DE1564872C3 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

doch nur derart, daß er sich außer über den Bereich 8 nur noch über Bereiche der ersten Photolackschicht erstreckt Dagegen darf sich natürlich die Maske nicht auch über denjenigen Bereich erstrekken, der außerhalb des Fensterbereiches 8, jedoch noch innerhalb der ursprünglichen Öffnung 3 liegt. Da der auf der Oxydschicht verbliebene Teil der ersten Photolackschicht 4 bereits durch den ersten Belichtungsprozeß polymerisiert worden ist, ist es nämlich gleichgültig, ob bei der zweiten Belichtung auch ein Teil der über der ersten Photolackschicht befindlichen zweitenPhotolackschicht unpolymerisiertbleibt. Die eigentliche Öffnung 4 erhält man dann in bekannter Weise wiederum durch Entwickeln des Photolackes im Anschluß an die zweite Belichtung. In der Halbleitertechnik werden bei der Herstellung von Hochfrequenzanordnungen streifenförmige Öffnungen in der Photolackschicht benötigt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

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Es wird also zunächst in der Photolackschicht eine

Patentanspruch: Öffnung hergestellt, die größer ist als die eigentliche

öffnung und deren Größe mit Photomasken be-

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteran- herrscht wird. Anschließend wird eine zweite, in die Ordnungen, bei dem mit Hilfe der Photolacktech- 5 öffnungen eingebrachte Photolackschicht durch Einnik in einer Photolackschicht auf einem Halb- bringen einer Maske in den Strahlengang derart beleiterkörper öffnungen mit einer bestimmten lichtet, daß man die gewünschte Struktur erhält.
Struktur herzustellen sind, dadurch ge- Die Erfindung wird im folgenden an einem Auskennzeichnet, daß zur Herstellung von öff- führungsbeispiel erläutert.

nungen, für die wegen der Kleinheit ihrer Struk- i° Die F i g. 1 bis 4 zeigen die Herstellung einer PIatur keine Photomasken zur Verfügung stehen, in naranordnung. Bei einer Planaranordnung wird die der Photolackschicht durch Belichten und Ent- eine Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers 1 gewickein mit Hilfe verfügbarer Photomasken zu- maß F i g. 1 bekanntlich durch eine Oxydschicht 2 nächst Öffnungen mit einer größeren beherrsch- geschützt. Um im Halbleiterkörper Diffusionszonen baren Struktur hergestellt werden, wobei die ver- ^l5 herstellen zu können — bei einem Transistor beibleibende Photolackschicht polymerisiert und da- spielsweise die Emitter- und die Basiszone — sind durch unlöslich gemacht wird, daß anschließend in der Oxydschicht 2 Diffusionsfenster erforderlich, die öffnungen in der Photolackschicht wieder mit durch die die Störstellen in den Halbleiterkörper ein-Photolack bedeckt werden und daß in einem diffundiert werden. Der auf der Halbleiteroberfläche zweiten Belichtungsprozeß durch Einschieben ^3O verbleibende Teil der Oxydschicht wird als Diffuvon Masken in den Strahlengang nur ein Teilbe- sionsmaske beim Diffundieren verwendet. Außer reich der in den öffnungen befindlichen, unpo- Diffusionsfenstern sind in der Oxydschicht auch /ß lymerisierten Photolackschicht derart belichtet noch Kontaktierungsfenster erforderlich, die eine ^ wird, daß nach dem Entwickeln in der Photo- Kontaktierung der durch Diffusion in den Halbleiterlackschicht Öffnungen mit der vorgesehenen ²⁵ körper eingebrachten Halbleiterzonen ermöglichen.
Struktur entstehen. Ein solches Fenster in der auf dem Halbleiterkörper 1 befindlichen Oxydschicht 2 zeigt beispielsweise die F i g. 2, in der das Fenster mit der Bezugsziffer 3 bezeichnet ist. Zur Herstellung des Fensters 3 wird ³⁰ gemäß F i g. 1 auf die Oxydschicht 2 eine Photolack-

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- schicht 4 aufgebracht, die anschließend mit Auslen von Halbleiteranordnungen, bei dem mit Hilfe nähme des Fensterbereiches belichtet wird. Um eine der Photolacktechnik in einer Photolackschicht auf Belichtung des Fensterbereiches zu verhindern, ereinem Halbleiterkörper Öffnungen mit einer be- folgt die Belichtung unter Verwendung einer Photostimmten Struktur hergestellt werden. ³⁵ maske, die gemäß F i g. 1 aus einer Glasplatte 5 be-Photolackschichten mit entsprechenden öffnungen steht, die in einem Bereich 6 geschwärzt ist, der bei dienen beispielsweise in der Planartechnik als Ätz- parallelem Lichteinfall genau so groß ist wie der vormasken bei der Herstellung von Diffusions- oder gesehene Fensterbereich. Der schwarze Fleck 6 auf Kontaktierungsfenstern in einer unmittelbar auf der der Glasplatte entspricht also in seiner Größe genau Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht. Vor ⁴° dem Fenster 3 in der Photolackschicht. Die öffallem Halbleiteranordnungen mit besonders guten nung3 erhält man nach dem Belichten in bekannter Hochfrequenzeigenschaften erfordern heute bereits Weise durch Entwickeln der partiell belichteten Phoso kleine Strukturen in der Oxydschicht auf der tolackschicht. Wie oben bereits ausgeführt, entspricht Halbleiteroberfläche, daß es mit erheblichen Schwie- jedoch die öffnung 3 in der Photolackschicht 4 noch rigkeiten verbunden oder gar unmöglich ist, die für nicht den endgültigen Abmessungen, da die eigentdie kleinen Strukturen erforderlichen Photomasken liehe öffnung so kleine Abmessungen hat, daß dafür herzustellen. Photomasken nicht zur Verfügung stehen. Photomas-Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zu- ken für extrem kleine Öffnungen sind nämlich nicht gründe, ein Verfahren anzugeben, welches die Her- oder nur schwer herzustellen.

stellung von Photomasken mit kleinsten Strukturen Um dennoch in der Photolackschicht 4 eine Öffermöglicht. Die Erfindung besteht darin, daß zur nung mit der gewünschten Struktur zu erhalten, wird Herstellung von Öffnungen, für die wegen der Klein- gemäß F i g. 3 auf die bereits vorhandene Photolackheit ihrer Struktur keine Photomasken zur Verfügung schicht 4 eine weitere Photolackschicht 7 aufgestehen, in der Photolackschicht durch Belichten und „ bracht, die auch den Bereich des Fensters 3 über-Entwickeln mit Hilfe verfügbarer Photomasken zu- deckt. In einem zweiten Belichtungsprozeß wird nächst Öffnungen mit einer größeren, beherrschbaren diese Photolackschicht gemäß F i g. 3 derart belich-Struktur hergestellt werden, wobei die verbleibende tet, daß derjenige Teil der zweiten Photolackschicht Photolackschicht polymerisiert und dadurch unlös- über dem Fenster 3 unbelichtet bleibt, der den lieh gemacht wird, daß anschließend die Öffnungen 60 eigentlichen und im Anschluß daran herzustellenden in der Photolackschicht wieder mit Photolack be- Fensterbereich 8 bedeckt. Zu diesem Zweck wird nach deckt werden und daß in einem zweiten Belichtungs- F i g. 3 in den Strahlengang eine ebenfalls aus einer prozeß durch Einschieben von Masken in den Strah- Glasplatte 9 und einem schwarzen Fleck 10 bestelengang nur ein Teilbereich der in den Öffnungen be- hende Photomaske gebracht, und zwar derart, daß findlichen, unpolymerisierten Photolackschicht der- 65 der über dem späteren Fensterbereich 8 befindliche art belichtet wird, daß nach dem Entwickeln in der Photolack unbelichtet bleibt. Es ist jedoch nicht er-Photolackschicht Öffnungen mit der vorgesehenen forderlich, daß der Fleck 10 genau die Größe dieses Struktur entstehen. Bereiches hat, sondern er kann auch größer sein, je-