Tragkörpers oder der Unterlage.
H1 = Brechungsindex der dem Medium zunächstliegenden Schicht des Belags,
n2 = Brechungsindex der nächsten Schicht,
n3= Brechungsindex des Tragkörpers oder der Unterlage.
Die vorstehende Gleichung (1) erläutert, wie es möglich ist, zwei Schichten mit Antireflexionseigenschaften
bei zwei Wellenlängen zu erhalten. Die Formel bestimmt die Dicke dieser Schichten und die Brechungsindizes,
die benötigt werden, um ein Medium und einen Tragkörper mit dem Ziel der Erhaltung
von Antireflexionseigenschaften aneinander, anzupassen. Die Formel (1) bestimmt, daß das Quadrat
des Tangens eines Winkels Kd2, der der optischen
Dicke und der Wellenlänge dieser Schichten entspricht, einem Ausdruck gleich sein müssen, der die
Brechungsindizes des Belags und seiner Umgebung, d. h. des Tragkörpers sowie des Mediums, in welchem
der Belag verwendet werden soll, enthält. Somit bestimmt die Formel die Schichtdicken als Funktion
der Brechungsindizes; jedoch muß als Voraussetzung der Richtigkeit dieser Feststellung das Produkt aus
den Brechungsindizes der ersten und der zweiten Schicht dem Produkt der Brechungsindizes des Tragkörpers
und des Mediums gleich sein.
Auch die optische Dicke η · d der beiden Schichten muß gleich sein. Dies kommt in der nachstehenden
Gleichung zum Ausdruck.
(2)
worin Jc1 und k2 ebenso definiert sind wie bei Gleichung
(1) und dt und d2 die Werte ihrer körperlichen
Dicke sind.
Durch diese Gleichungen läßt sich feststellen, daß, da der Tangens quadriert ist, der positive oder negative
Wert des Tangens des Winkels als Lösungen in Betracht kommen. Somit ist, wenn der Winkel Jc1 d1
gleich α ist, eine Lösung für π — α vorhanden, mit
anderen Worten, es kann festgestellt werden, daß
π —
Mi
daraus folgt;
worin Xr und λΒ sich auf die Wellenlänge der Kurven 17
und 18 in F i g. 2 beziehen. Ein Wellenlängenverhältnis
kann auf Grund des Umstandes ermittelt werden, daß der Tangens die erwähnten beiden Lösungen
liefert. Da es erwünscht ist, die Reflexionsbänder zweiter und dritter Ordnung zu eliminieren, wird ein
Verhältnis vom Wert 2:3 gewählt, da das Reflexionsband zweiter Ordnung an der Stelle X1 = γ und das
Reflexionsband dritter Ordnung an der Stelle X2 = -y
auftritt. Somit ist
= 180°-72°.
Tangens 72° = 3,0777,
Quadrierter Tangens = 9,4722.
Der Wert 9,4722 wird in die Formel eingesetzt, durch' welche die Brechungsindizes der gewünschten Schicht, wie oben angegeben, verknüpft sind.
Quadrierter Tangens = 9,4722.
Der Wert 9,4722 wird in die Formel eingesetzt, durch' welche die Brechungsindizes der gewünschten Schicht, wie oben angegeben, verknüpft sind.
9,4722= .
In dieser Formel wird der Wert Ji0 aus der Gleichung
Tl1U2 = Tl0Tl2,
substituiert, so daß sich folgende Form für die Gleichung ableiten läßt:
JZ1JI2
9,4722 = ·
(n _
\3
«3
«3
Diese Formel gibt die Verknüpfung zwischen den Brechungsindizes der drei zu verwendenden Materialien
an. Dabei wird davon ausgegangen, daß zwei Beläge und Tragkörper als Unterlage verwendet
sind. Es ist jedoch möglich, die gleiche Formel auch dann anzuwenden, wenn davon auszugehen ist, daß
der Tragkörper praktisch ebenfalls ein Beleg ist, und daß. die Formel für die Bestimmung der Brechnungsindizes
mehrerer Beläge gültig ist, wobei die Tragkörper und die umgebenden Medien fortgelassen sind.
Der Brechungsindex des Tragkörpers und des Mediums verdienen unabhängig hiervon noch eine
weitere Überlegung. Die erste Überlegung besteht darin, daß die Reflexionsbänder zweiter und dritter
Ordnung unterdrückt werden; daher hat dies nichts mit dem Tragkörper oder dem verwendeten Medium
zu tun. Jedoch ist es dem Sachkundigen bekannt, daß noch andere Überlegungen in Rechnung . gestellt
werden müssen, wenn Beläge an Tragkörper angepaßt werden, wie z. B. die thermischen Ausdehnungskoeffizienten
der Tragkörper im Vergleich zu denen der Beläge oder der Wert des maximalen Durchlaßgrades
usw. Wie bereits gesagt, erfordert das Anpassen der Beläge an die Unterlage und an das umgebende
Medium jedenfalls noch besondere Überlegungen.
Bei Benutzung der Gleichung (6) zur Bestimmung der Brechnungsindizes der drei verschiedenen Beläge
ist es normalerweise erwünscht, ein Material mit einem hohen Brechnungsindex und ein anderes mit einem
niederen Brechnungsindex zu wählen. Als Material mit relativ niedrigem Brechnungsindex ist dem Sachkundigen
Magnesiumfluorid MgF2 bekannt, dessen Brechnungsindex 1,38 beträgt. Ein Material mit verhältnismäßig
hohem Brechnungsindex ist Titandioxid TiO2, dessen Brechnungsindex 2,30 beträgt. Durch
Einsetzen dieser Werte in die Formeln für Ti1 bzw. n3
ergibt sich:
9,4722 =
n2 (5,29 - 1,38 ■ Ji2)
1,38-5,29 -n|
1,38-5,29 -n|
Auf diese Art ist es möglich, eine Gleichung dritter
Ordnung für den Brechnungsindex des Materials mit einem Brechnungsindex Ji2 zu erhalten. Wird diese
Gleichung umgeformt, indem der Zähler durch 9,4722 geteilt wird, so ergibt sich
- JZ2 1 4- 7,3002 = 0,5585 Ji2 - 0,1457 nj . (8)
Durch Umformung der Gleichung ergibt sich
t£- 0,1457 nl + 0,5585 n2 - 7,3002 = 0 . (9)
Durch Umformung der Gleichung ergibt sich
t£- 0,1457 nl + 0,5585 n2 - 7,3002 = 0 . (9)
Die Auflösung dieser kubischen Gleichung führt zu einem reellen Wert von annähernd 1,9, so daß
durch Substitution in der Gleichung sich folgendes ergibt:
6,859 - 0,5260 + 1,06115 - 7,3002 = + 0,0922,
worin Ti2 = 1,9 ist.
Es zeigt sich also, daß dieses zweite Material einen Brechnungsindex von 1,9 haben kann. Ein geeignetes Material mit dem Brechnungsindex 1,9 ist Lanthanoxid La2O3.
Es zeigt sich also, daß dieses zweite Material einen Brechnungsindex von 1,9 haben kann. Ein geeignetes Material mit dem Brechnungsindex 1,9 ist Lanthanoxid La2O3.
Diese Kombination von Magnesiumfluorid, Titandioxid und Lanthanoxid bei Verwendung von Glas
als Unterlage ist sehr zufriedenstellend. Andererseits wurde gefunden, daß Quarz als Unterlage weniger
günstig ist, hauptsächlich wegen des Magnesiumfluorids. Bei Quarz ist es von Vorteil, Siliziumdioxid
SiO2, das einen Brechnungsindex von 1,56 hat, an Stelle des Magnesiumfiuorids zu verwenden. Wird
dieser Wert in die Formel (6) für Ti1 eingesetzt und die
Formel dann fur Ji2 aufgelöst, so ergibt sich ein
Brechnungsindex von 1,98. Ein Material mit einem solchen oder annähernd einem solchen Brechungsindex
wird dann als Belag in Verbindung mit Quarz als Unterlage verwendet.
Aus dem vorstehenden geht hervor, daß eine einzige Formel herangezogen wurde, durch welche
die drei Brechnungsindizes der drei verschiedenen Materialien für die Filterschicht gemäß der Erfindung
verknüpft sind.
Die Möglichkeiten der Aufbringung der verschiedenen Schichten auf einer Unterlage sind dem Sachkundigen
bekannt. Im Allgemeinen erfolgt die Aufbringung als Vakuumniederschlag der Schichten in
einem Hochvakuum von annähernd 0,1 Mikron Quecksilber. Die Dicke jeder Schicht wird in bekannter
Weise durch die Dauer des Niederschlags- oder
Aufdampfvorganges bestimmt. Vor der Aufbringung in der dazu bestimmten Apparatur wird die Unterlage normalerweise auf mechanischem Wege und
durch Elektronenbombardement gereinigt. Danach wird der Tragkörper im Hochvakuum erhitzt, worauf
die Schichten nacheinander aufgebracht werden, bis der Belag gebildet ist, der die erwünschte Filterkurve
ergibt.
In F i g. 3 ist eine Kurve gezeigt, die für eine Beschichtung
gemäß der obigen Formel erhalten wurde. Die Daten sind als Werte des Durchlaßgrades T gegen
die Wellenzahl aufgetragen. Die Wellenzahl ist definiert als X0/;., wobei X0 gleich der Bezugswellenlänge
und λ gleich der Wellenlänge ist. Die Bezugswellenlänge
ist gleich dem Mittenwert zwischen den unterdrückten Reflexionsbändern zweiter und dritter Ordnung,
die eliminiert werden. Aus der Kurve von F i g. 3 ist zu ersehen, daß sich die Ubertragungsbänder
über einen breiten Breich erstrecken und daß das Nutzen sein kann, bei denen es erwünscht ist, ein
breites Band durchzulassen und dieses Durchlaßband nach beiden Seiten hin scharf zu begrenzen.
Aus der in F i g. 3 gezeigten Kurve ist zu ersehen, daß das Reflexionsband im Infrarotbereich (»Rot«)
bei 1,6 Mikron und das Reflexionsband im Ultraviolettbereich (»Blau«) bei 0,4 Mikron Hegt, woraus
sich das annähernd 1:4 betragende Teilungsverhältnis
ergibt. Diese Daten geben das Teilungsverhältnis nicht genau für alle gemäß der Erfindung hergestellten
Beschichtungen an, weil der Brechnungsindex sich etwas mit der Wellenlänge ändert, was eine" Änderung
der optischen Dicke verursacht.
Die F i g. 4 bis 6 dienen zur Veranschaulichung der Möglichkeit, eine scharfe Begrenzung des Durchlaßbandes
und eine weitgehende Reflexion der Strahlung außerhalb seiner Grenzen zu erhalten.
In F i g. 4 ist die Durchlaßcharakteristik eines üblichen Ultraviolett oder »Blau« reflektierenden
Verhältnis der Wellenlängen an den ersten beiden 20 Belags gezeigt.
benachbarten Reflexionsbändern 1,6:0,4 oder 4:1
beträgt. Diese Beschichtung unterdrückt, wie oben erläutert, die Reflexionsbänder zweiter und dritter
Ordnung. Allerdings ist es ohne zusätzliche Hilfsfilter, welche Absorptionsfilter oder andere mehrschichtige
Filter sein können, nicht möglich, außerhalb des Durchlaßbandes die gesamte Lichtenergie
zu unterdrücken. Die Bänder der Durchlässigkeit und der Reflexion der Beschichtung sind aber jedenfalls
scharf voneinander abgegrenzt.
Normalerweise erhöht jede zusätzliche Periode, die bei der Beschichtung benutzt wird, die Reflexionsfähigkeit, und diese nähert sich mehr und mehr dem
Wert 100%, wenn die Beschichtung um weitere
periodische Anordnungen vergrößertÄvird. Im Durchlässigkeitsbereich
wird der gleiche Effekt nicht durch das Hinzufügen weiterer Beschichtungen erreicht,
und zwar wegen einer Interferenzwirkung, welche das Auftreten sekundärer Minima und Maxima bewirkt,
In F i g. 51 ist eine graphische Darstellung gezeigt, bei der der in Fig. 3 veranschaulichte Belag mit
dem Blau reflektierenden Belag von F i g. 4 kombiniert ist. Dieser Belag reflektiert Sonnenlicht bzw.
solare Energie im Bereich unter 0,4 Mikron. Da der Belag das Sonnenlicht beiderseits dieser spektrumempfindlichen
Bereiche der Sonnenzelle, d. h. im Ultraviolett- und angenäherten Infrarotbereich reflektiert,
kann er als »Blau-Rot-Reflektor« bezeichnet werden. Bei einem gemäß der Erfindung hergestellten
Filterbelag wurde gefunden, daß dieser annähernd die Hälfte derjenigen Energie reflektiert, deren Wellenlänge
größer als 1,1 ist und die etwa 23% der gesamten Sonnenenergie ausmacht.
Wenn solche Beschichtungen auf einen Tragkörper oder eine Abdeckung aus Glas aufgebracht werden,
wird die durchschnittliche Gesamtemission vergrößert. Diesj^eschieht deshalb, weil Glas im spektralen Bereich
maximaler Empfindlichkeit der Siliziumsolarzellen
welche nicht in ihrer Größe zunehmen, wohl aber in 40 durchsichtig ist und einen hohen Emissionswert im
ihrer Anzahl und Höhe. Diese Minima und Maxima werden bestimmt durch die Anpassung des Substrats
und des Mediums vermittels der Beschichtung. Jede Beschichtungskombination besitzt einen äquivalenten
Brechnungsindex. Dieser ändert sich nicht, wenn weitere periodische Anordnungen zu der Beschichtung
hinzugefügt oder von ihr weggenommen werden; er besitzt eine annähernd kontinuierliche Funktion.
Normalerweise kann durch Auswählen der richtigen Kombination von Materialien A, B, C in der Beschichtung
die bestmögliche Anpassung an die Unterlage und an das Medium erhalten werden. Wenn eine
geeignete Anpassung auf diese Weise nicht erzielt werden kann, kann es notwendig sein, einen An-•päs'sungsüberzug
zu verwenden, um die Unterlage an das Medium anzupassen
Wie aus F i g. 3 zu ersehen ist, besitzt die Beschichtung Reflexionsbänder, die sich bei jeweils
einer Wellenlänge befinden, die ein Teilungsverhältnis von 4:1 hat. Dadurch wird die Bandbreite der Beschichtung
bestimmt, die ihrerseits durch die geometrischen Verhältnisse der benutzten periodischen
Anordnungen gegeben ist. Die Bandbreite dieser Beschichtung oder Belegung kann nicht wesentlich
verändert werden, ohne daß eine andere Beschichtung benutzt wird. Es ist ohne weiteres ersichtlich, daß eine
solche Beletiuna bei vielen Filtcranwenduimen von
Infrarotbereich liefert. Aus diesem Grunde werden dünne Glasabdeckungen vorteilhaft auf die Oberseite
der Solarzellenoberfläche unter Verwendung eines dünnen durchsichtigen organischen Klebemittels auf- ·
geklebt. Jedoch wird in Anbetracht des Umstandes, daß solche Klebemittel durch Ultraviolettbestrahlung
dunkel werden können, ein Ultraviolett reflektierendes Filter, wie es in der Kurve von F i g. 4 veranschaulicht
ist, auf die Unterfläche des Glases aufgebracht, um eine Verschlechterung des Klebemittels zu verhindern
und die durchschnittliche solare Absorptionsfähigkeit der Zelle zu verkleinern.
Es wurde festgestellt, daß durch Verwendung einer solchen Filterglasabdeckung die durchschnittliche
Gesamtemission der Solarzelle zwischen 0 und 150° C
auf 0,85 bis 0,90 erhöht werden kann im Vergleich zu 0,80 für die blanke Solarzelle.
Die überzüge werden somit auf durchsichtige
Unterlagen oder Tragkörper aufgebracht. Sie können aber auch unmittelbar auf die Solarzelle durch Aufdampfen
im Vakuum aufgebracht werden, um einen unterschiedlichen Aufbau zu bilden. Wenngleich die
auf diese Weise mit solchen Belägen erhaltenen Ergebnisse nicht mit den auf Glasabdeckungen aufgebrachten
Belägen vergleichbar sind, so ergeben sie doch eine wesentliche Verbesserung gegenüber
iinabücdcckten Zellen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen COPY 209 551/190
Claims (1)
1. Filteranordnung mit einem Durchlaßband von Ultraviolett bis etwa Infrarot, die aus mehreren
auf mindestens einer Oberflächenseite eines durchsichtigen Tragkörpers periodisch übereinander angeordneten
Schichten besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten, die aus
drei verschiedenen Materialien A, B, C mit verschiedenen Brechungsindizes H1, H2, H3 bestehen,
mit einer Periodizität ABCBA wie an sich
bekannt angeordnet sind, daß die Schichten in an sich bekannter Weise je eine optische Dicke
von einem Viertel der Bezugswellenlänge aufweisen und daß die Brechungsindizes nach der
Formel
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