DE1298124B - Schaltungsanordnung zur Stabilisierung der Horizontallenkung in Fernsehgeraeten - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Stabilisierung der Horizontallenkung in Fernsehgeraeten

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DE1298124B
DE1298124B DE19681762484 DE1762484A DE1298124B DE 1298124 B DE1298124 B DE 1298124B DE 19681762484 DE19681762484 DE 19681762484 DE 1762484 A DE1762484 A DE 1762484A DE 1298124 B DE1298124 B DE 1298124B
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transistor
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circuit
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Dr-Phys Otto
Soeylemez Ali Ihsan
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
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Description

  • ' Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Horizontalablenkung des Elektronenstrahls der Bildröhre in einem Fernsehgerät mit einem Zeilenendtransistor, der über den Basiskreis gesteuert wird und bei dem zwischen Kollektor und Emitter eine der Durchlaßrichtung des Zeilenendtransistors entgegengesetzt gepolte Diode und dazu parallel ein Schwingkreis liegen, dessen Induktivität emitterseitig ein Ladekondensator in Reihe geschaltet ist, und an dessen Parallelkapazität während der Sperrphase des Zeilenendtransistors eine Gleichspannungsquelle über einen Takt-Treiber gekoppelt ist, wobei der Takt-Treiber von Treiberimpulsen gesteuert wird.
  • Eine solche Schaltungsanordnung ist in der Patentanmeldung P 12 87 6l9.6-31 beschrieben.
  • Zur Verbesserung dieser Schaltungsanordnung wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß vor den Takt-Treiber ein Regelglied geschaltet ist, das in Abhängigkeit von der Spannung am Ladekondensator zu ihrer Stabilisierung die Treiberimpulse formt, wobei das Regelglied aus einem Transistor in Emitterschaltung besteht, dessen Basis den Eingang für die zu formenden Treiberimpulse bildet, in dessen Kollektorkreis ein Übertrager für die die geformten Treiberimpulse bildenden Ausgangsimpulse des Regelgliedes liegt und an dessen Emitter der Kollektor eines Transistors angeschlossen ist, wobei dieser Transistor mit seinem Emitter auf Bezugspotential liegt und an seiner Basis mit dem Kollektor eines weiteren in Emitterschaltung betriebenen Transistors verbunden ist, über den die Basisvorspannung des Transistors eingestellt wird und der seinerseits einen ohmschen Gegenkopplungswiderstand an seinem Emitter und eine aus dc;r Spannung am Ladekondensator abgeleitete Emitter-Basis-Spannung aufweist.
  • Man erreicht mit einer Schaltungsanordnung, wie sie die vorliegende Erfindung vorschlägt, eine stabilisierte Spannung an dem Ladekondensator und damit eine stabilisierteAblenkamplitude. Darüber hinaus bleibt die -Hochspannung netzspannungsunabhängig, falls sie aus der Ablenkspannung gewonnen wird. Der Einfuß von Netz- und Lastschwankungen auf die gesamte Funktion der Ablenkschaltung ist weitgehend aufgehoben.
  • An Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels soll die Erfindung näher erläutert werden. Danach besteht das Regelglied aus einem Transistor 1 in Emitterschaltung, dessen Basis den Eingang für die zu formenden Treiberimpulse bildet, in dessen Kollektorkreis ein Übertrager 2 für die die geformten Treiberimpulse bildenden Ausgangsimpulse des Regelgliedes liegt und an dessen Emitter der Kollektor eines Transistors 3 angeschlossen ist, wobei dieser Transistor 3 mit seinem Emitter auf Bezugspotential liegt und an seiner Basis mit dem Kollektor eines weiteren in Emitterschaltung betriebenen Transistors 4 verbunden ist, über den die Basisvorspannung des Transistors 3 eingestellt wird und der seinerseits einen ohmschen Gegenkopplungswiderstand 5 an seinem Emitter und eine aus der Spannung am Ladekondensator 6 abgeleitete Emitter-Basis-Spannung aufweist. Der Transistor 4 hat außerdem einen ohmschen Kollektorwiderstand 7. Seine Basis führt über eine Z-Diode 8 zum Abgriff eines einstellbaren ohmschen Spannungsteilers 9, an dem die Spannung des Ladekondensators liegt. Die Zeichnung weist dazu noch die in Serie zu dem Ladekondensator 6 liegende Induktivität 10 des Parallelschwingkreises auf; die übrigen Teile der Spardiodenschaltung sind weggelassen. An der Serienschaltung des Ladekondensators 6 und der Induktivität 10 liegt über einen Takt-Treiber 11 die Gleichspannungsquelle, die die vorzugsweise direkt aus dem Netz gleichgerichtete Spannung von 220 V liefert.
  • Die Funktionsweise dieses Regelgliedes ist folgende: Die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 3 dient als steuerbarer Gegenkopplungswiderstand für den Transistor 1. Da die Spannungsverstärkung des Transistors 1 angenähert durch das Verhältnis des Kollektor-Lgistwiderstandes zum Emitterwiderstand gegeben ist, kann sie mit Hilfe des Transistors 3 geändert werden. Dieser Transistor 3 wird an der Basis von dem Transistor .I angesteuert, der die über den Spannungsteiler 9 und die Z-Diode 8 an seine Basis gelangenden Schwankungen der Spannung des Ladekondensators 6 an die Basis des Transistors 3 überträgt. Mit Hilfe der Z-Diode 8 werden die Schwankungen der Spannung am Ladekondensator6 für die Basis des Transistors4 relativ größer. Man erreicht damit eine vergrößerte Regelsteilheit des Regelgliedes.
  • Sinkt beispielsweise die Spannung am Ladekondensator 6, dann wird der Transistor 1 weniger leitend. Die Spannung an der Basis des Transistors 3 wird positiver, so daß der Transistor 3 mehr leitend wird. Dadurch sinkt der Emitter-Kollektor-Widerstand des Transistors 3, und die Gegenkopplung des Transistors 1 wird geringer. Das hat zur Folge, daß der Transistor 1 die in seine Basis eingespeisten Impulse mehr verstärkt. Die in der Amplitude erhöhten Impulse, über den Übertrager 2 an den Takt-Treiber 11 übertragen, haben verstärkte Speiseimpulse der Gleichspannungsquelle in die Spardiodenschaltung zur Folge. Diese erhöhte Energiezufuhr bewirkt ein Ansteigen der Spannung am Ladekondensator und damit die Kompensation der beispielsweise angenommenen Verringerung dieser Spannung.
  • Auf diese Weise wird, unabhängig von der der Ablenkschaltung entnommenen Leistung, die eigentliche »Betriebsspannung« der Horizontalablenkschaltung, nämlich die Spannung an dem Ladekondensator 6, konstant gehalten. Außerdem werden Netzspannungsschwankungen ausgeregelt.
  • Neben der im Ausführungsbeispiel angewendeten Methode, durch Ändern der Amplitude der Takt Treiberimpulse die Spannung am Ladekondensator 6 zu regeln, gibt es weitere Möglichkeiten durch Änderung der Breite oder der Amplitude und Breite dieser Takt-Treiber-Impulse.

Claims (3)

  1. Patentansprüche; 1. Schaltungsanordnung zur Horizontalablenkung des Elektronenstrahls der Bildröhre in einem Fernsehgerät mit einem Zeilenendtransistor, der über den Basiskreis gesteuert wird und bei dem zwischen Kollektor und Emitter eine der Durchlaßrichtung des Zeilenendtransistors entgegengesetzt gepolte Diode und dazu parallel ein Schwingkreis liegen, dessen Induktivität emitterseitig ein Ladekondensator in Reihe geschaltet ist, und an dessen Parallelkapazität während der Sperrphase des Zeilenendtransistors eine Gleichspannungsquelle über einen Takt-Treiber gekoppelt ist, wobei der Takt-Treiber von Treiberimpulsen gesteuert wird, nach Patentanmeldung P 12 87 619.6-31 (deutsche Auslegeschrift 1287619) dadurch gekennzeichnet, daß vor den Takt-Treiber ein Regelglied geschaltet ist, das in Abhängigkeit von der Spannung am Ladekondensator (6) zu ihrer Stabilisierung die Treiberimpulse formt, wobei das Regelglied aus einem'1'ransistor(1) inEmitterschaltung besteht, dessen Basis den Eingang für die zu formenden Treiberimpulse bildet, in dessen Kollektorkreis ein Übertrager (2) für die die geformten Treiberimpulse bildenden Ausgangsimpulse des Regelgliedes liegt und an dessen Emitter der Kollektor eines Transistors (3) angeschlossen ist, wobei dieser Transistor (3) mit seinem Frnitter auf Bezugspotential liegt und an seiner Basis reit dem Kollektor eines weiteren in Emitterschaltung betriebenen Transistors (4) verbunden ist, über den die Basisvorspannung des Transistors (3) eingestellt wird und der seinerseits einen ohmschen Gegenkopplungswiderstand(5) an seinem Emitter und eine aus der Spannung am Ladekondensator (6) abgeleitete Emitter-Basis-Spannung aufweist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnct, daß die Basis des Transistors (4) über eine Z-Diode (8) an eine aus der Spannung am Ladekondensator (6) hergeleitete Spannung gelegt ist.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder2, dadurch gekennzeichnet, daß das Regelglied die Treiberimpulse hinsichtlich ihrer Breite und/oder ihrer Amplitude formt.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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