DE1464319A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

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DE1464319A1 DE19631464319 DE1464319A DE1464319A1 DE 1464319 A1 DE1464319 A1 DE 1464319A1 DE 19631464319 DE19631464319 DE 19631464319 DE 1464319 A DE1464319 A DE 1464319A DE 1464319 A1 DE1464319 A1 DE 1464319A1
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Description

H.V.Hülips · eioeilampenf abrieken, Eindhoven/Holland
Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben.
Me Srfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, ..B. e^e Diode, die einen Halbleiterkörper und „indeetene ,wei darauf angebrachte Elektroden enthält, und bei der infolge einer ^
lT1 T^^
^eni^tion
^*****'<**»*» Elektroden eine Stromspaneinem Gebiet negativen differentiellen Wider! Standes vorhanden ist. Die Erfindung bezieht Bioh weiter auf be-
ΞΞΑΕΓ*·verfahren iuH
Die bekannten Halbleitervorrichtungen der beschriebenen Art sind unter andere» in »Sclid-atate Electronics» 1960, Band I, Seiten 54-74, und in den britiBchen Patentschriften 849 476 und 849 477
ZTZl Ml "1T^ ^*81oh auf die -—te ^: L
sich fcl^ermassen um-
TocZIl E'ektrOden· aie dU~h ei^ intakt mit der zugehörigen tersoL Γ ? n-le"enden Zo- ^bildet „erden, der Spannungsunterschied zwischen diesen Elektroden erhöht wird, nimmt dl7elek-
^TtT1T"1**ia KBrper ^^8 **<*»"± -». bis LiT-
ner bestimmten äusseren Spannung, ln weiteren lawinenspannung Ke nannt eine besti«„te kritisch, feldstärke im KBrper er^ ^ird bei welcher durch den lawineneffekt, d.h. durch einen StossionTsa! tions^eohanismus ähnlich wie bei Gasentladungen, Löcher und ^T
dieser Elektrode eine Erhöhung der Leitfähigkeit in dem Körper in der Nähe dieser negativen Elektrode' bewirken. Dies hat eine weitere Zunahme der Feldstärke nahe der anderen, positiven Elektrode zur Folge, wodurch die Lawineninjektion in diesem Gebiet noch weiter zunimmt und die Leitfähigkeit nahe der negativen Elektrode noch weiter erhöht wirdo Es wird schliesslich ein Zustand erreicht, in dem das dem äusseren Spannungsunterschied entsprechende elektrische Feld praktisch vollkommen in einer dünnen Schicht nahe der positiven Elektrode konzentriert ist, während in dem verbleibenden Teil des durch injizierte Löcher überschwemmten Körpers nur ein schwaches elektrisches PeId entsteht,, Die Strom-Spannungskennlinie einer solchen Vorrichtung weist ausser einem Gebiet, in dem der Strom allmählich mit der Spannung zunimmt, nachdem der höchste Widerstand bei der Lawinenspannung erreicht ist, ein Gebiet negativen different!eilen Widerstandes auf, in dem durch die Lawineninjektion trotz der Abnahme der äueseren Spannung der Strom erheblich zunimmt·
Obgleich diese Erklärung sich auf eine n+-n-n+ -Struktur gründet, gilt sie auch für eine ρ -ρ—ρ -Struktur, wenn die Punktionen der Löcher und der Elektronen und die Polarität der Spannung gewechselt werden. Statt eines schwach dotierten n- oder p-leitenden Materials kann auch praktisch eigenleitendes Halbleitermaterial benutzt werden. Es ist auch bereits vorgeschlagen worden, bei eigenleitendem Halbleitermaterial einep+-i-n+ -Struktur zu verwenden.
In der beschriebenen Form mit zwei Elektroden sind diese Vorrichtungen unter dem Namen "Lawineninjektionsdioden" bekannt. Durch Hinzufügung einer dritten Elektrode, z.B. einer p+ -Elektrode, an eine n+-n-n -Struktur, entsteht die sogenannte Lawineninjektionstriode, wobei die dritte Elektrode benutzt werden kann, um durch Injektion von Löchern die Lawinenspannung zwischen zwei anderen Elektroden zu beeinflussen oder als Kollektorelektrode für die injizierten Löcher dienen kanno
Da die kritische Feldstärke, bei welcher der Lawineneffekt einsetzt, sehr hoch ist, bei Germanium z.B. in der Grössenordnung
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von 1(r V/cm, wären zum Erreichen eines praktisch brauchbaren niedrigen Wertes der Lawinenspannung und des zugeordneten Stromes so kleine Äbmessuigen der Vorrichtung erforderlich, dass sie äusserst schwer herzustellen wäre. Bei bekannten praktischen Ausführungsformen dieser Vorrichtung wurde versucht, diese Schwierigkeit dadurch zu umgehen, dass eine der Elektroden auf einem verhältnismässig grossen homogenen Körper in Form einer Legierungselektrode mit einer äussersten kleinen Oberfläche der Elektrodenzone und gegebenenfalls des angrenzenden Teiles des Körpers, z.B. mit einem Durchmesser von 10 /um ausgebildet wurde, während die andere Elektrode auf einer bedeutend grösseren Fläche eine ohmsche Verbindung mit der unteren Seite des Körpers herstellt.Obgleich es tatsächlich gelungen ist, durch Anwendung der starken Feldkonzentration nahe dieser praktisch punktförmigen Elektrodenzone niedrige Werte der Lawinenspannung und einen zufriedenstellend hohen Strom zu bekommen, hat diese Ausführungsform den Nachteil, dass die Abmessungen der zur Elektrode gehörenden Zone, welche in hohem Masse sowohl die Grosse der Lawinenspannung und den zugeordneten Strom bestimmen, äusserst klein sein müssen. Dies stellt wegen der erstrebten Reproduzierbarkeit hohe Anforderungen an die ohnehin schon schwierige Herstellung kleiner Elektroden, und es entsteht eine mechanisch schwache Konstruktion. Bei dieser Bauart ist es ausserdem schwierig, die gewünschten Werte der Lawinenspannung und des zugeordneten Stromes unabhängig voneinander zu wählen, da beide in erheblichem Masse durch die Abmessungen der Elektrode bestimmt werden.
Die Erfindung zielt unter anderem darauf ab, eine neue Ausführungsform einer solchen Halbleitervorrichtung zu schaffen, welche die bereits erwähnten Nachteile praktisch nicht oder wenigstens in bedeutend geringerem Masse aufweist und sich ausserdem auf einfache, reproduzierbare Weise herstellen lässt. Die Erfindung zielt weiter darauf ab, besonders gut geeignete Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung zu schaffen.
Gemäss der Erfindung enthält der Halbleiterkörper einer Halbleitervorrichtung eingangs erwähnter Art zwischen den Elektroden mit den zugehörigen halbleitenden Elektrodenzonen mindestens zwei Schichten des gleichen Leitfähigkeitstyps mit verschiedener Leitfähigkeit,
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wobei die Schicht mit der niedrigeren leitfähigkeit dünner als die Schicht mit der höheren Leitfähigkeit ist und eine Leitfähigkeit hat, die mindestens um einen Faktor 10 kleiner als die der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit ist, wobei eine der Elektroden mit der zugehörigen halbleitenden Elektrodenzone auf der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit angebracht ist und die andere Elektrode in einer ohmschen Verbindung mit der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit steht·
Während die Schicht mit der höheren Leitfähigkeit im wesentlichen lediglich als Tragekörper oder Unterlage für die andere Schicht dient und hierfür eine elektrische Verbindung mit der anderen Schicht mit einem sehr niedrigen Widerstand herstellt, ist die dünne Schicht mit der niedrigen Leitfähigkeit die wirksame Schicht, in der die Lawineninjektion stattfindet; die Dioke dieser Schicht (zwischen der Elektrodenzone der auf ihr angebrachten Elektrode und der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit gemessen) wird so hoch gewählt, als in Hinblick auf die gewünschte Lawinenspannung erforderlich ist. Um den Spannungsabfall in der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit im Verhältnis zum nutzbaren Spannungsabfall über d erSchicht mit niedrigerer Leitfähigkeit klein zu halten,ist die Leitfähigkeit der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit vorzugsweise mindestens um einen Faktor 100, z.B. 1000, höher als die der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit. Die Dicke der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit wird vorzugsweise mindestens gleich 50/um, z.B. 100 ,um, gewählt, so dass sie während der Herstellung als einzelner Körper noch bequem zu verarbeiten ist und ihrem Zweck als Tragekörper für die dünne Schicht" dienen kann.
Wegen der dünnen Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit in der Vorrichtung nach der Erfindung braucht nicht oder wenigstens in einem bedeutend geringeren Masse, im Gegensatz zu bekannten Ausführungsformen, die Wirkung der Feldkonzentration nahe einer punktförmigen Elektrode ausgenutzt zu werden, um brauchbar niedrige Werte der Lawinenspannung und des zugeordneten Stromes zu erzielen. Die Grosse der Lawinenspannung kann bei der Ausführungsform nach der Erfindung in hohem Masse allein durch die Wahl der
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Schichtdicke des Materials mit der niedrigeren leitfähigkeit ■bestimmt werden, während die Grosse des zugeordneten Stromes in hohem Masse unabhängig von dieser Bedingung durch die Wahl der Abmessungen der Elektrode und/oder der zugehörigen Elektrodenzone, die auf dieser Schicht angebracht wird, und der Dotierung dieser Schicht bestimmt werden kann· Um einen günstigen niedrigen Wert der Lawinenspannung zu erzielen, wird die Dicke der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit unter der Elektrodenzone vorzugsweise kleiner als 25/um gewählt.
Die Elektrodenzone auf der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit kann jede gewUnsohte Form haben; sie hat meist eine wenigstens nahezu runde oder rechteckige Form, deren Abmessungen, d*h· deren Durchmesser oder deren Seiten in der zur Schicht mit niedrigerer Leitfähigkeit parallelen Ebene grosser, gewünschtenfalls viele Male grosser als die Dioke der Unterlage gewählt werden können, ohne daß sich die Lawinenspannung überhaupt oder bedeutend mit diesen Abmessungen änderte
Obgleich es möglich ist, innerhalb des Rahmens der Erfindung für die Sohioht mit der niedrigeren Leitfähigkeit ein praktisch eigenleitendes Material zu verwenden, in welohem Pail die Elektrodenzone der Elektrode auf der eigenleitenden Sohioht vorzugsweise einen Leitfähigkeitstyp hat, der dem der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit entgegengesetzt ist, bestehen die Schichten beide vorzugsweise entweder aus η-leitendem oder aus p-leitendem Material und hat die Elektrodenzone auf der Sohicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit denselben Leitfähigkeitstyp wie die beiden Sohiohten und eine höhece Leitfähigkeit als ihre Unterlage, so dass der Halbleiterkörper eine p+-p-p+- oder eine n+-n-n+ -Struktur hat·
Der Aufbau nach der Erfindung eignet sich insbesondere für eine Lawineninjektionsdiode mit zwei Elektroden. Sie ist jedοoh auch besonders vorteilhaft für eine Halbleitervorrichtung, bei der außer den zwei erwähnten Elektroden mindestens eine weitere Elektrode vorhanden ist. Bei der Ausführung naoh der Erfindung kann diese weitere Elektrode auf einfache Weis· und vorteilhaft neben der erwähnten Elektrode auf der Sohioht mit der niedrigeren Leitfähigkeit
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in der unmittelbaren Nähe des aktiven Teiles zwischen den beiden anderen Elektroden angebracht werden, wo sie die eingangs erwähnten, an sich bekannten Funktionen erfüllen kann·
Gemäss der Erfindung kann eine Halbleitervorrichtung dieser Art auf einfache Weise dadurch hergestellt werden, indem man Dotierungsmaterial aus dem Halbleiterkörper herausdiffundieren lässt. Hierbei entsteht die Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit, indem man aus einer Oberflächenschicht einesKörpers mit höherer Leitfähigkeit das dort vorhandene ausdiffundierbare Dotierungsmaterial durch thermische Behandlung, z.B. im Vakuum, ausdiffundieren lässt· Das Ausdiffundieren ist eine an sich bekannte Technik, die bereits zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen benutzt wurde.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform eines Verfahrens nach der Erfindung wird die Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit auf epitaxialem Wege durch Anwachsen aus der Dampfphase, z.B. durch Überdampfen eines Halbleitermaterials selber oder durch Zersetzung einer flüchtigen Verbindung des Halbleiters auf die Schicht mit der höheren Leitfähigkeit aufgebracht.Ausser einer gross en Herstellungsgenauigkeit in der Dicke der epitaxialen Sciiich.1 hat dieses Verfahren noch den Vorteil, dass die Leitfähigkeit der beiden Schichten voneinander unabhängig und der Unterschied in der Leitfähigkeit sehr gross gewählt werden kann, und dass trotzdem der Übergang zwischen den beiden Schichten sehr abrupt wird. Eine nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung nach der Erfindung ist also dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit auf der als Träger und Stromzuleitung wirkenden Schicht mit der höheren Leitfähigkeit auf epitaxialem Wege angebracht ist.
Sie Erfindung wird nachstehend an Hand zweier Figuren und eines Aueführungsbeispiels näher erläutert«
Figur 1 zeigt sohematisoh im Schnitt eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung.
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Figur 2 zeigt eine graphische Darstellung der Strom/Spannung-» Kennlinie der Vorrichtung nach Fig,1.
Die Vorrichtung nach Fig. 1, die eine Lawineninjektionsdiode darstellt, enthält einen p-leitenden Germaniumkörper, der aus zwei Schichten zusammengesetzt ist, von denen die Schicht 1 eine Dicke von etwa 20/um und eine niedrige Leitfähigkeit von etwa 0,1 Ohm""1· cm""1 hat, während die andere Schicht 2 eine Dicke von etwa 80/um und eine hohe Leitfähigkeit von etwa 200 Ohm"1.cm"1 hat· Auf der Schicht 1 ist eine Elektrode auflegiert, die aus einer mit Aluminium dotierten, rekristallisierten, p-leitenden Elektrodenzone 3 und einer dünnen Aluminiumschicht 4 besteht, an der ein goldener Zuführungsdraht 5 dadurch befestigt ist, dase er durch die an sich bekannte "pressure-bonding"-Technik auf die betreffende Stelle der Elektrodenzone gedrückt und gleichzeitig bis zur Legierung mit ihr erwärmt wird. Auf der unteren Seite ist eine Kupferträgerplatte 6 mit einer Grold-Galliumlegierung 7 an der Schicht 2 festgelötet, wobei sich eine ohmsche Verbindung zwischen der Trägerplatte und der Schicht ergibt. Die Elektrodenzone 3 bildet hierdurch zusammen mit den Schichten 1 und 2 eine ρ ~P""P Struktur.
Bei der Herstellung wird von einer etwa 80/um dicken Einkristallgermaniumplatte des p-Typs ausgegangen, die eine Leitfähigkeit
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von etwa 100 0hm" ♦cm hat« Auf dieser Platte wächst in an sich in der Halbleitertechnik bekannter Weise eine p-leitende epitacLale Schicht 1 mit einer Leitfähigkeit von etwa 0,1 0hm .cm aus der Dampfphase IxLs zu einer Dicke von etwa 20 /um an, indem z.B. Im Vakuum Germanium in Form von Dampf auf die Platte niedergeschlagen wird oder z.B. Grermaniumjodid an der Oberfläche des Halbleiters zersetzt wird, wobei die Halbleiterplatte zur Förderung der Kristallisierung oder der Zersetzung auf übliche Weise auf höhere Temperatur gebtfaeht werden kann·
Auf der so erhaltenen Schicht 1 kann danach durch eine bekannte Legierungstechnik eine Aluminiumelektrode angebracht werden, die aus der Aluminiumschicht 4 unC der Mumirdumdotierten rekrietallisierten Zone 3 besteht. Zu diesem Zweck kann durch eine Maske,
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z.B. aus Tantalfolie, örtlich eine runde Aluminiumschicht mit einem Durchmesser von 80/um und einer Stärke von etwa 1 /um aufgedampft werden, worauf das Ganze auf 55O0C während 5 Minuten erhitzt wird; bei Abkühlung bildet sich dann die rekristallisierte Zone 3. Da die Eindringtiefe dieser Zone nur etwa 1/um beträgt, ist die Dicke der Schicht 1 im vorliegenden Falle neben der Elektrode praktisch gleich der zwischen den Elektroden 3»4 und 7. Es wird in diesem Zusammenhang bemerkt, dass, wenn in dieser Anmeldung von der Dicke der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit zwischen den Elektroden die Rede ist, die Dicke zwischen der Elektrodenzone 3 und der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit gemeint ist. Die Platte 6 kann auf der unteren Seite des Körpers z.B. bei 4000C angelötet werden·
Figur 2 zeigt die Strom/Spannungs-Kennlinie des beschriebenen Ausführungsbeispiels einer Lawineninjektionsdiode nach Fig»1. Der Kontaktdurchmesser der Elektrodenzone 3 und der Aluminiumschicht 4
—4- 2
ist etwa 80/um, was einer Oberfläche von etwa 0,5*10 cm entspricht. Die Kurve 10, 11 der Kennlinie entspricht einer Spannungsrichtung, bei welcher die Spannung mit dem Minuspul an dem Zuführungsdraht 5 angelegt wird. Die Lawinenspannung ist 30 V und die dabei auftretende Stromstärke etwa 80 mA, was aus Fig.2 ersichtlich ist. Nach dem Erreichen dieser Lawinenspannung weist die Diode infolge der Lawineninjektion einen Teil 11 mit negativem differentiellem Widerstand auf.
Vergleichsweise wurde eine ähnliche Lawineninjektionediode hergestellt, bei der nur der Durchmesser der Elektrodenzone 3 und des Kontaktes 4 grosser, und zwar etwa 130/tun, war, was einer Kontaktoberfläche von etwa 1,5o10 cm entspricht. Bei der Hessung wurde eine ähnliche Kennlinie mit der praktisch gleichen Lawinenspannung von 30 V gefunden, wobei jedoch der Strom grosser war und bei dieser Lawinenspannung etwa 140 mA betrug·
Die Kurve 10, 11 der Figur 2 wurde an der Diode nach Fige 1 mit der negativen Spannung am Zuführungsdraht 5 gegen die Platte 6 gemessen. Ein Vorteil der Halbleitervorrichtung nach der Erfindung ist weiter, dass die Strom/Spannung-Kennlinie in beiden Spannungsrichtungen eine erheblich bessere Symmetrie als bei den bekannten
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Vorrichtungen hat· Bei den bekannten Vorrichtungen, bei denen im wesentlichen die Feldkonzentration nahe einer Elektrode mit kleiner Oberfläche benutzt wird, tritt die Feldkonzentration injder anderen Spannungerichtung nicht auf, so dass in einer Spannungsrichtung die Lawinehspannung nicht oder höchstens bei einer bedeutend höheren Spannung erreicht wird. Bei dem Aufbau nach der Erfindung hingegen wird die Feldkonzentration an der Elektrode nicht oder nur in erheblich geringerem Masse benutzt! die Lawinenspannung wird vielmehr durch die Dicke der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit bestimmt, so dass in beiden Spannungsrichtungen eine ähnliche Kennlinie mit praktisch gleichen oder nahezu gleichen Werten der Lawinenspannung erzielt wird. Gemäss der Kurve 12 der Fig. 2 wurde bei einer positiven Spannung am Draht 5 eine Lawinenspannung von etwa 20 V bei praktisch demselben Strom gemessen. Daher bietet die Vorrichtung nach der Erfindung die Möglichkeit, eine in zwei Spannungsrichtungen brauchbare Diode mit praktisch gleichen oder zwei verschiedenen verhältnismässig niedrigen Werten der Lawinenspannung zu erhalten«
Ss sei schliesslioh noch bemerkt, dass innerhalb des Rahmens der Erfindung noch verschiedene Änderungen dem Fachmann möglich sind» Es kann statt Germaniums ein anderer Halbleiter , ζ·Β· Silicium, verwendet werden, bei dem wegen des grösseren Bandabstandes eine höhere Temperatur im Betrieb zulässig istjund niedrigere Ströme bei derselben Lawinenspannung erzielbar sind. Das epitaxiale Aufbringen einer Siliciumschicht auf einen Siliciumkörper kann nach den üblichen Techniken z.B. durch Zersetzung von Silanen oder HaIogensilianen in Gegenwart von Wasserstoff durchgeführt werden. Die Vorrichtung nach Flg. 1 kann durch Anbringen einer Elektrode, die z.B. eine η-leitende Elektrodenzone hat, auf der Schicht 1 neben der Elektrode 3, 4 in eine Lawineninjektionstriode umgewandelt werden. Obgleich zwei Sohiohten verschiedener Leitfähigkeit genügen können, kann auf der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit wenigstens örtlich eine Schicht mit einer höheren Leitfähigkeit angebracht werden»
909807/04 30 patentanSprüch„,

Claims (10)

319 Patentansprüohe
1. j Halbleitervorrichtung, s. B. Diode, die einen Halbleiter- -- körper VLBd mindestens inei auf ihm angebrachte) Elektroden enthäl^t und bei der infolge einer Lawineninjektion ("avalanche injection) swihohen dleaen Elektroden eine Stromspannung a-Cennlinie Kit einem Gebiet negativen different i eil en 'ideratandea vorhanden ist, dadurch gekennselohnet, daß der Halbleiterkörper swieohen den Elektroden mit den ««gehörigen halbleitenden T?lektrodensonen mindestens xwei !Schichten gleichen Leitfähigkeitetype mic verschiedener Leitfähigkeit hat, wobei die Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit dünner als die öohioht mit der höheren Leitf;ihigkeit iat und eine Leitfähigkeit aufweist, die mindestens um einen Faktor 10 kleiner als die der uohioht mit der höheren Leitfähigkeit 1st, wobei eine der Elektroden mit einer su ihr gehörenden halbleitenden Blektrodensone auf der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit angebracht 1st und die andere Elektrode in einer ohmsohen Yerblndung mit der dchioht mit der höheren Leitfähigkeit eteht.
2. Halbleitervorrichtung nach ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, oi3 die Leitfähigkeit der Schicht mit der höheren Leitfähigkeit uindeet um einen Faktor 100 höher ala die der Schicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit ist.
3· Salbleitervorrichtung naoh Anepruoh 1 oder 2, dadurch gekennielohnet, daß die Sicke der Sohlent mit der höheren Leitfähigkeit eindestent gleich 50/um 1st.
4. Halbleitervorrichtung naoh einem der AnverUohe 1 bie 3, dadurch gekennaelohnet, dafl die Sicke der 3οnicht mit der niedrigeren Leitfähigkeit unterhalb der Blektroaenaone kleiner ale 25/W» i*t. ^p ORIGINAL
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- 11 -
1A64319
5. Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehrerein der Ansprüche 1 bis 4, daduroh gekennseiahnet, daß beide Sohlohten entweder aus η-leitendem oder aus p-leltendem Material bestehen und daß die Elektrodenxone auf der oohioht mit der niedrigeren Leitfähigkeit denselben Leitfähigkeitstyp wie die beiden Oohiohten und eine höhere Leitfähigkeit als die del licht dt der niedrigeren Leitfähigkeit htt.
6. Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, daduroh gekemselohnet, daß nur swel Elektroden vorgesehen sind und daß die Torrichtung eine Lawineninjektionsdiode 1st.
7. Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehreren der Anspruch· 1 bis 5» daduroh gekennselohnet, daß neben der bereite erwähnten einen Elektrode auf der üohioht mit der niedrigeren Leitfähigkeit eine weitere Elektrode angebracht ist«
8. Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüohe, daduroh gekennzeichnet, daß die Schi oh t mit der niedrigeren Leitfähigkeit auf der als träger und ^tromsuführungsleitung wirkenden Schioat mit der höheren Leitfähigkeit auf epitaxialem Wege angewachsen let.
9. Tsrfahren wir Herstellung einer Halbleitervorrichtung naoh einem oder mehreren der Anspruch· 1 bis 7» daduroh gekennseiohnet, daß die Sohioht mit der niedrigeren Leitfähigkeit daduroh gebildet wird» daß man aus einer Oberflächenschicht eines Körpers mit einer hohen Leitfähigkeit in dem Körper vorhandenes ausdiffundierbares Dotierungsmaterial durch thermisch· Behandlung auediffundieren läßt. BAD 0RIGINAL
909807/0A 3d Λ?
10. Ytrfahrtn rar Κ· ret el lern* «in«r fialftltltervorriohtung nach Amapruoh β, dadurch *ektaiu«iohn«t, AaB 41« Sokloat ■it 4«r nl««rig«r·» teltftthifkei« auf epitaxial·* Weg· dar·* Attwaeh··* aua 4tr Saapfphaet auf dl· Settht alt Amr aöheren Leitfähigkeit aufg«»raoht wird.
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BAD ORDINAL
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