DE1299752B - Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden

Info

Publication number
DE1299752B
DE1299752B DE1962ST019555 DEST019555A DE1299752B DE 1299752 B DE1299752 B DE 1299752B DE 1962ST019555 DE1962ST019555 DE 1962ST019555 DE ST019555 A DEST019555 A DE ST019555A DE 1299752 B DE1299752 B DE 1299752B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal film
layer
film resistors
anodic oxidation
support body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1962ST019555
Other languages
English (en)
Inventor
Rer Nat Gerhard Walter Hein Dr
Helwig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority to DE1962ST019555 priority Critical patent/DE1299752B/de
Priority to GB2970963A priority patent/GB1045186A/en
Publication of DE1299752B publication Critical patent/DE1299752B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/26Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material
    • H01C17/265Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material by chemical or thermal treatment, e.g. oxydation, reduction, annealing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderständen mit besonders hochwertigen Eigenschaften, insbesondere einem sehr kleinen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes.
  • Die Herstellung von Metallschichtwiderständen ist an sich bereits bekannt. So hat man beispielsweise Hochohmwiderstände durch Aufbringen von sehr reinem Silizium und Germanium als Schicht auf einem isolierenden, stabförmigen Träger gefertigt. Es ist ferner bekannt, durch Schablonen die aufzubringenden Widerstandsschichten zu begrenzen . oder nachträglich den Widerstandsweg durch Fräsen, Ätzen od. dgl. zu verändern, nicht zuletzt zu dem Zweck, den gewünschten- Widerstandswert zu erhalten.
  • Die Erfindung geht einen anderen Weg. Sie geht von den Erfahrungen der Dünnschichttechnik aus, wie sie bei Dünnfilmschaltkreisen Anwendung finden.
  • Die Erfindung besteht in einem Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderständen durch Aufstäuben oder Aufdampfen von Ventilmetall, insbesondere Tantal, auf einen isolierenden Trägerkörper und anschließenden Wertabgleich durch anodische Oxydation und ist dadurch gekennzeichnet, daß parallele, gerichtete Dampfstrahlen einseitig auf den Trägerkörper gerichtet werden, der so profiliert ist, daß Teile der zu bedampfenden Fläche schräg zu den Dampfstrahlen verlaufen.
  • Hierdurch wird erreicht, daß die Widerstandsschicht auf dem Träger in ungleichmäßiger Stärke erzeugt wird, wodurch ein besonders gutes Abgleichen des Widerstandes durch die anodische Oxydation möglich ist.
  • Bei Metallschichtwiderständen ist es an sich bekannt, das Widerstandsmaterial durch einseitiges Aufdampfen auf einen profilierten Trägerkörper aufzubringen. Hierbei war man jedoch bestrebt, eine möglichst gleichmäßige Schichtdicke herzustellen.
  • Es ist weiter bekannt, Metallschichtwiderstände aus Ventilmetall durch anodische Oxydation abzugleichen.
  • Der Träger kann beispielsweise die Form eines Fadens oder Stabes aus Isoliermaterial haben.
  • Die Wahl zylindrischer oder gleichartig geformter oder wirkender Träger für die Widerstandsschicht bringt es mit sich, daß bei der anschließenden Oxydation der aufgebrachten Widerstandsschicht eine verhältnismäßig große Steilheit der-Korrektür des Widerstandswertes erzielt wird.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den F i g. 1 bis 4 dargestellt: Die F i g. 1 zeigt eine Anzahl von Glasstäben G und -Fasern F im Zerstäubungsfeld zwischen zwei Elektroden Ei und E2, von denen die Kathode E2 aus- einem Ventilmetall, insbesondere Tantal, besteht.
  • Die F i g. 2 a und 2 b zeigen einen Glasstab G mit aufgedampfter Tantalschicht S in perspektivischer Darstellung (F i g. 2 a) und im vergrößerten Schnitt senkrecht zur Längsachse des Stabes (F i g. 2 b). Als Besonderheit ist hervorzuheben, daß die Stärke der aufgedampften Schicht nach den Seiten hin abnimmt und der untere Teil des Stabes überhaupt nicht beschichtet ist. Wird an einem solchen Glasstab eine anodische Oxydation in bekannter Weise - es wird hier auf die Verfahren der,Kondensatortechnik verwiesen - vorgenommen, so Wird-diese'je nach Dauer des Verfahrens die seitlichen Teile der Widerstandsschicht S in der ganzen Schichtstärke erfassen, während der mittlere Teil der Widerstandsschicht, der die größte Schichtstärke besitzt, nur oberflächlich oxydiert wird.
  • Außer dem erwähnten Vorteil einer verhältnismäßig großen Steilheit der Korrektur des Widerstandswertes tritt zusätzlich der Vorteil auf, daß die Widerstandsschicht nach allen Seiten hin durch eine Oxidschicht geschützt ist. Unter Umständen kann ein zusätzlicher Oberflächenschutz durch Eingießen des Widerstandes oder Einkapseln in Frage kommen.
  • Fertige, jedoch noch nicht eingegossene Widerstände sind in den F i g. 3 und 4 dargestellt. Die F i g. 3 zeigt einen mit der Widerstandsschicht S versehenen Glasstab G, der an den Enden mit ringförmigen Kontakten R versehen ist, die aufgepreßt, aufgelötet oder in anderer Weise angebracht sind.
  • Die F i g. 4 zeigt eine auf einem Träger T aus Isoliermaterial befestigte Glasfaser F, die an ihren Enden an Kontaktierungsflächen K1, K@ des Trägers befestigt, z. B. aufgelötet, metallisch überspritzt od. dgl. ist. Durch Wahl der Länge und/oder der Breite bzw. des Durchmessers des Trägermaterials können, abgesehen von der Wahl der Bestäubungs-bzw. Aufdampfungsdaten, die Widerstandswerte pro Längeneinheit in weiten Grenzen geregelt und eingestellt werden.
  • Das Verfahren nach der Erfindung kann beispielsweise als Grundlage für eine Serienfertigung benutzt werden, indem der zu beschichtende Glasfaden von einer Vorratstrommel abgezogen, dann durch die Vakuumkammer zum Beschichten und anschließend in das Formierbad zur anodischen Oxydation und schließlich zum Nachwaschen, Nachhärten, Kontaktieren usw. geführt wird.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderständen durch Aufstäuben oder Aufdampfen von Ventilmetall, insbesondere Tantal, auf einen isolierenden Trägerkörper und anschließenden Abgleich des elektrischen Widerstandswertes durch anodische Oxydation, d a d u r c h g e -kennzeichnet, daß parallele, gerichtete Dampfstrahlen einseitig auf den Trägerkörper gerichtet werden, der so profiliert ist, daß Teile der zu bedampfenden Fläche schräg zu den Dampfstrahlen verlaufen.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als profilierter Trägerkörper ein zylindrischer Stab oder Faden aus isolierendem Material, insbesondere Glas, verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch .gekennzeichnet, daß ,durch die anodische Oxydation auf der gesamten Oberfläche der Widerstandsschicht eine Oxidschicht erzeugt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand mit der anodisch oxydierten Widerstandsschicht nach dem Anbringen von Kontakten in ein Isoliermaterial wie Kunststoff eingebettet wird.
DE1962ST019555 1962-08-01 1962-08-01 Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden Pending DE1299752B (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1962ST019555 DE1299752B (de) 1962-08-01 1962-08-01 Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden
GB2970963A GB1045186A (en) 1962-08-01 1963-07-26 Method of producing metal-film resistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1962ST019555 DE1299752B (de) 1962-08-01 1962-08-01 Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1299752B true DE1299752B (de) 1969-07-24

Family

ID=7458252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1962ST019555 Pending DE1299752B (de) 1962-08-01 1962-08-01 Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE1299752B (de)
GB (1) GB1045186A (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE601374C (de) * 1925-05-28 1934-08-14 Internat Resistance Company Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
DE878236C (de) * 1951-09-05 1953-06-01 Heraeus Gmbh W C Hochohmiger Widerstand
DE898468C (de) * 1941-03-21 1953-11-30 Saint Gobain Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
US2863034A (en) * 1954-05-10 1958-12-02 Tassara Luigi Electric resistance element
DE1073594B (de) * 1960-01-02 Hλτon A Coler New York N Y (V St A) Louis New York N Y (V St A) ) Schichtregelwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1073594B (de) * 1960-01-02 Hλτon A Coler New York N Y (V St A) Louis New York N Y (V St A) ) Schichtregelwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE601374C (de) * 1925-05-28 1934-08-14 Internat Resistance Company Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
DE898468C (de) * 1941-03-21 1953-11-30 Saint Gobain Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden
DE878236C (de) * 1951-09-05 1953-06-01 Heraeus Gmbh W C Hochohmiger Widerstand
US2863034A (en) * 1954-05-10 1958-12-02 Tassara Luigi Electric resistance element

Also Published As

Publication number Publication date
GB1045186A (en) 1966-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0361195B1 (de) Leiterplatte mit einem spritzgegossenen Substrat
DE1490927C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schicht Widerstandselementes unter Verwendung von Tantalmtnd
DE2712790A1 (de) Rasierklinge mit schutzbeschichtung
DE2259859A1 (de) Verfahren zur herstellung eines filzschreiberkernes aus einem buendel synthetischer fasern
DE112019002509T5 (de) Chipwiderstand und verfahren zum herstellen eines chipwiderstands
DE2835577C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmagnetkopfes und Dünnfilmmagnetkopf
DE1452370C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Röhrchen kleinen Querschnitts
DE2355661C3 (de) Magnetempfindliches Dünnschichthalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1918302A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Filmwiderstaenden
DE1299752B (de) Verfahren zum Herstellen von Metallschichtwiderstaenden
DE910185C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes aus Metall
DE1590786B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Mikro-Miniatur-Schaltungen bzw.Schaltungsbauelementen
DE937212C (de) Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen
DE2737903C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Analysatorsystems für ein Multipol-Massenfilter
DE2364869A1 (de) Abtastnadel
DE1490986C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandselements mit teilweiser Entfernung der Widerstandsschicht zwecks Einstellung der Widerstandseigenschaften
DE2132095A1 (de) Elektrische Spulen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE506362C (de) Verfahren zur Herstellung von hochohmigen Widerstaenden
DE708588C (de) Loetkolben mit einer an einem waermezufuehrenden Koerper in Form einer festhaftenden Schicht aus verzunderungsfreiem porigem Metall angebrachten Loetfinne oder Loetspitze
DE892022C (de) Verfahren zum Aufdampfen schwer kondensierbarer Stoffe im Vakuum auf insbesondere wärmieempfmdhche Unterlagen, insbesondere für die Herstellung von Kondensatoren
DE652142C (de) Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenzwiderstaenden
DE2724679B2 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandselementen, beispielsweise für Wärmesonden und Dehnungsmeßstreifen
DE969523C (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktstellen fuer duenne Metallbelegungen
DE1590786C (de) Verfahren zur Herstellung von Mikro Miniatur Schaltungen bzw Schaltungsbauele menten
DE736856C (de) Stufenweise regelbarer keramischer Kondensator mit einer Belegung, der eine Anzahl fester Gegenbelegungen zugeordnet sind