DE2520283C3

DE2520283C3 - Monostabiler Multivibrator

Info

Publication number: DE2520283C3
Application number: DE2520283A
Authority: DE
Inventors: Tadao Tokio Yoshida
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-05-07
Filing date: 1975-05-07
Publication date: 1981-02-05
Also published as: ES437513A1; FR2270720A1; AT373726B; DE2520283A1; CA1019075A; DE2520283B2; GB1505118A; JPS5711147B2; JPS50142171A; US4042944A; NL7505425A; ATA336975A; AU8064975A; FR2270720B1

Description

h_Pr =

I -

Der Faktor \ ergibt sich aus folgender Gleichung:

α* bezeichnet hierbei den Kollektor-Stromverstärkungsfaktor, β den Basis-Übertragungswirkungsgrad r. und γ den Emitter-Injektionswirkungsgrad.

Wenn der Emitter-Injektionswirkungsgrad γ eines NPN-Transistors betrachtet wird, ergibt sich γ durch folgende Gleichung (3)

Die Erfindung betrifft einen monostabilen Multivibrator entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Ein Multivibrator dieser Art ist aus der US-PS JO 18 392 bekannt. Das bei diesem Multivibrator verwendete Halbleiterelement hat 14 verschiedene Halbleiterbereiche und ist damit im Aufbau kompliziert.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen monostabilen Multivibrator zu schaffen, der bei möglichst einfachem Schaltungsaufbau einen Ausgangsimpuls mit steilen Flanken liefert.

Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs T angegebenen Merkmale. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Der vorgeschlagene Multivibrator hat einen in besonderer Weise ausgebildeten Bipolartransistor, dessen Stromverstärkungskennlinie in Emitterschaltung /u einem Minimum symmetrisch ausgebildet ist, so daß bei geeigneter Wahl des Argeitspunktcs ein Ausgangsimpuls mit steilen Flanken erhalten werden kann.

Die F.rfindung wird nachstehend anhand der Fig. 1 bis 7 beispielsweise crliiuieri. Fs zeigt

Fig. I einen Querschnitt eines Bipolartransistors mit vier Anschlüssen.

/„ stellt hierbei die Stromdichte der vom Emitter in die Basis des Transistors injizierten Elektronen und /_;, die Stromdichte der von der Basis in den Emitter des Transistors injizierten Löcher dar.

/„ bzw. /,, lassen sichr durch die Gleichung (4) bzw. (5) ciarstellen.

■'

Das Verhältnis λ zwischen J_n und J_p Hißt sich durch die Gleichung (6) ausdrücken

Hierbei ·.!...! / di<. Dillusionslänge der Minoritätsträger in der Basis des Transistors, /.,, die Diffusionslange der Minoritiitstriiger im F.mitter des Transistors D_n die Diffusionskonstante der Minnritätsträger in der Basis,

D₁, die PiffusionskonMante der Minoritätsträger im Emitter, n_n die Konzentration der Minoritätsträger in der Basis während des Gleichgewichtszustands, p„ die Minoritätsträger-Konzentration im Emitter während des Gleichgewichtszustands, V eine an die Emittergrenzschicht des Transistors angelegte Spannung, k die Boltzmann-Konstante, T die Temperatur und q der Absolutwert der Elektronenladung.

Unter der Voraussetzung, daß die Störsiellenkonzentration im Emitter des Transistors mit Nn und die Störstellenkonzentration in der Basis des Transistors mit /V > bezeichnet werden, läßt sich der Ausdruck

Pn

"p
durch den Ausdruck

N_A
N_n

ersetzen. Da außerdem L_n durch die Basisbveite W begrenzt ist und L_n= W, läßt sich das Verhältnis δ folgendermaßen wiedergeben:

Die Diffusionskonstanten D_n und D_n sind Funktionen der Trägerübertragung und der Temperatur und werden in diesem Fall als im wesentlichen konstant angenommen.

Aus den vorstehenden Gleichungen ergibt sich, daß zur Erhöhung des Stromverstärkungsfaktors hn: eines Transistors es ausreicht, das Verhältnis δ klein zu gestalten.

In einem gewöhnlichen Transistor wird daher die Störstellenkonzentration No seines Emitters hoch genug gewähl', so daß das Verhältnis δ klein wird.

Wenn jedoch die Störstellenkonzentration des Emitters ausreichend hoch gewählt wird und beispielsweise mehr als 10" Atome/cm³ beträgt, treten Gitterfehler und Versetzungen im Kristall des Halbleiterkörpers des Transistors auf und verschlechtern den Kristall. Aufgrund deT Tatsache, daß die Stöntellenkonzentration im Emitter selbst hoch ist, wird die Lebensdauer der von der Basis in den Emitter injizierten Minoritätsträger klein.

Die Diffusionslänge Lp, läßt sich durch folgende Gleichung (8) ausdrucken:

^Lp ⁼

Demnach wird die Diffusionslänge L_n der Minoritätsträger oder Löcher klein. Aus Gleichung (7) ergibt sich somit, daß δ nicht sehr klein gemacht werden kann und somit der Injektionswirkungsgrad γ nicht über einen bestimmten Wert erhöht werden kann. Der Stromverstärkungsfaktor hir wird daher nicht so hoch sein wie bei einem gewöhnlichen Transistor.

Fig. I zeigt einen NPN-Halbleiter mit drei Anschlüssen und einem ersten Halbleiterbereich 1 mit N -Leitung, welcher in einem Halbleitersubstrat S mit N · -Leitung ausgebildet ist, einem zweiten Halbleiterbereich 2 mit P-Leitung, welcher in dem Halbleitersubstrat 5 neben dem ersten Bem~h I liegt, sowie einem dritten Halbieiterbereich 3 mit N Leitung, der im Substrat 5 neben dem zweiten Bereich 2 angeordnet ist; auf diese Weise werden ein erster PN-Übergung Λ /wischen dem ersten und zweiten Bereich 1 bzw. 2 sowie ein zweiter PN-Übergang /< zwischen dem /weiten und dritten Bereich 2 bzw. 3 hervorgerufen.

Bei dem in Fig. 1 dargestellten Halbleiter \wrd eine Potentialbarriere gebildet, die dem ersten Übergang // unter Einhaltung eines Abstands gegenüberliegt, der kleiner als die Diffusionslünge L₁, der vom zweiten Bereich 2 in den ersten Bereich 1 injizierten Minoritätsträger oder Löcher ist: diese Potentialbarricre weist eine höhere Energie als die Minoritäuiräger oder Löcher oder wenigstens die Wärmeenergie auf und wird im ersten Bereich ! hervorgerufen. Bei dem Beispiel gemäß Fig. 1 wird die Störstellenkonzentration im ersten Bereich I ausreichend niedrig gewählt, beispielsweise in der Größenordnung von 10¹· Atome/ cm¹; außerdem wird ein Bereich la mit N · -Leitung oder einer Störstellenkonzentration von etwa !0¹⁹AtO-me/cm' im ersten Bereich 1 gebildet, um einen LH-Übergang /;;zu erzeugen und son«; die Barriere zu bilden.

Die Störstellenkonzentration im zweiten Bereich 2 wird in der Größenordnung von I0¹⁵ bis IO^l?.-\tome/cm^J und die im dritten Bereich 3 ausreichend niedrig, beispielsweise in der Größenordnung von 10" Atome/cm³, gewählt

In dem Halbleitersubstrat 5 neben dem dritten Bereich 3, jedoch in Abstand zum zweiten Übergang ]₍, ist ein Bereich 3a mit N⁺-Leitung und mit einer Störstelienkonzentration von etwa WAtome/cm' gebildet.

Eine erste Elektrode 4£ wird auf dem im Bereich 1 ausgebildeten Bereich la hoher Störstellenkonzentration in Ohmschem Kontakt zum Bereich la angeordnet; eine zweite Elektrode 4ß wird auf dem zweiten Bereich 2 in Ohmschem Kontakt zu letzterem und eine dritte Elektrode 4C auf dem neben dem dritten Bereich 3 liegenden Bereich 3a hoher Störstellenkonzentralion in Ohmschem Kontakt zu diesem Bereich angeordnet. Von diesen Elektroden 4E,4ß und 4C werden ein erster bzw. zweiter bzw. dritter Anschluß E bzw. ö bzw. C weggeführt. In Fig. 1 bezeichnet die Ziffer 5 eine Isolierschicht aus beispielsweise SiOj, die auf der Oberfläche des Substrats 2 angeordnet ist.

Das in F i g. 1 dargestellte Halbleiterbauelement kann als Transistor verwendet werden. In diesem Fall dient der erste Bereich 1 als Emitterbereich, der zweite Bereich 2 als Basisbereich und der dritte Bereich als Kollektorbereich; eine Vorspannung in Durchlaßrichtung wird an den Emitterübergang // und eine Sperr-Vorspannung an den Kollektorübergang /, angelegt. Die von der Basis oder dem zweiten Bereich 2 in den emitter oder ersten Bereich 1 injizierten Löcher besitzen eine lange Lebensdauer, da der Emitterbereirh 1 niedrige Störstellenkonzentration und gute Kristalleigenschaft aufweist; infolgedessen wird die Diffusionslänge Lp der Löcher im Emitterbereich 1 groß. Aus den Gleichungen (6) uH (3) ergibt sich somit, daß der Emitter-Injektionswirkungsgrad γ hoch sein kann. Wurde jedoch die Diffusionslänge JL,, auf einen großen Wert festgelegt, könnte sie in Wirhchkeit nicht groß sein, wenn die in den Emitterbereich 1 injizierten Löcher die Oberfläche des Substrates 5 erreichen und mit den Elekironen an der Oberfläche rekombinieren. Da bei dem Halbleiter gemäß F i g. I die Potentialbarriere im Emitterbereich 1 gebildet wird und dem F.mitterübergang Ii unter Einhaltung eines Abstands gegenüberliegt.

welcher kleiner ills die Diffusionslange /.,, der Minoritiilsträger ist. wird der Wer! der Oberflächenrekombination rcdu/ieri und die Diffusionslänge /.., kiiiin als ausreichend lang angenommen werden.

Da die Polentialbarrierc in der Weise erzeugt wird, wie dies oben linier Hc/ugnahmc auf das Heispiel gcmiiH I' i g. I erläutert wurde, ergibt sich die Wirkung, dall die Stromdichte oder Stromkomponenle /. der von dem Hasisbereich 2 in ilen F.mitterbcreich I inji/ierien Löcher reduziert wird. Am LH-Übcrgang /// im Lmilterbcreieh 1 wird somit eine falsche Ferminiveaudifferen/ b/w. ein eingeprägtes elektrisches IeIcI hervorgerufen, welches die Diffusion der Löcher oder Minoriiiiisiräger unterdrück!. Wenn somit der Wert des I erminiveaus ausreichend hoch ist. heben sich der aufgrund des Konzentralionsgradicnlen der I.(klier hervorgerufene Diffusionsslrom und der durch das eingeprägte elektrische Feld verursachte Driftstrom am LH-Übergang gegenseitig auf. um den von der Rasis 2 durch den Lmittcrbereich I niedriger Störstellenkon-/cntralion hindurchinjizierten Löcherstrom /,, zu reduzieren. Aufgrund dieser Wirkung wird das Verhältnis des am Kollektorbereich 3 ankommenden Flektroncnslroms gegenüber der durch den Emitterübergang // hindurchgehenden .Stromkomponente erhöhl: infolge dessen wird der Emitter-Injektionswirkungsgrad erhöht, wie sich dies aus Gleichung (3) ergibt, um den Siromverstärkungsfakior hu zu erhöhen.

Die vorgenannte Niveaudifferenz (die Höhe der l'olcntialbarriere) muß größer als die l.öchcrenergic oder wenigstens die Wärmeenergie sein. Die Wärmeenergie läßt sich näherungsweisc mit kTwiedergeben, jedoch muß obige Niveaudifferenz mehr als 0.1 eV betragen. Im Übergangsbereich des Potentials soll die Diffiisionslänge /.,, der Löcher nicht enden bzw. es ist erforderlich, daß die Diffiisionslängc /.,. der Löcher größer als die Breite des Übcrgangsbereichs ist.

Wenn der LH-Übergang /// in der in F i g. I gezeigten Weise gebildet wird, kann die Potentialbarriere in Höhe von 0.2 cV durch geeignete Wahl des Betrags an Störstellen und des Gradienten des Bereichs la mit

hoher .Störstellenkonzentration hervorgerufen werden, ι.- r:: ~ τ :-. ~: _- -J » .._<■.·■.ι r ■ . ..

ι.· ■ t^. ·. 1.1 \ viii«. UIIVJV.IV f \U3IUIII UtICdIUl III V.II lv.3

Halbleiters mit drei Anschlüssen dargestellt; die gegenüber Fig. I verwendeten gleichen Bezugszeichen und -buchstaben bezeichnen gleiche, bereits in Fig. 1 beschriebene Elemente.

Zur Bildung eines PN-Übcrgangs /%. welcher dem ersten oder F.mitter-Übergang // gegenüberliegt, ist bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 ein zusätzlicher Bereich 6 mit P-Leitung im ersten Bereich 1 vorgesehen. Bei dem Ausfünrungsbeispicl nach F i g. 2 ist der Abstand zwischen den Übergängen /s und //kleiner als die Diffusionslänge L_n der Minoritätsträger im ersten Bereich 1 gewählt. Der übrige Aufbau des Ausführungsbeispiels nach Fig. 2 entspricht im wesentlichen dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. I.

Da bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig.2 die Diffusionslänge L_n eines in den ersten Bereich 1 injizierten Lochs groß ist. wie dies vorstehend beschrieben wurde, erreicht dieses Loch effektiv den zusätzlichen Bereich 6 und wird dadurch absorbiert. Wenn der zusätzliche Bereich 6 elektrisch leerläuft, wird dessen Potential erhöht, da die Zahl der den zusätzlichen Bereich 6 erreichenden Löcher vergrößert wird. Der PN-Übergang /s. der zwischen dem Bereich 6 und I gebildet wird, wird somit in Durchlaßrichtung auf im wesentlichen seine Anstiegsspannung vorgespannt und es werden Löcher vom zusätzlichen Bereich h in ücn ersten Bereich /urüekinji/icrl. Die l.öcherkon/en Iralion im ersten Bereich I nahe des zusätzlichen Bereichs f> wird infolgedessen erhöhl und demzufolge wird die Kon/enlralionsverteiliing der Löcher zwischen den I übergängen // und /s im ersten Bereich gleichmäßig und deren Gradient wird graduell, d. h. flach ansteigend, so dall der Diffusionsstrom /,, vom /weilen Bereich 2 in den eisten Bereich I reduziert wird

Bei dem beschriebenen Halbleiter wird ein vierler Bereich oder Sleucrbereich im ersten Bereich I ausgebildet und eine vierte Lleklrode bzw. Steuerelektrode (Gate) daran angeschlossen, so daß ein neuartiger Halbleiter mit vier Anschlüssen gebildet wird, dessen Slromverstarkungsfaklor durch Anlegen einer Steuerspannung an die Steuerelektrode (Gate) verändert werden kann.

Nachstehend wird ein neuartiger Halbleiter mit vier Anschlüssen beschrieben, der zur Verwendung bei der Erfindung geeignet ist: gemäß Fig. 3 ist eine Steuer elektrode (GaIc) auf der Oberfläche eines Teils (Ilalblcitcr-Stcuerbcrcich) des ersten llalbleiicrbereichs 1 (Emitterbereich) eines Halbleiters mit drei Anschlüssen, wie er in Fig. I dargestellt ist. durch eine Isolierschicht hindurch ausgebildet. Die Fig. I entsprechenden Elemente sind in F i g. 5 mit gleichen Bezugsziffern und -buchstaben versehen.

Bei dem Aiisführiingsbeispiel nach I i g. 3 ist eine Steuerelektrode 4(7. beispielsweise eine Metallschicht, die beispielsweise aus Aluminium besieht und eine vorbestimmte Fläche besitzt, auf einem Teil des ersten Halbleiterbereichs (Emitterbereich 1) des in Fig. 1 gezeigten Halbleiters durch eine Isolierschicht 7 (Gate-Isolierschicht) hindurch vorgesehen, die vorbestimmte Dicke, beispielsweise 100 Ä aufweist und beispielsweise — ähnlich der Isolierschicht 5 — aus SiOj besteht; diese Isolierschicht entspricht der Gate-Isolierschicht eines MOS FET. Ein Gate-Anschluß G ist von der Steuerelektrode 4G als vierter Anschluß weggeführt. Ein Teil 8 im ersten Bereich 1 liegt der Steuerelektrode 4(7 gegenüber und bildet den Halbleiter-Steuerbereich.

den Emitter des Halbleiters mit vier Anschlüssen bzw. den Gate-Anschluß G und den Emitter-Anschluß E angelegt wird, wird der Stromverstärkungsfaktor bzw. der Stromverstärkungsfaktor hrr bei an Masse liegendem Emitter aufgrund der Gate-Vorspannung entlang einer Kurve geändert, die in Abwärtsrichtung konvex verläuft und im wesentlichen symmetrisch zu ihrem Minimalwert liegt. Bei einer Vorspannung, die p°genüber dem Emitter-Anschluß E des Halbleiters nach F i g. 3 negativ ist, wird innerhalb des positiven Bereichs von der Schwellenspannung der Vorspannung als Potentialbarriere gemäß Fig. 1 eine Speicherschicht CG in einem Teil des ersten Bereichs bzw. Emitterbereichs 1 gebildet, welche eine dem LH-Übergang Jn ähnliche Funktion besitzt, da sich die Spannung der positiven Richtung annähen. Die Stromdichte J_p der Löcher des Diffusionsstroms vom zweiten Bereich bzw. Basisbereich 2 in den ersten Bereich bzw. Emitterbereich 1 nimmt infolgedessen ab, so daß der Faktor hrr erhöht wird.

Während im negativen Bereich von der Schwellwertspannung der Vorspannung eine inverse Schicht IN in einem Teil des Emitterbereichs 1 oder Steuerbereichs 8 gebildet wird, da sich die Spannung der negativen Richtung annähert, werden ähnlich demjenigen Fall, in

welchem der zusätzliche Bereich 6 gemäß F ι g. 2 elektrisch leerläuft. Löcher von der inversen Schicht IN in den Emiiterbereicn I zurückinjiziert. Die Stromdichte /., der Löcher des Diffusionsstroms vom Basisbereich 2 in den Emitterbereich I wird infolgedessen verringert und demzufolge erhöht sich der Stromverstärkungsfaktor lh ι.

Die graphische Darstellung in Fig. 5 veranschaulicht die Eigenschaften des neuen Halbleiters gemäß Fig. 3 mit vier Anschlüssen, wobei die dargestellte Kennlinie durch den in F i g. 4 gezeigten Meßkreis aufgenommen w iirde.

Der Buchstabe Q in F i g. 4 deutet den in F i g. 3 dargestellten neuartigen Halbleiter mit vier Anschlüssen symbolisch an: ein kurzer Strich ist dem Ssmbol eines bekannten Bipolartransistors parallel zu dessen Emitter als Gate des neuen Halbleiters Q mit Viercranschluß hinzugefügt. Der Halbleiter Q gemäß F i g. 4 ist in einer Schaltung mit an Masse gelegtem Emitter dargestellt, fviit R₁ ist ein Koiiekior-t.asiwiuerstand des Bauelements Q. mit V_<( dessen Kollektor-.Spannungsquelle, mit /₍ sein Kollektorstrom, mit /»sein Basisstrom (konstant) und W,/ seine Gate-Emitter-Spannung bezeichnet.

Wenn die Kollektor-Emitter-Spannung Vu 3 Volt und der Basisstrom //< I μΑ betragen, ergeben sich die Kennlinie aufgrund der Gate-Emitter-Spannung (Gate-Vorspannung) Vc,ι (V) und Kollektorstrom /₍(μΑ) sowie der S'.romverstärkungstaktor bei an Masse liegendem Emitter aus der graphischen Darstellung nach F i g. 5.

Gemäß der Kennlinie von Fig. 5 läßt sich der Stromve, Stärkungsfaktor hir in Abhängigkeit zur Änderung der Gate-Vorspannung entlang einer Kurve ändern, die in Abwärtsrichtung konvex verläuft und gegenüber dem Minimalwert, an welchem die Gate-Emitter-Spannung der genannten Schwellwertspannung entspricht, annähernd symmetrisch.

Wenn die Dicke des Emitterbereichs 1 des Halbleiters nach Fig.3 kleiner gewählt ist als die Diffusionslänge Lp der Löcher (injizierten Träger), ist der Einfluß der Oberflächenrekombination sehr groß, wenn die Gate-Emitter-Spannung Vge im wesentlichen gleich der SchwellwertsDannune ist. Die Lebensdauer der injizier ten Träger (Minoritätsträger) wird damit klein und entsprechend kann der Minimalwert des Faktors Iife noch kleiner gemacht werden.

Bei der Ausführungsform nach Fig.3 ist ein NPN-Element verwendet, jedoch kann auch ein PNP-Halbleiter als Halbleiterbauelement benütz! werden, wie dies bei einem Bipolartransistor der Fall ist.

In F i g. 6 ist schematisch eine Multivibratorschaltung gemäß der Erfindung dargestellt. Der erfindungsgernäße Halbleiter ist mit dem Buchstaben Q bezeichnet. Der Halbleiter besitzt einen Gate-Anschluß, der über einen Widerstand 15 an eine Speisequelle — lh angeschlossen ist. Dor Emitter des Halbleiters liegt an Masse. Der Kollektor steht über einen Widerstand 12 mit einer Speisequelle + B₁ in Verbindung, die über einen weiteren Widerstand 11 an die Basis des Halbleiters angeschlossen ist. um eine Vorspannung für die Basis zu liefern. Die Basis steht über einen Kopplungskondensator 13 mit einem Anschluß fi in Verbindung, der das Triggersignal empfängt. Der Kollektor ist außerdem an einen Ausgangsanschluß f> angeschlossen, der die erwünschte Ausgangsspannung liefert. Ein Kondensator 14 verbindet den Ausgang i> mit der Gate und liefert die erforderliche Lade- und Entladefunktion zur Erzeugung der Muitivibratorwirkung. indem die Gate-Spannung in der noch zu beschreibenden Weise verschoben wird.

Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die F i g. 7 und 8A bis 8C erläutert, wobei der Punkt -Vi gemäß Fig. 7 der Spannung — ß> nach Fig. 6 entspricht. Nachdem der Triggerimpuls, der in F i g. 8 Λ dargestellt ist. an den Anschluß t\ angelegt wird, wird der Halbleiter voll leitend, woduich sofort die Spannung am Ausgang f: herabgesetzt wird. Dieses Erden der Spannung am Anschluß f> verursacht dann eine Verschiebung der Spannung der Gate zu einem Punkt in F i g. 7, der -(V₁ +Vn) entspricht. Letzteres ist in F i g. 8C als steile Vertikallinie veranschaulicht, die sich vom Punkt - V₁ zum Punkt -(V] + V₁₁)erstreckt.

Der Kondensator 14 beginnt dann seinen Entladungszyklus und liefert eine Spannungsänderung, wie sie durch die gebogene Linie in Fig. 8C dargestellt ist. Die Gate-Spannung kehrt dann aufgrund der Entladung des Kondensators 14 zu dem Spannungspegel - V₁ zurück. Da sich die Spannung dem Wert - V₂ annähen, ändert sich der Stromverstärkungsfaktor bei an Masse liegendem Emitter schnell von einem hohen Wert zu einem niedrigen Wert, wodurch die Leitfähigkeit des Halhlpitpr«; Π in starkpm MaRp rpHimprt wird und Hip Ausgangsspannung entlang der gebogenen Linie 16 in Fig. 8B stark ansteigt. Hierdurch wird der Zyklus der Multivibratortätigkeit beendet. Der Zyklus wiederholt sich dann aufgrund eines neu ankommenden Triggerimpulses, wie er in F i g. 8A dargestellt ist.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Monostabiler Multivibrator, bestehend aus einem Halbleiterelement mit mehreren Bereichen unterschiedlicher Leitfähigkeit und einem KC-Glied, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement als Bipolartransistor in Emittererdungsschaltung ausgebildet ist, dessen Emitterbereich (1) und dessen Kollektorbereich (3) eine Störstellenkonzentration von etwa gleicher Größenordnung haben, in dessen Emitterbereich (1) ein zusätzlicher Halbleiterbereich [4E) ausgebildet ist, dessen Störstellenkonzentration größer als die des Emitter- und des Kollektorbereiches ist und die vom Emitter-Basis-Übergang (JE) um eine Strecke entfernt ist, die kleiner als die Diffusionslänge der Minoritätsträger ist, die vom Basisbereich (2) in den Emitterbereich (1) injiziert werden, und an dessen Emitterbereich (1) zusätzlich eine Gateelektrode (C) angeschlossen ist, die über einen Kondensator (14) mit dem Kollektor des Transistors (^verbunden ist, dessen Arbeitspunkt an der niedrigsten Stelle seiner Stromverstärkungsfaktorkennlinie (Fig.7) gewählt ist.

2. Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gateetektrode (G) über einen Widerstand (15) mit einer ersten Spannungsquelle (-02) und der Kollektor (C) über einen Widerstand (12) mit einer zweiten Spannungsquelle (+Bi) verbunden ist.

3. Multivibrator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß di£ Basi', (B) über einen Widerstand (11) mit der Lweiten Spannungsquelle ( + 51) verbunden ist.

4. Multivibrator nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis (B) des Transistors (Cydas Eingangssignal über einen Kondensator (13) zugeführt und am Kollektor abgenommen wird.

Fi g. 2 einen Querschnitt eines Bipolartransistors mit drei Anschlüssen,

Fig.3 einen Querschnitt des bei der Erfindung verwendeten Bipolartransistors,

ί Fig.4 das Schaltbild eines Meßkreises zur Messung der Stromverstärkungskennlinie des Transistors der F ig. 3,

Fig.5 die mit dem Meßkreis der Fig.4 gemessene Stromverstärkungskennlinie,

in Fig.6 ein Schaltbild des Multivibrators der Erfindung,

Fig.7 die Stromverstärkungskennlinie des Transistors des Multivibrators in F i g. 6,

F i g. 8A einen an die Ba^is des Transistors der F i g. 6 π angelegten Triggerimpuls,

Fig.8B das Ausgangssignal des Multivibrators der F i g: 6 und

Fig.8C den Verlauf der an der Gateelektrode des Transistors in F i g. 6 auftretenden Spannung.
:ii Der Stromverstärkungsfaktor h/.%-eines Bipolartransistors mit geerdetem Emitter läßt sich durch die folgende Gleichung (1) ausdrücken, wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors bei geerdeter Basis bzw. in Basisschaltung mit λ bezeichnet wird.