DE1441057A1 - Schaltung mit einer Tunneldiode - Google Patents
Schaltung mit einer TunneldiodeInfo
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Description
Akte: EI/P-10679 "Schaltung mit einer Tunneldiode". 1441057
Anmeldung vom« 27. Aug. 1962
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zum Erzeugen, Verstärken
oder Mischen elektrischer Schwingungen mit Hilfe einer auf einen Punkt des negativen Teiles der 3trom-3pannungskurve eingestellten
Tunneldiode.
Es ist bekannt, dass unter anderem wegen der Fora der statischen Strom-Spannungskurve, welche teilweise eine negative Steigung aufweist,
eine Tunneldiode sich ganz besonders zum Erzeugen oder Verstärken elektrischer Schwingungen, insbesondere Kochfrequenzschwingung- ä
en eignet. Es ist auch bekannt, dass die Speisung einer Tunneldiode
Schwierigkeiten bereitet, denn der Wirkpunkt einer Tunneldiode liegt bei einer Spannung in der Nähe von z.3. 0,1 Volt. Dieae sehr niedrige
Spannung verursacht beträchtliche Enex'gieVerluste im Reihenwiderstand,
der zv/isohen der Tunneldiode und der Speisequelle, z.B. einen
Akkumulator mit einer Klemmenspannung von etwa 1,5 Volt, eingeschaltet
werden muss. Der Spannungsfall an diesen Widerstand ißt nämlich mit
einem Strom durch diesen Wideretand, der viel glaser ist als der
Strom durch die Tunneldiode verbunden. Zur Erzielung einer stabilen Einstellung der Tunneldiode muss nämlich parallel zur Diode ein
Widerstand mit einem kleineren Wert als der Absolutwert des differentiellen
Widerstandes im steilsten Teil der Strom-Spannungskurve der Diode geschaltet werden. Letzterer Widerstand ist b&trächtlich kleiner
als der statische Widerstand der Diode im Wirkpunkt, was also in noch stärkerem Kasse für den parallel geschalteten Widerstand gilt, durch
den daher ein wesentlich grösserer otrora fliesat als durch die
Tunneldiode. Aueserdem sind häufig grosse Glfittungskondensatoren
notwendig, um Sto'rschwingungen zu vermeiden.
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- 2 - PH.17.231
Die Erfindung bezweckt, diese Nachteile bzw, Schwierigkeiten zu überwinden und weist das Kennzeichen auf, dass die Tunneldiode mit
der Emitterelektrode eines Transistors mit gleicher Durchlassrichtung wie die der Tunneldiode verbunden und in Roihe mit dem Emitter-Kollektorweg
dieses Transistors an eine Speisequelle angeschlossen ist, wobei die Basiselektrode des Transistors auf eine für die Tunneldiode
erforderliche niedrige Vorspannung eingestellt ist, und der
Transistor gleichzeitig als Verstärker oder Generator elektrischer Schwingungen geschaltet ist, die einer mit der Kollektorelektrode
verbundenen Impedanz zugeführt werden.
Der Krfindung unterliegt die Erkenntnis, dass die Strom-Spannungskurve
(insbesondere die Umitterstroin-Basisspannunga-Kennlinie)
eines Transistors bei einem bestimmten Strom einen steileren Verlauf aufweisen kann als die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Tunneldiode
im Bereich der negativen Steigung. Infolge der Transistoreigenschaften
verhält sich ein mit der Basiselektrode verbundener Widerstand für eine mit der Emitterelektrode verbundene Tunneldiode
wie ein Widerstand, der um einen Paktor α1 verkleinert ist (α1 stellt
den Kollektor-Basisstromverstärkungsgrad des Transistors dar). Dies hat zur Folge, dass erstens die Tunneldiode leicht auf einen stabilen
Wirkpunkt eingestellt werden kann, zweitens durch die Parallelschaltung eines höheren Widerstandes mit der Reihenschaltung der
Tunneldiode und des Transistors erreicht wird, dass nur wenig Energie aus der Speisequelle verloren geht, und drittens dieser Widerstand
dennoch niedrig genug gewählt werden kann, um der Strom-Spannungskurve
des Transistors die gewünschte Steilheit zu varleichen, so dass
diese Kurve nur einen Schnittpunkt mit der Strojn-Spannung3kurve der
Tunneldiode «iiweiat. Würde dagegen zwischen der Emitterelektrode des
Transistors und der Tunneldiode ein Widerstand eingeschaltet, so ergibt
,hV'ii£'iiv'.i ''.V- eich eine un-
809901/022* BAOORIQINAt
- 3 - PH.17.231
stabile Einstellung dar Tunneldiode; die Steigung der Transistor-Kennlinie
wird dann so weit herabgesetzt, dass die Kennlinie drei Schnittpunkte mit der Tunneldiode-Kennlinie aufweist.
Das xüneohalten eines Transistors zwischen der Speiaequelle
und der Tunneldiode bietet überdies die Möglichkeit, den Transistor
zum Beispiel als Verstärker elektrischer Schwingungen wirken zu lassen, indem in der Kollektorleitung eine für diese Schwingungen hohe
Impedanz angebracht wird.
Die ürfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
In Pig. 1 ist eine Schaltung nach der Erfindung dargestellt,
bei der die Tunneldiode als Oszillator wirkt; in Fig. 2 sind die
Strom-Spannungskurven der Reihenschaltung der Tunneldiode und des Transistors dargestellt; die Fig. 3 und 4 zeigen Abarten der Schaltung
nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist eine Tunneldiode 1 mit der Jmitterelektrode des
Transistors 2 verbunden. Die Tunneldiode 1 hat die gleiche Durchlassrichtung wie die des Transititors 2. Die Basiselektrode des
Transistors 2 ist mit dem Widerstand 6 verbunden, der mit dem Widerstand
5 ein Potentiometer 5» 6 bildet, das seinerseits an eine
Spannungaquelle I4 angeschlossen ist. Dadurch, dasa der Widerstand 5
als veränderlicher Widerstand ausgebildet wird, kann die Spannung V Bn der Reihenschaltung der Tunneldiode 1 und des Basis-Emitterweges
des Transistors 2 auf einen geeigneten niedrigen Wert eingestellt werden. Die Spule 4 bildet mit dem veränderlichen Kondensator 3 praktisch
einen auf die gewünschte Frequenz abgestimmten Hochfrequenzparallelkreis
für die Tunneldiode 1, da der Kondensator 12 so gross gewählt wird, dass er für die hohen Frequenzen einen Kurzschluss bedeutet
und der hochfrequente Basie-Snitterwiderstand des Transistors
2 niedrig ist.
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Der Transistor 2 erfüllt die Punktion eines Energiever-
stärkere für die von der Tunneldiode erzeugten und zwischen der Basiselektrode
und der Emitterelektrode des Transistors 2 vorhandenen Hochfrequenzschwingungen, die am Widerstand 7 in Kollektorkreis des
Transistors 2 verstärkt auftreten und der Impedanz 13 zugeführt
werden. Es ergibt sich zweckmäs3ig, die Tunneldiode 1 unmittelbar
mit einem Ferritring 10 zu kuppeln, wie es bereits vorgeschlagen wurde, um S tor schwingungen im cm-Wellenbereich und dm-Vfellenbereich
zu verhüten.
In Fig. 2 sind die Strom-Spannungekurven 20 lind 30 der
Tunneldiode 1 und des Transistors 2 dargestellt. Die Spannung V an der Reihenschaltung der Tunneldiode 1 und des Basis-Braitterweges dee
Transistors 2 wird wie bereits früher bemerkt, mittels des veränderlichen Widerstandes 5 eingestellt. In der Figur sind die Spannung
an der Tunneldiode 1 mit Vj. und die Spannung am Basis-Emitterweg des
Transistors 2 mit V , bezeichnet.
eb
In einem Ausführungsbeispiel war 1 eine Ge-Tunneldiode,
ein Transistor des Typs 0C171; 3 und 4 waren, ebenso wie 13» auf eine
Frequenz von ΘΟ IAHz abgestimmt; 5 und 6 hatten einen Wert von 25 kOhm
bzw. 1 kOhmj die Spannungsquelle I4 war 10 Volt? der Tunneldiodenetrom
(Emitterstrom des Transistor«1) betrug etwa .1 mA, und V33 betrug etwa ■
0,1 Volt und Veb etwa 0,3 Volt.
Man kann die Tunneldiode 1 auch als Verstärker schalten, indem
sie durch einen hinreichend kleinen Widerstand 18 überbrückt wird,
so dass die Schwingbedingung nicht mehr erfüllt wird. Das .zu verstärkende
Signal wird dann zwischen den Klemmen I5 und 16 zugeführt
und das verstärkte Signal wird wieder vom Transistor 2 verstärkt und der Impedanz 13 zugeführt» In der Praxis stellt der Widerstand
BADORlGfNAU
809901/0225 ,,<; .,,
809901/0225 ,,<; .,,
- 5 - ph.17.231
den inneren Widerstand der Kochfrequenzsignalquelle dar.
Die Schaltung kann auch in einfachefWoise in eine Liiochschaltung
geändert werden. In i'nig. 3 ist eine ilischschaltung dargestellt.
Sie weicht von Pig. 1 darin ab, dass zwischen dei* Basiselektrodo
des Transistors 2 und dem Verbindungspunkt der Widerstände
5 und 6 ein Kreis 30 liegt. Dem Kreis JC wird ein Signal mit der
Frequenz f aus der 3ignalquolle 31 zugeführt. Der Eingangskreis 3*
des Transistors 2 ist auf die Frequenz f. und die Impedanz 13 ist auf
die Differenz- oder die 3unnnenfrequenz von f und f. abgestimmt,
ils ist auch möglich, die Impedanz 13 entweder auf f, oder sowohl
auf f als auch auf f.. abzustimmen. Die Qualität des Parallelkreises 13»
7 und auch der Abstand zwischen den Frequenzen f und f. muss dann so hoch bzw. so gross aein, das3 Komponenten mit den Summen und/oder
Differenzfrequenzen im Ausgangssignal nicht auftreten. In letzterem
Falle (13 sowohl auf f als auch auf f. abgestimmt) entsteht der bekannte
Reflexverstärker.
In Fig. 4 ist eine weitere Llischschaltung dargestellt, bei
der die Transistoren 2" und 21' unter Verwendung der V/iderstände
61, 6W sowie der Kapazitäten'12', 12" in Kaskade geschaltet sind,
um eine bessere Entkopplung zwischen dem Ortsoszillator 31 und dem
Ausgangskreis 13 zu erzielen*
80990
BAD
BAD
Claims (1)
- - 6 -; PH.17.231 .'■PATBHTAHS PRUCEi ..Schaltung zum Erzeugen, Verstärken oder Mischen elektrischer Schwingungen mit Hilfe einer auf einen Punkt des negativen Teiles der Strom-Spannungskurve eingestellten Tunneldiode, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunneldiode mit der Snitterelektrode eines Transistors mit gleicher Durchlasarichtung wie die der Tunneldiode verbunden und in Reihe mit dem Emitter-Kollektürweg dieses Transistors an eine Speisequelle angeschlossen ist, wobei die Basiselektrode des Transistors auf eine für die Tunneldiode erforderliche niedrige Vorspannung ■. eingestellt iot, und der Transistor gleichzeitig als Verstärker oder Generator elektrischer Schwingungen geschaltet ist, die einer mit der KollektorelektrodQ verbundenen Impedanz zugeführt worden.BAD ORIGINAL
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