DE1621252A1 - Verfahren zum Herstellen oxydfreier Metallkontakte an Siliciumsubstraten - Google Patents
Verfahren zum Herstellen oxydfreier Metallkontakte an SiliciumsubstratenInfo
- Publication number
- DE1621252A1 DE1621252A1 DE19671621252 DE1621252A DE1621252A1 DE 1621252 A1 DE1621252 A1 DE 1621252A1 DE 19671621252 DE19671621252 DE 19671621252 DE 1621252 A DE1621252 A DE 1621252A DE 1621252 A1 DE1621252 A1 DE 1621252A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- oxide
- silicon substrates
- metal contacts
- free metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N N-Chlorosuccinimide Substances ClN1C(=O)CCC1=O JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/58—Processes for obtaining metallic images by vapour deposition or physical development
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
13
■■" '.ι " 5422
General Electric Company, Schenectady U.Y./USA
Verfahren zum Herstellen oxidfreier Metallkontakte an Siliciumsubstraten *
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von
oxidfreien, metallischen, elektrischen Kontakten an elementaren Siliciumkörpern' und insbesondere auf ein
Verfahren zum Anbringen von Metallkontakten an Silicium--•körpern
ohne dazwischenliegende Siliciumdioxidschichten. Derartge Silieiumkörper können in steuerbaren Gleichrichtern
und Transistoren verwendet werden. Zur Herstellung der
Meta!!kontakte wird u.a. ein Verfahren zur fotolytischen
Abscheidung von Metallen verwendet,'das,-bereits in einer
früheren Anmeldung vorgeschlagen ist«
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Siliciumkörpern
werden Körpör aus elementarem Silicium, verwendet?
die häufig als Scheiben mit- einem. Durchmesser von ,etwa-.25
mm (1 Zoll) und einer Dicke von etwa 2,5 mm: (o,1 Zoll)
vorliegen,, Derartige S11 iciumkörpea? werden: aum Erzeugen
optimaler halbleitender Eigenschaften auf verschiedene
Weise behandelte Häufig ist es: auöh erwünscht^ Im .
Silicium Zonen zu erzeugen^ die verschiedene elektrische
Eigenschaften besitzen» Uach ihre^ fertigstellung müssen
die Siliciumkörp er entsprechend dein Muster der Zonen mit
elektrischeia Kontakten versehen werdenβ
.10 9*1 a/τ wz
Ein Verfahren zum Herstellen eines Musters in emem
Siliciumkörper besteht "beispielsweise darin, die zu behandelnde
Oberfläche gleichförmig zu oxidieren und mit einer gleichförmigen Schicht aus SiO £ zu versehen. .Anschließend
wird auf der Oxidoberfläche eine fotoresistive Kopie
des Musters ausgebildet, so daß auf der Oxidschicht
lösliche, im erwünschten Muster angeordnete Bereiche sowie unlösliche nicht zu behandelnde Bereiche entstehen*
Das lösliche Material wird entfernt und'das freiliegende
Oxid in den Musterbereichen wird mit Flußsäure weggeätzt, wodurch der darunterliegende durch die Saure nicht angreifbare
Siliciumkörper freigelegt wird. Die freiliegenden Musterbereiche des Siliciumkörpers werden anschließend
in erwünschter Weise behandelt, indem beispielsweise ein Dotierungsmaterial eindiffundiert und leitende Elektroden
dadurch angebracht werden, daß man auf diejenigen Bereiche des Musters, auf denen Kontakte erwünscht sind, nach dem
Anbringen geeigneter Maskierungen beispielsweise Go-Id
aufdampft. Die unerwünschten Teile des fotoresistiven Musters,
der Maskierungen und des Siliciumoxide können Tor einer
weiteren Behandlung entfernt werden.
Wenn man nicht außerordentlich sorgfältig vorgeht, dann werden
diejenigen Bereiche des Siliciumoberflache, von denen zur
Herstellung des Musters der SiQg-IiIm entfernt worden ist, .-.
durch atmosphärischen Sauerstoff verunreinigt, wobei eine
bis zu 50 S. dicke Oxidschicht entsteht, bevor die Kontakte
angebracht werden können«, Dies ist eine sehr unerwünschte
Erscheinung«,
10981S/1682
".Der--.Erfindung- liegt daner die Aufgabe zugrunde, *or dem
Anbringen von elefctrisGlien Eontakten an Siliciumkörpern
die Ausbildung derartiger Oxidsehichten auf den freiliegenden
Siliciümoberflachen zuvermeiden. ■
Die Erfindung besteht dazu darin, daß das Siliciumdioxid
von der Oberfläche des Siliciumkörpers na cn und nach
abgetragen wird und^ daß in vorgewählten Bereichen der ......
oxidfreien Oberfläche metailisehe Uiederschlage gebildet
werden, während gleichzeitig die Herstellung neiier Oxidschichten
vor und während des Mederschlagens der Met a 11-filme
vermieden wird« Insbesondere werden auf der oxid— freien Oberfläche des Siliciunikörpers metallische llektrodenfcontafcte
durch fotoIytische Zersetzung einer flüssigen Lösung
abgeschieden, die ein Quelleninaterial des Metalls und außerdem
ein Ätzmittel für das Oxid des Siliciums enthält.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels näher besehrieben. .
Gemäß der Erfindung wird ein oxidierter SiliciumEörper
derart in eine fotolytisch zersetzbare und eine geringe .
Menge ilußsaure enthaltendeiösung getaucht, daß die zu
ätzende Oberfläche vonder Lösung bis zu einer gleichförmigen
Dicke von etwa 2,5 mm oder weniger bedeckt ist. liachdem
die Oberfläche durch die Wirkung der Säure gereinigt
ist, werden metailisehe Elekbrodenkontäkte dadureh
niedergeschlagen, daß diejenigen Bereiche der Oberfläche,
die mit-Enntakten belegt werden sollen, einer aktivierenden
Strahlung ausgesetzt werden^ wie es in der oben-erwähnten
früheren Anmeldung beschrieben ist. Wenn der
Z1 ^ b 2
körper in früheren Verfahrenss.chritten mit einer relativ dicken gleichförmigen Oxidschicht versehen worden ist,
die Oxidschicht anschließend derart geätzt worden ist, daß in Form eines Musters abwechselnd Bereiche entstehen,
in denen das Oxid entfernt bzw. nicht entfernt ist, die
oxidfreien Bereiche anschließend einem Dotierungsschritt unterworfen wurden und schließlich in diesen Bereichen
relativ dünne Oxidschichten durch Verunreinigungen entstanden sind, dann werden bei Anwendung des beschriebenen Verfahrens
nur die Verunreinigungsschichten entfernt und auf den erwünschten Bereichen der gereinigten Oberfläche durch fotolytische
Reaktion elektrische Kontakte angebracht, während die relativ dicke Oxidschicht auf den übrigen Bereichen
des Musters kaum angegriffen wird.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung
wird eine etwa 0,1 molare H-chlorsuccinimid-Lösung (NCS)
in Methanol hergestellt. In diese wird meiallisches Gold
getaucht. Anschließend wird die Lösung einige Minuten lang der Strahlung einer Hochdruck-Xenonlampe vnn 200 Watt
ausgesetzt, wobei eine Stammlösung entsteht. In eine oben offene, gewachste Schale wird ein Siliciumkörper
mit oxidierter Oberfläche gelegt, wobei die zu behandelnde Oberfläche horizontal angeordnet wird. Der otammlösun^
wird Flußsäure in aner Menge von 1 - 2 ml pro 100 ml
der Lösung zugesetzt. Die saure Lösung wird in die Schale gegossen, bis die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers
mit einer gleichförmigen Lösungsschicht von weniger als etwa 2,5 mm (0,1 Zoll) bedeckt ist. Wenn nach etwa
10 -r 15 Minuten die Oxidschicht von der Halbleiterkorper-
109818/1582
oberfläche entfernt ist, werden ausgewählte Bereiche der sauberen Oberfläche etwa 15 Minuten lang mit einer
Hochdruck-Xenonlampe von 200 Watt bestrahlt. Each dieser Zeit sind auf den belichteten Bereichen des
Halblexterkörpers elektrisch leitende G-oldkontakte
niedergeschlagen, und zwar ohne daß diese atmosphärischem
Sauerstoff ausgesetzt werden und durch ihn verunreinigt sind« Durch das beschriebene Verfahren werden somit nicht
nur saubere elektrische Kontakte hergestellt, sondern es sind auch keine teueren Auf damp fanlag en bzw. Maskierungsund
Bntmaskierungsschritte notwendig.
Obwohl Gold in vielen lallen ein bevorzugtes Kontaktmaterial
ist, können auch andere Metalle wie z.B. nickel und Kupfer auf fotolytischem Wege niedergeschlagen werden, wie es in
der bereits erwähnten älteren Anmeldung beschrieben ist.
1098 18/1582
Claims (4)
1 b 2ί 12 5 2
Pa t entansprüche
ί 1 χ Verfahren zum Herstellen oxidfreier Metallkontakte an
Siliciumsubstraten, dadurch gekennzeichnet, daß man die Substratoberfläche mit einer flüssigen Lösung
in Berührung bringt, die ein fotolytisch zersetzbares
Quellenmaterial des Metalls in gelöster Form und eine geringe, aber ausreichende Menge Flußsäure enthält,
und daß man nach der Auflösung-der auf dem Substrat vorhandenen Siliciumoxide ausgewählte Bereiche der Grenzfläche
zwischen dem Substrat und der Lösung zur fotolytischen Zersetzung des Quellenmaterials und zum Niederschlagen des
Metallfilms auf ausgewählten Bereichen der Substratoberfläche einer aktivierenden Strahlung aussetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Kontaktmaterial Gold verwendet.
3 ο Verfahren nach-Anspruch 1, d a d ur ch gekennzeichnet,
daß man als Kontaktmaterial Hickel verwendet.
4. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,
daß man als Kontaktmaterial Kupfer verwendet.
840
10 9 818/1582
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60460366A | 1966-12-27 | 1966-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1621252A1 true DE1621252A1 (de) | 1971-04-29 |
Family
ID=24420292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19671621252 Pending DE1621252A1 (de) | 1966-12-27 | 1967-12-23 | Verfahren zum Herstellen oxydfreier Metallkontakte an Siliciumsubstraten |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3482974A (de) |
| DE (1) | DE1621252A1 (de) |
| FR (1) | FR1549059A (de) |
| GB (1) | GB1206129A (de) |
| NL (1) | NL6717672A (de) |
| SE (1) | SE342112B (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3917885A (en) * | 1974-04-26 | 1975-11-04 | Engelhard Min & Chem | Electroless gold plating process |
| JP4612786B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 有機電界効果型トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3013955A (en) * | 1959-04-29 | 1961-12-19 | Fairchild Camera Instr Co | Method of transistor manufacture |
| NL241541A (de) * | 1959-07-22 | |||
| US3255005A (en) * | 1962-06-29 | 1966-06-07 | Tung Sol Electric Inc | Masking process for semiconductor elements |
| US3281264A (en) * | 1963-01-31 | 1966-10-25 | Coast Metals Inc | Method of gold-plating aluminum |
| US3484263A (en) * | 1965-12-28 | 1969-12-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming semitransparent coating of gold on glass surface |
-
1966
- 1966-12-27 US US604603A patent/US3482974A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-11-23 GB GB53402/67A patent/GB1206129A/en not_active Expired
- 1967-12-23 DE DE19671621252 patent/DE1621252A1/de active Pending
- 1967-12-27 FR FR1549059D patent/FR1549059A/fr not_active Expired
- 1967-12-27 NL NL6717672A patent/NL6717672A/xx unknown
- 1967-12-27 SE SE17857/67A patent/SE342112B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1206129A (en) | 1970-09-23 |
| US3482974A (en) | 1969-12-09 |
| FR1549059A (de) | 1968-12-06 |
| NL6717672A (de) | 1968-06-28 |
| SE342112B (de) | 1972-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3872859T2 (de) | Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat. | |
| DE1764758A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial | |
| DE2635245A1 (de) | Verfahren zur herstellung elektrisch leitender indiumoxidmuster auf einem isolierenden traeger | |
| DE1515310A1 (de) | Verfahren zum Herstellen gleichfoermiger duenner Schichten hoher Guete aus leitenden oder halbleitenden Materialien und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
| DE2360030B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schottky-Diode | |
| DE1289188B (de) | Metallbasistransistor | |
| DE1521604A1 (de) | Verfahren zum Metallisieren ausgewaehlter Oberflaechenbereiche auf Unterlagen | |
| DE1621252A1 (de) | Verfahren zum Herstellen oxydfreier Metallkontakte an Siliciumsubstraten | |
| DE2351664B2 (de) | Verfahren zum elektrolytischen Ätzen einer Dünnschicht aus Gold, Platin und/oder Rhodium | |
| DE3318001A1 (de) | Verfahren zum stromlosen abscheiden von platin auf silicium | |
| DE2239145A1 (de) | Verfahren zur behandlung von halbleitermaterialien aus iii-v-verbindungen | |
| DE1546025A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Oxydschicht auf einem Halbleiterkoerper aus Germanium oder einer AIIIBV-Verbindung | |
| DE1546014A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung | |
| DE2012063A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von aus Alu minium Legierungen bestehenden Kontakt metallschichten an Halbleiterbauelementen | |
| DE2057204C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten | |
| DE1947026A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE2145905A1 (de) | Verfahren zum metallisieren von nichtleitern | |
| DE922896C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
| CH503121A (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallniederschlägen durch Elektrolyse | |
| DE3125802A1 (de) | Verfahren zur herstellung flaechenmaessig begrenzter, loetfaehiger metallschichten auf elektrischen bauelementen | |
| DE2141235C3 (de) | Ätzmittel für metallbeschichtete SUiciumhalbleiterscheiben | |
| DE1544318C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen dotierter Zonen in Halbleiterkörpern | |
| DE1696138C (de) | Atzlosung fur dünne Alumimumschich ten und Verwendung der Atzlosung | |
| DE1246127B (de) | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Elektroden auf Bereichen der Oberflaeche eines pn-UEbergaenge enthaltenden Halbleiterkoerpers | |
| DE1614583C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Kontaktmetallschicht für eine mit mindestens einem pn-übergang versehene Halbleiteranordnung |