DE1619984A1 - Verfahren zur Herstellung diffundierter UEbergaenge in Halbleitern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung diffundierter UEbergaenge in Halbleitern

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diffusion
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Coq Daniel Le
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10P32/00—
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US3011089A (en) * 1958-04-16 1961-11-28 Bell Telephone Labor Inc Solid state light sensitive storage device

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FR1525020A (fr) 1968-05-17
NL6708531A (enExample) 1967-12-22
GB1183977A (en) 1970-03-11
JPS5024567B1 (enExample) 1975-08-16
ES342042A1 (es) 1968-07-16

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