DE1596918A1 - Verfahren zum durch Glasur vakuumdichten Miteinanderverbinden isolierender Teile eines mit leitenden Metallschichten versehenen Vakuumgefaesses und durch dieses Verfahren hergestellte elektrische Entladungsroehre - Google Patents

Verfahren zum durch Glasur vakuumdichten Miteinanderverbinden isolierender Teile eines mit leitenden Metallschichten versehenen Vakuumgefaesses und durch dieses Verfahren hergestellte elektrische Entladungsroehre

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DE1596918A1
DE1596918A1 DE19671596918 DE1596918A DE1596918A1 DE 1596918 A1 DE1596918 A1 DE 1596918A1 DE 19671596918 DE19671596918 DE 19671596918 DE 1596918 A DE1596918 A DE 1596918A DE 1596918 A1 DE1596918 A1 DE 1596918A1
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DE
Germany
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glaze
vacuum
conductive metal
vacuum vessel
electrical discharge
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Application number
DE19671596918
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English (en)
Inventor
Gelder Zeger Van
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06Joining glass to glass by processes other than fusing
    • C03C27/10Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • "Verfahren zum durch Glasur vakuumdichten
    l,'iteiiianderverbinden isolierender Teile
    eines mit leitenden l,.'etallsc.--ichten ver-
    sehenen Vakuum90fässes und durch dies-es
    Verfahren hergestellte elektrische Ent-
    ladungsrÖhre.11
    Die --'rfir.#lung bezieht sich auf ein
    Ver-fj5hreii zum durc;; Glasur vakuundichten I.'iteinatider-
    v(-#rbinden v rzu --».;"ei-,zre --uE- Glas bestehender isolierender
    Teile für die Wünd eines Vakuumgefässes, insbesondere einer elektrischen EntladungsrÖhre, bei dem die Oberfläche mindestens eines der isolierenden Teile mit einer oder mehreren leitenden Metallscl.,ichten versehen ist, die sich Über die Verbindungsatelle hin erstrecken. Weiter bezieht sich die Erfindung auf ein durch dieses Verfahren hergestelltes Vakuumgefäss. In vielen Fällen ist es erwünscht, fÜr Vakuumgefässe StromzufÜhrungsleiter aus dünnen Metallschichten anzuwenden, die auf isolierenden Wandteile des Gefässe aufgebracht sind und sich Über die Verbindungsstelle hin erstrecken. Derartige Durchführungsleiter sind an sich bekannt. Die Leiter bestehen z.B. aus Silber. Es hat sich jedoch gezeigt, dase diese
    leitenden Schichten von der Glasur der Verbindungs-
    stelle angegriffen werden, wodurch der Leiter unter-
    brochen vierden kann, wahrend die Glasur Örtlich leitend
    wird. Dies ist ungünstig, vienn mehrere leitende
    C7
    Schichten in Form von Streifen unmittelbar nebeneinan-
    der durch die Verbindungsstelle hindurchgefÜhrt sind.
    Ausserden, kÖnnen fÜr die leitenden Schichten nur Edel-
    metalle Anwendung f inden.
    Die erwähnten Nachteile kÖnnen bei
    Anwendung eines Verfahrens nach der Erfindung vÖllig
    dadurch vermieden werden, dzss vor dem Anbringen der
    Glasur die leitenden Schichten veiiig,-,tens t.n den _it
    Glasur zu Überziehenden Stellen mit einer aus einem oder mehreren elektrisch isolierenden Oxyden mit einem Über 16C0 0 C liegenden Schmelzpunkt bestehenden Überzugachicht Überzogen werden. Es ist festgestellt worden, dass eine derartige Schicht mit einer Stärke. von mehr als 0,2 /u beim Schmelzen der Glasur genÜgend lange aushalten kann, um zu verhindern, dase das Met-..11 von der flüssigen Glasut angegriffen wird. Die leitenden Schichten können nun nicht nur aus den Edelmetallen Silber, Gold oder Plating sondern auch aus Nickel bestehen, das sich-sonst in der Glasur löst. Ein fÜr die Ueberzugschicht besenders geeignetes Oxyd ist Siliziumoxyd (Si02 ). Die Überzugschicht kann aber neben Si02 -.lIch andere isolierende Oxyde, viie A12 0 3 , enthalten. Die Stärke der Überzugschicht muss zwischen 0,2 und 1 /u liegen. Der bei dÜnneren ScLichten erhaltene Schutz ist zu gering, während bei stärkeren Schichten die Ausdehnungskoeffizienten Schwierigkeiten bereiten können. Die Erfindung wird nachstehend fÜr ein AusfÜhrungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 im Querschnitt ein durch das Verfahren nach der Erfindung hergestelltes Vakuun.gefgss , Fig. 2 in Unteransicht ein Vakuumgefäse
    nach Fig. 1 t
    Fig. 3 einen Teilschnitt durch t.ie Ver-
    bir-,r3ungssi,-lie fÜr ein n5.r,1-, Fi,
    In den Figuren bezeichnen 1 und 2 Glasplatten, die Über einen Ring 3 und eine Glasur 4 miteinander verbunden sind. Die GlaaDlatte 1 ist grÖsser als die Glaenlatte 2 und ihre Inf.enoberfläche ist mit einer Anzahl schichtförmiger, z.B. aus Nickel bestehender Metalletreifen 59 versehen. Diese leitbnden Streifen erstrecken sich über-die Verbindungestelle und bilden ausserhalb des Gefässes Kontaktetreifen. Innerhalb des Vakuumgefässes sind sie mit Elektroden 7 verbunden. Die Metalletreifen 5 sind vor dem Anbringen der Glasur 4 und dea Ringes 3 teilweise mit einer Ueberzugschicht 6 Überzogen, die aus einem Gemisch von Si02 und A12 0 3 mit einer stärke von 095 /IU besteht. Die überzugschicht 6 wird durch eine ehemische Reaktion dampf- oder gasartiger Verbindungen auf der Glasplatte 1 und den Yietallstreifen 5 angebracht. Die Elektroden 7 und die freien Enden der Metallstreifen 5 mÜssen dabei abgedeckt werden, um zu verhinderng dass sie gleichfalle mit der Si02-haltigen Schicht Überzogen werden. In diesem Falle eind die Elektroden 7 Glimmelektroden einer ZiffernrÖhre, wghrend das Vakuumgefäse mit Neon gefüllt ist. Die Metallstreifen 5 mÜssen daher bis auf die Elektroden 7 von der Überzugschicht 6 Überzogen seing um zu verhindern, dase eine Glimmentladung auch an den Metallstreifen 5 auftritt. Die Innenoberflgehe der Glasplatte 2 ist mit einer aus Zinnoxyd bestehenden leitenden Schicht 10 Überzogen, die als den Elektroden 7 gemeinsame Anode dient. Diese Schicht 10 erstreckt sich gleichfalls Über die Verbindungestelle hin, aber sie wird nicht von der Glasur angegriffen, so daso keine besonderen Masenahmen getroffen zu werden brauchen. Nachdem die Überzugschicht 6 angebracht worden ist, wird der Ring 3 mit "ulverfÖrmiger Glasur 4 Überzogen und die Teile 1, 2 und 3 werden aufeinander gelegt und erhitzt. Dabei schmilzt die Glasur 4 und die Teile 19 2 und 3 werden vakuumdicht miteinander verbunden. Der zwischen den Glaanlatten 1 und 2 entstandene Hohlraum 9 wird dann durch, ein Pumprohr 8 entlüftet und mit Neon gefüllt. Die Enden der Metallstreifen 5 dienen als Kontaktglieder und mÜssen daher auch von der Überzugschicht 6 frei sein. Die Elektroden l#Önnen auch z.B. ein integriertes Netzwerk bildent das auf der Glasplatte 1 angeordnet ist.

Claims (2)

  1. PAT MZTANSPRUECHEt . . Verfahren zum durch Glasur vakuumdichten Miteinanderverbinden zweier vorzugsweise aus Glas bestehender isolierender Teile für die Wand eines Vakuumgefässesq insbesondere einer elektrischen EntladungsrÖhre, bei dem die Oberfläche mindestens eines der isolierenden Teile mit einer oder mehreren leitenden bletallschichten versehen'istt die sich Über die Verbindungsstelle hin erstrecken, dadurch gekennze- inet, daso vor dem Anbringen der Glasur (4) die leitenden Metallstreifen (5) mindestens an d,en mit Glasur (4) zu überziehenden Stellen mit einer aus einem oder mehreren elektrisch isolierenden Oxyden mit einem Über 16G#-- C C liegenden Schmelzpunkt bestehenden Überzugsel#icht (6) Überzogen werden.
  2. 2. Verfahren nach Ans,ruch 1, dadurch gekennzeichnet, dase die Uaberzugschicht (6) aus Siliziumoxyd besteht. 3. Verfahren nach Ans.-.ruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Überzugschicht (6) SiIiziumoxyd und Aluminiumoxyd enthält. 4. Verfahren nach Anszruch 1, 2 cder 3, dadurch gekennzeichnet,-dass die Ueberzugsci#-icht (6) eine Stärke zwischen L,2 und 1 /U aufweist. 5. Verfahren nach Ans.;ruch 1, 2, 3 oder 4, d#D.durch gekennzeichnetl d,#es die Uberzugsc.Iiicht (6) duroli eine ch-en-,ische Reaktion dampfartiger Verbindungen aufgebracht wird. 6. Durch das Verfahren.nach Anaj-ruch 19 29 39 4 oder 5 hergestelltes Vakuumgefgso# insbesondere elektrische Entladungsröhre.
DE19671596918 1966-01-28 1967-01-24 Verfahren zum durch Glasur vakuumdichten Miteinanderverbinden isolierender Teile eines mit leitenden Metallschichten versehenen Vakuumgefaesses und durch dieses Verfahren hergestellte elektrische Entladungsroehre Pending DE1596918A1 (de)

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