DE1935862B2 - Kettenverstaerker mit feld effekt transistoren - Google Patents
Kettenverstaerker mit feld effekt transistorenInfo
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101500021084 Locusta migratoria 5 kDa peptide Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Kettenverstärker mit Feld-Effekt-Transistoren.
Bekannte Kettenverstärker dieser Art haben eine Eingangslaufzeitkette, die an einem Ende den
Signaleingang aufweist und am anderen Ende durch ihren Wellenwiderstand abgeschlossen ist, und eine
Ausgangslaufzeitkette, die beidseitig durch ihren Wellenwiderstand abgeschlossen ist, wobei zwischen
die beiden Laufzeitketten eine Anzahl von Verstärkerelementen geschaltet ist. Sowohl die beiden Laufzeitketten
als auch die Verstärkerelemente bestehen bei diesen Kettenverstärkern aus diskreten Bauelementen.
In diesem Zusammenhang ist es auch bekannt, als Verstärkerelemente Feld-Effekt-Transistoren
zu benutzen.
Sodann kennt man Feld-Effekt-Transistoren mit einer zweiten Steuerelektrode, die auf einem konstanten
Gleichspannungspotential liegt, um die Rückwirkung zu verringern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Kettenverstärker anzugeben, der einen sehr einfachen,
für eine rationelle Serienfertigung geeigneten Aufbau besitzt und insbesondere in integrierter Technik hergestellt
werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kettenverstärker dadurch aus einem
einzigen Feld-Effekt-Transistor gebildet ist, daß dessen Elektroden derart streifenförmig gestaltet
sind, daß durch die Steuerelektrode die Eingangsleitung und durch die Ausgangselektrode die Ausgangsleitung
des Kettenverstärkers gebildet ist.
Bei diesem Kettenverstärker haben die Elektroden jeweils eine doppelte Funktion. Sie bilden einerseits
die Eingangs- bzw. Ausgangslaufkette des Kettenverstärkers und dienen andererseits der Verstärkung.
Die die Eingangsleitung bildende Steuerelektrode und die als Ausgangsleitung dienende Ausgangselektrode
kann jeweils als Kettenleiter mit homogen verteilten Widerstands-, Ableitungs- und Kapazitätsbelägen aufgefaßt
werden. Bezüglich der Verstärkung können die streifenförmigen Elektroden als homogen verteilte
Verstärkerelemente aufgefaßt werden.
Besonders günstig ist es, wenn zur bekannten Verringerung der Rückwirkung durch Verwendung einer
zweiten auf einem konstanten Gleichspannungspotential liegenden Steuerelektrode auch diese zweite
Steuerelektrode streifenförmig ausgebildet ist.
Zur Kompensation der Leitungsdämpfung ist es empfehlenswert, die die Eingangsleitung und die
Ausgangsleitung bildenden Elektrodenflächen entsprechend keilförmig zu gestalten.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die streifenförmigen Elektroden mäanderförmig angeordnet.
Auf diese Weise erzielt man unter guter Flächenausnutzung einen langen Kettenleiter und eine große
Gesamtverstärkung.
Solche Kettenverstärker lassen sich leicht in integrierter Technik herstellen. Durch den besonders einfachen
Aufbau ergeben sich gegenüber den bekannten Ausführungen beträchtliche Kosten- und Platzersparnisse.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher
erläutert. Es zeigt
Fig. la einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen
Kettenverstärker,
Fig. Ib einen Aufriß dieses Kettenverstärkers mit
schematisch angedeuteten Anschlüssen,
F i g. 2 in schematischer Darstellung einen Aufriß einer abgewandelten Form des erfindungsgemäßen
Kettenverstärkers und
F i g. 3 den topologischen Entwurf einer weiteren Ausführungsform eines Kettenverstärkers nach der
Erfindung.
In F i g. 1 a ist in schematischer und stark vergrößerter Darstellung der Querschnitt eines Feld-Effekt-Transistors
mit zwei isolierten Gate-Elektroden
ίο gezeigt. Vom halbleitenden Substrat ausgehend sind
drei p- oder η-leitende Zonen (Source — Mittelzone — Drain) mit den Querschnitten bD und hD
eindiffundiert. Die Mittelzone bildet für den linken Teil die Drain- und für den rechten Teil die Source-Elektrode
und benötigt keine Zuleitung. DieSource- und Drain-Zonen sind mit den metallischen Zuleitungselektroden
S und D verbunden und durch die in F i g. 1 a gekreuzt schraffiert dargestellte Schicht
voneinander isoliert. Zwischen den Zonen befinden
ao sich die beiden Kanäle 1 und 2, denen durch die isolierende Schicht getrennt gegenüberliegend die metallischen
Gate-Elektroden G1 und G 2 angeordnet sind. Fig. Ib zeigt eine Aufsicht des Kettenverstärkers
mit schematisch angedeuteten Anschlüssen. Für die Verstärkung ist die Gesamtlänge L sowie die räumlichen
Abmessungen maßgebend. Es ist zu beachten, daß die Zuführung der zu verstärkenden Eingangsspannung UE zwischen Source- und Gate-1-Elektrode
erfolgt und diese Eingangsleitung am Ende mit dem dem Wellenwiderstand entsprechenden Wert mit dem
Widerstand 7 abgeschlossen ist. Die Eingangslaufzeitkette wird durch die Drain-Elektrode gebildet und
diese ist, wie in F i g. 1 b schematisch angedeutet, mit dem der Ausgangslaufzeitkette entsprechenden Wellenwiderstand
11 und 12 beidseitig abgeschlossen. Aus F i g. 1 b ist noch zu erkennen, daß die Gate-2-Elektrode
mit einer konstanten Gleichspannung zur Entkopplung der Ausgangs- und Eingangslaufzeitkette
gespeist ist.
Die Erfindung geht von der Tatsache aus, daß in konsequenter Weiterverfolgung der an sich bekannten
Schaltungsanordnung eines Kettenverstärkers mit einem /?C-Kettenleiter bei homogen verteiltem RC-Belag
ein Kabel erhalten wird. Die kontinuierliche Aneinanderreihung von kleinsten Teilstücken eines
Feld-Effekt-Transistors mit isolierten Gittern, so wie in Fig. la und 1 b dargestellt, mit den differenziellen
Kapazitäten und differenziellen Serien-Widerständen sowie Ableit-Widerständen ergibt über die Gesamtlänge
L gesehen, einen homogenen Kettenleiter. Jedes Teilstück wirkt auf Grund des Aufbaues entsprechend
F i g. 1 a als Verstärkerelement mit einem differenziellen Übertragungsleitwert. Unter dem Begriff Ubertragungsleitwert
(auch Übertragungskonduktanz) ist ein Wert zur Kennzeichnung der Übertragungseigenschaften
eines aktiven Verstärkerelementes zu verstehen (vgl. auch beispielsweise G. Wunsch: Theorie
und Anwendung linearer Netzwerke, Teil a, Akademische Verlagsgesellschaft Leipzig, 1961).
Auf der Ausgangsleitung, die sich ebenfalls aus den differenziellen Widerständen und Kapazitäten zusammensetzt,
addieren sich am Abschlußwiderstand 11 die verstärkten Signale entsprechend der Summe
des differenziellen Übertragungsleitwertes über die Gesamtlänge L.
In F i g. 2 ist in schematischer Darstellung ein Aufriß einer abgewandelten Form des erfindungsgemäßen
Kettenverstärkers zur Aufhebung der Dämp-
fung gezeigt. Durch kontinuierliche Veränderung der Kanalabmessungen des Feld-Effekt-Halbleiters, d. h.
also durch Veränderung der in Fig. 2 im Abstand Ll
bzw. Ll gezeigten Abmessungen bGll, bDv bGv2 und
bni ist es möglich, den Übertragungsleitwert so zu
verändern, daß die Dämpfung, bedingt durch den Längswiderstand, aufgehoben wird. Dieser Effekt
kann, wie in F i g. 2 gezeigt, z. B. bei konstantem Kanalquerschnitt durch kontinuierliche Veränderung
des Querschnittes und damit des Widerstandes der Gate-1-EIektrode und der Drain-Elektrode erfolgen.
Selbstverständlich ist es jedoch in weiterer Ausgestaltung der Erfindung auch möglich, bei konstanter
Breite der Elektroden die Dicke und damit ebenfalls den Querschnitt zu verändern. Dies geht auch aus
dem in F i g. 1 a gezeigten Querschnitt hervor. Bei konstanter Breite bG bzw. bD kann die Dicke h0
bzw. hD kontinuierlich verändert werden. Darüber
hinaus ist es jedoch auch möglich, bei konstanten Abmessungen den Leitwert der Elektroden entspre- ao
chend kontinuierlich zu verändern. Dies kann z. B. bei der Drain-Elektrode durch verschiedene Diffusionen
erreicht werden.
Eine Verwirklichung eines erfindungsgemäßen Kettenverstärkers in integrierter Technik ist als
MOSFET oder aber auch in Dünnfilmtechnik sehr leicht möglich. F i g. 3 zeigt den topologischen Entwurf
eines solchen erfindungsgemäßen integrierten Feld-Effekt-Kettenverstärkers in Differenzschaltung
und läßt den besonders einfachen Aufbau erkennen.
Zur Erzielung eines möglichst langen Kettenleiters und großer Gesamtverstärkung ist eine mäanderförmige
Anordnung gewählt. Die Abschlußwiderstände 7, 11 und 12 sind im gezeichneten Beispiel durch Diffusion
mit Sperrschichtisolation direkt an den Enden der Leitung am selben Substrat aufgebracht, ebenso
der zur Erzeugung der konstanten Spannung für die Gate-2-Elektrode notwendige Widerstand 22 und die
Z-Diode 24. Zur Erzielung einer guten Gleichtaktunterdrückung ist im gezeigten Beispiel in F i g. 3 in
bekannter Weise ein als gemeinsamer Quellenwiderstand wirkender MOSFET 26 in Konstantstromschaltung
vorgesehen. Dieser ist ebenfalls am gleichen Substrat aufgebracht. Die Konstantstromwirkung wird
durch Festhaltung der Gate-Elektrode G des MOSFET auf konstantem Potential erhalten.
Dies wird durch den Widerstand 27 und die Z-Diode, die ebenfalls durch Diffusion am gleichen
Substrat erzeugt wird, erreicht. Der MOSFET 26 wird dabei zweckmäßigerweise als Anreicherungstype
mit Dioden-Charakteristik, dessen Schwellspannung gleich der Z-Spannung der Z-Diode 25 ist, ausgeführt.
Selbstverständlich kann jedes bekannte Verfahren zur Herstellung von MOSFET's und Dünnfilmtransistoren
in gleicher Weise angewendet werden.
Claims (4)
1. Kettenverstärker mit Feld-Effekt-Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kettenverstärker dadurch aus einem einzigen Feld-Effekt-Transistor gebildet ist, daß dessen
Elektroden derart streifenförmig gestaltet sind, daß durch die Steuerelektrode die Eingangsleitung
und durch die Ausgangselektrode die Ausgangsleitung des Kettenverstärkers gebildet ist.
2. Kettenverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur bekannten Verringerung
der Rückwirkung durch Verwendung einer zweiten, auf einem konstanten Gleichspannungspotential
liegenden Steuerelektrode auch diese zweite Steuerelektrode streifenförmig ausgebildet ist.
3. Kettenverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation
der Leitungsdämpfung die die Eingangsleitung und die Ausgangsleitung bildenden Elektrodenflächen
entsprechend keilförmig gestaltet sind.
4. Kettenverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die streifenförmigen
Elektroden mäanderartig angeordnet sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT744168A AT280348B (de) | 1968-07-30 | 1968-07-30 | Integrierter Feld-Effekt-Kettenverstärker |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1935862A1 DE1935862A1 (de) | 1970-02-05 |
DE1935862B2 true DE1935862B2 (de) | 1971-07-01 |
Family
ID=3596080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691935862 Pending DE1935862B2 (de) | 1968-07-30 | 1969-07-15 | Kettenverstaerker mit feld effekt transistoren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3564442A (de) |
AT (1) | AT280348B (de) |
DE (1) | DE1935862B2 (de) |
GB (1) | GB1271836A (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3806772A (en) * | 1972-02-07 | 1974-04-23 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled amplifier |
JPS5546068B2 (de) * | 1973-05-22 | 1980-11-21 | ||
US4001711A (en) * | 1974-08-05 | 1977-01-04 | Motorola, Inc. | Radio frequency power amplifier constructed as hybrid microelectronic unit |
JPS57133712A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Fujitsu Ltd | Constituting method of delay circuit in master slice ic |
US4419632A (en) * | 1981-12-11 | 1983-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Bias circuit for microwave FETs |
US4486719A (en) * | 1982-07-01 | 1984-12-04 | Raytheon Company | Distributed amplifier |
US4918401A (en) * | 1985-09-30 | 1990-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Step adjustable distributed amplifier network structure |
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US5012203A (en) * | 1989-12-27 | 1991-04-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Distributed amplifier with attenuation compensation |
DE4335132A1 (de) * | 1993-10-15 | 1995-04-20 | Saur Brosch Roland | Breitband-Verstärkerschaltung |
-
1968
- 1968-07-30 AT AT744168A patent/AT280348B/de not_active IP Right Cessation
-
1969
- 1969-02-13 US US798878A patent/US3564442A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-07-15 DE DE19691935862 patent/DE1935862B2/de active Pending
- 1969-07-16 GB GB35806/69A patent/GB1271836A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1935862A1 (de) | 1970-02-05 |
GB1271836A (en) | 1972-04-26 |
US3564442A (en) | 1971-02-16 |
AT280348B (de) | 1970-04-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |