DE1564800A1 - Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit fuer Hochspannungsgleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit fuer Hochspannungsgleichrichter

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DE1564800A1 DE1966S0107676 DES0107676A DE1564800A1 DE 1564800 A1 DE1564800 A1 DE 1564800A1 DE 1966S0107676 DE1966S0107676 DE 1966S0107676 DE S0107676 A DES0107676 A DE S0107676A DE 1564800 A1 DE1564800 A1 DE 1564800A1
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Description

■ SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Berlin und München
München 2, -9. JUN1196 9
^ittelsbacherplatz 2 PA 66/1900 Rb/Dx
Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit für Hochspannungsgleichrichter
Die Erfindung "bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit für Hochspannungsgleichrichter mit η in Reihe geschalteten unmittelbar übereinanderliegenden Halbleiterelement©» mit mindestens einem pn-übergang. Als Halbleitermaterial kommt dabei vorzugsweise Silicium in Betracht.
In Anlehnung an die bei Selengleichrichtern übliche Technik hat
ΝθΜ9 Ui1t©flagerMArt. 7 8 Γ Alas.,! Ni. l S*tz 3
INSPECTED 009810/0919
S S /ι 9 G G
PLA 9/3:70/641 t
T.iur. bisher die einzelnen Kalbleiterelemente nit je einem pn-Über£-;.r.if .getrennt ^eferti/jt, insbesondere mit Kontaktflächen Verteiler; ui.J nach einer -Ätzung au einer. Stapel geschichtet, der euren äußeren Jruck r.cehanis-ch zusammengehalten wird. Das Zu-· i.uu^.er^ezzeTi zu Stapeln ist jedoch besonders dann sehr aufwendig und kostspielig, wenn es sich um Hochspannungsgleichrichter handelt, cie nur für eine sehr niedrige Strombelastung (einige F.illi ampere) be niet· ten ι: ein missen. In diesem j'all hat n?imlich das einzelne llaloleiterbauele;nent eine sehr kleine Fläche in der Größenordnung von einem «iua.Jratrcilli^eter und darunter. 3g ist offensichtlich, da2 die Handhabung äolch kleiner Elemente mit erheblichen Schwierigkeiten und Kosten verbunden,ist. Andererseits verbietet sich die Verwendung von größeren Scheiben aus Kostergründen.
In dieser Beziehung bringt das erfindungsgenäße Verfahren eine wesentliche Verbesserung. Zo ist dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden von jeweils z'.vei benachbarten Halbleiterelement en
! mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden werden, und daß a'ie so gebildete Einheit durch mehrere parallele Schnitte in* Scheiben und diese danach durch mehrere parallele Schnitte in Säulen zersägt werden.
: Auf diese '.Veise'läSt sich ein Stapeln kleiner Elemente vermeiden. Kankann statt dessen Halbleiterscheiben mit einem Durchmesser
"von beispielsweise 25 mm und mehr aufeinander sehichten und miteinander mechanisch und elektrisch leitend verbinden und daraus dann durch zwei Sägevorga'nge einige hundert fertige Säulen her-
".„,ν ■ ./. 009810/091^-^ '
^ PLA 9/37C/541 '
ζ toll or., die lediglich noch geätzt, mit AnbchluSleitern ver- ;.ehen v.r.j in ei:; Gehäuse eingebracht .werJer. röiesen.
Die Elektroden der einzelnen Hülclcii erc-ler.:or.te kernen dabei durch Lotung eier :;:it Hilfe eine.? elektrisch leitenden Lacken, sun: Beispiel ..-Wf ^unsi-harzb&i-is miteinander verbürgen '.vorder.. Die Verv.-eiv'ung eines Lackeo bringt zwar eine Srhchur.£ des D\*rchl.ußv.'ideri.· „ .r.dcs.- r.it .-:ich. lieser spielt jecoch boi der. hier ir. Betracht iionr.crr.den niedrigen Durch!a3strcr.en keine entscheidende I; alle.
'..'.Lt der.: .Vo;%"o "LlcktroJe" it>t in cieeen: 3uf;an.^enhcr.£- die äi;2erste. ::.it einen, ρ oder η-dotierten Sereich leitend verbundene Grenzfläche eir.t-'i- Hulblei^erele.r.entec zu ver£.teher.. Die&e kann bei einer:, dir:t;ndierien Halbleiterelement cus der unbehcindelten Oberfläche becieher.. Lie Lberilcche kann aber auch n;it einer. I.'.etallübersnaus Nickel, GoIa oder Silber versehen sein, '^er^: rr.an beitpielrv.eii. e die eine äei^e des Halbleiterelement es „eviezlB Eiit einem GoldUbersug und die andere xlz eine:r. Silberüberzug verlieht, 2<ann ir.an die aufeinander geschichteten Halbleiterelement e ruch durch eine Diffus1 ion&lötunc miteinander verbinden.
Die einseinen Schnitte können sit eines: einzigen Sageblatt nacheinander^ aber auch cit Hilfe eines Sagegatters gleichzeitig durch geführt -«erden. In jeden Pail ist es n'.vecki".:ä2ig, die aus mehreren .Tdteinander verbundenen Ilalbleitereler.enter. bestehende Einheit
0098 10/09 19 *" ; BAD ORIGINAL ::-~z:
Hilfsvorrichtung zu befestigen, und die Schnitte εο auszuführen, daß die einzelnen Scheiben bzw. Säulen über einen Rücken niteinunJcr verbunden bleiben. Besonders zweckmäßig ißt es, die Einheit aiii" di.e Hilfsvorrichtung so aufzukleben, daß die Klebe- ■ % KLtce gleichzeitig als I:ücken dienen kann.
^ie lül-ivcrrichtung wir:: zv.-eckmnßir drehbar ausgeführt, so daß na:"* r.ach Γ-urchiiihrunr der zur Erzeugung der Scheiben dienenden SU-evor^Inge die /-anze An ore nun/r so drehen kann, daß zwischen δέη 'ücheicen und einerr. £i.;£;eblatx ein spitzer Winkel von vorzu^c-"■ eiv.e -;o° liegt.
Ali hrrebnic tee erfindun^i£-emäßen Verfahrens erhält nian zahlreiche Lüvler,, uie aufj η Über einend erliegenden und t mit ei nand er verbundener, iialbleiterelementen mit sehr kleinem Querschnitt bectehen ur.d die ceipielLweice über die Klebemasse miteinander an eineru L'n;;.e verbunden sind. Idese Säulen v:erden dann von der /.leber.L-ise abgelöst, .an beicen Ent:en xit Zuführun^sleitun^en verbunden, ;-e;.'tzJ: und schließlich in ein Gehäuse eingeführt, ens zu.-.:'tzli-ch noch ei τ eir-ea Kunststoff umpreßt werfen kann, -ie //.zur.= der eir.zelnen faulen kann aber auch vor der Abtrennung der i:.'ulen von dein, remeincaxen Plicken durchgeführt werden. Eine einzelne, i;tark vergrößerte Seule aus mehreren über Z'vißchenr.chichten ? r.iteinander verbundenen Halbleitereler.enten Λ und den querschnitt Z eier £:iule zei^t Jie Figur.
. BAD ORIGINAL
'C Pat ent-^: sr rüche
J-L -U r
0 0 9 810/09 1.9

Claims (9)

  1. ?LA 9/37 C/6
    Patentansprüche
    l.) ·,Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit mit η in rieihe geschalteten, unmittelbar übereinanderliegenden Halbleiterelenenten mit mindestens einem pn-übergang, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden von jeweils swei benachbarten Halbleiterelementen mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden werden, und daß die so gebildete Einheit durch mehrere parallele Schnitte in Scheiben und diese Scheiben dann durch mehrere parallele Schnitte in Säulen zersägt werden.
  2. 2.) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Halbleiterelemente untereinander durch Lötung verbunden v/erden*;..·
  3. J.) Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß . die Halbleiterelemente auf beiden Seiten mit metallischen elektroden versehen und durch Diffusionslötung miteinander verbunden werden. . ^
  4. 4.) Verfahren nach Anspruch J, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterelemente auf der einen Seite mit einer Elektrode aus Gold und auf der anderen Seite mit einer Elektrode aus Silber versehen werden.
    BAD ORIGi'NAL
    ■ "5 -009810/0919
    Neue Unterlagen (Art. Ι % I Ab3,2 W. I Satz 3 des Änderung«, ν- 4 9.
    PIA 9/370/641 O
  5. 5.) Vor .führen r^oh .■ 'r..-:pruch ' , dadurch gekennzeichnet, daß' die einzelnen Kalolei perelerr.ente durch· einen elektrisch leitenden Lack miteinander verklebt werden.
  6. •5.) 7erL.-.ihren nach eir.err. der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Schnitte nacheinander durchgeführt //erden.
  7. 7.) Verfahren nach einer/, der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schnitte mit Hilfe eines Sägegattern gleichzeitig ausgeführt werden.
  8. 8.) Veriariren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die aus mehreren Halbleiterelementen bestehende Einheit auf einer relativ zu einem Sägeblatt oder einen: Sägegatter verschiebaren Hilfseinrichtung befestigt werden, daß die Schnitte zur Gesinnung der Scheiben co durchgeführt werden, daß danach die einzelnen Scheiben noch über einen Kücken miteinander verbunden bleiben, daß die Hilfsvorrichtung co gedreht wird, daß zwischen den Scheiben und einem Sägeblatt ein spitzer Y/inkel liegt, und üaß danach die folgenden Schnitte ebenfalls so aus- ..^ geführt werden, daß der erwähnte Bücken nicht durchtrennt wire .
  9. 9.) Verfahren nach Anspruch S, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsvorrichtung um 30° gedreht wird.
    rad URINAL
    - 6 - Ba/Hob
    009810/0919
    ■■ · . γ α e
    PLA 9/370/641
    "G.) Verfahren nach Anuprv.ch 8 oder 9 t dadurch -ekennzeichnet, daß ei ie Einheit auf die Hilfsvorrichtung ge^le^t wird, und i:a3 die Kleberr.acse als Rücken dient.
    BAD ORiGiNAl
    - 3 a/Hob.
    009810/0919 "
    Leerseite
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FR129820A FR1545377A (fr) 1966-12-30 1967-11-27 Procédé pour la fabrication d'une unité de construction pour redresseurs à haute tension
BE708583D BE708583A (de) 1966-12-30 1967-12-27
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2706560A1 (de) * 1975-08-18 1978-08-17 Siemens Ag Hochspannungsgleichrichter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2706560A1 (de) * 1975-08-18 1978-08-17 Siemens Ag Hochspannungsgleichrichter

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BE708583A (de) 1968-05-02
GB1199960A (en) 1970-07-22
NL6715091A (de) 1968-07-01
DE1564800B2 (de) 1975-08-07
CH468722A (de) 1969-02-15

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