Claims (1)
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Es wird also zunächst in der Photolackschicht eineSo there will be a first in the photoresist layer
Patentanspruch: Öffnung hergestellt, die größer ist als die eigentlicheClaim: Opening made that is larger than the actual one
öffnung und deren Größe mit Photomasken be-opening and its size with photo masks
Verfahren zum Herstellen von Halbleiteran- herrscht wird. Anschließend wird eine zweite, in die
Ordnungen, bei dem mit Hilfe der Photolacktech- 5 öffnungen eingebrachte Photolackschicht durch Einnik
in einer Photolackschicht auf einem Halb- bringen einer Maske in den Strahlengang derart beleiterkörper
öffnungen mit einer bestimmten lichtet, daß man die gewünschte Struktur erhält.
Struktur herzustellen sind, dadurch ge- Die Erfindung wird im folgenden an einem Auskennzeichnet,
daß zur Herstellung von öff- führungsbeispiel erläutert.Method for manufacturing semiconductor is prevailing. Subsequently, a second, in the order in which the photoresist layer introduced with the help of the photoresist openings is cleared by means of a technique in a photoresist layer on a half-way of a mask in the beam path in such a way that the desired structure is obtained.
Structure are to be produced, characterized in that the invention is characterized in the following by means of an example that explains the production of opening.
nungen, für die wegen der Kleinheit ihrer Struk- i° Die F i g. 1 bis 4 zeigen die Herstellung einer PIatur
keine Photomasken zur Verfügung stehen, in naranordnung. Bei einer Planaranordnung wird die
der Photolackschicht durch Belichten und Ent- eine Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers 1 gewickein
mit Hilfe verfügbarer Photomasken zu- maß F i g. 1 bekanntlich durch eine Oxydschicht 2
nächst Öffnungen mit einer größeren beherrsch- geschützt. Um im Halbleiterkörper Diffusionszonen
baren Struktur hergestellt werden, wobei die ver- l5 herstellen zu können — bei einem Transistor beibleibende
Photolackschicht polymerisiert und da- spielsweise die Emitter- und die Basiszone — sind
durch unlöslich gemacht wird, daß anschließend in der Oxydschicht 2 Diffusionsfenster erforderlich,
die öffnungen in der Photolackschicht wieder mit durch die die Störstellen in den Halbleiterkörper ein-Photolack
bedeckt werden und daß in einem diffundiert werden. Der auf der Halbleiteroberfläche
zweiten Belichtungsprozeß durch Einschieben 3O verbleibende Teil der Oxydschicht wird als Diffuvon
Masken in den Strahlengang nur ein Teilbe- sionsmaske beim Diffundieren verwendet. Außer
reich der in den öffnungen befindlichen, unpo- Diffusionsfenstern sind in der Oxydschicht auch /ß
lymerisierten Photolackschicht derart belichtet noch Kontaktierungsfenster erforderlich, die eine ^
wird, daß nach dem Entwickeln in der Photo- Kontaktierung der durch Diffusion in den Halbleiterlackschicht
Öffnungen mit der vorgesehenen 25 körper eingebrachten Halbleiterzonen ermöglichen.
Struktur entstehen. Ein solches Fenster in der auf dem Halbleiterkörper 1 befindlichen Oxydschicht 2 zeigt beispielsweise
die F i g. 2, in der das Fenster mit der Bezugsziffer 3 bezeichnet ist. Zur Herstellung des Fensters 3 wird
30 gemäß F i g. 1 auf die Oxydschicht 2 eine Photolack-for which, because of the smallness of their structure, i ° The F i g. 1 to 4 show the production of a picture no photomasks are available in an arrangement. In the case of a planar arrangement, the photoresist layer is wound to size F i g by exposing and removing a surface side of a semiconductor body 1 with the aid of available photomasks. 1 is known to be protected by an oxide layer 2 next to openings with a larger master. To cash structure are manufactured in the semiconductor body diffusion regions, wherein the comparable l be able to produce 5 - polymerized in a transistor beibleibende photoresist layer and data playing, the emitter and the base zone - are made by insoluble, in that then required in the oxide layer 2 diffusion windows , the openings in the photoresist layer again with through which the imperfections in the semiconductor body are covered by a photoresist and that are diffused in one. The part of the oxide layer remaining on the semiconductor surface by inserting 30 the second exposure process is used as a diffusion mask in the beam path, only a partial area mask is used during diffusion. Except rich in the openings, located unpo- diffusion windows and / ß lymerisierten photoresist layer are in the oxide layer so even contact-making exposed required, which is a ^ that after development, in the photographic contacting the provided by diffusion into the semiconductor coat layer openings with the 25 semiconductor zones introduced into the body.
Structure emerge. Such a window in the oxide layer 2 located on the semiconductor body 1 is shown, for example, in FIG. 2, in which the window is denoted by the reference number 3. To produce the window 3, 30 is shown in FIG. 1 on the oxide layer 2 a photoresist
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- schicht 4 aufgebracht, die anschließend mit Auslen
von Halbleiteranordnungen, bei dem mit Hilfe nähme des Fensterbereiches belichtet wird. Um eine
der Photolacktechnik in einer Photolackschicht auf Belichtung des Fensterbereiches zu verhindern, ereinem
Halbleiterkörper Öffnungen mit einer be- folgt die Belichtung unter Verwendung einer Photostimmten
Struktur hergestellt werden. 35 maske, die gemäß F i g. 1 aus einer Glasplatte 5 be-Photolackschichten
mit entsprechenden öffnungen steht, die in einem Bereich 6 geschwärzt ist, der bei
dienen beispielsweise in der Planartechnik als Ätz- parallelem Lichteinfall genau so groß ist wie der vormasken
bei der Herstellung von Diffusions- oder gesehene Fensterbereich. Der schwarze Fleck 6 auf
Kontaktierungsfenstern in einer unmittelbar auf der der Glasplatte entspricht also in seiner Größe genau
Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht. Vor 4° dem Fenster 3 in der Photolackschicht. Die öffallem
Halbleiteranordnungen mit besonders guten nung3 erhält man nach dem Belichten in bekannter
Hochfrequenzeigenschaften erfordern heute bereits Weise durch Entwickeln der partiell belichteten Phoso
kleine Strukturen in der Oxydschicht auf der tolackschicht. Wie oben bereits ausgeführt, entspricht
Halbleiteroberfläche, daß es mit erheblichen Schwie- jedoch die öffnung 3 in der Photolackschicht 4 noch
rigkeiten verbunden oder gar unmöglich ist, die für nicht den endgültigen Abmessungen, da die eigentdie
kleinen Strukturen erforderlichen Photomasken liehe öffnung so kleine Abmessungen hat, daß dafür
herzustellen. Photomasken nicht zur Verfügung stehen. Photomas-Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zu- ken für extrem kleine Öffnungen sind nämlich nicht
gründe, ein Verfahren anzugeben, welches die Her- oder nur schwer herzustellen.The invention relates to a method for the production layer 4 applied, which is then applied with the Auslen of semiconductor arrangements, in which the window area is used to expose. In order to prevent the photoresist technology in a photoresist layer from being exposed to the window area, openings with a semiconductor body that follows the exposure can be produced using a photo-specific structure. 35 mask, which according to FIG. 1 consists of a glass plate 5 be-photoresist layers with corresponding openings, which is blackened in an area 6 which, when used, for example, in planar technology as etching parallel light incidence, is exactly as large as the pre-masks in the production of diffusion or seen window areas. The black spot 6 on contacting windows in an oxide layer located directly on the glass plate corresponds exactly in its size to the semiconductor surface. Before 4 ° the window 3 in the photoresist layer. The öffallem semiconductor arrangements with particularly good voltage3 are obtained after exposure with known high-frequency properties today already require small structures in the oxide layer on the resist layer by developing the partially exposed phoso. As already stated above, the semiconductor surface corresponds to the fact that the opening 3 in the photoresist layer 4 is still connected or even impossible with considerable difficulty, the opening being so small for not the final dimensions, since the actual small structures required for the photomasks to make that for it. Photo masks are not available. Photomas-The invention is therefore the task to- ken for extremely small openings are namely not reasons to specify a method which can be produced or only with difficulty.
stellung von Photomasken mit kleinsten Strukturen Um dennoch in der Photolackschicht 4 eine Öffermöglicht.
Die Erfindung besteht darin, daß zur nung mit der gewünschten Struktur zu erhalten, wird
Herstellung von Öffnungen, für die wegen der Klein- gemäß F i g. 3 auf die bereits vorhandene Photolackheit
ihrer Struktur keine Photomasken zur Verfügung schicht 4 eine weitere Photolackschicht 7 aufgestehen,
in der Photolackschicht durch Belichten und „ bracht, die auch den Bereich des Fensters 3 über-Entwickeln
mit Hilfe verfügbarer Photomasken zu- deckt. In einem zweiten Belichtungsprozeß wird
nächst Öffnungen mit einer größeren, beherrschbaren diese Photolackschicht gemäß F i g. 3 derart belich-Struktur
hergestellt werden, wobei die verbleibende tet, daß derjenige Teil der zweiten Photolackschicht
Photolackschicht polymerisiert und dadurch unlös- über dem Fenster 3 unbelichtet bleibt, der den
lieh gemacht wird, daß anschließend die Öffnungen 60 eigentlichen und im Anschluß daran herzustellenden
in der Photolackschicht wieder mit Photolack be- Fensterbereich 8 bedeckt. Zu diesem Zweck wird nach
deckt werden und daß in einem zweiten Belichtungs- F i g. 3 in den Strahlengang eine ebenfalls aus einer
prozeß durch Einschieben von Masken in den Strah- Glasplatte 9 und einem schwarzen Fleck 10 bestelengang
nur ein Teilbereich der in den Öffnungen be- hende Photomaske gebracht, und zwar derart, daß
findlichen, unpolymerisierten Photolackschicht der- 65 der über dem späteren Fensterbereich 8 befindliche
art belichtet wird, daß nach dem Entwickeln in der Photolack unbelichtet bleibt. Es ist jedoch nicht er-Photolackschicht
Öffnungen mit der vorgesehenen forderlich, daß der Fleck 10 genau die Größe dieses
Struktur entstehen. Bereiches hat, sondern er kann auch größer sein, je-Positioning of photomasks with the smallest structures In order to still allow an opening in the photoresist layer 4.
The invention consists in that in order to obtain voltage with the desired structure
Manufacture of openings for which because of the small size according to FIG. 3 on the already existing photoresist
their structure no photomasks available layer 4 stand up another photoresist layer 7,
in the photoresist layer by exposure and "brought, which also over-develop the area of the window 3
covered with the help of available photo masks. In a second exposure process
next openings with a larger, controllable photoresist layer according to FIG. 3 such exposure structure
be prepared, the remaining tet being that part of the second photoresist layer
Photoresist layer polymerized and thereby remains unexposed over the window 3, which is insoluble
is made borrowed that then the openings 60 are actually and subsequently to be produced
Window area 8 covered again with photoresist in the photoresist layer. To this end, after
are covered and that in a second exposure F i g. 3 in the beam path also from one
process by inserting masks into the beam glass plate 9 and a black spot 10 order
brought only a portion of the existing photomask in the openings, in such a way that
Sensitive, unpolymerized photoresist layer of the 65 that is located above the later window area 8
art is exposed that remains unexposed after developing in the photoresist. However, it is not an er photoresist layer
Openings provided with the required that the spot 10 is exactly the size of this
Structure emerge. Area, but it can also be larger,