DE1514880C - Transistor zur Verstärkungsregelung, insbesondere Planar- oder Mesa-Transistor - Google Patents

Description

In vielen elektrischen Verstärkerschaltungen ist eine Regelung des Verstärkungsgrades, beispielsweise um Dämpfungsschwankungen in Übertragungskanälen auszugleichen, erforderlich. Ein allgemein bekanntes Beispiel ist die Schwundregelung bei Rundfunk- und Fernsehempfängern, durch die der Verstärkungsgrad des Hochfrequenzteils so eingestellt wird, daß trotz zeitlich und unter Umständen auch örtlich schwankendem Hochfrequenzeingangssignal das Ausgangssignal annähernd konstant bleibt. Dadurch arbeiten die nachfolgenden Stufen optimal, und Übersteuerungen werden vermieden. Ähnliche Anforderungen ergeben sich auch bei der Abstimmung eines Empfängers auf verschiedene Sender, die mit unterschiedlicher Feldstärke am Empfangsort einfallen.

Zur Verstärkungsregelung kann prinzipiell jedes Übertragungselement mit nichtlinearem Übertragungsmaß verwendet werden. Weit verbreitet sind spezielle

Regelröhren, bei denen durch Änderung der Gittervorspannung die Verstärkung gesteuert werden kann. Die Verstärkungsregelung ist auch mit Transistoren durch Änderung des Arbeitspunktes möglich.

Bei Transistoren ist im Bereich großer Verstärkung die Leistungsverstärkung näherungsweise

VL- I K_2l| 2, (1)

wobei Y₂₁ die Vorwärtssteilheit bei der betreffenden Frequenz ist. K₂₁ ist definiert als:

i: κ

Fig. IA zeigt den Verlauf der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorglcichstrom bei den bisher üblichen zur Verstärkungsregelung verwendeten Transistoren mit hochohmiger Kollektorzone. Der Verlauf dieser Funktion zeigt zwei Möglichkeiten, die Verstärkung zu regeln.

Man kann einmal vom jeweiligen Arbeitspunkt für maximale Verstärkung ausgehen und den Kollektorgleichstrom Ic herabsetzen. Dadurch verringert sich die Vorwärtssleilheit und damit auch die Verstärkung. Dieses Verfahren bezeichnet man als Abwärtsrcgelung. Ein ausreichender Rcgeiumfang wird hierbei erst bei kleinen Kollektorströmcn erreicht, wodurch sich der Aussteuerungsbereich verkleinert und die nichtlinearen Eigenschaften anwachsen, da bei kleinen Gleichstrom-

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werten die Nichtlinearität der Kennlinien stark aus- Emitterzonen, bei dem in den Bahnen der Emitter-

.geprägt ist. Als weitere Nachteile kommen hinzu, daß ströme ein oder mehrere Widerstände vorgesehen

sich die Aus- und Eingangsleitwerte des Transistors sind, erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß der oder

stark ändern, und bei kleinen Verstärkungswerten wird die Widerstände so in die Emitterstrombahnen ge-

der Arbeitspunkt bei Temperaturänderungen instabil. 5 schaltet sind und ihre Werte so gewählt sind, daß

Bei der sogenannten Aufwärtsregelung wird der die Injektion von Ladungsträgern aus der oder den Kollektorgleichstrom /_c, ausgehend vom Arbeitspunkt Emitterzone(n) in die Basiszone an verschiedenen für maximale Verstärkung, erhöht. Auch hierbei an- Stellen der Emitterzone(n) unterschiedlich ist, so daß dem sich Ein- und Ausgangsleitwert ebenso wie die ein vorgegebener Verlauf der Vorwärtssteilheit in AbRückwirkung, ίο hängigkeit vom Kollektorgleichstrom erzielt wird.

Nach dem Bericht »A Theory of Transistor Cutoff Es ist eine Schaltung zur Veränderung des Arbeits-

Frequency (f_T) Falloff at High Current Densities« von punktes eines Transistors bekannt, bei der unter ande-

C. T. Ki rk jr., erschienen in The IRE Trans- rem auch in der Emitterzuleitung ein Widerstand vor-

actions of the Professional Group on Electron Devices, handen ist, durch den die Spannung und der Strom in

Volume ED-9 Number 2, March 1962, kann die 15 einander entgegengesetzten Richtungen geändert wird,

Abnahme der Vorwärtssteilheit | Y₂₁ 1 auf folgende ohne daß die Verlustleistung geändert wird (vgl.

Weise erklärt werden: Von der Emitterzone werden britische Patentschrift 1053 273).

Ladungsträger, beispielsweise Löcher, in die Basis Es ist ferner bekannt, zur Vermeidung von ungleich-

,injiziert und durchlaufen die homogen oder inhomogen mäßigen Injektionen von Ladungsträgern und der

■dotierte Basis nur auf Grund der Diffusionswirkung, ao damit verbundenen ungleichmäßigen Überhitzung bei

Die Ladungsträger durchlaufen dann die Kollektor- Leistungstransistoren mehrere Emitterelektroden über

Basis-Raumladungszone auf Grund des großen Span- parallelgeschaltete, gleichgroße Widerstände an die

lumgsgefälles sehr rasch. Die Laufzeit der Ladungs- Stromzuführung anzuschließen (vgl. französische Pa-

träger durch die Kollektor-Basis-Raumladungszone tentschrift 1 358 189).

ist daher sehr viel kleiner als die durch Diffusion be- 25 Unter den Bahnen der Emitterströme versteht man

wirkte Laufzeit durch die Basiszone. bei dem vorliegenden Transistor alle vom Emitterstrom

Wenn man nun die Stromdichte und damit die Zahl durchfiossenen Teile, bevor dieser Strom in der Basis-

-der injizierten Ladungsträger erheblich erhöht, so wird zone verschwindet. Die Emitterstrombahnen setzen

•die Kollektor-Basis-Raumladungszone mehr und mehr sich also aus der oder den Emitterleitbahnen, den

mit Ladungsträgern aufgefüllt bzw. »abgesättigt«, 30 Emitterzonen selbst und den gegebenenfalls zwischen

wodurch die die Ladungsträger beschleunigende Feld- die Emitterzonen geschalteten Widerständen zusam-

stärke abgebaut wird. Im Grenzfall wird die Ursprung- men.

liehe Raumladungszone feldfrei, und die Ladungs- Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß träger bewegen sich auch in dieser Zone nur noch bei den bisher bekannten Transistoren der steile Abdurch Diffusion. Dies kommt einer Aufweitung der 35 fall der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom effektiven Basisweite gleich, und die Gesamtlaufzeit Kollektorgleichstrom hinter dem Maximum, den die der Ladungsträger wird erheblich vergrößert. Die kri- Fig. IA zeigt, nachteilig ist und vor allem zu Kreuztische Stromdichte für starke Basisauf Weitung ist: Und Intermodulationsverzerrungen führt.

Wie die Berechnung der Kreuzmodulations- bzw.

^max — y_lim · n₀· e (3) 4° der Intermodulationsgrößen zeigt, sind die Verzer-

F rungseffekte proportional dem Verhältnis der zweiten

mit Ableitung | Y₂₁ \" der Vorwärtssteilheit nach der

j Steuerspannung zur Vorwärtssteilheit selbst. Es hat

ψ = effektive Stromdichte im Basis-Kollektor- _sj_ch _so gezeigt, daß für den Anfangsregelbereich die

pn-Übergang. ₄₅ Kreuz- bzw. Intermodulationseigenschaften dann am

Fiim = Trägergeschwindigkeit in hohen Feldern günstigsten sind, wenn der Übergang vom Maximum

V ~ 2 · 10^{6 c}— ^^er Vorwärtssteilheit zu kleineren Werten in Abhän-

^m see' gigkeit vom Kollektorgleichstrom I_c sehr »gleitend«

«₀ = Kollektorgrunddotierung. ausgebildet ist und gleichzeitig der maximale Betrag

e = Elementarladung. so der Vorwärtssteilheit möglichst groß ist. Dies erfordert zwar für den Anfangsregelbereich eine große

Beim Überschreiten einer bestimmten effektiven Kollektorgleichstromänderung, jedoch kann die Vor-Stromdichte ergibt sich deshalb bei Transistoren mit wärtssteilheit einen nachfolgenden steileren Funktionsschwachdotierter, hochohmiger Kollektorzone eine verlauf aufweisen, da bei größeren Kollektorgleichstarke Basisaufweitung. Dadurch wird die Transistor- 55 strömen die zulässige Störspannung durch eine sich zeitkonstante τ, die das Frequenzverhalten des Transi- günstig auswirkende, hochfrequente Spannungsteilung stors charakterisiert, gegenüber der Zeitkonstante bei im Transistor größer wird.

kleiner Stromdichte stark vergrößert, die Hoch- So erweisen sich Funktionsverläufe der Vorwärtsfrequenz-Stromverstärkung und damit auch die Vor- steilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom wärtssteilheit nehmen ab. 60 mit parabolischem bzw. näherungsweise parabolischem

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Verlauf in dem Bereich, der für die Aufwärtsregelung

stellen Abfall der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit in Frage kommt, als besonders vorteilhaft; besonders

vom Kollektorgleichstrom hinter dem Maximum zu in bezug auf geringe Kreuz- und Intermodulations-

verhindern. Auf Grund der vorangehenden Erklärung Verzerrungen. Solche vorteilhafte Funktionsverläufe

des Funktionsverlaufs der Vorwärtssteilheit über dem 65 zeigt F i g. 1B.

Kollektorgleichstrom wird nun bei einem Transistor Einen solchen vorteilhaften Funktionsverlauf kann

zur Verstärkungsregelung, insbesondere bei einem man bei Transistoren dadurch erzielen, daß die In-

Planar- oder Mesatransistor mit einer oder mehreren jektion von Ladungsträgern aus der Emitterzone an ver-

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schiedenen Stellen der Emitterzone unterschiedlich ist. taktierungsdrähte) 6 und 8 sind mit der Emitter- bzw, . Dadurch erreicht man, daß die Basisaufweitung ent- Baisleitbahn elektrisch leitend verbunden. Wie die lang dem Bais-Kollektor-pn-Übergang unterschied- F i g. 3 zeigt, ist die Emitterzone nur an einem Ende lieh groß ist. Um die Stromdichte in dem oder in den mit der Emitterleitbahn 5 kontaktiert, so daß durch Emitterzonen zu variieren, werden hei einem Transi- 5 den Spannungsabfall innerhalb der Emitterzone eine stör mit mehreren Emitterzonen die Einzelemitter- ungleichmäßige Ladungsträgerdichte von der Emitterzonen durch Widerstandsglieder miteinander verbun- zone in die Basis injiziert wird. Vorteilhaft wird man den. Solche Widerstände können aufgedampft werden, nur etwa ein Fünftel der Emitterzonenoberfläche oder oder sie werden ven der die Emitterzonen verbinden- einen noch geringeren Teil der Emitterzonenoberfläche den Emitterleitbahn selbst gebildet. Eine andere io mit der Emitterleitbahn kontaktieren. Eine Basis-Mcglichkeit, eine ungleichmäßige Stromdichte in der aufweitung erfolgt also zuerst an der Stelle des Kollek-Emitterzcne zu erzielen, besteht darin, daß eine tors, die sich unter dem kontaktierten Teil der Emitter-. streifcnföimige Emitterzone nur an einem Ende kon- zone befindet, da hier zuerst die Feldstärke in der taktiert wird. Durch diese nur teilweise Kontaktierung Kollektor-Basis-Raumladungszone durch die Ander Emitterzone wird, die Stromdichte in der Emitter- 15 Sammlung von Ladungsträgern abgebaut wird. Erst * zone unterschiedlich groß, da am Widerstand der bei höheren Stromdichten wird die Basis auch unter Emitterzone selbst Spannung abfällt, „dem nicht kontaktierten Teil der Emitterzone aufge-Auf das Zustandekommen der yorwärtssteilheits- .weitet. Die Basisaufweitung schreitet also bei zufunktien über dem Kollektorgleichstrom mit einem nehmendem Emitterstrom von rechts nach links in . gleitenden Abfall hinter dem Funktionsmaximum muß 20 Pfeilrichtung (Fig. 3) fort. In der Zeichnung wurde ; noch naher eingegangen werden, ... ein Transistor der Übersichtlichkeit halber mit nur I Fig. 2 zeigt ein Ersätzschaltbild ,einer erfindungs- einer Emitterzone dargestellt, es können jedoch auch gemäßen Tränsistoranordnung mit drei Einzelemitter- Transistoren mit mehreren Emitterzonen Verwendung zenen, wobei sich in den Emitterstrombahnen Wider- finden, wobei dann die streifenförmigen Einzelemitter-. stände zwischen den Einzelerhitterzonen befinden. In 25 zonen nur an einem Ende kontaktiert sind.
Fig. IC ist der Fünkticrisverlauf des partiellen .. Die Fig. 3a zeigt ein weiteres Ausführurtgs-(auf die Einzelemitterzone bezogen) Kollektorstroms ibeispiel mit nur einer Emitterzone. Allerdings ist hier über der Basis-Emittersteuerspannung aufgezeigt. Für ; die Emitterzone 3 nicht mehr streifenförmig, sondern jede Einzekmitterzone weist diese Funktion einen keilförmig ausgebildet. Durch diese Form ist der anderen Verlauf auf, da durch den Spannungsabfall 30 differentielle Längswiderstand der Emitterzone an der an den Widerständen jede Emitterzone eine höhere Kontaktierungsstelle sehr viel kleiner als am anderen Basis-Emitter-Eingangs-Spannung als die in den Ende. Der Spannungsabfall am differentiellen Wider-Emitterstrcmbahnen vorangehende Emitterzone be- stand nimmt also in Richtung der Emitterstrombahn nötigt, um den partiellen Sättigungsstrcm Ia zu er- stetig zu. Durch diese oder durch eine andere Fonrireichen. Leitet man diese Funktionsverläufe nach der 35 gebung der Emitterzone, auch durch Variation der Basis-Emitter-Spannung ab und trägt diese so ge- Stärke der Emitterzone kann ein vorgegebener Funkwennene Steilheit — die Vorwärtssteilheit des Transi- tionsverlauf der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorstors — über dem Gesamtkollektorgleichstrom auf, so gleichstrom erzielt werden.

erhält man für die Einzelemitterzone Funktions- Die F i g. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, verlaufe nsch Fig. ID. Diese partiellen Verläufe 40 Ein Planartransistor mit der Kollektorzone 1 ist mit müssen noch, wie dies in Fig. IE geschehen ist, drei Einzelemitterzonen 3 A, 3B, 3C versehen, die iür den Transistor zu einer Gesamtfunktion auf- auf ihrer ganzen Länge mit Leitbahnen kontaktiert . addiert werden. Nun sieht man, daß bei der Verwen- sind. Die Leitbahnen sind in Serie geschaltet und mit dung von nur drei Einzelemitterzonen der Funktions- Widerständen 10 zwischen den einzelnen Emitterverlauf in F i g. 1E nach dem Funktionsmaximum 45 leitbahnen verbunden. Dabei befinden sich die beinech sehr wellig ist. Hieraus wird verständlich, daß spielsweise aufgedampften Widerstände über der dieser Verlauf um so günstiger wird, je mehr Einzel- Kollektorzone auf einer den Halbleiterkörper be-. emitterzenen der Transistor aufweist. Diesem Ideal- deckenden, isolierenden Zwischenschicht 9. Das Ende fall kemmt man sehr nahe, wenn man eine lang- der Emitterleitbahn 3 A ist direkt mit dem Kontaktiegestreckte Einzelemitterzone nur an einem Ende kon- 50 rungsdraht 6 elektrisch leitend verbunden, während taktiert. Auf diese Weise erhält man einen gleich- die Emitterzonen 3B bzw. 3C über einen bzw. zwei mäßigen Spannungsabfall am differentiellen Eigen- Widerstände mit dem Kontaktierungsdraht 6 verwidersland der Emitterzone, so daß die Stromdichte in bunden sind. Es ist nun offensichtlich, daß die verder Emitterzone von der Kontaktierungsstelle aus- schiedenen Emitterzonen durch den Spannungsabfall gehend gleichmäßig abnimmt. Man kann nun der 55 an den zwischengeschalteten Widerständen 10 verEmitterzone eine solche Form und Stärke geben, daß schieden große Ströme führen. Die Leitbahn der ein gewünschter Funktionsverlauf erzielt wird. Emitterzone 3A wird den größten, die Leitbahn der Die Erfndung soll an Hand einiger Ausführungs- Emitterzone 3 C den kleinsten Strom führen. Vorteilbeispiele näher erläutert werden. hafterweise wird man die die Emitterzonen verbinden-F i g. 3 zeigt einen Planartransistor in der Drauf- 60 den Widerstände so dimensionieren, daß an jedem sieht und im Schnitt mit der Kollektorzone 1, der Einzelwiderstand bei maximaler Stromverstärkung ein Basiszone 2 und der Emitterzone 3. Die Halbleiter- ' Spannungsabfall von 1 bis 10 mV auftritt. So wird hier oberfläche ist mit Ausnahme der Kontaktierungs- wiederum eine Basisaufweitung aus den oben angefenster für die Basis- und Emitterzone von einer Oxyd- führten Gründen zuerst in dem Teil der Kollektorschicht 9, beispielsweise aus Siliziumoxyd (SiO₂), be- 65 Basis-Grenzschicht auftreten, die unter der Emitterdeckt. Die Basiszone 2 ist mit einer Basisleitbahn 7, zone 3 A liegt. Auch hier schreitet also die Basisdie streifenförmige Emitterzone 3 mit der Emitter- aufweitung bei wachsendem Emitterstrom von rechts leitbahn 5 kontaktiert. Die Zuführungsdrähte (Kon- nach links (in der Figur in Pfeilrichtung) fort.

F i g. 5 zeigt teils im Schnitt und teils in einer perspektivischen Ansicht eine Weiterentwicklung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3. Fünf Einzelemitterzonen 3 A, 3B, 3 C, 3D und 3E sind mit einer durchgehenden Emitterleitbahn 5 aus Widerstandsmaterial kontaktiert. Die Basiszone setzt sich aus einer hochdotierten und damit niederohmigen Zone la und einer schwachdotierten Zone 2b — vom gleichen Leitungstyp wie die Zone 2 a — zusammen. Die hochdotierte Zone 2 a erstreckt sich zwischen den Einzelemittern und verbindet die gleichfalls hochdotierten, mit Leitbahnen kontaktierten Basisgebiete miteinander und bildet so für die Basiszuleitung ein niederohmiges Leitraster. Die schwachdotierte Zone 2b dagegen umgibt die einzelnen Emitterzonen. Auf diese Weise erzielt man einen großen Stromverstärkungsfaktor bei sehr kleinem Basiszuleitungswiderstand. Die Teile der Emitterleitbahn, die zwischen den Einzelemitterzonen liegen und über Isolierpodeste 11 geführt sind, bilden selbst die die Emitterzonen verbindenden Widerstandsbrücken, so daß durch den Spannungsabfall an den Widerständen der Emitterleitbahn jede einzelne Emitterzone einen anderen Strom führt. Da die Emitterzone 3 A den größten Strom führt, wird auch hier wiederum in dem darunter befindlichen Teil der Kollektorzone eine Basisauf Weitung zuerst eintreten. Im Gegensatz zu der bekannten Overlay-Technik ist man bei dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel bestrebt, eine Emitterleitbahn mit einem vergleichsweise hohen Eigenwiderstand herzustellen. Zu diesem Zweck ist die Emitterleitbahn verhältnismäßig schmal und wird vorteilhaft aus Nickel-Chrom, aus Tantal oder aus Gemischen von Metalloxyden mit Metallen gebildet.

Durch die, mit wachsendem Emitterstrom in Pfeilrichtung fortschreitende Basisauf Weitung, die allen Ausführungsbeispielen gemeinsam ist, erhält man einen gleitenden Funktionsverlauf der Vorwärtssteilheit F₂₁ in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (Fig. 1 B) nach dem Funktionsmaximum. So erlauben die Regeltransistoren gemäß der Erfindung eine Verstärkungsregelung mit minimaler Kreuz- und Intermodulation.

ίο Eine Kombination der beiden Ausführungsbeispiele nach F i g. 3 und 4 zeigt Fig. 6. Die drei streifenförmigen Einzelemitterzonen 3 A, 3 B und 3 C sind nur an ihren Enden kontaktiert. Das Ende der Emitterzone 3 A ist direkt mit dem Zuführungsdraht 6 verbunden, das andere Ende der Emitterzone 3 A ist mit dem benachbarten Ende der Emitterzone 3B' über einen aufgedampften Widerstand 10 verbunden. Die anderen Emitterzonen sind, wie in Fig. 6 angedeutet ist, auf dieselbe Weise miteinander in Reihe ge-

ao schaltet. Durch diese Art der Emitterverbindung führen nicht nur die einzelnen Emitter verschieden große Ströme, sondern auch innerhalb einer Emitterzone ist die Stromdichte durch den Spannungsabfall in der streifenförmigen Emitterzone unterschiedlich.

Dieser doppelte Spannungsabfall, einmal in der Emitterzone selbst und das andere Mal an dem die Emitterzonen verbindenden Widerstand hat also auch auf die beschriebene Basisaufweitung eine doppelte Wirkung. So wird die Basisaufweitung im Kollektor im Bereich der Längsausdehnung der Emitter unterschiedlich sein, sie wird aber auch in den Kollektorbereichen unter den Emitterzonen von Bereich zu Bereich starke Unterschiede aufweisen.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (15)

Patentansprüche:

1. Transistor zur Verstärkungsregelung, insbesondere Planar- oder Mesatransistor, mit einer oder mehreren Emitterzonen, bei dem in den Bahnen der Emitterströme ein oder mehrere Widerstände vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Widerstände so in die Emitterstrombahnen geschaltet sind und ihre Werte so gewählt sind, daß die Injektion von Ladungsträgern aus der oder den Emitterzone(n) in die Basiszone an verschiedenen Stellen der Emitterzone(n) unterschiedlich ist, so daß ein vorgegebener Verlauf der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom erzielt wird.

2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch entsprechende Widerstände in den Bahnen der Emitterströme erzielte Funktionsverlauf der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorstrom parabolisch oder näherungsweise parabolisch ist.

3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Transistor mit mehreren Emitterzonen die Einzelemitter an Abzweigungen einer Widerstandskette angeschlossen sind.

4. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone(n) streifenförmig ausgebildet sind und daß deren Emitterfläche(n) nur an einem Ende der (des) Emitterstreifen(s) kontaktiert sind.

5. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelemitterzonen durch auf den Halbleiterkörper aufgedampfte Widerstandsschichten miteinander verbunden sind.

6. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelemitter durch eine aus Widerstandsmaterial bestehende Emitterleitbahn miteinander verbunden sind und daß die Widerstandskette durch die zwischen den Emitterzonen liegenden und über Isolierschichten geführten Leitbahnteile gebildet wird.

7. Transistor nach Anspruch 3 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die die Einzelemitter verbindende Widerstandskette sich auf der allen Zonen gemeinsamen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers auf einer die Kollektorzone bedeckenden, isolierenden Zwischenschicht befindet.

8. Transistor nach Anspruch 3, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß als isolierende Zwischenschicht zwischen Halbleitermaterial und Emitterleitbahn bzw. Widerslandskette Siliziumoxyd verwendet wird.

9. Transistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterleitbahn aus Nickel-Chrom, Tantal oder aus Gemischen von Metalloxyden und Metallen besteht.

10. Transistor nach Anspruch 3, 5, 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände zwischen den Emitterzonen so dimensioniert sind, daß an jedem Einzelwiderstand bei maximaler Stromverstärkung ein Spannungsabfall von 1 bis 10 mV auftritt.

11. Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekenn/eichnet, daß nicht mehr als ein Fünftel der Emitfcrfläche(n) mit der (den) zugehörigen Emitterleitbahn(cn) kontaktiert sind.

12. Transistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere streifenförmige, nur an

beiden Enden kontaktierte Einzelemitterzonen so in Reihe geschaltet sind, daß bezüglich der Emitterstrombahn jeweils das eine Ende eines Emitters direkt oder über einen Widerstand mit dem Anfang des benachbarten Emitters verbunden ist.

13. Transistor nach Anspruch 4 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der Emitterzone(n) — zur Erzeugung eines unterschiedlichen differenliellen Bahnwiderstandes — derart gewählt wird, daß ein vorgegebener Funktionsverlauf der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom erzielt wird.

14. Transistor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone(n) streifenförmig oder keilförmig ausgebildet ist (bzw. sind).

15. Transistor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone(n) unterschiedlich dick ist (sind).