DE1441057A1 - Schaltung mit einer Tunneldiode - Google Patents

Schaltung mit einer Tunneldiode

Info

Publication number
DE1441057A1
DE1441057A1 DE19621441057 DE1441057A DE1441057A1 DE 1441057 A1 DE1441057 A1 DE 1441057A1 DE 19621441057 DE19621441057 DE 19621441057 DE 1441057 A DE1441057 A DE 1441057A DE 1441057 A1 DE1441057 A1 DE 1441057A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tunnel diode
transistor
circuit
voltage
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19621441057
Other languages
English (en)
Inventor
Kessel Theodorus Jozef Van
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1441057A1 publication Critical patent/DE1441057A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E04BUILDING
    • E04HBUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
    • E04H6/00Buildings for parking cars, rolling-stock, aircraft, vessels or like vehicles, e.g. garages
    • E04H6/08Garages for many vehicles
    • E04H6/12Garages for many vehicles with mechanical means for shifting or lifting vehicles
    • E04H6/30Garages for many vehicles with mechanical means for shifting or lifting vehicles with means for transport in horizontal direction only
    • E04H6/36Garages for many vehicles with mechanical means for shifting or lifting vehicles with means for transport in horizontal direction only characterised by use of freely-movable dollies
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B7/00Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
    • H03B7/02Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B7/06Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device
    • H03B7/08Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device being a tunnel diode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/02Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of diodes
    • H03D7/04Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of diodes having a partially negative resistance characteristic, e.g. tunnel diode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/10Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes
    • H03F3/12Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes with Esaki diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Anmelder: N. V. PHILIPS' 6LOEtUMPENFABRIEKQr
Akte: EI/P-10679 "Schaltung mit einer Tunneldiode". 1441057 Anmeldung vom« 27. Aug. 1962
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zum Erzeugen, Verstärken oder Mischen elektrischer Schwingungen mit Hilfe einer auf einen Punkt des negativen Teiles der 3trom-3pannungskurve eingestellten Tunneldiode.
Es ist bekannt, dass unter anderem wegen der Fora der statischen Strom-Spannungskurve, welche teilweise eine negative Steigung aufweist, eine Tunneldiode sich ganz besonders zum Erzeugen oder Verstärken elektrischer Schwingungen, insbesondere Kochfrequenzschwingung- ä en eignet. Es ist auch bekannt, dass die Speisung einer Tunneldiode Schwierigkeiten bereitet, denn der Wirkpunkt einer Tunneldiode liegt bei einer Spannung in der Nähe von z.3. 0,1 Volt. Dieae sehr niedrige Spannung verursacht beträchtliche Enex'gieVerluste im Reihenwiderstand, der zv/isohen der Tunneldiode und der Speisequelle, z.B. einen Akkumulator mit einer Klemmenspannung von etwa 1,5 Volt, eingeschaltet werden muss. Der Spannungsfall an diesen Widerstand ißt nämlich mit einem Strom durch diesen Wideretand, der viel glaser ist als der Strom durch die Tunneldiode verbunden. Zur Erzielung einer stabilen Einstellung der Tunneldiode muss nämlich parallel zur Diode ein Widerstand mit einem kleineren Wert als der Absolutwert des differentiellen Widerstandes im steilsten Teil der Strom-Spannungskurve der Diode geschaltet werden. Letzterer Widerstand ist b&trächtlich kleiner als der statische Widerstand der Diode im Wirkpunkt, was also in noch stärkerem Kasse für den parallel geschalteten Widerstand gilt, durch den daher ein wesentlich grösserer otrora fliesat als durch die Tunneldiode. Aueserdem sind häufig grosse Glfittungskondensatoren notwendig, um Sto'rschwingungen zu vermeiden.
BAD ORfGINAL
809901/0225
- 2 - PH.17.231
Die Erfindung bezweckt, diese Nachteile bzw, Schwierigkeiten zu überwinden und weist das Kennzeichen auf, dass die Tunneldiode mit der Emitterelektrode eines Transistors mit gleicher Durchlassrichtung wie die der Tunneldiode verbunden und in Roihe mit dem Emitter-Kollektorweg dieses Transistors an eine Speisequelle angeschlossen ist, wobei die Basiselektrode des Transistors auf eine für die Tunneldiode erforderliche niedrige Vorspannung eingestellt ist, und der Transistor gleichzeitig als Verstärker oder Generator elektrischer Schwingungen geschaltet ist, die einer mit der Kollektorelektrode verbundenen Impedanz zugeführt werden.
Der Krfindung unterliegt die Erkenntnis, dass die Strom-Spannungskurve (insbesondere die Umitterstroin-Basisspannunga-Kennlinie) eines Transistors bei einem bestimmten Strom einen steileren Verlauf aufweisen kann als die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Tunneldiode im Bereich der negativen Steigung. Infolge der Transistoreigenschaften verhält sich ein mit der Basiselektrode verbundener Widerstand für eine mit der Emitterelektrode verbundene Tunneldiode wie ein Widerstand, der um einen Paktor α1 verkleinert ist (α1 stellt den Kollektor-Basisstromverstärkungsgrad des Transistors dar). Dies hat zur Folge, dass erstens die Tunneldiode leicht auf einen stabilen Wirkpunkt eingestellt werden kann, zweitens durch die Parallelschaltung eines höheren Widerstandes mit der Reihenschaltung der Tunneldiode und des Transistors erreicht wird, dass nur wenig Energie aus der Speisequelle verloren geht, und drittens dieser Widerstand dennoch niedrig genug gewählt werden kann, um der Strom-Spannungskurve des Transistors die gewünschte Steilheit zu varleichen, so dass diese Kurve nur einen Schnittpunkt mit der Strojn-Spannung3kurve der Tunneldiode «iiweiat. Würde dagegen zwischen der Emitterelektrode des Transistors und der Tunneldiode ein Widerstand eingeschaltet, so ergibt
,hV'ii£'iiv'.i ''.V- eich eine un-
809901/022* BAOORIQINAt
- 3 - PH.17.231
stabile Einstellung dar Tunneldiode; die Steigung der Transistor-Kennlinie wird dann so weit herabgesetzt, dass die Kennlinie drei Schnittpunkte mit der Tunneldiode-Kennlinie aufweist.
Das xüneohalten eines Transistors zwischen der Speiaequelle und der Tunneldiode bietet überdies die Möglichkeit, den Transistor zum Beispiel als Verstärker elektrischer Schwingungen wirken zu lassen, indem in der Kollektorleitung eine für diese Schwingungen hohe Impedanz angebracht wird.
Die ürfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
In Pig. 1 ist eine Schaltung nach der Erfindung dargestellt, bei der die Tunneldiode als Oszillator wirkt; in Fig. 2 sind die Strom-Spannungskurven der Reihenschaltung der Tunneldiode und des Transistors dargestellt; die Fig. 3 und 4 zeigen Abarten der Schaltung nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist eine Tunneldiode 1 mit der Jmitterelektrode des Transistors 2 verbunden. Die Tunneldiode 1 hat die gleiche Durchlassrichtung wie die des Transititors 2. Die Basiselektrode des Transistors 2 ist mit dem Widerstand 6 verbunden, der mit dem Widerstand 5 ein Potentiometer 5» 6 bildet, das seinerseits an eine Spannungaquelle I4 angeschlossen ist. Dadurch, dasa der Widerstand 5 als veränderlicher Widerstand ausgebildet wird, kann die Spannung V Bn der Reihenschaltung der Tunneldiode 1 und des Basis-Emitterweges des Transistors 2 auf einen geeigneten niedrigen Wert eingestellt werden. Die Spule 4 bildet mit dem veränderlichen Kondensator 3 praktisch einen auf die gewünschte Frequenz abgestimmten Hochfrequenzparallelkreis für die Tunneldiode 1, da der Kondensator 12 so gross gewählt wird, dass er für die hohen Frequenzen einen Kurzschluss bedeutet und der hochfrequente Basie-Snitterwiderstand des Transistors 2 niedrig ist.
809901/0225 ■»«*»«·
- 4 - PH.17.231
Der Transistor 2 erfüllt die Punktion eines Energiever-
stärkere für die von der Tunneldiode erzeugten und zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode des Transistors 2 vorhandenen Hochfrequenzschwingungen, die am Widerstand 7 in Kollektorkreis des Transistors 2 verstärkt auftreten und der Impedanz 13 zugeführt werden. Es ergibt sich zweckmäs3ig, die Tunneldiode 1 unmittelbar mit einem Ferritring 10 zu kuppeln, wie es bereits vorgeschlagen wurde, um S tor schwingungen im cm-Wellenbereich und dm-Vfellenbereich zu verhüten.
In Fig. 2 sind die Strom-Spannungekurven 20 lind 30 der Tunneldiode 1 und des Transistors 2 dargestellt. Die Spannung V an der Reihenschaltung der Tunneldiode 1 und des Basis-Braitterweges dee Transistors 2 wird wie bereits früher bemerkt, mittels des veränderlichen Widerstandes 5 eingestellt. In der Figur sind die Spannung an der Tunneldiode 1 mit Vj. und die Spannung am Basis-Emitterweg des Transistors 2 mit V , bezeichnet.
eb
In einem Ausführungsbeispiel war 1 eine Ge-Tunneldiode, ein Transistor des Typs 0C171; 3 und 4 waren, ebenso wie 13» auf eine Frequenz von ΘΟ IAHz abgestimmt; 5 und 6 hatten einen Wert von 25 kOhm bzw. 1 kOhmj die Spannungsquelle I4 war 10 Volt? der Tunneldiodenetrom (Emitterstrom des Transistor«1) betrug etwa .1 mA, und V33 betrug etwa ■ 0,1 Volt und Veb etwa 0,3 Volt.
Man kann die Tunneldiode 1 auch als Verstärker schalten, indem sie durch einen hinreichend kleinen Widerstand 18 überbrückt wird, so dass die Schwingbedingung nicht mehr erfüllt wird. Das .zu verstärkende Signal wird dann zwischen den Klemmen I5 und 16 zugeführt und das verstärkte Signal wird wieder vom Transistor 2 verstärkt und der Impedanz 13 zugeführt» In der Praxis stellt der Widerstand
BADORlGfNAU
809901/0225 ,,<; .,,
- 5 - ph.17.231
den inneren Widerstand der Kochfrequenzsignalquelle dar.
Die Schaltung kann auch in einfachefWoise in eine Liiochschaltung geändert werden. In i'nig. 3 ist eine ilischschaltung dargestellt. Sie weicht von Pig. 1 darin ab, dass zwischen dei* Basiselektrodo des Transistors 2 und dem Verbindungspunkt der Widerstände 5 und 6 ein Kreis 30 liegt. Dem Kreis JC wird ein Signal mit der Frequenz f aus der 3ignalquolle 31 zugeführt. Der Eingangskreis 3* des Transistors 2 ist auf die Frequenz f. und die Impedanz 13 ist auf die Differenz- oder die 3unnnenfrequenz von f und f. abgestimmt, ils ist auch möglich, die Impedanz 13 entweder auf f, oder sowohl auf f als auch auf f.. abzustimmen. Die Qualität des Parallelkreises 13» 7 und auch der Abstand zwischen den Frequenzen f und f. muss dann so hoch bzw. so gross aein, das3 Komponenten mit den Summen und/oder Differenzfrequenzen im Ausgangssignal nicht auftreten. In letzterem Falle (13 sowohl auf f als auch auf f. abgestimmt) entsteht der bekannte Reflexverstärker.
In Fig. 4 ist eine weitere Llischschaltung dargestellt, bei der die Transistoren 2" und 21' unter Verwendung der V/iderstände 61, 6W sowie der Kapazitäten'12', 12" in Kaskade geschaltet sind, um eine bessere Entkopplung zwischen dem Ortsoszillator 31 und dem Ausgangskreis 13 zu erzielen*
80990
BAD

Claims (1)

  1. - 6 -; PH.17.231 .'■
    PATBHTAHS PRUCEi ..
    Schaltung zum Erzeugen, Verstärken oder Mischen elektrischer Schwingungen mit Hilfe einer auf einen Punkt des negativen Teiles der Strom-Spannungskurve eingestellten Tunneldiode, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunneldiode mit der Snitterelektrode eines Transistors mit gleicher Durchlasarichtung wie die der Tunneldiode verbunden und in Reihe mit dem Emitter-Kollektürweg dieses Transistors an eine Speisequelle angeschlossen ist, wobei die Basiselektrode des Transistors auf eine für die Tunneldiode erforderliche niedrige Vorspannung ■. eingestellt iot, und der Transistor gleichzeitig als Verstärker oder Generator elektrischer Schwingungen geschaltet ist, die einer mit der KollektorelektrodQ verbundenen Impedanz zugeführt worden.
    BAD ORIGINAL
DE19621441057 1961-08-31 1962-08-28 Schaltung mit einer Tunneldiode Pending DE1441057A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL268847 1961-08-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1441057A1 true DE1441057A1 (de) 1969-01-02

Family

ID=19753264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19621441057 Pending DE1441057A1 (de) 1961-08-31 1962-08-28 Schaltung mit einer Tunneldiode

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3218573A (de)
BE (1) BE621889A (de)
DE (1) DE1441057A1 (de)
GB (1) GB1006907A (de)
NL (1) NL268847A (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3479525A (en) * 1965-11-05 1969-11-18 Aircraft Radio Corp Logarithmic signal compressor
US3815049A (en) * 1973-04-09 1974-06-04 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance oscillator with active bias resistor for preventing spurious oscillations
EP2166667B1 (de) * 2006-03-20 2012-02-01 Fujitsu Limited Analoge Schaltung
JP5632599B2 (ja) * 2009-09-07 2014-11-26 キヤノン株式会社 発振器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2841703A (en) * 1956-01-10 1958-07-01 Avco Mfg Corp Transistor mixer circuit with gain control
US2978578A (en) * 1959-01-28 1961-04-04 Philco Corp Improved transistorized mixing circuit
US2978576A (en) * 1960-03-01 1961-04-04 Gen Electric Radio-frequency amplifier and converter circuits
US3090926A (en) * 1960-07-15 1963-05-21 Siemens Ag Transistor amplifier with tunnel diode in emitter circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US3218573A (en) 1965-11-16
GB1006907A (en) 1965-10-06
BE621889A (de)
NL268847A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1948851A1 (de) Signaluebertragungsschaltung,insbesondere Phasenteilerschaltung
DE916065C (de) Schaltungsanordnung zur Verstaerkung der von einer hochohmigen Spannungsquelle gelieferten Impulse
DE2154869C2 (de) Schaltung zur Erzeugung von Schwingungssignalen mit konstanter Amplitude
DE2363314C3 (de) Ferngesteuerte Einrichtung zum Erzeugen einer veränderbaren Ausgangsgleichspannung
DE1441057A1 (de) Schaltung mit einer Tunneldiode
DE3041392C2 (de) Oszillatorschaltung mit einer Mischstufe
DE2039695C3 (de) Amplitudengeregelter Transistoroszillatoror
DE807630C (de) Mischschaltung, bei welcher der Mischstufe eine Hochfrequenzstufe vorgeschaltet ist
DE1512671B1 (de) Schaltung mit veränderlicher Dämpfung grosser Amplituden
DE10009079A1 (de) Piezoelektrischer Oszillator
DE1449317A1 (de) Oszillatorverstaerkerkreis fuer magnetische Aufzeichnung
DE1084780B (de) Schaltungsanordnung zur Kompensation der durch Speisespannungsschwankungen verursachten Frequenzabweichungen eines Oszillators
DE2047417B2 (de) Widerstandsarmer differenzverstaerker
AT256199B (de) Sägezahnoszillator
DE2222237A1 (de) Induktiv betaetigbare Steuerschaltung
DE1801820A1 (de) Verstaerkerschaltung zum Verstaerken elektrischer Signale
DE1937714C3 (de) Schaltungsanordnung zum Stabilisieren von Gleichspannung
AT147616B (de) Lautstärkeregelungseinrichtung bei Empfängern.
DE2246607A1 (de) Schaltungsanordnung zur vergroesserung der wirksamen kapazitaet eines kondensators
DE976419C (de) Regelbare Signal-Verstaerkerstufe mit einem Transistor
AT223234B (de) Schaltungsanordnung mit einer negative Widerstandscharakteristik zeigenden Diode
DE1487367C (de) Komplementärsymmetrische Gegentaktverstärkerschaltung mit Schutz der Ausgangstransistoren
AT151117B (de) Geräuschunterdrücker.
DE1184379B (de) Umwandlungsverstaerker zur Erzeugung von Rechtecksignalen aus Sinusschwingungen
DE1087183B (de) Selbstschwingende, additive Mischstufe