DE1564373C3 - Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode - Google Patents

Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode

Info

Publication number
DE1564373C3
DE1564373C3 DE1564373A DEM0071807A DE1564373C3 DE 1564373 C3 DE1564373 C3 DE 1564373C3 DE 1564373 A DE1564373 A DE 1564373A DE M0071807 A DEM0071807 A DE M0071807A DE 1564373 C3 DE1564373 C3 DE 1564373C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alloy
silicon
line density
antipolar
pill
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1564373A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1564373B2 (de
DE1564373A1 (de
Inventor
Takeshi Kyoto Terasaki (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE1564373A1 publication Critical patent/DE1564373A1/de
Publication of DE1564373B2 publication Critical patent/DE1564373B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1564373C3 publication Critical patent/DE1564373C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
DE1564373A 1965-11-30 1966-11-29 Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode Expired DE1564373C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7456765 1965-11-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1564373A1 DE1564373A1 (de) 1972-02-17
DE1564373B2 DE1564373B2 (de) 1973-03-01
DE1564373C3 true DE1564373C3 (de) 1978-09-21

Family

ID=13550905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1564373A Expired DE1564373C3 (de) 1965-11-30 1966-11-29 Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3544395A (ref)
DE (1) DE1564373C3 (ref)
FR (1) FR1508395A (ref)
GB (1) GB1161517A (ref)
NL (1) NL6616664A (ref)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3634151A (en) * 1970-05-01 1972-01-11 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method for making semiconductor devices
FR2091940B1 (ref) * 1970-05-28 1973-05-25 Matsushita Electric Industrial Co Ltd
US3935585A (en) * 1972-08-22 1976-01-27 Korovin Stanislav Konstantinov Semiconductor diode with voltage-dependent capacitance
US3902925A (en) * 1973-10-30 1975-09-02 Gen Electric Deep diode device and method
US3897277A (en) * 1973-10-30 1975-07-29 Gen Electric High aspect ratio P-N junctions by the thermal gradient zone melting technique

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2847336A (en) * 1956-01-30 1958-08-12 Rca Corp Processing semiconductor devices
US2932594A (en) * 1956-09-17 1960-04-12 Rca Corp Method of making surface alloy junctions in semiconductor bodies
US2943005A (en) * 1957-01-17 1960-06-28 Rca Corp Method of alloying semiconductor material
US3009841A (en) * 1959-03-06 1961-11-21 Westinghouse Electric Corp Preparation of semiconductor devices having uniform junctions
US3075892A (en) * 1959-09-15 1963-01-29 Westinghouse Electric Corp Process for making semiconductor devices
US3232800A (en) * 1961-12-16 1966-02-01 Nippon Electric Co Method of making semiconductor devices by forming a damage layer on a surface of a semiconductor body and then alloying through said damage layer
US3416979A (en) * 1964-08-31 1968-12-17 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of making a variable capacitance silicon diode with hyper abrupt junction
BE671953A (ref) * 1964-11-05

Also Published As

Publication number Publication date
GB1161517A (en) 1969-08-13
NL6616664A (ref) 1967-05-31
DE1564373B2 (de) 1973-03-01
US3544395A (en) 1970-12-01
FR1508395A (fr) 1968-01-05
DE1564373A1 (de) 1972-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE961913C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen
DE1246890B (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2523307C2 (de) Halbleiterbauelement
DE1223951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen
DE2704413A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen, bei dem eine dotierungsverunreinigung aus einer polykristallinen halbleiterschicht in ein unterliegendes einkristallines halbleitermaterial eindiffundiert wird
DE1105067B (de) Halbleiteranordnung aus Siliciumcarbid und Verfahren zu deren Herstellung
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE2450930A1 (de) Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien
DE2207056A1 (de) Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase
DE1564373C3 (de) Legierungsdiffusionsverfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode
DE1018558B (de) Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter
DE974364C (de) Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze
DE1944131A1 (de) Verfahren zum Herabsetzen der Stapelfehlerdichte in epitaktischen Schichten von Halbleiterbauelementen
DE1614410A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1044279B (de) Verfahren zur Herstellung von Kontakten an Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen
DE1102287B (de) Verfahren zur Herstellung von scharfen pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern von Halbleiter-anordnungen durch Zusammenschmelzen einer p-leitenden Zone mit einer n-leitenden Zone in einem Erhitzungs-prozess
DE1019013B (de) Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren
DE1802849B2 (de) Verfahren zum herstellen einer monolithischen schaltung
DE3030538A1 (de) Verfahren zum planar-epitaxialen auffuellen unter fluessigphasen-epitaxie
DE1159098B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen
DE1911335A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE3604260A1 (de) Fluessigkeitsepitaxieverfahren
DE2811207A1 (de) Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschicht
AT229371B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2737912A1 (de) Verfahren zum selektiven dotieren eines halbleiterkoerpers

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)