DE1619956C - Vorrichtung zum Abscheiden von Halb leiterknstallen auf einer Halbleiterkristall unterlage - Google Patents
Vorrichtung zum Abscheiden von Halb leiterknstallen auf einer Halbleiterkristall unterlageInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterkristallen auf einer Halbleiterkristallunterlage
durch pyrolytische Zersetzung eines Reaktionsgases, mit einem senkrecht stehenden, mit
einer Heizeinrichtung auf Abscheidungstemperatur erhitzbaren Halter, in dem eine Vielzahl vertikal verlaufender
Aussparungen, in welche die Unterlagen einsetzbar sind, angeordnet sind, und mit Reaktionsgasein-
und -auslaß.
Bei der Herstellung von elektronischen Halbleitereinrichtungen, z. Bi Transistoren, Dioden u: dgl., ist
es oft vorteilhaft, Halbleitermaterial auf einen gleichen oder ähnlichen Grundkristall abzuscheiden. Gewöhnlich
erfolgt eine solche Abscheidung, indem Verbindungen, die in ihren Dampfphasen vorliegen,
auf einer erhitzten monokristallinen Unterlage abgeschieden werden, wobei der Abscheidungsfilm auf
der Unterlage Kristallkeime bildet, um sich mit dem Gitter derselben zu verbinden, so daß ein Einkristallgefüge
erzeugt wird. Diese Technik ist als epitaktisches Wachstum bekannt.'
,Epitaktisches Kristallwachstum ist allgemein auf Halbleiter anwendbar, einschließlich z. B. Silicium,
Germanium und verschiedene zusammengesetzte Stoffe. Sehr oft wird diese Technik verwendet, um
Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften zu erzeugen. Während des Abscheidens werden Verunreinigungen
als Dotierungen in Dampfform zu diesem Zweck eingebracht.
Verschiedene Reaktoren stehen für die epitaktische Abscheidung zur Verfügung. Alle diese bekannten
Konstruktionen haben einen Hauptnachteil, nämlich die maximale Zahl von Unterlagenplatten, die
behandelt werden kennen, ist durch den Strömungsverlauf des Gases in dem Reaktor begrenzt.
Um eine Anzahl von Platten mit gleichförmigen Stärken, gleichförmigem Widerstand und gleichmäßigen
kristallographischen Eigenschaften zu erzeugen, ist es notwendig, daß jede Unterlage sich in dem
gleichen gasförmigen Milieu befindet wie jede andere bearbeitete Unterlage oder Platte. Im Ergebnis hiervon
sind bekannte Reaktoren nur für eine begrenzte Anzahl von Platten geeignet. Für eine Produktion in
großem Maßstab ist deshalb eine große Anzahl von Reaktoren erforderlich, und ein großer Zeitverlust ist
mit dem Inbetriebnehmen und Ausschalten der Reaktoren verbunden.
Die Erfindung bezweckt eine Vorrichtung, in der gleichzeitig auf eine große Anzahl von Unterlagen
Halbleiterkristalle durch pyrolytische Zersetzung eines Reaktionsgases abgeschieden werden können,
wobei für alle Unterlagen während des Abscheidens die gleichen Bedingungen erfüllt sind.
Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß der Halter aus einem Zylinder besteht, in dessen äußerer
Mantelfläche die Aussparungen angeordnet sind, und daß der Reaktionsgaseinlaß aus vor jeder Aussparung
angeordneten Öffnungen besteht.
Mit dieser Anordnung der Unterlagen in dem Halter nach der Erfindung lassen sich bei Abscheiden
der Halbleiterkristalle auf den Unterlagen völlig gleiche Bedingungen für eine große Anzahl von Unterlagen
herstellen.
An Hand der Figuren wird die Erfindung erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Vertikal-Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung;
F i g. 2 zeigt einen Querschnitt längs der Linie 2-2 in Fig. 1;
Fig. 3 zeigt einen Teilschnitt der in der in den F i g. 1 und 2 dargestellten Vorrichtung verwendeten
Anordnung;
Fig. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht einer
Halbleiterunterlage mit einer epitaktischen Schicht, die auf diese Unterlage durch Behandlung in der in
den F i g. 1 bis 3 dargestellten Vorrichtung abgeschieden ist.
In den F i g. 1 und 2 ist eine im allgemeinen zylindrische
Vorrichtung nach dieser Erfindung dargestellt, die^ einen Wassermantel 11 aus Stahl od. dgl. hat. Es
sind mehrere Wassereinlaßöffnungen 12 vorgesehen, die mit einem Wassereinlaßring 13 kommunizieren,
der mit einem Einlaßnippel 14 versehen ist.
Ein Deckel 16 ist mit einem Wasserauslaß 17 und einer Vielzahl von radialen Leitungen 18 versehen,
die den Raum, der durch den Wassermantel 11 begrenzt ist, mit dem Wasserauslaß 17 verbinden. Der
Deckel weist einen Flansch 19 auf, der mit einem
ao entsprechenden Flansch 21 auf dem Wassermantel 11
durch Bolzen fest verbunden werden kann. Eine innere zylindrische Wand 22 ist konzentrisch zu dem
äußeren Mantel 11 und im Abstand von diesem ange-1 ordnet. Um einen Leckverlust von Wasser zwischen
dem Deckel 16 und den Wänden 11 und 22 zu verhindern, können Dichtungen, z. B. O-Ringe 23 und
24, zwischen den Mantelwänden und dem Deckel vorgesehen sein.
" Die Wand 22 begrenzt eine zylindrisch geformte Gaseinlaßkammer 26 mit einem Gaseinlaß 27 zum Zuführen von Reaktionsgasen in die Kammer 26. Da die Reaktionsgase durch Reaktion mit der Wand 22 des Wassermantels verunreinigt werden können, muß diese Wand aus einem Material bestehen, das chemisch bei der. Betriebstemperatur dieses Mantels gegenüber dem Reaktionsgas inert ist. Für die Abscheidung von Silicium kann korrosionsbeständiger Stahl oder Molybdän verwendet werden.
" Die Wand 22 begrenzt eine zylindrisch geformte Gaseinlaßkammer 26 mit einem Gaseinlaß 27 zum Zuführen von Reaktionsgasen in die Kammer 26. Da die Reaktionsgase durch Reaktion mit der Wand 22 des Wassermantels verunreinigt werden können, muß diese Wand aus einem Material bestehen, das chemisch bei der. Betriebstemperatur dieses Mantels gegenüber dem Reaktionsgas inert ist. Für die Abscheidung von Silicium kann korrosionsbeständiger Stahl oder Molybdän verwendet werden.
Im Abstand in radialer Richtung nach innen von dem Kühlmantel und zur Bildung der inneren Begrenzung
der Gaseinlaßkammer 26 ist ein zylindrischer reflektierender Wärmeschild 28 mit einer Vielzahl
von Öfffnungen29 vorgesehen. Die Öffnungen 29 sind aus Gründen, die nachstehend erläutert werden,
in vorbestimmten Abständen angeordnet. Der Wärmeschild 28 besteht vorzugsweise aus Quarz oder
einem hitzebeständigen Metall, z. B. Molybdän.
Im Abstand konzentrisch nach innen von dem reflektierenden Wärmeschild ist ein zylindrischer HaI-ter
31 aus übereinandergestapelten und ineinandergreifenden Halteringen vorgesehen, die im Detail in
Fig. 3 dargestellt sind. Die Ringe können aus irgendeinem für die Herstellung von Halbleitern geeignetem
Haltermaterial, z.B. Quarz, Molybdän oder mit Siliciumcarbid oder Siliciumnitrid überzogenem
Kohlenstoff bestehen. Eine Vielzahl von ineinandergreifenden Ringen 31 a, 31 b, 31 c usw. sind auf einem
Basisring 32 gestapelt, der mit dem Deckel 16 durch mehrere Stangen 33 verbunden ist, um das Heraus-
nehmen des Halters zusammen mit dem Abheben des Deckels zu ermöglichen. Die Ringe haben abwechselnd
breite und schmale Abschnitte gleicher Länge, um die Fluchtung beim Stapeln zu gewährleisten
und um den zur Verfügung stehenden Raum
in der Vorrichtung maximal auszunutzen. In der äußeren Fläche jedes der breiten Abschnitte sind eine
Vielzahl von kreisförmigen Aussparungen 34 vorgesehen, von denen jede direkt gegenüber einer der
öffnungen 29 in dem Wärmeschild 28 vorgesehen ist. Die innere Oberfläche jeder Aussparung ist in einem
Winkel zur Vertikalen geneigt, der vorzugsweise zwischen 5 und 15° beträgt. Im Gebrauch wird eine
zylindrische Unterlage 36 aus Halbleitermaterial oder alternativ ein Stück eines dendritischen Materials in
jede Aussparung eingesetzt, wobei die Neigung dazu dient, die Unterlage in der Aussparung an Ort und
Stelle zu halten und die Aussparung dazu dient, eine Niederschlagsbildung auf der Rückseite zu vermeiden.
In der Mitte jedes schmalen Teiles jedes Ringes ist ein Reaktionsgasauslaß in Form eines Loches 37 vorgesehen,
um Gase in radialer Richtung durch die Ringe hindurch in eine Auslaßkammer 38 zu leiten,
die einen Auslaß 39 aufweist. Die Innenwand 41 der Auslaßkammer 38 ist aus einem die infrarote Strahlung
durchlässigen Material hergestellt, das für den Betrieb bei Temperaturen bis zu wenigstens etwa
13000C geeignet ist. Quarz eignet sich für diesen
Zweck.
In der Mitte der Vorrichtung ist ein zylindrisches Widerstandsheizelement 42 mit einer hohen Ausgangsleistung
im Infraroten vorgesehen. Dies kann z. B. eine stabförmige Kohleheizung oder eine Widerstandsheizung
aus hitzebeständigem Metall sein, das auf einer geeigneten Unterlage abgeschieden ist. Ein
elektrischer Kontakt 43, der gegenüber dem Boden der Reaktionskammer isoliert ist und eine Klemme
44 hat, ist durch die Kammerwand geführt, und ein Kontakt 46 an der Oberseite des Elementes ist auswechselbar
mit einer elektrischen Klemme 47 verbunden, die durch den Deckel 16 der Kammer führt.
Die Klemmen 44 und 47 können mit einer Stromquelle verbunden werden, um dem Heizelement 42
elektrischen Strom zuzuführen.
Im Gebrauch werden eine Vielzahl von Halbleiterunterlagen in die Aussparungen der Halterringe 31
eingesetzt, und der Deckel 16 mit dem beladenen Halter wird von oben nach unten in die Kammer eingesetzt
und mit dieser verbunden. Die elektrischen Klemmen 44 und 47 werden mit einer geeigneten
Stromquelle verbunden, und ein Wasserabzug wird an den Wasserauslaß 17 in dem Deckel angeschlossen.
Ein Reaktionsgasgemisch, z. B. Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff, wird in den Gaseinlaß 27 eingeleitet.
Es wird hervorgehoben, daß, um das System zu reinigen, geeignete Spülgase oder gasförmige Beizen
durch das System vor Einleitung des Reaktionsgases geleitet werden können. Der Stromeingang der Heizung
wird so gesteuert, daß die Halbleiterunterlagen die richtige Temperatur für die pyrolytische Abscheidung
haben, wonach der Reaktionsgasstrom durch die öffnungen 29 in dem Schild 28 auf die Oberflächen
der erhitzten Halbleiterunterlagen geleitet wird, so daß die Abscheidung der Halbleiterkristalle
stattfindet. Die verbrauchten Gase strömen dann durch die Löcher 37 und die Auslaßkammer 38 aus
dem System über den Auslaß 39 ab. Die Abscheidung wird so. lange fortgesetzt, als notwendig ist, um einen
Überzug48 (Fig. 4) der gewünschten Stärke auf den
Scheiben 36 zu erzeugen.
Verschiedene Modifikationen und Variationen der beschriebenen Maßnahmen sind möglich. Zum Beispiel
kann das Heizelement oder der Halter drehbar sein, um die Ringe noch gleichmäßiger zu erwärmen.
In diesem Fall wird das Drehlager vorzugsweise gasgekühlt. Wenn gewünscht, kann der Halter aus elektrisch
leitfähigem Material hergestellt sein und durch Induktionshitze entweder durch Eigeninduktion oder
in Verbindung mit der infraroten Strahlungsquelle
ίο erwärmt werden. In diesem Fall können die Infrarotelemente
oder die Induktionsheizung im Zentrum der Anordnung angeordnet werden. Wenn gewünscht,
können die Unterlagen auf der Innenfläche der Anordnung eingesetzt werden, und die Gase können in
radialer Richtung nach außen statt nach innen strömen.
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterkristallen auf einer Halbleiterkristallunterlage
durch pyrolytische Zersetzung eines Reaktionsgases, mit einem senkrecht stehenden, mit einer
Heizeinrichtung auf Abscheidungstemperatur erhitzbaren Halter, in dem eine Vielzahl vertikal
. verlaufender Aussparungen, in welche die Unterlagen einsetzbar sind, angeordnet sind, und mit
Reaktionsgasein- und -auslaß, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter (31) aus einem
Zylinder besteht, in dessen äußerer Mantelfläche die Aussparungen (34) angeordnet sind, und daß
der Reaktiortsgaseinlaß aus vor jeder Aussparung angeordneten Öffnungen (29) besteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionsgasauslaß in dem
Halter zwischen den Aussparungen Löcher (37) angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückwände der
Aussparungen (34) um einen Winkel zwischen 5 und 15° gegenüber der Vertikalen so geneigt sind,
daß sie jeweils oben tiefer im Zylinder (31) als unten liegen.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung
(42) aus einem Widerstandsheizelement besteht,, das koaxial innerhalb des Halters (31) angeordnet
ist.
5. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Zylinder (31)
aus einer Vielzahl von aufeinanderliegenden Ringen (31a, 316, 31c usw.) besteht.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Ringe abwechselnd
breite und schmale Abschnitte gleicher Länge aufweist, daß die Aussparungen in den breiten
Abschnitten und die Löcher (37) in den schmalen Abschnitten angeordnet sind und daß die breiten
Abschnitte jeden zweiten Ringes übereinander liegen und in die schmalen Abschnitte benachbarter
Ringe eingreifen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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