DE1514880B2 - Transistor zur verstaerkungsregelung insbesondere planar oder mesa transistor - Google Patents

Transistor zur verstaerkungsregelung insbesondere planar oder mesa transistor

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DE1514880B2 DE19651514880 DE1514880A DE1514880B2 DE 1514880 B2 DE1514880 B2 DE 1514880B2 DE 19651514880 DE19651514880 DE 19651514880 DE 1514880 A DE1514880 A DE 1514880A DE 1514880 B2 DE1514880 B2 DE 1514880B2
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Description

bolisch ist.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch In vielen elektrischen Verstärkerschaltungen ist eine gekennzeichnet, daß bei einem Transistor mit meh- Regelung des Verstärkungsgrades, beispielsweise um reren Emitterzonen die Einzelemitter an Abzwei- Dämpfungsschwankungen in Übertragungskanälen gungen einer Widerstandskette angeschlossen sind. 25 auszugleichen, erforderlich. Ein allgemein bekanntes
4. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch Beispiel ist die Schwundregelung bei Rundfunk- und gekennzeichnet, daß die Emitterzone(n) streifen- Fernsehempfängern, durch die der Verstärkungsgrad förmig ausgebildet sind und daß deren Emitter- des Hochfrequenzteils so eingestellt wird, daß trotz fläche(n) nur an einem Ende der (des) Emitter- zeitlich und unter Umständen auch örtlich schwankenstreifen(s) kontaktiert sind. 30 dem Hochfrequenzeingangssignal das Ausgangssignal
5. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekenn- annähernd konstant bleibt. Dadurch arbeiten die nachzeichnet, daß die Einzelemitterzonen durch auf den folgenden Stufen optimal, und Übersteuerungen wer-Halbleiterkörper aufgedampfte Widerstandsschich- den vermieden. Ähnliche Anforderungen ergeben sich ten miteinander verbunden sind. auch bei der Abstimmung eines Empfängers auf ver-
6. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekenn- 35 schiedene Sender, die mit unterschiedlicher Feldstärke zeichnet, daß die Einzelemitter durch eine aus am Empfangsort einfallen.
Widerstandsmaterial bestehende Emitterleitbahn Zur Verstärkungsregelung kann prinzipiell jedes miteinander verbunden sind und daß die Wider- Übertragungselement mit nichtlinearem Übertragungsstandskette durch die zwischen den Emitterzonen maß verwendet werden. Weit verbreitet sind spezielle liegenden und über Isolierschichten geführten Leit- 40 Regelröhren, bei denen durch Änderung der Gitterbahnteile gebildet wird. vorspannung die Verstärkung gesteuert werden kann.
7. Transistor nach Anspruch 3 und 5, dadurch Die Verstärkungsregelung ist auch mit Transistoren gekennzeichnet, daß die die Einzelemitter verbin- durch Änderung des Arbeitspunktes möglich.
dende Widerstandskette sich auf der allen Zonen Bei Transistoren ist im Bereich großer Verstärkung
gemeinsamen Oberflächenseite des Halbleiterkör- 45 die Leistungsverstärkung näherungsweise
pers auf einer die Kollektorzone bedeckenden, iso- ν ~ I F I 2 Cl)
lierenden Zwischenschicht befindet. I a| >
8. Transistor nach Anspruch 3, 5, 6 und 7, da- wobei F21 die Vorwärtssteilheit bei der betreffenden durch gekennzeichnet, daß als isolierende Zwischen- Frequenz ist. F21 ist definiert als:
schicht zwischen Halbleitermaterial und Emitter- 50
leitbahn bzw. Widerstandskette Siliziumoxyd ver- IyI =
wendet wird.
übe
9. Transistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterleitbahn aus Nickel- Fig. IA zeigt den Verlauf der Vorwärtssteilheit Chrom, Tantal oder aus Gemischen von Metall- 55 über dem Kollektorgleichstrom bei den bisher üblichen oxyden und Metallen besteht. zur Verstärkungsregelung verwendeten Transistoren
10. Transistor nach Anspruch 3, 5, 6 und 7, mit hochohmiger Kollektorzone. Der Verlauf dieser dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände Funktion zeigt zwei Möglichkeiten, die Verstärkung zwischen den Emitterzonen so dimensioniert sind, zu regeln.
daß an jedem Einzelwiderstand bei maximaler 60 Man kann einmal vom jeweiligen Arbeitspunkt für
Stromverstärkung ein Spannungsabfall von 1 bis maximale Verstärkung ausgehen und den Kollektor-
10 mV auftritt. gleichstrom Ic herabsetzen. Dadurch verringert sich
11. Transistor nach Anspruch 4, dadurch ge- die Vorwärtssteilheit und damit auch die Verstärkung, kennzeichnet, daß nicht mehr als ein Fünftel der Dieses Verfahren bezeichnet man als Abwärtsregelung. Emitterfläche(n) mit der (den) zugehörigen Emitter- 65 Ein ausreichender Regelumfang wird hierbei erst bei leitbahn(en) kontaktiert sind. kleinen Kollektorströmen erreicht, wodurch sich der
12. Transistor nach Anspruch 4, dadurch ge- Aussteuerungsbereich verkleinert und die nichtlinearen kennzeichnet, daß mehrere streifenförmige, nur an Eigenschaften anwachsen, da bei kleinen Gleichstrom-
werten die Nichtlinearität der Kennlinien stark ausjjeprägt ist. Als weitere Nachteile kommen hinzu, daß sich die Aus- und Eingangsleitwerte des Transistors stark ändern, und bei kleinen Verstärkungswerten wird der Arbeitspunkt bei Temperaturänderungen instabil.
Bei der sogenannten Aufwärtsregelung wird der Kollektorgleichstrom Ic, ausgehend vom Arbeitspunkt für maximale Verstärkung, erhöht. Auch hierbei andem sich Ein- und Ausgangsleitwert ebenso wie die Rückwirkung, ίο
Nach dem Bericht »A Theory of Transistor Cutoff Frequency (/r) Falloff at High Current Densities« von C. T. Ki rk jr., erschienen in The IRE Transactions of the Professional Group on Electron Devices, Volume ED-9 Number 2, March 1962, kann die Abnahme der Vorwärtssteilheit | F211 auf folgende Weise erklärt werden: Von der Emitterzone werden Ladungsträger, beispielsweise Löcher, in die Basis injiziert und durchlaufen die homogen oder inhomogen •dotierte Basis nur auf Grund der Diffusionswirkung, ao Die Ladungsträger durchlaufen dann die Kollektor-Basis-Raumladungszone auf Grund des großen Spannungsgefälles sehr rasch. Die Laufzeit der Ladungsträger durch die Kollektor-Basis-Raumladungszone ist daher sehr viel kleiner als die durch Diffusion bewirkte Laufzeit durch die Basiszone.
Wenn man nun die Stromdichte und damit die Zahl ■der injizierten Ladungsträger erheblich erhöht, so wird die Kollektor-Basis-Raumladungszone mehr und mehr mit Ladungsträgern aufgefüllt bzw. »abgesättigt«, wodurch die die Ladungsträger beschleunigende Feldstärke abgebaut wird. Im Grenzfall wird die Ursprungliehe Raumladungszone feldfrei, und die Ladungsträger bewegen sich auch in dieser Zone nur noch •durch Diffusion. Dies kommt einer Aufweitung der -effektiven Basisweite gleich, und die Gesamtlaufzeit ■der Ladungsträger wird erheblich vergrößert. Die kritische Stromdichte für starke Basisauf Weitung ist:
= yll
(3)
ψ = effektive Stromdichte im Basis-Kollektor-
pn-Ubergang.
Film = Trägergeschwindigkeit in hohen Feldern
V ·
2 · 106 c—
see'
H0 = Kollektorgrunddotierung.
e = Elementarladung.
5<>
Beim Überschreiten einer bestimmten effektiven Stromdichte ergibt sich deshalb bei Transistoren mit schwachdotierter, hochohmiger Kollektorzone eine starke Basisaufweitung. Dadurch wird die Transistorzeitkonstante τ, die das Frequenzverhalten des Transistors charakterisiert, gegenüber der Zeitkonstante bei kleiner Stromdichte stark vergrößert, die Hochfrequenz-Stromverstärkung und damit auch die Vorwärtssteilheit nehmen ab.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den stellen Abfall der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom hinter dem Maximum zu verhindern. Auf Grund der vorangehenden Erklärung des Funkti ons Verlaufs der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorgleichstrom wird nun bei einem Transistor zur Verstärkungsregelung, insbesondere bei einem Planar- oder Mesatransistor mit einer oder mehreren Emitterzonen, bei dem in den Bahnen der Emitterströme ein oder mehrere Widerstände vorgesehen sind, erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß der oder die Widerstände so in die Emitterstrombahnen geschaltet sind und ihre Werte so gewählt sind, daß die Injektion von Ladungsträgern aus der oder den Emitterzone(n) in die Basiszone an verschiedenen Stellen der Emitterzone(n) unterschiedlich ist, so daß ein vorgegebener Verlauf der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom erzielt wird.
Es ist eine Schaltung zur Veränderung des Arbeitspunktes eines Transistors bekannt, bei der unter anderem auch in der Emitterzuleitung ein Widerstand vorhanden ist, durch den die Spannung und der Strom in einander entgegengesetzten Richtungen geändert wird, ohne daß die Verlustleistung geändert wird (vgl. britische Patentschrift 1053 273).
Es ist ferner bekannt, zur Vermeidung von ungleichmäßigen Injektionen von Ladungsträgern und der damit verbundenen ungleichmäßigen Überhitzung bei Leistungstransistoren mehrere Emitterelektroden über parallelgeschaltete, gleichgroße Widerstände an die Stromzuführung anzuschließen (vgl. französische Patentschrift 1 358 189).
Unter den Bahnen der Emitterströme versteht man bei dem vorliegenden Transistor alle vom Emitterstrom durchflossenen Teile, bevor dieser Strom in der Basiszone verschwindet. Die Emitterstrombahnen setzen sich also aus der oder den Emitterleitbahnen, den Emitterzonen selbst und den gegebenenfalls zwischen die Emitterzonen geschalteten Widerständen zusammen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei den bisher bekannten Transistoren der steile Abfall der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom hinter dem Maximum, den die Fig. IA zeigt, nachteilig ist und vor allem zu Kreuzund Intermodulationsverzerrungen führt.
Wie die Berechnung der Kreuzmodulations- bzw. der Intermodulationsgrößen zeigt, sind die Verzerrungseffekte proportional dem Verhältnis der zweiten Ableitung | F211" der Vorwärtssteilheit nach der Steuerspannung zur Vorwärtssteilheit selbst. Es hat 5·1(± so gezeigt, daß für den Anfangsregelbereich die Kreuz- bzw. Intermodulationseigenschaften dann am günstigsten sind, wenn der Übergang vom Maximum ^er Vorwärtssteilheit zu kleineren Weiten in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom I0 sehr »gleitend« ausgebildet ist und gleichzeitig der maximale Betrag der Vorwärtssteilheit möglichst groß ist. Dies erfordert zwar für den Anfangsregelbereich eine große Kollektorgleichstromänderung, jedoch kann die Vorwärtssteilheit einen nachfolgenden steileren Funktionsverlauf aufweisen, da bei größeren Kollektorgleichströmen die zulässige Störspannung durch eine sich günstig auswirkende, hochfrequente Spannungsteilung im Transistor größer wird.
So erweisen sich Funktionsverläufe der Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorgleichstrom mit parabolischem bzw. näherungsweise parabolischem Verlauf in dem Bereich, der für die Aufwärtsregelung in Frage kommt, als besonders vorteilhaft; besonders in bezug auf geringe Kreuz- und Intermodulations-Verzerrungen. Solche vorteilhafte Funktionsverläufe zeigt Fig. IB.
Einen solchen vorteilhaften Funktionsverlauf kann man bei Transistoren dadurch erzielen, daß die Injektion von Ladungsträgern aus der Emitterzone an ver-
5 6
schiedenen Stellen der Emitterzone unterschiedlich ist. taktierungsdrähte) 6 und 8 sind mit der Emitter- bzw, . Dadurch erreicht man, daß die Basisaufweitung ent- JBaisleitbahn elektrisch leitend verbunden. Wie die lang dem Bais-Kollektor-pn-Übergang unterschied- F i g. 3 zeigt, ist die Emitterzone nur an einem Ende lieh groß ist. Um die Stromdichte in dem oder in den mit der Emitterleitbahn 5 kontaktiert, so daß durch Emitterzonen zu variieren, werden bei einem Transi- 5 den Spannungsabfall innerhalb der Emitterzone eine stör mit mehreren Emitterzonen die Einzelemitter- ungleichmäßige Ladungsträgerdichte von der Emitterzonen durch Widerstandsglieder miteinander verbun- zone in die Basis injiziert wird. Vorteilhaft wird man den. Solche Widerstände können aufgedampft werden, nur etwa ein Fünftel der Emitterzonenoberfläche oder oder sie werden ven der die Emitterzonen verbinden- einen noch geringeren Teil der Emitterzonenoberfläche den Emitter leitbahn selbst gebildet. Eine andere io mit der Emitterleitbahn kontaktieren. Eine Basis-Mcglichkeit, eine ungleichmäßige Stromdichte in der aufweitung erfolgt also zuerst an der Stelle des Kollek-Emitterzone zu erzielen, besteht darin, daß eine tors, die sich unter dem kontaktierten Teil der Emitter-. streifenföimige Emitterzone nur an einem Ende kon- zone befindet, da hier zuerst die Feldstärke in der taktiert wird. Durch diese nur teilweise Kontaktierung Kollektor-Basis-Raumladungszone durch die Ander Emitterzone wird, die Stromdichte in der Emitter- 15 Sammlung von Ladungsträgern abgebaut wird. Erst " zone unterschiedlich groß, da am Widerstand der bei höheren Stromdichten wird die Basis auch unter Emitterzone selbst Spannung abfällt, .dem nicht kontaktierten Teil der Emitterzone aufge-. Auf das Zustandekommen der Vorwärtssteilheits- ;weitet. Die Basisaufweitung schreitet also bei zufunktien über dem Kollektorgleichstrom mit einem nehmendem Emitterstrom von rechts nach links in . gleitenden Abfall hinter dem Funktionsmaximum muß 20 Pfeilrichtung (F i g. 3) fort. Tn der Zeichnung wurde '_. noch näher eingegangen werden, . . ein Transistor der Übersichtlichkeit halber mit nur Fig. 2 zeigt ein Ersätzschaltbild einer erfindungs- einer Emitterzone dargestellt, es können jedoch auch gemäßen Transistoränordnung mit drei Einzelemitter- Transistoren mit mehreren Emitterzonen Verwendung zonen, wobei sich in den Emitterstrombahnen Wider- finden, wobei dann die streifenförmigen Einzelemitter-. stände zwischen den Einzelemitterzonen befinden. In 25 zonen nur an einem Ende kontaktiert sind.
Fig. IC ist der Funkticrisverlauf des partiellen . Die Fig. 3a zeigt ein weiteres Ausführungs-(auf die Einzelemitterzone bezogen) Kollektorstroms beispiel mit nur einer Emitterzone. Allerdings ist hier über der Basis-Emittersteuerspannung aufgezeigt. Für ; die Emitterzone 3 nicht mehr streifenförmig, sondern jede Einzelemitterzone weist diese Funktion einen keilförmig ausgebildet. Durch diese Form ist der anderen Verlauf auf, da durch den Spannungsabfall 30 differentielle Längswiderstand der Emitterzone an der an den Widerständen jede Emitterzone eine höhere Kontaktierungsstelle sehr viel kleiner als am anderen Basis-Emitter-Eingangs-Spannung als die in den Ende. Der Spannungsabfall am differentiellen Wider-Emitterstrcmbahnen vorangehende Emitterzone be- stand nimmt also in Richtung der Emitterstrombahn nötigt, um den partiellen Sättigungsstrcm Ia zu er- stetig zu. Durch diese oder durch eine andere Forrtireichen. Leitet man diese Funktionsverläufe nach der 35 gebung der Emitterzone, auch durch Variation der Basis-Emitter-Spannung ab und trägt diese so ge- Stärke der Emitterzone kann ein vorgegebener Funkwennene Steilheit — die Vorwärtssteilheit des TTansi- tionsverlauf der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorstors — über dem Gesamtkollektorgleichstrcm auf, so gleichstrom erzielt werden.
erhält man für die Einzelemitterzone Funktions- Die F i g. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, verlaufe nach Fig. ID. Diese partiellen Verläufe 4° Ein Planartransistor mit der Kollektorzone 1 ist mit müssen nech, wie dies iii Fig. IE geschehen ist, drei Einzelemitterzonen 3 A, 3B, 3 C versehen, die für den Transistor zu einer Gesamtfunktion auf- auf ihrer ganzen Länge mit Leitbahnen kontaktiert . addiert werden. Nun sieht man, daß bei der Verwen- sind. Die Leitbahnen sind in Serie geschaltet und mit dung von nur drei Einzelemitterzonen der Funktions- Widerständen 10 zwischen den einzelnen Emitterverlauf in F i g. 1E nach dem Funktionsmaximum 45 leitbahnen verbunden. Dabei befinden sich die beinech sehr wellig ist. Hieraus wird verständlich, daß spielsweise aufgedampften Widerstände über der dieser Verlauf um so günstiger wird, je mehr Einzel- Kollektorzone auf einer den Halbleiterkörper beemitterzenen der Transistor aufweist. Diesem Ideal- deckenden, isolierenden Zwischenschicht 9. Das Ende fall kemmt man sehr nahe, wenn man eine lang- der Emitterleitbahn 3A ist direkt mit dem Kontaktie-. gestreckte Einzelemitterzone nur an einem Ende kon- 50 rungsdraht 6 elektrisch leitend verbunden, während taktiert. Auf diese Weise erhält man einen gleich- die Emitterzonen 3B bzw. 3C über einen bzw. zwei mäßigen Spannungsabfall am differentiellen Eigen- Widerstände mit dem Kontaktierungsdraht 6 verwidersiand der Emitterzone, so daß die Stromdichte in bunden sind. Es ist nun offensichtlich, daß die verder Emitterzone von der Kontaktierungsstelle aus- schiedenen Emitterzonen durch den Spannungsabfall gehend gleichmäßig abnimmt. Man kann nun der 55 an den zwischengeschalteten Widerständen 10 verEmitterzone eine solche Form und Stärke geben, daß schieden große Ströme führen. Die Leitbahn der ein gewünschter Funktionsverlauf erzielt wird. Emitterzone 3 A wird den größten, die Leitbahn der Die Erfndung soll an Hand einiger Ausführungs- Emitterzone 3 C den kleinsten Strom führen. Vorteilbeispiele näher erläutert werden. hafterweise wird man die die Emitterzonen verbinden-F i g. 3 zeigt einen Planartransistor in der Drauf- 60 den Widerstände so dimensionieren, daß an jedem sieht und im Schnitt mit der Kollektorzone 1, der Einzelwiderstand bei maximaler Stromverstärkung ein Basiszone 2 und der Emitterzone 3. Die Halbleiter- Spannungsabfall von 1 bis 10 mV auftritt. So wird hier Oberfläche ist mit Ausnahme der Kontaktierungs- wiederum eine Basisaufweitung aus den oben angefenster für die Basis- und Emitterzone von einer Oxyd- führten Gründen zuerst in dem Teil der Kollektorschicht 9, beispielsweise aus Siliziumoxyd (SiO2), be- 65 Basis-Grenzschicht auftreten, die unter der Emitterdeckt. Die Basiszone 2 ist mit einer Basisleitbahn 7, zone 3 A liegt. Auch hier schreitet also die Basisdie streifenförmige Emitterzone 3 mit der Emitter- aufweitung bei wachsendem Emitterstrom von rechts Jeitbahn 5 kontaktiert. Die Zuführungsdrähte (Kon- nach links (in der Figur in Pfeilrichtung) fort.
F i g. 5 zeigt teils im Schnitt und teils in einer perspektivischen Ansicht eine Weiterentwicklung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3. Fünf Einzelemitterzonen 3 A, 3 B, 3 C, 3D und 3E sind mit einer durchgehenden Emitterleitbahn 5 aus Widerstandsmaterial kontaktiert. Die Basiszone setzt sich aus einer hochdotierten und damit niederohmigen Zone la und einer schwachdotierten Zone 2b — vom gleichen Leitungstyp wie die Zone 2 a — zusammen. Die hochdotierte Zone 2a erstreckt sich zwischen den Einzelemittern und verbindet die gleichfalls hochdotierten, mit Leitbahnen kontaktierten Basisgebiete miteinander und bildet so für die Basiszuleitung ein niederohmiges Leitraster. Die schwachdotierte Zone 2b dagegen umgibt die einzelnen Emitterzonen. Auf diese Weise erzielt man einen großen Stromverstärkungsfaktor bei sehr kleinem Basiszuleitungswiderstand. Die Teile der Emitterleitbahn, die zwischen den Einzelemitterzonen liegen und über Isolierpodeste 11 geführt sind, bilden selbst die die Emitterzonen verbindenden Widerstandsbrücken, so daß durch den Spannungsabfall an den Widerständen der Emitterleitbahn jede einzelne Emitterzone einen anderen Strom führt. Da die Emitterzone 3 A den größten Strom führt, wird auch hier wiederum in dem darunter befindlichen Teil der Kollektorzone eine Basisaufweitung zuerst eintreten. Im Gegensatz zu der bekannten Overlay-Technik ist man bei dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel bestrebt, eine Emitterleitbahn mit einem vergleichsweise hohen Eigenwiderstand herzustellen. Zu diesem Zweck ist die Emitterleitbahn verhältnismäßig schmal und wird vorteilhaft aus Nickel-Chrom, aus Tantal oder aus Gemischen von Metalloxyden mit Metallen gebildet.
Durch die, mit wachsendem Emitterstrom in Pfeilrichtung fortschreitende Basisaufweitung, die allen Ausführungsbeispielen gemeinsam ist, erhält man einen gleitenden Funktionsverlauf der Vorwärtssteilheit F21 in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (Fig. 1 B) nach dem Funktionsmaximum. So erlauben die Regeltransistoren gemäß der Erfindung eine Verstärkungsregelung mit minimaler Kreuz- und Intermodulation.
ίο Eine Kombination der beiden Ausführungsbeispiele nach F i g. 3 und 4 zeigt Fig. 6. Die drei streifenförmigen Einzelemitterzonen 3 A, 3 B und 3 C sind nur an ihren Enden kontaktiert. Das Ende der Emitterzone 3A ist direkt mit dem Zuführungsdraht 6 verbunden, das andere Ende der Emitterzone 3 A ist mit dem benachbarten Ende der Emitterzone 3B' über einen aufgedampften Widerstand 10 verbunden. Die anderen Emitterzonen sind, wie in F i g. 6 angedeutet ist, auf dieselbe Weise miteinander in Reihe geschaltet. Durch diese Art der Emitterverbindung führen nicht nur die einzelnen Emitter verschieden große Ströme, sondern auch innerhalb einer Emitterzone ist die Stromdichte durch den Spannungsabfall in der streifenförmigen Emitterzone unterschiedlich.
Dieser doppelte Spannungsabfall, einmal in der Emitterzone selbst und das andere Mal an dem die Emitterzonen verbindenden Widerstand hat also auch auf die beschriebene Basisaufweitung eine doppelte Wirkung. So wird die Basisaufweitung im Kollektor im Bereich der Längsausdehnung der Emitter unterschiedlich sein, sie wird aber auch in den Kollektorbereichen unter den Emitterzonen von Bereich zu Bereich starke Unterschiede aufweisen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
ono cno/oi η

Claims (2)

1 2 Patentansprüche· beiden Enden kontaktierte Einzelemitterzonen so 'ä .'·: . in Reihe geschaltet sind, daß bezüglich" eier Emitter-
1. Transistor zur Verstärkungsregelung, insbe- strombahn jeweils das eine Ende eines Emitters sondere Planar- oder Mesatransistor, mit einer direkt oder über einen Widerstand mit dem Anfang oder mehreren Emitterzonen, bei dem in den 5 des benachbarten Emitters verbunden ist.
Bahnen der Emitterströme ein oder mehrere Wider- 13. Transistor" nach Anspruch 4 oder 12, dastände vorgesehen sind, dadurch gekenn- durch gekennzeichnet, daß die Form der Emitterzeichnet, daß der oder die Widerstände so zone(n) — zur Erzeugung eines unterschiedlichen in die Emitterstrombahnen geschaltet sind und differentiellen Bahnwiderstandes — derart gewählt ihre Werte so gewählt sind, daß die Injektion von io wird, daß ein vorgegebener Funktionsverlauf der Ladungsträgern aus der oder den Emitterzone(n) Vorwärtssteilheit in Abhängigkeit vom Kollektorin die Basiszone an verschiedenen Stellen der gleichstrom erzielt wird.
Emitterzone(n) unterschiedlich ist, so daß ein vor- 14. Transistor nach Anspruch 13, dadurch gegegebener Verlauf der Vorwärtssteilheit in Abhän- kennzeichnet, daß die Emitterzone(n) streifengigkeit vom Kollektorgleichstrom erzielt wird. 15 förmig oder keilförmig ausgebildet ist (bzw. sind).
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 15. Transistor nach Anspruch 13, dadurch gezeichnet, daß der durch entsprechende Widerstände kennzeichnet, daß die Emitterzone(n) unterschiedin den Bahnen der Emitterströme erzielte Funk- lieh dick ist (sind).
tionsverlauf der Vorwärtssteilheit über dem Kollektorstrom parabolisch oder näherungsweise para- 20
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