DE1466237B1 - Schaltung zur Erzeugung einer verstaerkten Niederfrequenzschwingung aus einer phasen- und/oder frequenzmodulierten Traegerschwingung - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung dadurch als integrierte Halbleiterschaltung in einem zur Erzeugung einer verstärkten Niederfrequenz- einzigen Halbleiterplättchen ausgebildet ist, daß der Schwingung aus einer frequenz- und/oder phasen- Begrenzerverstärker als — entsprechend bekannten modulierten Trägerschwingung schwankender Am- Röhrenschaltungen — emittergekoppelter breitbandiplitude, mit einem Begrenzerverstärker, einem an die- 5 ger Transistorverstärker, dessen Bandbreite etwa sen angeschalteten, einen Diskriminatortransformator zehnmal so groß wie die des Hochfrequenzsignals ist, enthaltenden Gegentaktdiskriminator, auf den ein ausgebildet und über einen Emitterfolgertransistor

Niederfrequenzverstärker folgt. gleichstrommäßig an den Diskriminator angekoppelt

Es sind mit Röhren bestückte Begrenzerverstärker ist, dessen Ausgang seinerseits unmittelbar mit einem

bekannt, welche Differenzverstärker und Begrenzer- io Eingangstransistor des Niederfrequenzverstärkers ver-

dioden verwenden (USA.-Patentschrift 2 821 629). bunden ist.

Ferner sind Begrenzerschaltungen mit kathoden- Die erfindungsgemäße Schaltung ergibt auch ohne

gekoppelten Röhren bekannt, wobei die Anode der besondere Begrenzerdioden eine symmetrische Be-

Ausgangsröhre des Begrenzers gleichspannungsmäßig grenzung, selbst bei starken Schwankungen des zu-

mit dem Gitter einer auf ein entsprechendes Potential 15 geführten Hochfrequenzsignals und bei Versorgungs-

hochgelegten Kathodenfolgerröhre für die Abnahme Spannungsschwankungen. Ferner verhindert die erfin-

der Niederfrequenz verbunden ist (USA.-Patent- dungsgemäße Schaltung, daß am Eingang auftretende

schrift 2 975 364). Störspannungen eine unerwünschte Phasenmodulation

Im Gegensatz zu den bekannten Röhrenschaltungen hervorrufen. Die Gleichstromankopplung des Disbefaßt sich die Erfindung mit der Integration einer 20 kriminators an den Begrenzer über einen Kathoden-Zwischenfrequenz- und Demodulatorschaltung in folgertransistor erlaubt den Verzicht auf eine in inteeinem Halbleiterplättchen, wobei diese Baueinheit grierter Schaltung nur schwierig zu realisierende insbesondere für Rundfunkempfänger und den Ton- kapazitive Kopplung, welche noch den weiteren teil von Fernsehempfängern geeignet sein soll. Die Nachteil mit sich bringen würde, daß die Koppel-Schwierigkeiten beim Entwurf integrierter Schaltun- 35 kapazität mit induktiven Schaltungstejlen auf Obergen liegen unter anderem darin, daß es praktisch wellen des begrenzten Trägersignals schwingt, wobei nicht möglich ist, Induktivitäten und mittlere und dann diese hervorgehobenen Oberwellen durch den größere Kapazitäten zu realisieren. Verwendet man Diskriminator hindurch gelangen und zu Störungen solche Bauelemente, so müssen diese über äußere Anlaß geben könnten. Diese Gefahr ist um so größer, Anschlüsse des Schaltungsplättchens mit der inte- 30 als der Oberwellengehalt bei einer wirksamen Begrengrierten Schaltung verbunden werden. Hieraus er- zung relativ hoch ist und daher starke Anregungsgeben sich jedoch einmal Nachteile für die Montage amplituden für solche unerwünschten Resonanzkreise (erhöhter Aufwand), und außerdem nehmen die An- zur Verfügung stehen. Eine wirksame Begrenzung ist schlußkontakte im Vergleich zu der integrierten aber andererseits eine Voraussetzung für einen stö-Schaltung selbst einen beträchtlichen Raum auf dem 35 rungsfreien Empfang. Die erfindungsgemäße Schal-Plättchen ein. Es ist daher anzustreben, die Schaltung tung ist daher außerordentlich breitbandig aufgebaut, von vornherein so zu entwerfen, daß man soweit als An äußeren Bauelementen benötigt die erfindungsmöglich auf Kondensatoren und Spulen verzichten gemäße Schaltung praktisch nur den Diskriminatorkann. Bei Röhrenschaltungen treten derartige Pro- transformator, der eine Primärwicklung und eine bleme nicht auf. 40 Sekundärwicklung aufweisen kann, wobei ein Mittel-

Ein weiterer Gesichtspunkt beim Entwurf integrier- abgriff der Sekundärwicklung mit der Eingangster Schaltungen liegt darin, daß sich die absolute klemme der Primärwicklung verbunden sein kann. Größe von Widerständen weniger gut steuern läßt als Die Verwendung kritischer Widerstände läßt sich die Verhältnisse verschiedener Widerstände unterein- weitgehend dadurch einschränken, daß der Begrenzerander. Im Interesse eines möglichst geringen Aus- 45 verstärker zwei hintereinandergeschaltete, begrenschusses ist daher ferner darauf zu achten, daß die zende Verstärkerstufen mit je zwei emittergekoppelabsoluten Widerstandswerte in der Schaltung nicht ten Transistoren aufweist. Ferner läßt sich ein relativ kritisch sind. großes Ausgangssignal dadurch erreichen, daß der

Die Aufgabe der Erfindung besteht nun in der Eingangstransistor des Niederfrequenzverstärkers als

Schaffung einer integrierten Baueinheit, welche diese 50 Emitterfolger ausgebildet wird, so daß die Belastung

Gesichtspunkte in besonderem Maße berücksichtigt des Begrenzerverstärkers gering gehalten wird,

und sich, preisgünstig in großen Mengen herstellen Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus

läßt. Insbesondere soll sich der integrierte Baustein den Unteransprüchen. An Hand der Zeichnungen ist

für die Verwendung auf dem Sektor der sogenannten ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Es

Konsumelektronik eignen und hier den Einsatz ratio- 55 zeigt

neuerer Fertigungsmethoden, wie sie die integrierte Fig. 1 ein Schaltbild eines Begrenzer- und De-

Schaltungstechnik bietet, ermöglichen. modulatorkanals für frequenz- und/oder phasen-

Diese Aufgabe wird bei einer Schaltung zur Erzeu- modulierte Trägerwellen gemäß der Erfindung,

gung einer verstärkten Niederfrequenzschwingung auf F i g. 2 eine stark vergrößerte Draufsicht auf ein

einer frequenz- und/oder phasenmodulierten Träger- 60 integriertes Schaltungsplättchen mit der Schaltung

schwingung schwankender Amplitude, mit einem nach Fig. 1,

Begrenzerverstärker, einem an diesen angeschalte- Fig. 3 einen Schnitt durch das integrierte Schalten, einen Diskriminatortransformator enthaltenden tungsblatt nach F i g. 2 längs der Schnittebene 3-3.
Gegentaktdiskriminator, auf den ein Niederfrequenz- Die Erfindung wird im folgenden im Zusammenverstärker folgt, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß 6₅ hang mit einem Fernsehempfänger beschrieben werdie insbesondere für Rundfunkempfänger und den den. Jedoch kann sie auch in Rundfunkempfängern Tonteil von Fernsehempfängern vorgesehene Schal- oder anderen Arten von Nachrichtenempfängern vertung mit Ausnahme des Diskriminatortransformators wendet werden.

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Ein Halbleiterplättchen 10 besitzt eine Mehrzahl kers sind gemeinsam über einen Widerstand 66 an von Kontaktflächen in der Nähe seines Randes, mit die negative Kontaktfläche 36 angeschlossen. Der deren Hilfe Verbindungen zu der Schaltung her- Kollektor 68 des Transistors 52 ist unmittelbar mit gestellt werden können. An die Kontaktflächen 12 der positiven Kontaktfläche 40 verbunden, während und 14 kann eine Quelle von frequenzmodulierten 5 ein Widerstand 70 den Kollektor 72 des Transistors Wellen angeschlossen werden. Die Kontaktfläche 14 54 mit dieser Kontaktfläche verbindet, ist eine gemeinsame Erdungsklemme für alle in der Die verstärkten und begrenzten Signale, welche am Schaltung vorhandenen zu erdenden Stellen. Das Kollektor 72 auftreten, werden durch einen Wider-Plättchen 10 in F i g. 1 kann beispielsweise eine stand 74 an die Basis 76 eines Emitterfolgertransistors Größe von ungefähr 1,5 · 2 mm besitzen oder auch io 78 übertragen. Der Kollektor 80 des Transistors 78 kleiner ausgeführt werden. ist mit der positiven Kontaktfläche 40 verbunden und

Frequenzmodulierte Signale aus einer geeigneten der Emitter 82 über einen Widerstand 84 mit einer

Signalquelle, beispielsweise aus dem Videomodulator anderen Kontaktfläche 86.

oder dem Videoverstärker eines Fernsehempfängers Der Kontakt 86 ist zusammen mit zwei weiteren

werden einer Klemme 16 zugeführt und über einen 15 Kontaktflächen 88 und 90 zum Anschluß an einen

Kondensator 18 an einen Resonanzkreis 20 gelegt, Diskriminator-Transformator 92 vorgesehen, welcher

welcher auf die Zwischenfrequenz von 4,5 MHz ab- außerhalb des dargestellten Halbleiterplättchens 10

gestimmt ist. Der Resonanzkreis 20 und der Kopp- angebracht werden muß. Der Diskriminator-Trans-

lungskondensator 18 befinden sich bei dieser Aus- formator enthält einen Primärkreis 94 und einen

führungsform außerhalb des Plättchens 10, sind aber 20 Sekundärkreis 96, welche beide auf die bereits oben-

mit der Schaltung auf dem Plättchen über die Kon- genannte Frequenz von 4,5 MHz abgestimmt sind,

taktflächen 12 und 14 verbunden. Eine unmittelbare Verbindung ist zwischen der so-

Die Kontaktfläche 12 ist unmittelbar mit einem genannten heißen Seite des Primärkreises 94 zu einer

emittergekoppelten Verstärker verbunden, welcher Mittelanzapfung der Sekundärwicklung geführt,

zwei Transistoren 22 und 24 enthält. Die Basis 26 des 25 Der Primärkreis 94 des Diskriminator-Transforma-

Transistors 22 ist unmittelbar an die Kontaktfläche tors ist zwischen die Kontaktflächen 86 und 14 und

12 angeschlossen, während die Basis 28 des Transi- der Sekundärkreis zwischen die Kontaktflächen 88

stors 24 an Erde liegt, d. h. mit der Kontaktfläche 14 und 90 eingeschaltet. Die Kontaktfläche 88 ist mit der

verbunden ist. Die Emitter 30 und 32 der beiden Kathode eines Gleichrichters 100 verbunden, dessen

Transistoren sind gemeinsam über einen Widerstand 30 Anode über einen Widerstand 102 an einen Transi-

34 mit einer Kontaktklemme 36 verbunden, an welche stör 104 zur Tonfrequenzverstärkung angeschlossen

ihrerseits die äußere negative Versorgungsspannung ist. Wie in F i g. 2 veranschaulicht, ist der Widerstand

einer nicht mit dargestellten Gleichstromquelle an- 102 in zwei Teile 102 a und 102 b aufgespalten,

geschlossen ist. Diese Verbindung wird durch welche miteinander in Reihe geschaltet sind.

p-Gebiete vervollständigt, welche die verschiedenen 35 Die Kontaktfläche 90 ist an die Anode eines

Isolationsbezirke, welche im folgenden beschrieben Gleichrichters 106 angeschlossen, dessen Kathode

werden sollen, voneinander trennt. Der Kollektor 38 über einen Widerstand 108 an den Transistor 104

des Transistors 22 ist unmittelbar an eine Kontakt- angeschlossen ist. In F i g. 2 ist der Widerstand 108

fläche 40 angeschlossen, welche mit der positiven ebenfalls wieder in zwei Teile 108 a und 108 b auf-

Klemme der Stromversorgungsquelle verbunden ist, 40 gespalten.

während der Kollektor 42 des Transistors 24 über Ein erster Kondensator 110 liegt zwischen der

einen Widerstand 44 an die Kontaktfläche 40 ange- Anode des Gleichrichters 100 und Erde und ein

schlossen ist. zweiter Kondensator 112 zwischen der Kathode des

Die verstärkten und begrenzten Signale, welche am Gleichrichters 106 und Erde. Der dritte Kondensator

Kollektor 42 auftreten, werden über einen Konden- 45 114 ist zwischen den Verbindungspunkt der Wider-

sator 50 an einen zweiten emittergekoppelten Ver- stände 102 und 108 einerseits und Erde andererseits

stärker geleitet. Wie in F i g. 2 dargestellt, enthält eine eingeschaltet. Wie in F i g. 2 dargestellt, bestehen die

Klemme 50 α des Kondensators 50 ein diffundiertes Kondensatoren 110, 112 und 114 aus getrennten lei-

Gebiet in der Halbleiterunterlage, während die andere tenden Flächen, welche unter Zwischenfügung einer

Platte 50 b eine leitende Fläche ist, welche über dem 50 Isolation auf Diffusionsgebieten in einer Halbleiter-

eindiffundierten Gebiet 50 α liegt, von diesem jedoch unterlage angeordnet sind, und zwar mit einer ge-

durch eine Isolationsschicht aus beispielsweise SiIi- meinsamen Klemme 115, welche das gemeinsame

ziumdioxid getrennt ist. Diffusionsgebiet mit der Erdungsklemme 115 ver-

Der zweite emittergekoppelte Verstärker enthält bindet.

zwei Transistoren 52 und 54. Die Basis 56 des Tran- 55 Die demodulierten FM-Signale treten an der Basis sistors 52 ist mit der Platte 50 b des Kondensators 50 116 des Transistors 104 auf. Der Kollektor 118 des verbunden und über zwei Widerstände 58 und 60 mit Transistors 104 ist unmittelbar mit der positiven der positiven Anschlußfläche 40. Wie in F i g. 2 dar- Klemme 40 verbunden, und der Emitter 120 ist über gestellt, hat der Widerstand 60, welcher in die Halb- einen Emitterwiderstand 122 mit der negativen Konleiterunterlage eindiffundiert ist, einen verhältnismäßig 60 taktfläche 36 verbunden. Die Tonsignale am Widergroßen Widerstandswert und ist in zwei Teile 60 a stand 122 werden von dem Plättchen am Kontakt 124 und 60 b aufgespalten, welche durch eine metallisierte abgenommen, wobei der geerdete Kontakt 14 der Fläche 60 c miteinander verbunden sind. Ein verhält- andere Ausgangskontakt für diese Tonsignale ist. nismäßig kleiner Widerstand 62 ist zwischen den Ver- Beim Betrieb der Schaltung werden die zugef ührbindungspunkt der Widerstände 58 und 60 und Erde, 65 ten FM-Trägerwellen durch die beiden emitterd. h. in diesem Falle die Kontaktfläche 14, eingeschal- gekoppelten Verstärkerstufen symmetrisch begrenzt, tet. Die Basis 64 des Transistors 54 ist geerdet, und Wenn in einem bestimmten Anwendungsgebiet eine die Emitter der beiden Transistoren dieses Verstär- größere Empfindlichkeit erforderlich ist, können

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noch zusätzliche emittergekoppelte Verstärkerstufen des Diskriminators an den zur Tonfrequenzverstärvorgesehen werden. Wenn es sich um die Anwendung kung dienenden Transistor 104. Wie oben bemerkt, in einem Fernsehempfänger handelt, kann auch noch würde eine kapazitive Ankopplung des Diskriminaein getrennter Tondemodulator und eine hierfür ge- tors an den Tonfrequenzverstärker einen großen eignete Schaltung auf dem Halbleiterplättchen 10 an- 5 Kopplungskondensator erfordern, der eine verhältnisgebracht werden. mäßig große Fläche auf dem Halbleiterplättchen 10

Es ist zu beachten, daß die emittergekoppelten erfordern würde.

Verstärker ein Minimum an Kondensatoren mit einer Die Tonfrequenzsignale werden über den Tranverhältnismäßig kleinen Gesamtkapazität enthalten sistor 104 übertragen und treten an dem Widerstand und ausgezeichnete Betriebseigenschaften mit Wider- io 122 auf, von welchem sie zur Aussteuerung einer ständen von verhältnismäßig niedrigem Widerstands- Leistungsendstufe abgenommen werden können. Der wert zeigen. Außerdem sind die Toleranzen der ein- Gleichstromrückschluß für den Transistor 104 verzelnen Schaltelemente nicht kritisch und können läuft über den Diskriminator nach Erde am unteren innerhalb eines beträchtlichen Zahlenbereichs schwan- Ende des Primärkreises 94. Obgleich die Versorgungsken, ohne die beabsichtigte Wirkungsweise der Schal- 15 spannung mit +4 V an der Kontaktfläche 40 und mit tung zu beeinträchtigen. Diese Verstärker liefern eine Erde an der Kontaktfläche 14 sowie mit — 4 V an symmetrische Begrenzung sogar bei großen Änderun- der Kontaktfläche 36 angegeben ist, kann die begen im zugeführten Signalpegel und in der Höhe der schriebene Schaltung auch mit +8 V, +4 V und mit Versorgungsspannungen. Die symmetrische Begren- Erdung an den Kontaktflächen 40, 14 und 36 bezung und der Breitbandbetrieb tragen auch nennens- 20 trieben werden.

wert zu der Unempfindlichkeit gegen Rauschstörun- In F i g. 2 bedeuten die schraffierten Flächen gen bei. Plötzliche Ausbrüche von Rauschen im metallisierte Leiter, und die anderen umrahmten Eingangskreis rufen deshalb keine Gleichrichtung Flächen stellen Verbindungen zwischen verschie- und keine Verschiebung der Begrenzungsmittellinie denen Leitfähigkeitsgebieten des Halbleitermaterials hervor, so daß solche Rauschstörungen keine un- 25 dar. Die starken Linien geben die Grenzen von vererwünschte Phasenmodulation zur Folge haben schiedenen isolierten Gebieten an. Um eine Fläche können. elektrisch zu isolieren, d. h. einen Teil der Schaltung

Die begrenzte Ausgangsspannung, welche am KoI- auf dem Halbleiterblatt von einem anderen Teil der lektor 72 des Transistors 54 auftritt, ist praktisch eine Schaltung zu isolieren, wird ein Diffusionsvorgang Rechteckwelle und enthält daher Harmonische der 30 benutzt, so daß die verschiedenen Inseln des einen Grundwelle von 4,5 MHz. Es ist aus zwei Gründen Leitfähigkeitstyps von den anderen durch Halbleitererwünscht den Transistor 54 an den Diskriminator- material des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps geTransformator unmittelbar anzukoppeln im Gegen- trennt sind.

satz zu einer kapazitiven Ankopplung. Zunächst wird Die F i g. 3 zeigt die integrierte Schaltung auf dem

nämlich bei kapazitiver Kopplung eine erhebliche 35 Plättchen 10 im Schnitt. Zunächst wird auf der

Fläche auf dem Halbleiterplättchen erforderlich, wie Unterlage 140 des Halbleitermaterials, welches ein

man aus den relativ großen Flächen der Konden- p-Halbleiter ist, eine η+-Schicht 142 und eine

satoren 50,110,112 und 114 in F i g. 2 ersieht. n-Epitaxialschicht 144 angebracht. Durch geeignete

Zweitens ist es erwünscht, die harmonischen Korn- Abdeckung, Oxydierung und Ätzung werden isolierte ponenten der begrenzten Welle zu dämpfen, welche 40 Gebiete durch Eindiffusion einer p-Verunreinigung in nämlich den Gegentaktbetrieb des Diskriminator- bestimmte Flächen der Scheibe, beispielsweise in den kreises stören. Die direkte Ankopplung des Dis- Zonen 146a bis 146h angebracht. Wie in Fig. 3 gekriminator-Transformators an die emittergekoppelte zeigt, reicht diese p-Diffusion in den Gebieten 146 a Begrenzerstufe 52, 54 liefert eine erhebliche Ab- bis 146 h durch die Schichten 142 und 144 in die Schwächung der Harmonischen der FM-Trägerwelle 45 p-Halbleiterunterlage hinein. Da das p-Material die im Vergleich zu einer kapazitiven Kopplung. Wenn Inseln des η-Materials vollständig einschließt, können eine kapazitive Kopplung benutzt werden würde, die entstehenden p-n-Sperrschichten rückwärts vorwürde eine sehr viel geringere Abschwächung der gespannt werden, um die gewünschte Isolation einer Harmonischen erreicht werden. η-Insel von einer anderen zu erreichen.

Die Emitterfolgerstufe, d. h. der Transistor 78 50 Die verschiedenen Transistoren werden dann durch bildet einen geringen Eingangswiderstand für den Benutzung geeigneter Masken und durch Eindiffusion Diskriminatortransformator 92 und verhindert wegen von p-Basisgebieten in geeignete Inseln erzeugt. Beides hohen Eingangswiderstandes auch eine Teilung spielsweise kann das Basisgebiet 26, 28, 64 und 56 der am Kollektor 72 auftretenden Spannung. Bezug- in F i g. 3 auf diese Weise hergestellt werden. Gleichlich dieses letzteren Punktes sei bemerkt, daß eine 55 zeitig werden die verschiedenen Widerstände und direkte Ankopplung des Kollektors 72 an den Pri- Unterlageplatten der verschiedenen Kondensatoren märkreis 94 des Diskriminators, d. h. ohne den da- gebildet. Die F i g. 3 zeigt einen Querschnitt der zwischengeschalteten Transistor 78 die Spannung am Widerstände 60 a, 102 b, 108 b und 122 und ferner die Kollektor 72 erheblich vermindern kann, so daß der Unterlageplatte 1146 des Kondensators 114. Be-Spannungspegel am Kollektor 72 also geringer aus- 60 kanntlich ist der spezifische Widerstand eines Halbfallen würde. leiters abhängig von der Verunreinigungskonzentra-

Der Diskriminator arbeitet im Gegentakt und be- tion, und die verschieden großen Widerstände werwirkt eine Demodulation des FM-Trägers. Die Aus- den durch geeignete Abmessungen bei gegebener gangsspannung des Diskriminators, welche der Basis Dauer und Temperatur der Eindiffusion erzeugt.
116 des Transistors 104 zugeführt wird, ist von 65 Die Emittergebiete, beispielsweise bei 30 und 32 in Schwankungen im Signalpegel und von Schwankun- F i g. 3, werden in die Basisgebiete durch Benutzung gen der Versorgungsspannung unabhängig. Diese geeigneter Abdeckmasken eindiffundiert. Die Kon-Eigenschaft erlaubt eine unmittelbare Ankopplung taktflächen N+, P+und N+werden in den Kollek-

torgebieten, den Basisgebieten und den Emittergebieten ebenso wie die Kontaktflächen P+ für die Klemmen der Widerstände und Kondensatoren gebildet, um Anschlußstellen mit geringem Widerstand zu schaffen.

Die verschiedenen Kontaktflächen 12, 14, 40, 86, und 90 werden gleichzeitig mit der Eindiffusion des Emitters hergestellt und stellen n-Verunreinigungen in dem p-Unterlagematerial am Umfang des Blattes dar. Die Kontaktfläche 36 wird unmittelbar xo auf der p-Unterlage angebracht. Die Anschlüsse an die Kontaktfläche 36 können also dadurch hergestellt werden, daß man an einen beliebigen Teil der p-Unterlage anschließt, wie es beispielsweise für die Verbindung der Widerstände 34 und 66 geschehen ist.

Die Widerstände und Kondensatoren können auf dem Halbleiterblatt auch auf anderem Wege hergestellt werden. Beispielsweise können die Widerstände und die jeweils untere Kondensatorplatte durch Aufdampfen aus einem geeigneten Material her- so gestellt werden. Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß man die Kondensatoren, beispielsweise die Kondensatoren 110 und 112 durch in Sperrichtung vorgespannte Dioden herstellt. Im Falle der Kondensatoren 110 und 112 können die Anoden der Dioden geerdet werden, und die umgekehrte Vorspannung oder Sperrspannung ist die positive an der Basis des Transistors 104 auftretende Spannung.

Claims (5)

Patentansprüche: 30

1. Schaltung zur Erzeugung einer verstärkten Niederfrequenzschwingung aus einer frequenz- und/oder phasenmodulierten Trägerschwingung schwankender Amplitude, mit einem Begrenzerverstärker, einem an diesen angeschalteten, einen Diskriminatortransformator enthaltenden Gegentaktdiskriminator, auf den ein Niederfrequenzverstärker folgt, dadurch gekennzeichnet, daß die insbesondere für Rundfunkempfänger und den Tonteil von Fernsehempfängern vorgesehene Schaltung mit Ausnahme des Diskriminatortransformators (92) dadurch als integrierte Halbleiterschaltung in einem einzigen Halbleiterplättchen (10) ausbildbar ist, daß der Begrenzerverstärker als — entsprechend bekannten Röhrenschaltungen — emittergekoppelter breitbandiger Transistorverstärker (22, 24; 52, 54), dessen Bandbreite etwa zehnmal so groß wie die des Hochfrequenzsignals ist, ausgebildet und über einen Emitterfolgetransistor (78) gleichstrommäßig an den Diskriminator (100, 102, 106, 108, 110, 112, 114) angekoppelt ist, dessen Ausgang seinerseits unmittelbar mit einem Eingangstransistor (104) des Niederfrequenzverstärkers verbunden ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diskriminatortransformator (92) nur eine Primärwicklung (94) und eine Sekundärwicklung (96) aufweist und ein Mittelabgriff der Sekundärwicklung (96) mit der Eingangsklemme der Primärwicklung (94) verbunden ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Begrenzerverstärker zwei hintereinandergeschaltete, begrenzende Verstärkerstufen mit je zwei emittergekoppelten Transistoren (22, 24; 52, 54) aufweist.

4. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangstransistor (104) des Niederfrequenzverstärkers als Emitterfolger geschaltet ist.

5. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiselektrode (26) des ersten Transistors (22) des vier Transistoren enthaltenden Begrenzerverstärkers die Trägerschwingung zugeführt wird, daß zwischen die Emitterelektroden (30, 32) der ersten beiden Transistoren (22, 24) des Begrenzerverstärkers und einen auf Bezugspotential liegenden Schaltungspunkt (36) ein erster Widerstand (34) geschaltet ist, daß die Kollektorelektrode (38) des ersten Transistors (23) mit einer Betriebsspannungsklemme (40) verbunden ist, daß die Kollektorelektrode (42) des zweiten Transistors über einen zweiten Widerstand (44) mit der Betriebsspannungsklemme (40) und einen Koppelkondensator (50) mit der Basiselektrode (56) des dritten Transistors (52) verbunden ist, daß die Basiselektrode (64) des vierten Transistors (54) mit dem Bezugsspannungspunkt (36) verbunden ist, daß zwischen die Emitterelektroden des dritten und vierten Transistors (52, 54) und den Bezugsspannungspunkt (36) ein dritter Widerstand (66) geschaltet ist, daß die Kollektorelektrode (68) des dritten Transistors (52) mit der Betriebsspannungsklemme (40) verbunden ist, daß zwischen die Kollektorelektrode (72) des vierten Transistors und die Betriebsspannungsklemme (40) ein vierter Widerstand (70) geschaltet ist, daß die Kollektorelektrode (72) des vierten Transistors (54) außerdem mit der Basiselektrode (76) eines fünften Transistors (78) gleichstromgekoppelt ist, dessen Kollektorelektrode (80) mit der Betriebsspannungsklemme (40) verbunden ist, daß ein fünfter Widerstand (84) zwischen die Emitterelektrode (82) des fünften Transistors (78) und die Eingangsklemme der auf die Trägerschwingung abgestimmten Primärwicklung (94) des Diskriminatortransformators (92) geschaltet ist, deren andere Klemme an den Bezugspotentialpunkt (115) angeschlossen ist, daß ein Mittelabgriff der ebenfalls auf die Trägerschwingung abgestimmten Sekundärwicklung (96) des Diskriminatortransformators (92) unmittelbar mit der Verbindung zwischen dem fünften Widerstand (84) und der Primärwicklung (96) verbunden ist, daß in Reihe zwischen eine Endklemme der Sekundärwicklung (96) und eine Ausgangsklemme ein mit einem sechsten Widerstand (102) in Reihe geschalteter Gleichrichter (100) geschaltet ist, daß in Reihe zwischen die andere Endklemme der Sekundärwicklung und die Ausgangsklemme ein mit einem siebten Widerstand (108) in Reihe geschalteter, zweiter mit dem ersten Gleichrichter (100) entgegengesetzt gepolter Gleichrichter (106) geschaltet ist, daß zwischen dem Verbindungspunkt des Gleichrichters (100) mit dem sechsten Widerstand (102) und dem Bezugspotentialpunkt (115) eine erste Kapazität (110) geschaltet ist, daß eine zweite Kapazität (112) zwischen dem Verbindungspunkt des zweiten Gleichrichters (106) mit dem siebten Widerstand (108) und dem Bezugspotentialpunkt (115) geschaltet ist, daß ein sechster Transistor (104) mit seiner Kollektorelektrode (118) an die Betriebsspannungsklemme (40) und mit seiner Emitterelektrode (120) über einen achten Widerstand

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(122) mit dem Bezugsspannungspunkt (36) verbunden ist, daß die Basiselektrode (116) des sechsten Transistors (104) mit der Ausgangsklemme so verbunden ist, daß der Emitter-Basisstromkreis des sechsten Transistors (104) über

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den Diskriminatortransformator (92) und dem achten Widerstand (122) geschlossen ist, und daß an der Emitterelektrode (120) des sechsten Transistors (104) das demodulierte Signal abgenommen wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen