DE1614445B2 - Steuerbares Gleichrichterbauteil - Google Patents
Steuerbares GleichrichterbauteilInfo
- Publication number
- DE1614445B2 DE1614445B2 DE1614445A DE1614445A DE1614445B2 DE 1614445 B2 DE1614445 B2 DE 1614445B2 DE 1614445 A DE1614445 A DE 1614445A DE 1614445 A DE1614445 A DE 1614445A DE 1614445 B2 DE1614445 B2 DE 1614445B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rectifier
- semiconductor
- component according
- rectifier component
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/723—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/10—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/30—Arrangements for thermal protection or thermal control wherein the packaged device is completely immersed in a fluid other than air, e.g. immersed in a cryogenic fluid
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein steuerbares Gleichrichterbauteil mit mindestens zwei Halbleitergleichrichtern,
die mit jeweils einer ihrer Hauptelektroden in Druckkontaktverbindung mit zwei massiven, elektrisch und
thermisch gut leitenden Metallkörpern stehen.
Dabei steht »Halbleitergleichrichter« sowohl für steuerbare als auch*für nicht steuerbare Halbleiter-'
bauelemente mit Glejchrichterw'irkung, also sowohl für
Thyristoren als auch Dioden.
Ein Gleichrichterbäuteil der vorstehend genannten Art mit vier Halbleiterdioden als Gleichrichtern ist bekannt
aus der FR-PS 1 399 802. Das bekannte Bauteil dient zum Aufbau einer mechanisch und elektrisch stabilen
Gleichrichterbrückenschaltung. Dabei befindet sich eine Halbleiterdiode stets nur mit einer ihrer
Hauptelektroden in Kontakt mit einem massiven Metallkörper, welcher einen thermischen Ausgleich zwischen
zwei gleichzeitig leitenden Dioden aber nicht bewirken kann, da auf Grund der besonderen Schaltung
(Graetzschaltung) gleichzeitig immer nur zwei an verschiedenen Metallkörpern anliegende Dioden in Vorwärtsrichtung
belastet sind. Ein thermischer Ausgleich zwischen den Halbleiterdioden ist aber auch gar nicht
ao von Interesse.
Aus der BE-PS 635 452 ist ein Gleichrichterbauteil bekannt, bei welchem parallelgeschaltete Halbleitergleichrichter
sich in Hohlräumen eines Isolierringes befinden, der auf beiden Seiten von massiven Metallstükken,
die gleichzeitig als elektrische Zuleitungen dienen, abgedeckt ist. Der thermische Kontakt der Halbleitergleichrichter
zu den Metallstücken wird mindestens auf einer Seite durch schlecht wärmeleitende Elemente,
wie Spiralfedern u.dgl., bewirkt, so daß auch hier über die Metallstücke ein thermischer Ausgleich zwischen
zwei Halbleitergleichrichtern höchstens auf einer Seite stattfinden kann.
Schließlich ist noch aus der CH-PS 338 528 ein Gleichrichterbauteil bekannt, bei welchem Stapel von
tablettenförmigen Gleichrichterelementen in Aussparungen eines Isolierrahmens liegen, wobei die Stapel
miteinander elektrisch über eine federne Kontaktbrükke verbunden sind. Die Stapel sind in Reihe geschaltet.
Auch hier ist ein thermischer Ausgleich von Gleichrichterelement zu Gleichrichterelement über die federne
Kontaktbrücke nicht möglich, aber auch nicht von Interesse, da die Stromdichten bei dem bekannten
Gleichrichterbauteil zu klein sind, als daß sie eine störende Wärmeentwicklung hervorrufen könnten.
Bei modernen Gleichrichterbauteilen für Wechselstrom werden zur Steuerung der beiden Halbwellen
des Wechselstromes in bekannter Weise mindestens zwei Halbleitergleichrichter, von denen mindestens
einer steuerbar, d. h. ein Thyristor ist, antiparallel geschaltet. Diese Halbleitergleichrichter werden mit hohen
Nennströmen und damit Stromdichten belastet, was aber zu Unsymmetrien der Halbleitergleichrichter
infolge ungleicher Temperaturen führen kann, was höchst unerwünschte Gleichstromkomponenten im
Wechselstromnetz zur Folge hat. Dem kann man bisher im wesentlichen nur durch aufwendige Beschaltungen
entgegenwirken.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein kompaktes, steuerbares Gleichrichterbauteil mit mindestens zwei
antiparallelgeschalteten Halbleitergleichrichtern, von denen mindestens eines steuerbar ist, für hohe Nennströme
zu schaffen, wobei aufwendige Beschaltungsmaßnahmen zur Vermeidung von thermisch verursachten
elektrischen Unsymmetrien der dynamischen Eigenschaften der Halbleitergleichrichter beim Betrieb
des steuerbaren Gleichrichterbauteiles vermieden werden.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß bei einem
Gleichrichterbauteil der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß die Halbleitergleichrichter in demselben
Gehäuse angeordnet sind, das sich zwischen den zwei massiven Metallkörpern befindet, und daß mindestens
ein Halbleitergleichrichter steuerbar ist und mindestens zwei Halbleitergleichrichter antiparallel geschaltet
sind derart, daß sie mit ihren Hauptelektroden entgegengesetzter Polarität auf der einen Seite in unmittelbarer
Druckkontaktverbindung mit dem einen Metallkörper, und mit ihren Hauptelektroden entgegengesetzter
Polarität auf der anderen Seite in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit dem anderen
Metallkörper stehen. Damit liegen die Halbleitergleich- ! richter zwischen zwei thermischen und elektrischen
Brücken. Da die Halbleitergleichrichter zudem im gleichen Gehäuse untergebracht sind, befinden sie sich
! auch stets in der gleichen Gasatmosphäre, was wichtig j wegen der Oberflächenkriechströme ist. Durch die
] thermische Brücke wird erreicht, daß alle Halbleitergleichrichter die gleiche Temperatur aufweisen und dadurch
auch die gleichen Charakteristiken besitzen, die ja bekanntlich stark temperaturabhängig sind.
Da der thermische Ausdehnungskoeffizient des Jr Halbleiterkristalles von denjenigen der Anoden- und Kathodenmetalle verschieden ist, verwendet die Erfindung Druckkontakte. Der Kontaktdruck wird von außen her auf das Gehäuse ausgeübt, wodurch gleichzeitig ein guter thermischer und elektrischer Kontakt erreicht wird.
Da der thermische Ausdehnungskoeffizient des Jr Halbleiterkristalles von denjenigen der Anoden- und Kathodenmetalle verschieden ist, verwendet die Erfindung Druckkontakte. Der Kontaktdruck wird von außen her auf das Gehäuse ausgeübt, wodurch gleichzeitig ein guter thermischer und elektrischer Kontakt erreicht wird.
' Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung erge-
ben sich aus den nachstehend an Hand von Zeichnungen erläuterten Ausführungen. Dabei zeigen die F i g. 1
bis 5 verschiedene Ausführungsformen der Erfindung.
Die F i g. 1 zeigt zwei Thyristoren 1 und 11 in Antiparallelschaltung,
während in der F i g. 2 ein Thyristor 11 mit einer Diode 1 antiparallel angeordnet ist. F i g. 3
zeigt zwei antiparallelgeschaltete Thyristoren 1 und 11, welche vermittelst einer einzigen Steuerklemme von
außen her gesteuert werden können.
Die Zeichnungen stellen zwar je nur zwei Halbleitergleichrichter dar, die Erfindung kann jedoch ohne weiteres
auf eine größere Anzahl solcher Elemente angewandt werden.
Die beiden Thyristoren 1 und 11 in F i g. 1 weisen vier Schichten p-n-p-n sowie eine Anode 2 bzw. 22 und
eine Kathode 3 bzw. 33 auf. Die Steuerelektroden 8 bzw. 88 sind vermittels dichter Durchführungsisolatoren
mit den äußeren Steuerklemmen 10 bzw. 100 verbunden.
Das Gehäuse besteht aus zwei metallischen Wandungen 4 bzw. 44 und einem Isolator 5, welche Teile vorzugsweise
luftdicht oder vakuumdicht miteinander verbunden sind. Die beiden massiven Metallkörper 6 bzw.
66 weisen sehr große Querschnitte und eine sehr gute thermische Leitfähigkeit auf, sie können beispielsweise
aus Aluminium oder Kupfer bestehen. Sie bilden die thermische Brücke. Vermittels nicht gezeichneter isolierter
Bolzen und Muttern werden sie sehr stark gegen das Gehäuse und gegen die beiden Thyristoren 1 bzw.
11 gedrückt. Die beiden Metallkörper 6 bzw. 66 bewirken
daher eine sehr gute Temperaturverteilung zwischen den beiden Thyristoren. Die Erfindung gestattet,
die beiden Thyristoren einander sehr stark anzunähern, wodurch deren Temperaturen gleich werden, was nicht
der Fall ist, wenn die Thyristoren in verschiedenen Gehäusen untergebracht sind.
F i g. 2 stellt als Variante einen Thyristor 11 in Antiparallelschaltung
mit einer aus drei Schichten p-n-n + bestehenden Diode 1 dar. Die Gehäusewandungen 4,44
weisen hier metallische Verdickungen 7, 77 großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit auf,
um die thermische Brücke zwischen jeweils der Anode und der Kathode der Halbleitergleichrichter 1 und 11
zu verbessern. Die Tatsache, daß die in den beiden
ίο Gleichrichtern entstehende Wärme über zwei genau
gleiche Wege 7-6 bzw. 77-66 nach außen abgeführt wird, ist ebenfalls ein großer Vorteil der Erfindung. Die
Metallkörper 6 bzw. 66 besitzen nicht dargestellte Kühlrippen und werden vermittels Öl, Wasser oder
Luft gekühlt.
Die F i g. 3 zeigt eine andere bemerkenswerte Ausführungsform, bei welcher im Innern des Gehäuses 4,
44 besondere Metallteile 7', 77' großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit zwecks weiterer
2o, Verbesserung der thermischen Brücke vorgesehen sind.
Die Steuerelektroden 8 und 88 sind über kleine Widerstände 9 bzw. 99 über einen einzigen Einführungsisolator
mit einer einzigen äußeren Klemme verbunden. Man hat damit ein symmetrisches, steuerbares Gleich-
a5 richterbauteil für Wechselstrom mit nur einer einzigen
Steuerklemme. Die Zündung des Thyristors 1 vollzieht sich vermittels der Steuerelektrode zwischen den kathodenseitigen
Schichten p-n, während die Zündung des Thyristors 2 vermittelst der Zündelektrode 88 sich
zwischen den Schichten n-p vollzieht.
Bei der Anordnung von F i g. 4 ist ebenfalls nur eine einzige Steuerklemme 10 nötig. Diese ist mit der Primärwicklung
12 eines Impulstransformators verbunden, dessen Sekundärwicklungen 13 bzw. 14 über Dioden 15
bzw. 16 und kleine Widerstände 9 bzw. 99 mit den Steuerelektroden 8 bzw. 88 verbunden sind. Die Widerstände
und Dioden können auch fehlen.
In der F i g. 5 sind die beiden massiven Metallkörper
6 bzw. 66, welche die thermische Brücke und die Kühlelemente darstellen, mit den Gehäusewandungen verschmolzen.
Der Isolator 5 kann z. B. aus Silikonen oder synthetischen organischen Stoffen bestehen. Es ist wohl
bekannt, wie man eine dichte Verbindung zwischen dem Isolator und den beiden Metallkörpern 6 bzw. 66
herstellen kann. Die Steuerelektroden 8 bzw. 88 sind über zwei Drähte, welche dicht den Isolator 5 durchqueren,
mit den Steuerklemmen 10 bzw. 100 verbunden. Sind drei Thyristoren oder Dioden mit Thyristoren in
demselben Gehäuse unterzubringen, so wird man diese in den Ecken eines Dreiecks anordnen. Eine größere
Anzahl wird man vorteilhaft längs einer Geraden anordnen.
Die Erfindung kann besonders für zwei verschiedene Zwecke ausgebildet werden: Variiert man den Steuerwinkel
der Thyristoren stetig, so erreicht man eine kontinuierliche Regelung des Wechselstromes. Oder man
verwendet das steuerbare Gleichrichterbauteil als Wechselstromschalter ohne Schaltkontakte. Man kann
dann z. B. die Kontakte eines Stufenschalters ersetzen und damit den Abbrand beim Schalten der Leistung
vermeiden. Ein wichtiger Vorteil der Erfindung besteht somit darin, daß man für jede Phase nur ein einzelnes
Bauelement mit einer einzigen Steuerelektrode benötigt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Steuerbares Gleichrichterbauteil mit mindestens zwei Halbleitergleichrichtern, die mit jeweils
einer ihrer Hauptelektroden in Druckkontaktverbindung mit zwei massiven, elektrisch und thermisch
gut leitenden Metallkörpern stehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitergleichrichter
(1, U) in demselben Gehäuse angeordnet sind, das sich zwischen den zwei massiven Metallkörpern
(6, 66) befindet, und daß mindestens ein Halbleitergleichrichter steuerbar ist und mindestens
zwei Halbleitergleichrichter antiparallel geschaltet sind derart, daß sie mit ihren Hauptelektroden entgegengesetzter
Polarität (2, 33; 3, 22) auf der einen Seite in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit
dem einen Metallkörper (6), und mit ihren Hauptelektroden entgegengesetzter Polarität (3, 22^2, 33)
auf der anderen Seite in unmittelbarer Druckkontaktverbindung mit dem anderen Metallkörper (66)
stehen.
2. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden massiven Metallkörper
(6, 66) sich außerhalb des Gehäuses (4, 44) befinden (F i g. 1,2,3).
3. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gehäusewandung (4, 44)
zwischen den Hauptelektroden (2, 22, 3, 33) der Halbleitergleichrichter (1, 11) und den massiven
Metallkörpern (6, 66) metallische Verdickungen (7, 77) großen Querschnitts und hoher technischer
Leitfähigkeit aufweist (F i g. 2).
4. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Gehäusewandung
(4, 44) und den Hauptelektroden (2, 22, 3, 33) der Halbleitergleichrichter (1, 11) Metallteile (7',
77') großen Querschnitts und hoher thermischer Leitfähigkeit vorgesehen sind (F i g. 3).
5. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden" massiven Metallkörper
(6, 66) einen Teil des Gehäuses (6, 66, 5) bilden.
6. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden (8, 88)
der steuerbaren Halbleitergleichrichter mit Hilfe eines im Innern des Gehäuses angeordneten Transformators
(12,13,14) magnetisch gekoppelt sind.
7. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Steuerelektrode mit einer
Anode und eine zweite Steuerelektrode mit einer Kathode elektrisch verbunden sind.
8. Gleichrichterbauteil nach Anspruch 1 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Steuerelektroden
(8, 88) elektrisch miteinander verbunden sind.
9. Gleichrichterbauteil nach den Ansprüchen 1, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden
über Widerstände miteinander verbunden sind.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH389666A CH445628A (fr) | 1966-03-16 | 1966-03-16 | Dispositif redresseur à semi-conducteurs en parallèle |
| CH389566A CH448213A (fr) | 1966-03-16 | 1966-03-16 | Dispositif de contrôle à semi-conducteurs pour courant alternatif |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1614445A1 DE1614445A1 (de) | 1970-09-10 |
| DE1614445B2 true DE1614445B2 (de) | 1974-08-08 |
| DE1614445C3 DE1614445C3 (de) | 1975-04-03 |
Family
ID=25694119
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1614444A Expired DE1614444C2 (de) | 1966-03-16 | 1967-03-10 | Gleichrichterbauteil mit Halbleitergleichrichtern |
| DE1614445A Expired DE1614445C3 (de) | 1966-03-16 | 1967-03-10 | Steuerbares Gleichrichterbauteil |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1614444A Expired DE1614444C2 (de) | 1966-03-16 | 1967-03-10 | Gleichrichterbauteil mit Halbleitergleichrichtern |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH448213A (de) |
| DE (2) | DE1614444C2 (de) |
| FR (2) | FR1515457A (de) |
| GB (2) | GB1155236A (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3143336A1 (de) * | 1981-10-31 | 1983-05-19 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleitergleichrichterbaueinheit |
| JPS5968958A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 |
| US4538170A (en) * | 1983-01-03 | 1985-08-27 | General Electric Company | Power chip package |
| JPS61218151A (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE3910470C2 (de) * | 1988-03-31 | 1995-03-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Leistungshalbleiter-Schaltervorrichtung mit in den beteiligten Chips verringerter Wärmebelastung, insb. Wärmespannung |
| DE19615112A1 (de) * | 1996-04-17 | 1997-10-23 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelement |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH338528A (de) * | 1954-07-31 | 1959-05-31 | Siemens Ag | Trockengleichrichteranordnung |
| BE635452A (de) * | 1962-06-09 | |||
| FR1399802A (fr) * | 1963-05-03 | 1965-05-21 | Westinghouse Electric Corp | Appareil électrique |
| US3370207A (en) * | 1964-02-24 | 1968-02-20 | Gen Electric | Multilayer contact system for semiconductor devices including gold and copper layers |
| FR1431304A (fr) * | 1964-03-30 | 1966-03-11 | Gen Electric | Perfectionnements apportés aux organes de contact pour dispositifs semiconducteurs |
-
1966
- 1966-03-16 CH CH389566A patent/CH448213A/fr unknown
-
1967
- 1967-03-10 DE DE1614444A patent/DE1614444C2/de not_active Expired
- 1967-03-10 DE DE1614445A patent/DE1614445C3/de not_active Expired
- 1967-03-13 FR FR69048399A patent/FR1515457A/fr not_active Expired
- 1967-03-13 FR FR69048400A patent/FR1515458A/fr not_active Expired
- 1967-03-14 GB GB1196167A patent/GB1155236A/en not_active Expired
- 1967-03-14 GB GB1196267A patent/GB1168851A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1614445C3 (de) | 1975-04-03 |
| FR1515457A (fr) | 1968-03-01 |
| FR1515458A (fr) | 1968-03-01 |
| DE1614444C2 (de) | 1978-08-31 |
| GB1155236A (en) | 1969-06-18 |
| DE1614444B1 (de) | 1974-08-01 |
| CH448213A (fr) | 1967-12-15 |
| DE1614445A1 (de) | 1970-09-10 |
| GB1168851A (en) | 1969-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1047950B (de) | Luftgekuehlte Leistungs-Gleichrichteranordnung mit gekapselten Halbleiter-Gleichrichterelementen | |
| DE1589847B2 (de) | Halbleitergleichrichteranordnung | |
| DE4012385A1 (de) | Stromgesteuerte abschaltvorrichtung | |
| EP3605762A1 (de) | Anordnung mit einer stromschienenvorrichtung und einem stromrichtergehäuse sowie verfahren zu deren herstellung, stromrichter für ein fahrzeug und fahrzeug | |
| DE1963478A1 (de) | Halbleitergleichrichteranordnung fuer hohe Spitzenstroeme | |
| DE967138C (de) | Stromdurchfuehrung fuer Vakuum-Glueh- und Schmelzoefen | |
| DE3143336A1 (de) | Halbleitergleichrichterbaueinheit | |
| DE1614445C3 (de) | Steuerbares Gleichrichterbauteil | |
| DE1564613B2 (de) | Diodenhalterung mit zwei plattenfoermigen stromleitern | |
| DE1192326B (de) | Leistungsgleichrichteranordnung mit mehreren elektrisch parallelgeschalteten Halbleiterelementen | |
| DE1253806B (de) | Luftstromgekuehlte, ringplattenfoermige, waermeableitende und stromfuehrende Halterung aus Aluminium fuer Gleichrichter fuer elektrische Maschinen | |
| DE2638909A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE2936537C2 (de) | ||
| DE1563353B2 (de) | Widerstandsschweisseinrichtung | |
| DE2933399C3 (de) | Leistungsunterbrecher | |
| DE2807684A1 (de) | Schutzgasschweissbrenner zum lichtbogenschweissen mit abschmelzender elektrode | |
| EP3616227B1 (de) | Anschlusselement für einen bewegkontakt einer vakuumschaltröhre und gasisolierte schaltanlage mit einem anschlusselement für einen bewegkontakt einer vakuumschaltröhre | |
| DE2440189A1 (de) | Abschirmung fuer vakuum-lichtbogenentladungsvorrichtungen | |
| DE1276189B (de) | Regeltransformator in Sparschaltung | |
| DE102023209613A1 (de) | Anordnung von Vakuumschaltröhren zum Schalten von Hochspannungen | |
| DE2220682B2 (de) | Kühlvorrichtung für ein scheibenförmiges, gekapseltes Halbleiterbauelement | |
| DE1640824B2 (de) | Anschluß für Hochspannungs-Koaxialkabel | |
| DE69400380T2 (de) | Elektrodenlose Hochdruckentladungslampe | |
| DE1563353C (de) | Widerstandsschweißeinrichtung | |
| DE1208008B (de) | Halbleiter-Gleichrichtergeraet |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |