DE2154869C2 - Schaltung zur Erzeugung von Schwingungssignalen mit konstanter Amplitude - Google Patents
Schaltung zur Erzeugung von Schwingungssignalen mit konstanter AmplitudeInfo
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Description
gungssignale abnimmt, wird der Kollektor des Transistors
auf einen höheren Spannungspegel gebracht
Ein Schwellenwert wird bei der gewünschten Amplitude der Schwingungssignale errichte», wenn die
Verstärkung des Transistors bekannt ist, wodurch eine mit dem Regeltransistor verbundene Diode und der
Regeltransistor derart vorgespannt werden, daß ein Ruhestrom dem Transistorpaar zugeführt wird, um die
Schwingung aufrechtzuerhalten.
Wenn die Amplitude der Schwingungssignale den Schwellenwert übersteigt, fällt der Spannungspegel am
Kollektor des als Gleichrichter dienenden Transistors wieder ab, während dieser Transistor in der positiven
Halbwelle des Schwingungssignals stärker durchlässig wird. Diese Funktion der Schaltung zeigt die Tendenz,
die Diode stärker rückwärts vorzuspannen, so daß der Regeltransistor weniger durchlässig wird. Dadurch wird
wiederum der Strom durch die Transistoren des Transistorpaares vermindert Folglich nimmt die Amplitude
der Schwingungssignale ab. Der entgegengesetzte Vorgang spielt sich ab, wenn die Amplitude der
Schwingungssignale unter den Schwellenwert abfällt, der durch die Verstärkung des als Gleichrichter
dienenden Transistors festgelegt ist
Eine Rückkopplung durch eine Last an der Oszillatorstufe wird verhindert so daß keine Veränderung der
Frequenz oder der Amplitude der erzeugten Wellen durch die mit der Oszillatorstufe verbundene Last
auftritt
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der einzigen Figur der Zeichnung
beschrieben.
In der Figur ist z. B. der positive Pol einer Spannungsquelle (nicht gezeigt) an eine Eingangsklemme
10 eines Plättchens 12 angeschlossen, dessen Umfang strichpunktiert angedeutet ist Der andere Pol
der Spannungsquelle ist mit einer Klemme 14 verbunden, über die außerdem das Plättchen 12 geerdet
ist Gegebenenfalls können auch mehrere Erdanschlüsse vorgesehen werden.
Drei Widerstände 16,18 und 20 liegen in dieser Folge
in Reihe zwischen der Eingangsklemme 10 und dem Kollektor eines NPN-Transistors 22. Da sämtliche
dargestellten Transistoren NPN-Transistoren sind, werden sie im folgenden als solche nicht mehr näher
bezeichnet. Der Emitter des Transistors 22 ist über einen Widerstand 24 mit der Klemme 14 verbunden. Die
Basis des Transistors 22 ist mit der Basis eines Transistors 24 verbunden, dessen Kollektor mit der
Basis eines Transistors 28 und über einen Widerstand 30 so mit der Eingangsklemme 10 verbunden ist Der Emitter
des Transistors 26 ist mit der Anode einer Diode 32 verbunden, deren Kathode mit der Klemme 14
verbunden ist. Die Basis des Transistors 26 ist mit dem Emitter des Transistors28 und über einen Widerstand 34
mit der Klemme 14 verbunden. Der Kollektor des Transistors 28 ist über einen Widerstand 36 mit der
Eingangsklemme 10 verbunden. Der Verbindungspunkt des Emitters des Transistors 28 und des Widerstandes 34
ist an eine mit einer Vorspannung beaufschlagte Klemme 38 angeschlossen.
Der Kollektor eines Transistors 40 ist direkt mit der Eingangsklemme 10 verbunden. Die Basis des Transistors 40 ist an den Verbindungspunkt der Widerstände
18 und 20 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 40 ist über einen Widerstand 42 an die Klemme 14 und
außerdem an die Basis eines Transistors 44 angeschlossen. Der Kollektor eines Transistors 46 ist direkt mit der
Eingangsklemme 10 verbunden, wahrend seine Basis an den Verbindungspunkt der Widerstände 16 und 18
angeschlossen ist und sein Emitter mit der Basis eines Transistors 48 und über einen Widerstand 50 mit der
Klemme 14 verbunden ist
Der Kollektor eines Transistors 52 ist mit der Basis eines Transistors 54 und ferner mit einer Klemme 56 des
Plättchens 12 verbunden. Die Basis des Transistors 52 ist mü der Basis des Transistors 26 verbunden. Die Emitter
der Transistoren 52 und 54 sind zusammengefaßt und über einen Widerstand 58 an den Kollektor eines
Transistors 60 angeschlossen, dessen Emitter mit der Klemme 14 verbunden ist Der Kollektor des Transistors
54 ist an die Eingangsklemme 10 angeschlossen. Die Basis des Transistors 54 ist ferner mit der Basis eines
Transistors 62 verbunden.
Der Kollektor des Transistors 44 ist über einen Widerstand 64 mit der Eingangsklemme 10 verbunden.
Der Emitter des Transistors 44 ist mit dem Kollektor des Transistors 62 verbunden. Der Emitter des
Transistors 62 ist über einen Widerstand 66 an die Klemme 14 angeschlossen und ferner mit der Basis eines
Transistors 68 verbunden. Der Kollektor des Transistors 68 ist über einen Widerstand 70 an die
Eingangsklemme 10 und außerdem an eine' Klemme 72 für automatische Verstärkungs-Steuerung sowie an die
Anode einer Diode 74 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 68 ist über einen Widerstand 76 mit der
Klemme 14 verbunden. Die Kathode der Diode 74 ist über einen Widerstand 78 mit der Klemme 14
verbunden und außerdem an die Basis des Transistors 60 angeschlossen.
Der Kollektor des Transistors 48 ist über einen Widerstand 80 an die Eingangsklemme 10 angeschlossen,
während sein Emitter über einen einen konstanten Strom liefernden Widerstand mit der Klemme 14
verbunden ist. Der Emitter des Transistors 48 ist ferner direkt mit dem Emitter eines Transistors 84 verbunden,
dessen Kollektor direkt an die Eingangsklemme 10 angeschlossen ist, während die Basis des Transistors 84
mit dem Kollektor des Transistors 44 verbunden ist.
Der Kollektor eines Transistors 86 ist direkt an eine Klemme 88 für die Energiezufuhr angeschlossen.
Obwohl zwei solcher Klemmen, d. h. die Klemmen 10 und 88 gezeigt sind, kann auch nur eine verwendet
werden, d. h. der Kollektor des Transistors 86 kann auch an die Eingangsklemme 10 angeschlossen werden. Die
Basis des Transistors 86 ist mit dem Kollektor des Transistors 48 verbunden, während der Emitter des
Transistors 86 über einen Lastwiderstand 90 mit der Klemme 14 verbunden ist. Die Ausgangsschwingung des
Plättchens 12 kann an einer Ausgangsklemme 93 abgenommen werden, die mit dem Fmitter des
Transistors 86 verbunden ist.
Nachfolgend werden weitere Elemente der Schaltung beschrieben, die nicht auf dem Plättchen angeordnet
sind:
Es ist ein Oszillator-Schwingkreis 92 vorgesehen, der in Form einer Parallelschaltung aus einer Induktivität
und einer Kapazität ausgebildet sein kann und der zwischen der Klemme 56 und der mit der Vorspannung
beaufschlagten Klemme 38 liegt. Es sind ferner Überbrückungs- oder Filter-Kondensatoren 94 und 96
vorgesehen, die entsprechend zwischen der Klemme 72 bzw. der Klemme 38 und der Klemme 14 liegen.
Nachfolgend wird der Betrieb der Schaltung beschrieben.
Es wird bemerkt, daß der Transistor 46 und sein
Emitter-Widerstand 50 sowie die in der Figur hiervon rechts auf dem Plättchen 12 liegenden Elemente den
Gleichstromteil des Plättchens 12 darstellen, während die Elemente links hiervon den Oszillator und den
Ausgangsteil des Plättchens 12 bilden. Da der beschriebene Oszillator Rechteckwellen für eine
emittergekoppelte Logikschaltung abgeben soll, muß der Ausgang des Oszillators eine entsprechende
Wellenform und eine entsprechende Spannungsamplitude liefern und eine geeignete Impedanz für die
Ankopplung der Logikschaltung aufweisen.
Die an die Eingangsklemme 10 gegenüber der Klemme 14 angelegte Energie ist normalerweise
spannungsgeregelt. Die Kopplung der Basen der Transistoren 22 und 26 und der niedrige und konstante
Spannungsabfall in Durchlaßrichtung der Diode 32 und am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 26 führt zu
einer Spannung an der Klemme 38, die um zwei Dioden-Spannungsabfälle über dem Potential der
Klemme 14 liegt, während sich am Verbindungspunkt der Widerstände 16 und 18 und an demjenigen der
Widerstände 18 und 20 eine konstante, durch diese Widerstände bestimmte Spannung ergibt. Die Verbindung
des Emitters des Transistors 28 mit der Basis des Transistors 52 ergibt an der Klemme 38 eine niedrige
Impedanz, jedoch eine konstante Spannung, die um zwei Dioden-Spannungsabfälle über dem Potential an der
Klemme 14 liegt, wie dies bereits ausgeführt wurde. Mittels des Oszillator-Schwingkreises 92 wird das
Potential an der Klemme 38 an den Kollektor des jo Transistors 52 und an die Basen der Transistoren 54 und
62 gelegt, so daß die Vorspannung an den Basen dieser Transistoren 54 und 62 um zwei Dioden-Spannungsabfäiie
über dem Potential der Klemme 14 liegt. Durch geeignete Auswahl der Widerstandswerte der Widerstände
16 und 50 liegt die Spannung an der Basis des Transistors 48 um eineinhalb Dioden-Spannungsabfälle
unter dem Potential der Eingangsklemme 10. In gleicher Weise wird die Vorspannung an der Basis des
Transistors 44 durch entsprechende Auswahl der Widerstandswerte der Widerstände 16, 18 und 42 auf
einen Wert gebracht, der um zwei Dioden-Spannungsabfälle unter dem Potential der Eingangsklemme 10
liegt. Infolge der Verbindung der Basen der Transistoren 44 und 48 mit den Emittern der entsprechenden
Transistoren 40 und 46 haben die so gebildeten Vorspannungsquellen eine niedrige Impedanz. Der
Kondensator 96 wirkt als Filter-Kondensator und läßt keine Wechselspannungskomponenten zu diesen Vorspannungsquellen
durch.
Infolge der Anordnung des Oszillator-Schwingkreises 92 zwischen dem Kollektor und der Basis des
Transistors 52 und infolge der Verbindung der Emitter der Transistoren 52 und 54 und der Verbindung des
Kollektors des Transistors 52 mit der Basis des Transistors 54 erfolgt zwischen diesen Transistoren eine
Speisung vorwärts und rückwärts, wodurch — wenn der Osziliator-Schwingkreis 92 in der beschriebenen Weise
angeschlossen ist — ein Oszillator gebildet wird. Die Frequenz dieses Oszillators kann abhängig von der
Abstimmung des Schwingkreises 92 von nahezu Gleichstrom bis auf eine sehr hohe Frequenz, z. 3. mehr
als 250 MHz, variieren. Wenn es gewünscht wird, kann ein Varaktor, z. B. ein spannungsvariabler Kondensator
98, an die Klemme 56 angeschlossen werden, wodurch die erzeugte Welle entsprechend der an die andere
Klemme des Kondensators 98 angelegten Spannung variiert oder frequenzmoduliert werden kann.
Mittels des beschriebenen Oszillators erhält man eine automatische Verstärkungs-Steuerung. Das Ausgangssignal
des Oszillators wird an der Basis des Transistors 54 abgenommen und an die Basis des in Emitterfolgerschaltung
angeordneten Transistors 62 gelegt. Die so hervorgerufene Schwingung an der Basis des Transistors
62 führt zu einer Schwingung an dessen Emitter und damit auch des Stromes im Widerstand 66, wodurch
wiederum eine Schwingung an der Basis des Transistors 68 hervorgerufen wird.
Die Basis des Transistors 68 wird infolge der Verbindung der um zwei Dioden-Spannungsabfälle
höher liegenden Klemme 38 mit der Basis des Transistors 68 über die Basis-Emitter-Strecke des
Transistors 62 auf eine Spannung vorgespannt, die um einen Dioden-Spannungsaljfäi! übet dem potential der
Klemme 14 liegt. Der Transistor 68 ist daher normalerweise nicht leitend. Der an die Basis des
Transistors 68 angelegte Wechselstrom wird durch die Gleichrichterwirkung des Transistors 68 und die
Filterwirkung des Kondensators 94 in Gleichstrom umgewandelt, wodurch eine eingeschwungene Gleichspannung
am Kollektor des Transistors 68 liegt, deren Amplitude von der Amplitude der Schwingungen
abhängt, die an der Basis des Transistors 54 entstehen. Wenn der Transistor 68 abgeschaltet ist, wird an die
Basis des Transistors 60 ein Vorspannungsstrom von der Eingangsklemme 10 über den Widerstand 70 und die
Diode 74 angelegt. Hierdurch wird der Transistor 60 leitend, so daß ein Strom durch den Transistor 52 oder
54 fließt, wodurch diese Schwingungen erzeugen, d. h., der Strom fließt abwechselnd entweder zum Transistor
52 oder zum Transistor 54, wenn der Transistor 60 leitend ist. Wenn die Amplitude der Schwingungen an
der Basis des Transistors 54 genügend groß wird, um den Transistor 68 leitend zu machen, so fließt ein
geringerer Basisstrom in den Transistor 60, wodurch dessen Leitfähigkeit reduziert und auch der durch die
Transistoren 52 und 54 fließende Strom vermindert wird. Dieser durch die Transistoren 52 und 54 fließende
Strom kann effektiv auf Null reduziert werden, wenn die Spannung an der Basis des Transistors 54 zu hoch wird.
Auf diese Weise wird die Amplitude der durch den Oszillator erzeugten Schwingungen konstant gehalten.
Diese Amplitude ist unabhängig von der Größe des Kondensators 94 und hängt von dem Verhältnis der
Widerstandswerte der Widerstände 70 und 76 ab.
Der Ausgang des Oszillators sollte nicht mit der an ihn angelegten Last belastet werden, um eine Rückwirkung
oder Rückkopplung der Last auf die Amplitude oder die Frequenz des Oszillators zu verhindern. Dies
wird bewirkt, indem das Ausgangssignai des Osziilaiors
nicht an die Basis des Transistors 54, sondern an die Basis des Transistors 62 gelegt wird. Ferner sollte die
Spannung, die am Kollektor des Transistors 62 liegt,
nicht variiert werden, da solche Änderungen die Basis-Emitter-Kapazität des Transistors 62 verändern,
wodurch die Verstärkung des Transistors 62 verringert und die Belastung am Schwingkreis 92 erhöht wird.
Dieses Fehlen einer Spannungsänderung wird erreicht durch die Verwendung des Transistors 44, der in der
angegebenen Weise mit dem Transistor 62 verbunden ist Da die Basis des Transistors 44 infolge ihrer
Verbindung mit dem Emitter des Transistors 40 auf einem konstanten Potential gehalten wird, und da die
Basis-Emitler-Spannung des Transistors 44 konstant ist,
kann die Spannung am Kollektor des Transistors 62 sich nicht verändern, wodurch keine durch Spannungsände-
rung bedingte zusätzliche Kapazität (des Transistors 62) an der Basis des Transistors 54 liegt und keine
zusätzliche Belastung auf den Schwingkreis 92 zurückwirkt, die eine Freauenzverschlechterung hervorrufen
könnte.
Das Ausgangssignal des Oszillators sollte ferner einen rechteckigen Verlauf haben, und die Auslenkung und
Maximalspannung des Ausgangssignals sollten Werte haben, die durch die an der Ausgangsklenime 93
liegende Last gefordert werden. Wie oben ausgeführt i<> wurde, wirkt der Widerstand 82 als Konstantstromquelle,
so daß die Transistoren 48 und 84 den der Schaltung zugeführten konstanten Strom teilen. Wenn kein
Eingangssignal an der Basis des Transistors 84 liegt, so ist die Spannung an der Basis der Transistoren 84 und 48 ι ί
urn eineinhalb Diodcn-Spannungsabfällc unter der
Spannung, die an die Eingangsklemme 10 angelegt ist. Die Spannung an der Basis des Transistors 48 bleibt
konstant, während diejenige an der Basis des Transistors 84 sich mit der Oszillatorspannung ändert. Da der ?<'
durch den Widerstand 62 fließende Strom über und unter einen eineinhalbfachen Dioden-Spannungsabfall
unter die Speisespannung an der Eingangsklemme 10 infolge der Oszillatorausgangsspannung an der Basis
des Transistors 62 auf und ab geht bzw. schwankt, -">
schaltet der Transistor 84 entsprechend aus und ein. Wenn der Transistor 84 eingeschaltet ist, so ist der
Transistor 48 ausgeschaltet und umgekehrt. Die Amplituden der Schwingungs-Ausgangsspannungen der
Basis des Transistors 84 in negativer Richtung über die ω Sperrung des Transistors 84 hinaus können den Strom
im Transistor 48 nicht weiter steigern, und die Amplituden der Oszillator-Ausgangsspannung an der
Basis des Transistors 84 in positiver Richtung können den Stromfluß im Transistor 48 nicht vermindern,
nachdem dessen Strom den Wert Null erreicht hat. Solange die Oszillator-Ausgangsspannung daher genügend
hoch ist, um den Transistor 84 vom nicht leitenden Zustand in den leitfähigen Zustand umzuschalten, in
welchem im Transistor 48 kein Strom fließt, hat das Ausgangssignal an der Basis des Transistors 86 einen
rechteckförmigen Verlauf, und die Amplitude des Ausgangssignals wird durch die Transistoren 48 und 84
sowie durch deren Schaltung und nicht durch das Oszillator-Ausgangssignal an der Basis des Transistors
62 bestimmt. Die Maximalspannung am Kollektor des Transistors 48 und damit an der Basis des Transistors 86
nähert sich der Spannung an der Klemme 88. Das Verhältnis der Widerstände 80 und 82 bestimmt die
Amplitude der Rechteckwelle an der Basis des Transistors 86.
Weiterhin muß das Ausgangssignal an die an der Klemme 93 liegende Last angepaßt werden. Dies wird
erreicht durch den Transistor 86 und den Widerstand 90. Der Transistor 86 senkt die Spannung an der Basis um
einen Dioden-Spannungsabfall und wirkt außerdem als ein Stromverstärker in Emitterfolgerschaltung. Der
Ausgang 93 hat die geforderte niedrige Impedanz, und die Spannungsschwankung des Ausgangssignals hat den
gewünschten Wert; die Spannung schwingt nämlich um einen Vorspannungs-Pegel von etwa eineinhalb Dioden-Spannungsabfällen
unter der Spannung an der Klemme 14 infolge des Stromflusses im Widerstand 80, wodurch eine Anpassung an eine emittergekoppelte
Logikschaltung möglich ist.
Die einzelnen Bauelemente und ihre Anschlüsse sind außer den Bauelementen 92, 94, 96 und 98 auf einem
Plättchen angebracht. Anstelle der NPN-Transistoren können auch PNP-Transistoren bei geeigneter Polarität
der Spannungsquelle verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Schaltung zur Erzeugung von Schwingungssignalen mit konstanter Amplitude zur Verwendung
bei Logikschaltungen, mit einer Oszillatorstufe, die einen Schwingkreis und einen Verstärker aufweist,
der ein Transistorpaar enthält, wobei die beiden Transistoren in einer Differenzschaltung mit einer
Stromquellenschaltung verbunden sind, dadurch
gekennzeichnet, daß der Schwingkreis (92) zwischen der Basis und dem Kollektor des ersten
(52) der Transistoren des Transistorpaares angeordnet ist, daß der Kollektor des ersten Transistors (52)
mit der Basis des zweiten (54) Transistors aus dem Transistorpaar verbunden ist, daß die Basis des
zweiten Transistors als Ausgang der Oszillatorstufe dient, daß der Kollektor des zweiten Transistors (54)
mit einer Betriebsspannung^ueHe (10) verbunden ist, daß weiterhin eine Pufferstufe vorgesehen ist,
daß die Pufferstufe wenigstens einen Puffertransistör (62) aufweist, daß die Basis des Puffertransistors
(62) mit dem Ausgang der Oszillatorstufe verbunden ist, daß weiterhin ein Transistor (68) vorgesehen ist, ·
der als Gleichrichter dient und an seinem Kollektor eine Spannung erzeugt, die in ihrer Größe der
Amplitude der Schwingungssignale zur automatischen Amplitudenregelung der Oszillatorstufe folgt,
daß der Kollektor des Transistors (68) über einen Widerstand (70) mit der Betriebsspannungsquelle
(IG) und auch mit einem Regeltransistor (60) verbunden ist, welcher zur Amplitudenregelung in
der Emitterzuleitung des Transistorpaares (52, 54) angeordnet ist, und daß die Basis des Transistors (68)
mit dem Emitter des Puffeitransistors (62) und der Emitter des Transistors (68) über einen Widerstand
(76) mit der Bezugsspannungsklemme (14) verbunden sind.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des als Gleichrichter
dienenden Transistors (68) über eine Diode (74) an die Basis des Regeltransistors (60) angeschlossen ist,
um den Strom im ersten und zweiten Transistor (52, 54) umgekehrt proportional zur Amplitude der am
Ausgang der Oszillatorstufe auftretenden Schwingungssignale zu verändern.
3. Schaltung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Transistor (44), dessen
Kollektor mit der Betriebsspannungsquelle verbunden ist, dessen Basis auf einem festen Potential
gehalten ist und dessen Emitter mit dem Kollektor des Puffertransistors (62) auf konstante Spannung
gehalten ist
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter (48) und ein vierter (84)
Transistor vorgesehen sind, deren Emitter über einen Widerstand (82) mit der Bezugsspannungsklemme (14) und deren Kollektoren indirekt bzw.
direkt mit der Betriebsspannungsquelle (10) verbunden sind, daß der Knilektor des dritten Transistors
(48) an den Ausgang (93) der Schaltung angeschlossen ist, daß die Basis des dritten Transistors (48) auf
einem konstanten Vorspannungspotential gehalten ist, und daß die Basis des vierten Transistors (84) mit
dem Kollektor des zusätzlichen Transistors (44) verbunden ist, so daß die Schwingungssignale als
Rechtecksignale am Ausgang (93) der Schaltung auftreten.
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Erzeugung
von Schwingungssignalen mit konstanter Amplitude nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Schaltungen der genannten Art, d. h. Oszillatorstufen,
werden zur Erzeugung νβη Schwingungen benutzt, die
als Taktimpulse im Betrieb von logischen Schaltungen verwendet werden. Die erzeugten Schwingungen
müssen bezüglich der logischen Schaltung, mit der die Oszillatorstufe gekoppelt ist, vorgegebene Wellenformen, gewöhnlich Rechteckwellen, bestimmte Amplituden und eine bestimmte mittlere Spannung gegenüber
Erde aufweisen.
Aus Electronic Design 8, 11. April 1968, Seite 100 ist
ein 4,5 MHz-Oszillator der eingangs genannten Art mit einem Transistorpaar in Differenzschaltung bekannt
Die zusammengeschalteten Emitter der beiden Transistoren liegen über die Kollektor-Emitter-Strecke eines
weiteren Transistors an Erde, während der Kollektor des einen Transistors des Transistorpaares über einen
Widerstand mit einer Bezugsspannungsquelle verbunden ist Außerdem sind die Kollektoren der beiden
Transistoren an eine Oszillatorstufe aus Induktivitäten und Kapazitäten angeschlossen. Durch diese bekannte
Schaltung soll ein Oszillator mit symmetrischem Verlauf des Ausgangssignales geschaffen werden.
Eine ähnliche Schaltung ist auch in »Wireless World«, Feb. 1970, Vol. 76, Seite 92, beschrieben. Diese Schaltung benötigt aber zusätzlich zu einer Induktivität noch
einen Feldeffekttransistor und eine Zener-Diode, was die Integrierbarkeit erschwert
Aus »Funkschau«, 1970, Heft 14, 42. Jahrgang,
Seite 462, ist ein Oszillator mit einer Feldeffekttransistor-Regelschaltung bekannt Durch diese Regelung
wird eine gute Frequenzkonstanz erreicht so daß am Ausgang einer Wien-Brückenschaltung eine Sinus-Ausgangsspannung von z. B. 5 kHz zu erhalten ist
Schließlich ist es noch aus der DE-OS 19 21035
bekannt ÄC-Impulsoszillatoren monolithisch zu integrieren.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch integrierte Schaltung zu
schaffen, welche bei einem einfachen Aufbau auf einem einzigen Plättchen unterzubringen ist und Ausgangssignale liefert, welche hinsichtlich Wellenform, Amplitude
und mittlerer Spannung den Erfordernissen einer logischen Schaltung in besonders flexibler Weise
angepaßt werden können.
Diese Aufgabe wird bei einer Schaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß
durch die in dessen kennzeichnendem Teil enthaltenen Merkmale gelöst
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen 2 bis 4 angegeben.
Bei der Erfindung ist die Basis des als Gleichrichter dienenden Transistors derart vorgespannt, daß ihr
Potential um einen Dioden-Spannungsabfall über dem Potential der Bezugsspannungsklemme liegt. Es ist
daher wegen des mit der Bezugsspannungsklemme verbundenen Widerstandes dieser Transistor nur
während der positiven Halbwelle desjenigen Signals durchlässig, welches der Basis des Transistors zugeführt
wird. Somit arbeitet dieser Transistor als Halbweg-Gleichrichter. Wenn die Amplitude der Schwingungssignale zunimmt nimmt die Durchschnittsspannung an
dem Kollektor des Transistors als Funktion der Verstärkung des Transistors ab, wobei die Verstärkung
dem Verhältnis zwischen den beiden Widerständen entspricht Wenn hingegen die Amplitude der Schwin-
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Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3824491A (en) * | 1973-03-19 | 1974-07-16 | Motorola Inc | Transistor crystal oscillator with automatic gain control |
| CA1010121A (en) * | 1975-03-20 | 1977-05-10 | Allistair Towle | Stabilized crystal controlled oscillator |
| JPS51130101A (en) * | 1975-05-06 | 1976-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tuner |
| US4337444A (en) * | 1978-10-10 | 1982-06-29 | Atari, Inc. | Radio frequency oscillator-modulator circuit |
| DE2929355C2 (de) * | 1979-07-20 | 1984-10-18 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch bipolar-integrierte amplitudengeregelte Oszillatorschaltung |
| FR2542526A1 (fr) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | American Telephone & Telegraph | Oscillateur a quartz |
| NL8304085A (nl) * | 1983-11-29 | 1985-06-17 | Philips Nv | Oscillatorschakeling. |
| US4588968A (en) * | 1984-02-16 | 1986-05-13 | National Semiconductor Corporation | Low noise constant amplitude oscillator circuit |
| US5140286A (en) * | 1991-08-02 | 1992-08-18 | Motorola, Inc. | Oscillator with bias and buffer circuits formed in a die mounted with distributed elements on ceramic substrate |
| DE19620760B4 (de) * | 1996-05-23 | 2006-06-29 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Oszillatorschaltung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1921035B2 (de) * | 1969-04-25 | 1971-09-30 | Monolithisch integrierbarer rc impulsoszillator |
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-
1971
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- 1971-11-04 JP JP8792771A patent/JPS5646291B1/ja active Pending
Also Published As
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| GB1366538A (en) | 1974-09-11 |
| US3665342A (en) | 1972-05-23 |
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