DE1574520B1 - Stabkern halbfestwertspeicher - Google Patents

Stabkern halbfestwertspeicher

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DE1574520B1
DE1574520B1 DE19681574520 DE1574520A DE1574520B1 DE 1574520 B1 DE1574520 B1 DE 1574520B1 DE 19681574520 DE19681574520 DE 19681574520 DE 1574520 A DE1574520 A DE 1574520A DE 1574520 B1 DE1574520 B1 DE 1574520B1
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DE
Germany
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rod
wiring
core
rod core
chamber
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Withdrawn
Application number
DE19681574520
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English (en)
Inventor
Auf Nichtnennung Antrag
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Nixdorf Computer AG
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Nixdorf Computer AG
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/02Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using magnetic or inductive elements

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  • Structure Of Telephone Exchanges (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Stabkern-Halbfestwertspeicher mit einer Kernmatrix, deren Informationsleitungen in Verdrahtungskammern mit senkrecht zu den Stabkernen liegenden Teilungsebenen angeordnet sind, wobei die Stabkerne ihrer Länge nach durch mehrere Verdrahtungskammern geführt sind.
  • Speicher dieser Art arbeiten nach dem induktiven Prinzip. Koppelelemente an den Kreuzpunkten der Kernmatrix sind die Stabkerne, die jeweils mit einer Lesewicklung versehen sind. Der Informationsinhalt des Speichers ist durch die Informationsdrähte bestimmt, die hierzu in bestimmter Weise an den Stabkernen z. B. einer Stabkernreihe vorbeigefädelt sind. Jeder Informationsdraht kann mit einem Stromimpuls Lesesignale in den Lesewicklungen derjenigen Stabkerne erzeugen, an denen er in der dazu geeigneten Richtung vorbeigefädelt ist. Durch Verwendung vieler Informationsdrähte können viele Einzelinformationen gespeichert und zerstörungsfrei gelesen werden.
  • Bekannte Stabkern-Halbfestwertspeicher sind beispielsweise so aufgebaut, daß die Informationsdrähte in Verdrahtungskammern angeordnet sind, in denen Boden- und Deckenflächenöffnungen für die Durchführung der Stabkerne vorgesehen sind, so daß es möglich ist, in eine Verdrahtungskammer bei der Herstellung eines Speichers zunächst die Informationsdrähte entsprechend dem vorgegebenen Fädelmuster einzulegen und danach die Stabkerne durch die öffnungen gegebenenfalls mehrerer übereinander angeordneter Verdrahtungskammern in den so gebildeten Speicher einzuschieben. Vorher müssen die Stabkerne jedoch mit den Lesewicklungen versehen sein. Beim Informationswechsel müssen die Stabkerne in Richtung ihrer Achse aus den öffnungen der Verdrahtungskammern gezogen werden, was, obwohl dafür sinnvolle Anordnungen getroffen werden können, die alle Stabkerne auf einmal zu entfernen gestatten, Platz erfordert und einen gedrängten Aufbau verhindert.
  • Bei Datenverarbeitungseinrichtungen wird im Sinne eines raumsparenden Aufbaus und leichter Auswechselbarkeit von Baugruppen weitläufig die Einschubtechnik angewendet. Hierbei sind einzelne Baugruppen auf zueinander parallel in ein Chassis einsteckbaren Verdrahtungskarten angeordnet. Dieses Konstruktionsprinzip ist auch für Halbfestwertspeicher bekannt, jedoch sind bei Speichern mit induktiven Koppelelementen gegenüber anderen Speichern, die beispielsweise mit kapazitiven oder Widerstands-Koppelelementen aufgebaut sind, zusätzliche Anforderungen an die Anordnung der Informationsdrähte, Lesewicklungen und Stabkerne zueinander zu stellen. Wegen der Ausnutzung der induktiven Kopplung an den Koppelpunkten sind die Abstände der Informationsdrähte von den Lesewicklungen am jeweiligen Stabkern relativ genau vorgegeben, so daß die einzelnen Funktionsgruppen eines Speichers eng ineinandergeschachtelt oder in sehr innigem Kontakt anzuordnen sind. Dies ermöglicht zwar einen gedrängten Speicheraufbau, erschwert jedoch den einfachen Informationsaustausch.
  • Es sind in diesem Zusammenhang insbesondere Datenverarbeitungsgeräte kleineren Umfangs in Betracht zu ziehen, in denen z. B. für Buchungszwecke oder für andere, nach einem stets vorgegebenen Muster bzw. nach vorgegebenen Tabellen durchzuführende Rechnungen Informationen gespeichert sein müssen, die häufig ausgelesen, aber nur selten geändert werden. Im Falle einer Änderung dieser Informationen ist es aber erforderlich, den gesamten Halbfestwertspeicher aus dem Gerät zu entnehmen und durch einen anderen zu ersetzen, der entsprechend anders gefädelte Informationsdrähte enthält. Bei Verwendung von Verdrahtungskammern muß gegebenenfalls nur eine Kammer ausgewechselt werden, jedoch müssen dazu, sofern nicht eine besondere Anordnung getroffen ist, zunächst alle Stabkerne aus dem Speicher entnommen werden, wonach dann eine einzelne Verdrahtungskammer auswechselbar ist.
  • Es sind auch Halbfestwertspeicher bekannt, bei denen die Verdrahtungskammern zu Speicherkarten entartet sind, welche durch die Eigenart ihrer Verdrahtung die Information tragen. Der Informationsaustausch erfolgt bei diesem durch einen Wechsel der Karten, was nur durch Zerlegung des Kartenstapels (Entfernung einzelner Karten in Richtung der Stabkernachsen) möglich ist. Auch bei diesen Speichern ist daher der Informationsaustausch schwierig.
  • Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Stabkernträger konstruktiv so zu gestalten, daß er einerseits gedrängt und raumsparend in Steck- bzw. Einschubbauweise aufgebaut ist, andererseits ohne großen Arbeitsaufwand aber auch mit einem anderen Informationsmuster versehen werden kann, so daß er als Halbfestwertspeicher verwendbar ist.
  • Ein Stabkernspeicher der eingangs genannten Art ist zur Lösung dieser Aufgabe erfindungsgemäß derart ausgebildet, daß jeder Stabkern aus einer der Anzahl ihm zugeordneter Verdrahtungskammern entsprechenden Anzahl Kernteilstücke zusammengesetzt ist, deren Länge jeweils mit der Höhe einer Verdrahtungskammer übereinstimmt und die mit ihren Enden jeweils in der oberen und der unteren, die Teilungsebene bildenden Abschlußfläche der Verdrahtungskammer befestigt sind.
  • Ein nach der Erfindung aufgebauter Speicher kann sehr vielseitig überall dort eingesetzt werden, wo eine Änderung des in ihm enthaltenen Informationsmusters auch durch solche Bedienungspersonen vorzunehmen ist, die keine besonderen technischen Kenntnisse haben, welche normalerweise für solche Eingriffe erforderlich sind. Durch die Unterteilung der Stabkerne in Teilstücke der angegebenen Länge ist es möglich, Verdrahtungskammern mit vorgegebenen Informationsmustern und den zugehörigen Stabkernteilstücken in Massenfertigung herzustellen und in großer Stückzahl bereitzuhalten, so daß sie in Halbfestwertspeichern beliebig gewechselt werden können, ohne die Stabkerne entfernen zu müssen. Dies wirkt sich insbesondere auch vorteilhaft für die Beseitigung von Betriebsfehlern aus. Durch einfaches Auswechseln kann die einen fehlerhaften Leiter enthaltende Verdrahtungskammer festgestellt und zur Reparatur gegeben werden. Mit einem nach der Erfindung aufgebauten Speicher wird also einerseits eine einfachere Wartung eines Datenverarbeitungsgerätes, andererseits eine vielseitige Anwendbarkeit durch schnelle Änderung des Informationsmusters erzielt. Besondere Vorteile bringt dabei natürlich die Anwendung der Einschubtechnik mit sich, denn wenn die Verdrahtungskammern jeweils als Einschubelement ausgebildet sind, ist ein besonders schnelles und problemloses Wechseln möglich, ohne den gesamten Speicher aus einem Gerät entnehmen zu müssen..
  • Der erfindungsgemäße Stabkernspeicher ist zweckmäßig derart weiter ausgebildet, daß die Kernteilstücke mit den Außenflächen der sie haltenden Verdrahtungskammer plan abschließen. Dadurch ist gewährleistet, daß die einzelnen Verdrahtungskammern unter möglichst geringem Abstand anein anderliegend angeordnet werden können, so daß die zwischen den Stabkernteilstücken gebildeten Luftspalte erforderlichenfalls möglichst schmal sind und keine unzweckmäßige Erhöhung des magnetischen Widerstandes des induktiven Koppelelements verursachen. Auch ist eine leichte Schiebe- bzw. Zugbewegung beim Auswechseln einer Verdrahtungs- i kammer möglich, denn die Abschlußflächen der jeweiligen Kammer sind nicht durch vorstehende Enden der Kernteilstücke gestört. Die Verdrahtungskammern müssen jedoch nicht unbedingt eng aneinanderliegen. Ihre Zuordnung bzw. die Zuordnung der Kernteilstücke eines Stabkerns zueinander kann auch so getroffen sein, daß ein durch s die Anordnung der Verdrahtungskammern gebildeter Abstand der Kernteilstücke eines Stabkerns zueinander höchstens ein Viertel des Stabkerndurchmessers beträgt. Es hat sich nämlich gezeigt, daß bis zu einer solchen Abstandsbreite keine merkliche Beeinträchtigung der Funktion der Koppelelemente auftritt, da der Weg der magnetischen Kraftlinien zur Flußrückführung von einem Ende des gesamten Stabkerns zum anderen auch gegenüber mehreren durch Kernteilstücke gebildeten Luftspalten relativ sehr groß ist.
  • Ein gemäß der Erfindung aufgebauter Stabkernspeicher ist in weiterer Ausbildung des Erfindungsgedankens vorteilhaft so ausgeführt, daß die Kernteilstücke einer bestimmten Verdrahtungskammer nur mit den Lesewicklungen aller Stabkerne versehen sind. Dadurch ist es möglich, die so gebildete Lesewicklungskammer fest in ein Datenverarbeitungsgerät einzubauen, da ihr Aufbau bei einer Änderung des Informationsmusters ja nicht geändert werden muß. Außerdem sind nicht besonders mit Lesewicklungen versehene Stabkernteilstücke einer der anderen Verdrahtungskammern konstruktiv zuzuordnen. Durch eine besondere Lesewicklungskammer ist es ferner möglich, die Verdrahtungskammern und die Lesewicklungskammer in beliebiger Zuordnung vorzusehen. So können die Kammern beispielsweise derart liegen, daß auf beiden Seiten der Lesewicklungskammer mindestens eine mit Informationsleitungen versehene Verdrahtungskammer angeordnet ist.
  • Zweckmäßig ist jede Verdrahtungskammer an einer zur Teilungsebene senkrechten Seite mit einer Steckerleiste versehen. Somit kann sie wie eine Schaltungskarte in ein Gerät eingesteckt werden. Die Lage mehrerer Verdrahtungskammern übereinander ist dadurch in sehr einfacher Weise fixierbar, so daß auch ein Fluchten der Stabkernöffnungen gewährleistet ist. Auch die mit den Lesewicklungen versehene Verdrahtungskammer kann auf diese Weise steckbar ausgeführt sein, was im Hinblick auf leichte Reparaturmöglichkeit vorteilhaft ist.
  • Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Figuren erläutert. Es zeigt F i g. 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines Stabkernspeichers nach der Erfindung, F i g. 2 einen Teilschnitt durch die Anordnung nach F i g. 1 und F i g. 3 eine schematische Darstellung einer besonderen Ausführungsform der Erfindung.
  • F i g. 1 zeigt ein Gestell oder Chassis 1, das einen Arbeitsspeicher, einen Rechner oder eine andere Datenverarbeitungseinrichtung enthält. Es trägt an Anschlußflächen Steckvorrichtungen 2, die schematisch angedeutet sind und beispielsweise als Mehrfachstecker, Steckerleisten od. dgl. ausgebildet sein können. In diese Steckvorrichtungen ist jeweils ein Stabkerneinsteckstapel3 eingesteckt, der in seinem Raum 4 die erforderlichen, im einzelnen nicht dargestellten Ansteuerschaltungen enthält.
  • In dem Einsteckstapel 3 sind Steckvorrichtungen 8 in Form von Steckerleisten od. dgl. vorgesehen. An diese sind Verdrahtungskammern 9 und 9' angesteckt, die in Öffnungen ihrer unteren und oberen Deckfläche Stabkernteilstücke 10 (F i g. 2) halten. deren Länge der Höhe der jeweiligen Verdrahtungskammer 9 bzw. 9' entspricht. Um die Stabkernteilstücke 10 sind in an sich bekannter Weise die Informationsdrähte 11 in entsprechend den jeweils zu speichernden Informationen vorgegebener Weise gefädelt. Jede Verdrahtungskammer 9 bzw. 9' kann außerdem eine nicht dargestellte Entschlüsselungsschaltung bekannter Art zum Ansteuern des jeweils gewünschten Informationsdrahtes 11 enthalten.
  • Ferner ist eine besondere Verdrahtungskammer 5 vorgesehen, in der Stabkernteilstücke 6 mit den Lesewicklungen 7 angeordnet sind. Auch die Länge der Stabkernteilstücke 6 entspricht der Höhe dieser Lesewicklungskammer 5.
  • Allw Verdrahtungskammern 5,9 und 9' bilden jeweils eine plattenförmige Einheit, deren äußere Plattenebene keine vorstehenden Bauelemente aufweist. Die Stabkernteilstücke 6 und 10 schließen plan mit den äußeren Kammerflächen ab. Zwischen aufeinander ausgerichteten Stabkernteilstücken 6 und 9 benachbarter Verdrahtungskammern 5 und 9 bzw. 9' bleibt in eingeschobenem Zustand des Stabkerneinsteckstapels 3 nur ein schmaler Spalt, der klein im Vergleich zum Kerndurchmesser ist. An einer Schmalseite hat jede Verdrahtungskammer 9 bzw. 9' eine Steckerleiste 12 (F i g. 3) od. dgl. zum Verbinden mit den Steckvorrichtungen. Die Lesewicklungskammer 5 kann entsprechend ausgebildet sein, jedoch kann sie auch gemäß F i g. 1 fest mit dem Stabkerneinsteckstapel3 verbunden sein. Die Verdrahtungskammern 9 und 9' mit den Informationsdrähten 11 sind in jedem Falle frei auswechselbar und können durch andere Verdrahtungskammern mit einem anderen Informationsmuster ersetzt werden.
  • F i g. 3 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung, bei der eine Lesewicklungskammer 5' zwischen zwei weiteren Verdrahtungskammern 9" angeordnet ist, die über eine Steckvorrichtung 12 an eine stapelseitige Steckvorrichtung 8 angeschlossen werden kann.

Claims (6)

  1. Patentansprüche: 1. Stabkern-Halbfestwertspeicher mit einer Kernmatrix, deren Informationsleitungen in Verdrahtungskammern mit senkrecht zu den Stabkernen liegenden Teilungsebenen angeordnet sind, wobei die Stabkerne ihrer Länge nach durch mehrere Verdrahtungskammern geführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Stabkern aus einer der Anzahl ihm zugeordneter Verdrahtungskammern (5, 9, 9') entsprechenden Anzahl Kernteilstücke (6, 10) zusammengesetzt ist, deren Länge jeweils mit der Höhe einer Verdrahtungskammer (5, 9, 9') übereinstimmt und die mit ihren Enden jeweils in der oberen und der unteren, die Teilungsebene bildenden Abschlußfläche der Verdrahtungskammer (5, 9, 9') befestigt sind.
  2. 2. Stabkernspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kernteilstücke (6,10) mit den Außenflächen der sie haltenden Verdrahtungskammer (5,9,9') plan abschließen.
  3. 3. Stabkernspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein durch die Anordnung der Verdrahtungskammern (5, 9, 9') gebildeter Abstand der Kernteilstücke (6,10) eines Stabkerns zueinander höchstens ein Viertel des Stabkemdurchmessers beträgt.
  4. 4. Stabkernspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kernteilstücke (6) einer bestimmten Verdrahtungskammer (5) nur mit den Lesewicklungen (7) aller Stabkerne versehen sind.
  5. 5. Stabkernspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf beiden Seiten der Lesewicklungskammer (5') mindestens eine mit Informationsleitungen versehene Verdrahtungskammer (9") angeordnet ist.
  6. 6. Stabkernspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede Verdrahtungskammer (5, 9, 9') an einer zur Teilungsebene senkrechten Seite mit einer Steckerleiste (12) versehen ist.
DE19681574520 1968-02-02 1968-02-02 Stabkern halbfestwertspeicher Withdrawn DE1574520B1 (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1197929B (de) * 1961-06-22 1974-11-07

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1197929B (de) * 1961-06-22 1974-11-07

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NL6818551A (de) 1969-08-05

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